JP2010523459A - 単結晶を製造する方法及び装置 - Google Patents

Abstract

多結晶質ロッド（１）を加熱区域（２）に通し、溶融帯域（３）を形成すること、該溶融帯域に磁界を印加すること、及び種単結晶（４）上で該溶融材料が凝固する際に、単結晶（５）の成長を誘発することを含んでなる、単結晶の製造方法を開示する。該成長している単結晶を、時計及び反時計回転方向の間で交互に変化するパターンで回転させる。本方法は、一様な電気的特性を有するシリコン単結晶の製造に有用である。該方法を実行するための装置も開示する。

Description

本発明は、単結晶を製造する方法及び装置に関し、特に、浮遊帯域法において、成長方向に対して実質的に直角の断面方向に一様な抵抗を有するシリコンの単結晶を製造する方法に関する。本発明は、この方法を実行するための装置にも関する。

シリコン等の半導体材料の単結晶ロッドは、典型的には、一般的である二種類の方法、すなわちＣｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ（ＣＺ）法または浮遊帯域（ＦＺ）法の一方を使用して製造される。これらの両方ともに周知であり、溶融材料が再凝固する際の単結晶形成に依存している。しかし、これらの方法のいずれも、溶融した材料と固体材料との界面における結晶化の制御に問題があるため完璧ではない。この問題は特に、リンまたはホウ素でドーピングしたシリコンに該当する。単結晶質ロッドから製造された、結晶構造における転位または誤差が無いウェハが益々求められている。単結晶のロッドにおける欠陥発生は、製造されるロッドの直径とともに増加し、従って、結晶化全体にわたる制御を改良する方法が求められている。単結晶の品質は、材料の抵抗によって特徴付けることができ、ロッドの断面全体にわたる均質な抵抗が高品質を示す。

ｄｅ Ｌｅｏｎ、Ｇｕｌｄｂｅｒｇ及びＳａｌｌｉｎｇ（１９８１，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ， ５５：４０６−４０８）により提案されているように、結晶化に磁界が有益であることは以前から公知である。この場合、成長方向に対して平行な磁界（すなわち軸方向に向けられた磁界）が、従来のＦＺ製法に応用された。しかし、細い（＜５０ｍｍの直径）ロッドのみ試験されており、この原理を容易に拡張できるか否かは、これらの結果からは明らかではない。

磁界を商業的に使用する最初の試みは、旧東ドイツ特許公報ＤＤ２６３３１０に記載されている。この公報によれば、磁界をＣＺ及びＦＺ法の両方で横方向に印加し、製造されたシリコンロッドで改良された結晶構造を達成した。

ＦＺ製法で結晶成長の方向に対して直角に磁界を印加した別の２つの例は、独国特許公報ＤＥ１００５１８８５及びＤＥ１０２１６６０９から明らかである。いずれの場合も、磁界は、結晶ロッドの回転方向と反対の方向に回転させる。これは、凝固をより効果的に制御すると考えられている。

独国特許公報ＤＥ１０２５９５８８は、磁界を、磁界が、結晶成長の方向に対して平行といえなくもないが、一様であるとはいえない様式で、溶融シリコンを含むるつぼに印加するＣＺ法を開示している。

独国特許公報ＤＥ１９６１７８７０は、永久磁石を使用するＦＺ製法で製造されるシリコン結晶に、軸方向で磁界を印加する手法を記載している。今日の永久磁石で容易に達成できる磁界強度を考えると、これは魅力的な手法であると思われる。しかし、溶融シリコンの区域の近くで予想される温度では、永久磁石は消磁する傾向があるので、シリコンの融解に必要な高温は、この手法を制限すると予想される。

欧州特許公報ＥＰ０５０４９２９及びＥＰ０６２９７１９は、いずれも、ＦＺ製法で単結晶質に成長しているシリコンロッドに磁界を軸方向で印加する方法に関するものである。これらの両方ともに、シリコンロッドを取り囲むソレノイドコイルに直流を印加することにより、磁界を得ることを提案しているが、欧州特許公報ＥＰ０６２９７１９は、結晶成長方向に対して直角の磁界を包含することもさらに考察している。欧州特許公報ＥＰ０５０４９２９及び欧州特許公報ＥＰ０６２９７１９のシリコンロッドは、単結晶形成の際にゆっくり回転している。

米国特許出願公開ＵＳ２００３／００２４４６８及びＵＳ２００３／００２４４６９は、いずれも、単結晶シリコンロッドの製造に変形したＦＺ製法を使用している。この変形は、伝統的な、シリコンロッドの一方向回転を使用する代わりに、回転が、回転方向が交互に変化するパターンに従うことにある。この追加された複雑さのために、最終的な結晶における転位数が減少すると考えられる。

本発明の目的は、断面全体にわたって非常に均質な電気的特性を有する単結晶を提供することである。特に、本発明の目的は、ウェハ上の様々な位置で測定した抵抗間に差がほとんど無いウェハにスライスできる単結晶を得る方法を提供することである。

本発明の方法により単結晶を製造するのに好適な、本発明の装置を図式的に示す図である。 本発明の方法に有用な代表的な回転パターンを示す。 本発明の方法により製造したシリコン単結晶で得た、相対的な抵抗値を示す。

本発明は、
多結晶質ロッドを加熱区域に通し、溶融帯域を形成する工程、
前記溶融帯域に磁界を印加する工程、及び
種単結晶上で該溶融材料が凝固する際に、単結晶の形成及び成長を誘発する工程
を含んでなり、
前記成長している単結晶を、時計回転方向及び反時計回転方向で交互に変化するパターンで回転させる、単結晶の製造方法に関する。

本発明の方法は、一般的に浮遊帯域（ＦＺ）法と呼ばれている種類の方法である。しかし、ＦＺ製法における方法を使用して得られる利点は、Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ型（ＣＺ）製法に基づく方法でも得られる。従って、ＣＺ製法でるつぼ中にある溶融物に磁界を印加し、同時に、結晶を、時計及び反時計回転方向の間で交互に変化するパターンで回転させることにより、公知の方法と比較して単結晶の均質性が改良されると予想される。

本発明の方法は、シリコンの単結晶を製造するのに有用であるが、他の半導体材料の単結晶も、本方法を使用して製造することができる。元素の周期律表に関して、これらの材料としては、ＩＶ族の単一元素、ＩＶ族の元素対、ＩＩＩ族及びＶ族の元素対、ＩＩ族及びＶＩ族の元素対、及びＩＶ族及びＶＩ族の元素対から選択された元素または元素混合物がある。より詳しくは、半導電性材料は、シリコン、ゲルマニウム、炭素及びＳｉＣ、またはそれらの組合せからなる群から選択することができる。

本発明の特定の態様においては、シリコン単結晶をリンまたはホウ素でドーピングすることができる。ドーピング剤は、多結晶質ロッドで供給するか、またはガスとして溶融区域に加えることができる。

本発明の方法を使用して製造された単結晶は、＜１１１＞または＜１００＞配向にある種単結晶から形成することができる。他の結晶配向、例えば＜１１０＞は、特定の用途に好適な場合があり、本発明に包含される。

本発明の方法に不可欠な磁界は、いずれかの適切な方法により形成できるが、好ましい実施態様では、軸方向を向いた磁界は、溶融帯域を取り囲むように配置されたソレノイドコイルに直流を通すことにより、形成することができる。好ましい実施態様では、軸方向で磁界の磁束密度は、０．００５〜０．０１５Ｔ、より好ましい実施態様では、磁束密度は、０．００８〜０．０１２５Ｔである。しかし、本発明の方法の利点は、より高い磁束密度、例えば約０．０５Ｔまでの磁界を溶融帯域に印加しても、実現することができる。

磁界は、好ましくは多結晶質ロッドに対して実質的に軸方向に向ける。好ましくは、磁界は、攪拌工程を適度に抑制するのに十分な方向及び強度で作用させる。

本発明の方法の重要な特徴は、成長している単結晶が、回転方向が時計及び反時計方向回転の間で交互に変化するように、交互に変化する様式で回転させることである。時計方向回転の回転速度は、反時計方向回転の速度と等しくても異なっていてもよい。

好ましい実施態様においては、これらの回転速度は実質的に等しく、１０〜１８ｒｐｍの値を有し、より好ましくは、回転速度は１２〜１５ｒｐｍである。しかし、より高い、またはより低い回転速度を使用ことも、有利な場合がある。回転方向の変化は、一般的に比較的速く維持する。従って、回転変化は、０．１〜２ｓでよく、０．２〜０．６ｓが好適である。

本発明の方法で使用する時計方向回転の持続時間は、反時計方向回転の持続時間と実質的に等しくてもよいし、２つの持続時間が異なっていてもよい。時計方向回転及び反時計方向回転の持続時間が等しい場合、形成された単結晶ロッドで転換点同士が丁度重なるのを避けるために、回転速度は異なっているのが好ましい。

時計方向または反時計方向回転のそれぞれの持続時間は、２〜１０秒間でよいが、約４〜約６秒間の持続時間が好ましい。しかし、１０秒間を超える持続時間も、特定タイプ及び直径の単結晶の製造では有利な場合もあるので、２つの回転方向における回転の持続時間は、この範囲内に制限されない。成長している単結晶は、典型的には、単結晶成長の方向に対して実質的に直角の回転面で回転させる。

単結晶の成長速度は、一般的に引張速度（ｄｒａｗｉｎｇ ｒａｔｅ）と呼ばれる。本発明の一態様において、成長している単結晶を、２〜５ｍｍ／分の速度で引っ張る。製造された単結晶は、一般的に直径が７５ｍｍ〜３５０ｍｍであり、１００ｍｍ〜２２０ｍｍが好適である。

本発明の方法は、短いまたは長い多結晶質ロッドで使用することができる。ロッドの長さがその直径より著しく長い場合、多結晶質ロッドを加熱区域に対して移動させることにより、あるいは加熱区域を多結晶質ロッドに対して移動させることにより、溶融帯域を多結晶質ロッドの一端に向けて移動させるのが好ましい。特定の実施態様においては、多結晶質ロッドの回転を固定することが望ましいが、他の実施態様においては、多結晶質ロッドを０．５〜４０ｒｐｍの回転速度で回転させるのが有利である。

本発明の方法では、多結晶質ロッドの向きはどの方向でもよい。しかし、多結晶質ロッドは、一様に配分された溶融物を得るためには、実質的に垂直に向いているのが好ましい。

本発明はさらに、単結晶を製造するための装置にも関する。この装置は、多結晶質ロッド中に溶融帯域を形成するためのヒーターと、そのヒーターを取り囲むコイルとして配置された電流導体と、多結晶質ロッドを吊り下げるための上側シャフトと、成長している単結晶を支持するための下側シャフトと、を含んでなり、前記下側シャフトが、前記成長している単結晶に、第一時期で時計方向回転方向を、第二時期では反時計方向回転方向を与えることができる。

好ましい実施態様においては、ヒーターが、銅から製造するのが好適である一巻きの高周波誘導コイルを含んでなる。コイルの電流導体は、銅またはアルミニウムから製造するのが好ましい。別の好ましい実施態様においては、シャフトが、多結晶質ロッド及び成長している単結晶に垂直運動をさらに与えることができる。上側シャフトは、多結晶質ロッドを回転しないように固定するか、または多結晶質ロッドの回転を与えることができる。

発明の詳細な説明

本発明は、半導体の分野に関する。より詳しくは、本発明は、単結晶ロッドの製造に関する。用語「ロッド」とは、物質の、その長さが幅よりも著しく大きい断片を記載するのに一般的に使用される。しかし、本発明の状況では、ロッドは、その幅と同じ位に、またはそれ以上に短くてもよい。本発明では、幅が直径として説明できるように、ロッドは一般的に円断面を有する。その上、本発明の方法で原料として使用する多結晶質ロッドは、直線的である必要は無く、形状が僅かに湾曲し、バナナに近い外見を有することもできる。

本発明では、「多結晶質」の語は、特に限定的ではなく、本発明の方法で処理することにより品質を改良することができる、様々な種類の結晶化度を有する材料を包含する。従って、例えば、本発明の方法で製造した「単結晶」を再処理するのが有利な場合もある。同様に、用語「単結晶」は、制限されることなく、本発明の方法を使用して「多結晶質ロッド」を処理した結果を説明することを意図している。

本発明の方法を実行するのに有用な、本発明の装置を図１に図式的に示す。多結晶質ロッド（１）は、例えば水冷式の、銅製の１回巻高周波誘導コイル（２）の中を通過し、溶融帯域（３）を形成する。種単結晶（４）の上で冷却され、凝固することにより、単結晶（５）の形成及び成長が進行する。この処理中、例えば溶融帯域を取り囲むソレノイドコイル（６）により、多結晶質ロッドに対して実質的に軸方向に向けられた磁界が溶融帯域に印加される。多結晶質ロッドは、上側シャフト（７）から吊り下げられており、成長している単結晶は下側シャフト（８）により支持されている。少なくとも下側シャフトは、成長している単結晶に、及び所望により多結晶質ロッドに回転を与え、単結晶及び多結晶質ロッドを、単結晶の成長方向に対して実質的に直角の回転面内で、時計方向と反時計方向の間で交互に変化する回転パターンで回転させ、同時に、溶融帯域を多結晶質ロッドの一端から他端に移動させることができる。

磁界の形成に使用するコイルは、銅またはアルミニウムワイヤを溶融帯域の周囲に多数回巻き付けたものが好適である。従って、直流電流をワイヤに通すと、コイルの中央に、多結晶質ロッド及び成長している単結晶に対して実質的に平行に、磁界が形成される。磁界は、通常は５０Ｈｚ〜１００ｋＨｚの範囲内の周波数を有する交番電流を使用して形成することもできる。特定の用途には、５０Ｈｚ未満の周波数も考えられる。しかし、低周波数では、溶融物が不安定になる傾向がある。

ソレノイドコイル中に形成される磁界の磁束密度は、良く知られている電磁気に関する物理的法則から容易に計算することができるが、一般的に、巻数が高い程、及び印加する電流が高い程（アンペアで）、高い磁束密度が達成される。適切に設計された装置は、約０．０５Ｔまでの磁束密度を印加するのに十分に多い巻線数を有し、ソレノイドコイルを使用して磁界を形成することにより、印加する電流を調節することにより、磁束密度を容易に制御することができる。さらに、ワイヤは、磁界を発生させる際のエネルギー消費を最少に抑えるために、十分に大きな直径を有することができる。

現在、磁界は、コイルに電流を通すことにより形成するのが好ましいが、特定の用途には、永久磁石を意図している。

本発明の特定の態様においては、磁束線は、実質的に軸方向に向いている、すなわち磁束線は、溶融帯域の少なくとも一部で多結晶質ロッドの縦方向に対して実質的に平行である。従って、磁束線は、溶融帯域のある部分では湾曲し、別の部分では実質的に平行でよい。実質的に平行とは、磁束線がロッドの軸から１０度まで偏位してよいことを意味する。溶融帯域に対してコイルを引き上げるか、または下げることにより、磁束線の望ましいパターンを得ることができる。一般的にソレノイドコイルが好ましいが、他の種類のコイル、例えばヘルムホルツコイル、マクセルコイル、または二本（ｂｉｆｉｌａｒ）コイルを使用するのが望ましい場合もあろう。

本発明の別の態様においては、磁束線が実質的に放射状、すなわち垂直多結晶質ロッドに対して水平である。

多結晶質原料ロッドは、適切ないずれかの製法により得ることができる。第一の製法では、多結晶質ロッドは、ＣＺ製法により得られる。第二の製法では、多結晶質ロッドは、例えばシリコンを含んでなる揮発性化合物を分解し、ワイヤ上にシリコンを堆積させる、いわゆるＳｉｅｍｅｎｓ型製法により得られる。第三の製法では、二回通し製法により、単結晶を製造するが、その際、粗製シリコン含有材料を一回目の通しでＦＺ製法により処理し、二回目の通しで本発明の方法により処理する。一回目の通しのＦＺ製法は、本発明の方法と同一でも、異なっていてもよい。

多結晶質ロッドは、回転しないように固定するか、または回転させることができる。多結晶質ロッドを回転させる場合、多結晶質ロッドは、時計方向、反時計方向または時計方向と反時計方向との間で交互に変化しながら回転させることができる。

本発明の方法で使用する典型的な多結晶質原料ロッドは、直径が９０〜１６０ｍｍ、長さが２．５ｍまでである。ロッドの末端は、通常、円錐形に研磨または他の様式で加工してから処理する。本発明では、そのような多結晶質ロッドの円錐形底部末端を、先ず予備加熱し、水冷式の一回巻銅製高周波誘導コイルの中央に配置する。次いで、導電性サセプタ（ｓｕｓｃｅｐｔｏｒ）、例えばグラファイトを多結晶質ロッドの下に、最小隙間を置いて配置する。電流を誘導コイルに印加し、渦電流をサセプタ中に誘導し、サセプタの温度を増加させる。次いで、発生した熱が、放射により多結晶質ロッドに伝達される。サセプタに近い多結晶質材料の一部が白熱し始めると、高周波エネルギーにより、材料のこの部分で渦電流を誘導することができる。グラファイトサセプタは最早必要ないので、誘導コイルから取り外す。多結晶質ロッドの円錐形部分が融解するまで、熱を連続的に加える。続いて、種単結晶を下から溶融材料の中に浸漬する。

種が溶融材料により湿潤すると、種を下降させることにより、結晶の成長を開始させることができる。多結晶質ロッドも、遙かに低い速度で下降させる。種形成工程では、高い引き取り速度により、転位の無い成長を開始すべきである。転位の無い構造が観察されたら（明瞭に目に見える側面の出現により分かる）、結晶直径が徐々に増加するように、種と多結晶質ロッドとの間の引き取り速度の比を次第に減少させる。本発明の方法により製造される単結晶は、直径が約７５〜約４５０ｍｍでよいが、典型的な直径は約１００ｍｍ〜２００ｍｍである。

単結晶は、電気的特性を変化させる少量の不純物でドーピングすることができる。ドーピング剤の例は、元素の周期律表のＩＩＩ族またはＶ族に属する。ホウ素、ヒ素、リン及び場合によりガリウムを一般的に使用してシリコンをドーピングする。ホウ素は、接合深度を容易に制御できる速度で拡散するので、シリコン集積回路製造に選択されるｐ−型ドーピング剤である。リンは、ｎ−型ドーピング剤であり、典型的にはシリコンウエハのバルクドーピングに使用され、ヒ素は、リンよりもゆっくりと拡散し、従って、より制御し易いので、接合を拡散するのに使用される。ホウ素は、結晶をジボランの雰囲気中で成長させることにより、結晶構造中に導入することができ、リンは、単結晶をホスフィン雰囲気中で成長させることにより、構造中に取り入れることができる。

高周波誘導コイルに印加する周波数は、浸透深度が周波数に依存するので、プロセスパラメータである。最適周波数２〜３ＭＨｚが提案されている。周波数が５００ｋＨｚ未満である場合、好ましくない表面融解が起こることがある。反対に、３ＭＨｚを超える周波数は、アークの危険性を増大させる。

結晶成長を成功させるファクターは、溶融帯域の安定性を維持することである。溶融帯域は、この区域の内側圧力が外側圧力よりも高い場合に安定している。内側圧力は、表面張力、固体と液体との間の凝集性、及び電磁圧力を包含する。後の二つの条件は、表面張力より比較的小さい。外側圧力は、主として、溶融帯域の重力から生じる静水圧を包含する。静水圧は、区域の高さに正比例する。従って、溶融帯域は、ロッド直径より狭く維持するべきである。

単結晶ロッドは、適切な、どのような速度ででも引っ張ることができる。一般的に、製法の経済性から、比較的高い引張速度を得ることが望ましい。引張速度は、とりわけ、形成される単結晶の直径によって異なる。例えば、小さな直径では、より高い引張速度を得ることができる。本方法には、一般的に５ｍｍ／分以下の引張速度が好ましい。

本発明により、軸方向の磁界及び交互に変化する回転パターンを組み合わせて作用させることにより、先行技術と比較して、単結晶の均一性が改良される。単結晶の均一性は、相対的抵抗値（ＲＲＶ）により表すことができる。この値は、最高抵抗値と最低抵抗値との差と、最低抵抗値との間の比、すなわち、

として計算される。

従って、ＲＲＶは単結晶の断面均質性を表し、よって、ＲＲＶをある結晶からスライス加工したウェハの品質に関する指針として使用することができる。

現在、磁界の印加と、結晶の交互に変化する回転パターンを組み合わせることにより、磁界が溶融帯域の中央を安定化させるのに役立つと考えられる。本明細書で報告する実験データは、この組合せにより、交互に変化する回転パターンまたは軸方向磁界を単独で使用しては得られない、単結晶の均質性における改良が得られることを示している。

本発明の方法の利点は、ホウ素またはリンでドーピングしたシリコン単結晶の製造で、改良された結晶化により、結晶の断面全体にわたってそのようなドーピング剤が非常に均質に、確実に配分されるので、特に顕著である。

例１
本発明の方法によりシリコン単結晶を製造した。ＦＺ原理を使用し、種結晶配向が＜１１１＞である多結晶質ロッドから、直径１００ｍｍ（４インチ）の結晶を引いた。静止磁束密度（０〜０．０２Ｔ）を、結晶の成長方向に対して実質的に平行（すなわちロッドの縦軸に対して平行）の方向で溶融帯域に印加した。磁界は、結晶の周囲に巻き付けた銅コイルを通して直流電流を通して形成し、磁束密度を容易に制御できるようにした。全ての実験で、結晶の回転は、時計方向と反時計方向回転の間で、それぞれ４及び６秒間の持続時間で交互に変化させた。回転方向の変化は、最大０．３秒を要した。交互に変化する回転パターンを図２に示す。回転速度１０〜１８ｒｐｍを試験した。全ての実験で、ロッドの移動速度は２．８ｍｍ／分であった。

これらの実験から得た結果を図３に示す。この図はで、データを相対的抵抗値（ＲＲＶ）として表す。シリコン単結晶の直径を横切る一様な抵抗が低いＲＲＶ値により示されている。図３から分かるように、磁束密度０．０１Ｔ（１００ガウス）の使用が、回転速度に関係なく、最も低いＲＲＶを与えた。しかし、回転速度１２または１５ｒｐｍにより、磁束密度０．０１Ｔで、より高いか、またはより低い回転速度を使用して得た結果より、優れた結果が得られた。

Claims (24)

1. 単結晶を製造する方法であって、
   多結晶質ロッドを加熱区域に通し、溶融帯域を形成する工程、
   前記溶融帯域に磁界を印加する工程、及び
   種単結晶上で前記溶融材料が凝固する際に、単結晶の形成及び成長を誘発する工程、
   を含んでなり、
   前記成長している単結晶を、時計回転方向及び反時計回転方向で交互に変化するパターンで回転させる、方法。
2. 前記多結晶質ロッド及び前記種単結晶がシリコンを含んでなる、請求項１に記載の方法。
3. 前記シリコンが、リンまたはホウ素でドーピングされる、請求項２に記載の方法。
4. 前記種単結晶の配向が、＜１１１＞または＜１００＞である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
5. 前記軸方向の磁界の磁束密度が０．００５〜０．０１５Ｔである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
6. 前記磁界が、前記多結晶質ロッドに対して実質的に軸方向に向けられる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
7. 前記磁界が、前記溶融帯域を取り囲むように配置されたソレノイドコイルに直流電流を通すことにより、形成される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
8. 前記多結晶質ロッドが回転しないように固定される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
9. 前記多結晶質ロッドが、回転速度０．５〜４０ｒｐｍで回転する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
10. 前記成長している単結晶が、前記単結晶の成長方向に対して実質的に直角の回転面で回転する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
11. 前記時計回転方向及び反時計回転方向の回転速度が１０〜１８ｒｐｍの範囲内にある、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
12. 前記時計回転方向及び反時計回転方向の持続時間が、それぞれ２〜１０秒間の範囲内である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
13. 前記時計回転方向の持続時間が、前記反時計回転方向の持続時間と異なる、請求項１２に記載の方法。
14. 前記成長している単結晶が、２〜５ｍｍ／分の速度で引張られる、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
15. 前記引張られている単結晶の直径が７５ｍｍ〜３５０ｍｍの範囲内にある、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
16. 前記引張られている単結晶の直径が１００ｍｍ〜２２０ｍｍの範囲内にある、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法。
17. 前記多結晶質ロッドと前記加熱区域との間を相対的に移動させ、それによって、前記溶融帯域を前記多結晶質ロッドの一端に向けて移動させる、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
18. 前記製造された単結晶を一個以上のウェハにスライス加工する工程をさらに含んでなる、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の方法。
19. 請求項１〜１８のいずれか一項に記載の単結晶を製造するための装置であって、
    多結晶質ロッド中に溶融帯域を形成するためのヒーターと、
    前記ヒーターを取り囲むコイルとして配置された電流導体と、
    前記多結晶質ロッドを吊り下げるための上側シャフトと、
    前記成長している単結晶を支持するための下側シャフトと、
    を含んでなり、
    前記下側シャフトが、前記成長している単結晶に、第一時期で時計方向回転方向を与え、第二時期では反時計方向回転方向を与えることができる、装置。
20. 前記ヒーターが、一回巻きの高周波誘導コイルを含んでなる、請求項１９に記載の装置。
21. 前記コイルの電流導体が、銅またはアルミニウムを含んでなる、請求項１９または２０に記載の装置。
22. 前記多結晶質ロッドを吊り下げている前記上側シャフト、及び前記成長している単結晶を支持するための前記下側シャフトが、それぞれ、前記多結晶質ロッド及び前記成長している単結晶に実質的に垂直の運動を与えることができる、請求項１９〜２１のいずれか一項に記載の装置。
23. 前記上側シャフトが、多結晶質ロッドを回転させないように固定する、請求項１９〜２１のいずれか一項に記載の装置。
24. 前記上側シャフトが、前記多結晶質ロッドの回転を与えることができる、請求項１９〜２２のいずれか一項に記載の装置。

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