JP5505365B2 - 誘導加熱コイルにおける放電防止用絶縁部材及びこれを用いた単結晶製造装置並びに単結晶製造方法 - Google Patents
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Description
そして、上軸と下軸を回転させながら原料結晶棒と単結晶棒を誘導加熱コイルに対して相対的に下降させることで浮遊帯域を原料結晶棒と単結晶棒の間に形成し、前記浮遊帯域を保持したまま原料結晶棒の上端まで移動させてゾーニングし、単結晶棒を成長させ、単結晶を製造する。
しかし、誘導加熱コイルの下面には浮遊帯域が存在するため、誘導加熱コイルの下面から絶縁部材がはみ出す長さは、この浮遊帯域の位置によって制限される。
また、絶縁部材自体の長さを長くする必要もないため、絶縁部材が浮遊帯域に近づきすぎる事に起因する放電、若しくは浮遊帯域に接触する事による有転位化又は不純物汚染等も防止することができる。
さらに、従来までの絶縁部材に溝を設けるだけで良いため、容易に且つ安価に構成することができ、且つ上記のような効果を得ることができる。
また本発明は、FZ法による単結晶製造方法であって、本発明の単結晶製造装置を用いて単結晶を製造することを特徴とする単結晶製造方法を提供する。
また、このような絶縁物質がスリットに挿入された誘導加熱コイルを有する単結晶製造装置によって単結晶を製造することにより、単結晶の有転位化や不純物汚染を防止しながら、大口径且つ高品質の単結晶を安定して製造することができる。
この単結晶製造装置30は、原料結晶棒1及び、下端に絞り部9が形成された単結晶棒2を収容するチャンバー20と、原料結晶棒1と単結晶棒2の間の浮遊帯域10を形成するための加熱源となる複巻誘導加熱コイル7と、複巻誘導加熱コイル7に電力を供給する高周波発振機と、原料結晶棒1を保持するための上部保持治具4と、原料結晶棒1を回転・移動させるための上軸3と、種結晶8を保持するための下部保持治具6と、種結晶8を回転・移動させるための下軸5と、を有するものである。
また、絶縁部材自体の長さを長くする必要もないため、絶縁部材が浮遊帯域に近づきすぎる事に起因する放電、若しくは浮遊帯域に接触する事による有転位化又は不純物汚染も防止することができる。
尚、シリコン原料結晶棒1を育成する際に回転中心となる上軸3と、単結晶化の際に単結晶の回転中心となる下軸5をずらして(偏芯させて)単結晶を育成することが好ましい。このように両中心をずらすことにより、単結晶化の際に溶融部を攪拌させ、製造する単結晶の品質を均一化することができる。偏芯量は単結晶の直径に応じて設定すればよい。
図5に示したような単結晶製造装置を用いて、直径170mmのCZシリコン単結晶をシリコン原料結晶棒として、炉内圧を0.18MPa、Arガス流量を50L/min、チャンバー内窒素ガス濃度を0.1%、成長速度を2.2mm/min、偏芯量を10mmとしてFZ法によりゾーニングを行い、直径205mm、直胴長さ60cmのシリコン単結晶を製造した。
このとき、外径300mm、内径50mmの誘導加熱コイルのスリットには、図1(b)及び図1(b’)に示したような、石英ガラスからなり、コイル端部と対向する表面上に、溝深さ1.0mm、溝幅0.8mm、溝数は両表面上にそれぞれ5箇所ずつとして溝が形成されることによって、碍子構造を有する絶縁部材を挿入した。尚、誘導加熱コイルの下面にはみ出した絶縁部材の厚さは2.0mmで、長さはコイル外周部が24mmで内周部が1.0mmであった。
このようなFZ法によるシリコン単結晶の育成を20回実施した。その結果、誘導加熱コイルのスリット間で放電は一度も発生せず、有転位化や不純物汚染の無い高品質のシリコン単結晶を製造することができた。
図2(b)に示したような、溝が形成されていない以外は同一形状の絶縁部材を誘導加熱コイルのスリットに挿入したこと以外は実施例1と同様に、直径205mm、直胴長さ60cmのシリコン単結晶を製造した。
このようなFZ法によるシリコン単結晶の育成を10回実施した。その結果、誘導加熱コイルのスリット間で10回とも放電が発生し、シリコン単結晶の無転位化が阻害され、製造を行うことができなかった。
6…下部保持治具、 7…誘導加熱コイル、 8…種結晶、 9…絞り部、
10…浮遊帯域、 11…コイル外周面、 12…電源端子、 13…コイル端部、
14…スリット、 15…コイル内周面、 16、116、116′…絶縁部材、
17…溝、 20…チャンバー、 30…単結晶製造装置。
Claims (5)
- FZ法による単結晶製造装置に具備される誘導加熱コイルの両コイル端部を互いに分離するスリットに挿入され、該スリットにおいて生じる放電を防止するための絶縁部材であって、少なくとも、該絶縁部材の、前記スリットに挿入された際に前記コイル端部と対向する表面上に、1以上の溝が形成されたものであることを特徴とする絶縁部材。
- 前記絶縁部材は、石英ガラスからなるものであることを特徴とする請求項1に記載の絶縁部材。
- 前記溝は、前記絶縁部材が前記スリットに挿入された際に前記コイル端部と対向する両表面上において、それぞれ異なる高さ位置に交互に形成されるか、または同じ高さ位置に形成されるか、もしくはどちらか片側の表面上のみに形成されるものであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の絶縁部材。
- FZ法による単結晶製造装置であって、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の絶縁部材がスリットに挿入された誘導加熱コイルを有するものであることを特徴とする単結晶製造装置。
- FZ法による単結晶製造方法であって、請求項4に記載の単結晶製造装置を用いて単結晶を製造することを特徴とする単結晶製造方法。
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