CN103114326A - 一种区熔气相掺杂硅单晶的生产方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种区熔气相掺杂硅单晶的生产方法,其特征在于:在等径保持生长过程中,单晶轴向旋转的方式为按旋转周期循环旋转,所述一个旋转周期包括一次顺时针旋转和一次逆时针旋转,所述顺时针旋转的旋转角度和所述逆时针旋转的旋转角度不同。本发明的有益效果是:有效降低了区熔气相掺杂硅单晶的RRV值并提高了区熔气相掺杂硅单晶的合格率。
Description
技术领域
本发明属于硅单晶的生产技术领域,尤其是涉及一种区熔气相掺杂硅单晶的生产方法。
背景技术
在现有的技术中,区熔气相掺杂硅单晶的径向电阻率均匀性(RRV)一般为25%-30%,其中RRV=(ρmax—ρmin)/ρmin,合格率一般为60%-70%,如何进一步降低RRV值以及如何进一步提高区熔气相掺杂硅单晶的合格率,已成为目前区熔气相掺杂硅单晶生产工艺中面临的难题。
发明内容
本发明要解决的问题是提供一种区熔气相掺杂硅单晶的生产方法,尤其适合用于降低区熔气相掺杂硅单晶的RRV值并提高区熔气相掺杂硅单晶的合格率。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种区熔气相掺杂硅单晶的生产方法,其特征在于:在等径保持生长过程中,单晶轴向旋转的方式为按旋转周期循环旋转,所述一个旋转周期包括一次顺时针旋转和一次逆时针旋转,所述顺时针旋转的旋转角度和所述逆时针旋转的旋转角度不同。
进一步,所述顺时针旋转的旋转角度为90°~5400°,所述逆时针旋转的旋转角度为90°~5400°。
进一步,所述顺时针旋转的转速大小在4~20转/分钟范围内,所述逆时针旋转的转速大小在4~20转/分钟范围内。
本发明具有的优点和积极效果是:上述技术方案有效降低了区熔气相掺杂硅单晶的RRV值并提高了区熔气相掺杂硅单晶的合格率。
具体实施方式
实施例1:
一种区熔气相掺杂硅单晶的生产方法,依次包括以下步骤:装炉、抽空充气、预热、化料、掺杂、引晶、生长细颈、扩肩、等径保持生长、收尾、降温和拆炉。在所述等径保持生长过程中,单晶轴向旋转的方式为按旋转周期循环旋转,所述一个旋转周期包括一次顺时针旋转和一次逆时针旋转,顺时针旋转的旋转角度为180°,转速大小为4转/分钟,逆时针旋转的旋转角度为90°,转速大小为4转/分钟。
本实施例公开的技术方案主要为等径保持生长过程中,单晶轴向旋转的方式,其它步骤均与公知技术中区熔气相掺杂硅单晶的生产方法相同,在此不再描述。
利用本实施例所述的技术方案,生产例如4寸区熔气相掺杂硅单晶,其RRV值为10%,合格率为75%。
实施例2:
一种区熔气相掺杂硅单晶的生产方法,依次包括以下步骤:装炉、抽空充气、预热、化料、掺杂、引晶、生长细颈、扩肩、等径保持生长、收尾、降温和拆炉。在所述等径保持生长过程中,单晶轴向旋转的方式为按旋转周期循环旋转,所述一个旋转周期包括一次顺时针旋转和一次逆时针旋转,顺时针旋转的旋转角度为360°,转速大小为7转/分钟,逆时针旋转的旋转角度为720°,转速大小为7转/分钟。
本实施例公开的技术方案主要为等径保持生长过程中,单晶轴向旋转的方式,其它步骤均与公知技术中区熔气相掺杂硅单晶的生产方法相同,在此不再描述。
利用本实施例所述的技术方案,生产例如5寸区熔气相掺杂硅单晶,其RRV值为10%,合格率为75%。
实施例3:
一种区熔气相掺杂硅单晶的生产方法,依次包括以下步骤:装炉、抽空充气、预热、化料、掺杂、引晶、生长细颈、扩肩、等径保持生长、收尾、降温和拆炉。在所述等径保持生长过程中,单晶轴向旋转的方式为按旋转周期循环旋转,所述一个旋转周期包括一次顺时针旋转和一次逆时针旋转,顺时针旋转的旋转角度为1200°,转速大小为16转/分钟,逆时针旋转的旋转角度为3600°,转速大小为17转/分钟。
本实施例公开的技术方案主要为等径保持生长过程中,单晶轴向旋转的方式,其它步骤均与公知技术中区熔气相掺杂硅单晶的生产方法相同,在此不再描述。
利用本实施例所述的技术方案,生产例如6寸区熔气相掺杂硅单晶,其RRV值为15%,合格率为70%。
实施例4:
一种区熔气相掺杂硅单晶的生产方法,依次包括以下步骤:装炉、抽空充气、预热、化料、掺杂、引晶、生长细颈、扩肩、等径保持生长、收尾、降温和拆炉。在所述等径保持生长过程中,单晶轴向旋转的方式为按旋转周期循环旋转,所述一个旋转周期包括一次顺时针旋转和一次逆时针旋转,顺时针旋转的旋转角度为5000°,转速大小为20转/分钟,逆时针旋转的旋转角度为1000°,转速大小为20转/分钟。
本实施例公开的技术方案主要为等径保持生长过程中,单晶轴向旋转的方式,其它步骤均与公知技术中区熔气相掺杂硅单晶的生产方法相同,在此不再描述。
利用本实施例所述的技术方案,生产例如8寸区熔气相掺杂硅单晶,其RRV值为15%,合格率为75%。
以上对本发明的四个实施例进行了详细说明,但所述内容仅为本发明的较佳实施例,不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。
Claims (3)
1.一种区熔气相掺杂硅单晶的生产方法,其特征在于:在等径保持生长过程中,单晶轴向旋转的方式为按旋转周期循环旋转,所述一个旋转周期包括一次顺时针旋转和一次逆时针旋转,所述顺时针旋转的旋转角度和所述逆时针旋转的旋转角度不同。
2.根据权利要求1所述的生产方法,其特征在于:所述顺时针旋转的旋转角度为90°~5400°,所述逆时针旋转的旋转角度为90°~5400°。
3.根据权利要求1所述的生产方法,其特征在于:所述顺时针旋转的转速大小在4~20转/分钟范围内,所述逆时针旋转的转速大小在4~20转/分钟范围内。
Priority Applications (1)
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CN2013100585171A CN103114326A (zh) | 2013-02-25 | 2013-02-25 | 一种区熔气相掺杂硅单晶的生产方法 |
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CN2013100585171A CN103114326A (zh) | 2013-02-25 | 2013-02-25 | 一种区熔气相掺杂硅单晶的生产方法 |
Publications (1)
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CN103114326A true CN103114326A (zh) | 2013-05-22 |
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ID=48412744
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1865531A (zh) * | 2006-04-21 | 2006-11-22 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 气相掺杂区熔硅单晶的生产方法 |
CN101680108A (zh) * | 2007-04-13 | 2010-03-24 | Topsil半导体材料股份公司 | 生产单晶的方法和设备 |
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2013
- 2013-02-25 CN CN2013100585171A patent/CN103114326A/zh active Pending
Patent Citations (2)
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CN101680108A (zh) * | 2007-04-13 | 2010-03-24 | Topsil半导体材料股份公司 | 生产单晶的方法和设备 |
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