JP5375889B2 - 単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
先ず、原料結晶棒1を、チャンバー20内に設置された上軸3の上部保持治具4に保持する。一方、種結晶8を、原料結晶棒1の下方に位置する下軸5の下部保持治具6に保持する。
コーン初期、その重量は、絞り部9のみで支えられるが、絞り部9は横方向の力に弱く、直径が大きくなり重量が重くなると、絞り部9だけでは支えられない。そこで、高重量の単結晶を製造する際には、コーン途中から図6に示すような結晶保持具を使用する(非特許文献1)。図6は、従来技術における結晶保持装置の一例を示す概略図である。
この誘導加熱コイル16は、スリット12を有するリング状の誘導加熱コイルで、外周面15から内周面14に向かって断面先細り状に形成されている。
加熱コイルの外周面15には、電源端子13a、13bが設けられており、この両端子13a、13b側のスリット対向面12a、12bを、スリット12を介して極力接近させている。
そして、電源端子とスリットの存在により、コイルの周方向の加熱の強さは、コイルの内径側のスリット部がその他の部位に比べて弱く、電源端子・コイル外周のスリット部がその他の部位に比べて強く、非対称性を持っている。
交互回転は、10rpm以上の回転速度で行う事が望ましいが、コーン初期は結晶保持装置が使えないため、交互回転ではなく、低速での一方向回転にする必要がある。
そこで、コーン中、結晶保持装置によりしっかり保持された後、単結晶の回転速度を低速から10rpm以上にアップし、且つ、一方向回転から交互回転に変更しながら、所望の一定値(以後、最終回転速度と呼ぶ)に到達させる。
その後、回転速度が最終回転速度である、例えば20rpmに達した場合、図4に示すようなパターンにおいて所定周期で交互回転を繰り返し、単結晶を成長・製造する。図4は、従来技術における時間に対する単結晶の回転速度のパターンの一例を示した図である。このパターンは、最終回転速度を20rpmとし、正転は6秒間、逆転は3.6秒間として、これら正転及び逆転を周期的に繰り返すパターンである。
例えば、交互回転の直胴部成長における最終条件を、回転速度(最終回転速度)は20rpm、正転の回転量は2.0回転、逆転の回転量は1.2回転、正転または逆転のどちらか一方向における一定速度が反転して、他方向における一定速度となるまでの時間(以後、変化時間という)は1.6秒とする。この場合に、コーン中における回転周期を、前記直胴部における最終条件の回転周期(回転時間)と同じ一定値として、回転速度7rpmで交互回転に変更すると、そのときの回転量は正転で0.7回転、逆転で0.42回転となってしまう。
このように単結晶の回転量が1回転以下となると、誘導加熱コイルの不均一性の影響を受けやすく、コーン中の結晶形状の悪化がより顕著となるという問題がある。
また、前記コーン中における交互回転の回転速度を10rpm未満とすることが好ましい。
また、前記交互回転において、一方向における一定速度が反転して、他方向における一定速度となるまでの回転速度変化率を10〜20rpm/sとすることによって、コーン中等の低速回転時においては、変化時間を長くしすぎることによって、スリットによる誘導加熱コイルの不均一性の影響を受け、結晶形状が悪化することをより効果的に低減することができる。また直胴中等の高速回転時においては、変化時間を短くしすぎることによるメルト振動等の発生をより効果的に抑制することができる。
前述のように、従来、単結晶を交互回転させる際に、単に交互回転させる時間、即ち周期を一定にして制御すると、その回転量が1回転以下となることがあり、誘導加熱コイルの不均一性の影響を受けやすく、特にコーン中のように低速で回転させる必要がある場合に結晶形状の悪化がより顕著となるという問題があった。
先ず、FZ法による単結晶製造装置を用いて、浮遊帯域を原料結晶棒と育成単結晶棒の間に形成しながら、結晶径を徐々に大きくし、コーン部分を形成する。ここで用いられる単結晶製造装置は、図5に示されるような従来のものを用いても良い。
尚、原料結晶棒の直径、目的とする単結晶の抵抗率、直径、直胴長さ等は、当業者が適宜選択して決定することであり、これらに限定されるわけではないが、例えば原料結晶棒の直径を100〜205mm、目的とする単結晶の抵抗率を1〜5000Ωcm、単結晶の直径を100〜205mm、直胴長さを10〜150cmとすることができる。
尚、上記偏芯における偏芯量は、当業者が適宜選択して設定することなので、これに限定されるわけではないが、例えば10mmとすることができる。
このときの回転速度の加速パターンは、例えば図3に示すようなパターンを用いることができる。図3は、コーン中における結晶直径に対する単結晶の回転速度のパターンの一例をグラフで示した図である。
上記のように、コーン中に直胴中とは回転速度が異なりさらに10rpm/s未満の回転速度として交互回転を行えば、絞り部等に影響を与えずにコーンの変形を抑制できるとともに、直胴部の最初から単結晶のウェーハ抵抗率のバラツキをより効果的に低減することができる。
その後は、図3のパターンに従いコーン直径の増大に伴い、結晶の回転速度を上げていく。このとき、結晶の回転速度の増大に伴い、図1に従って回転時間を減少させ、図2に従って変化時間を増大させれば、回転量及び回転速度変化率を所望の値で一定にすることができる。
また、コーン中の低速回転時においては、変化時間が長すぎることによっても、スリットによる誘導加熱コイルの不均一性の影響を受け、結晶形状が悪化してしまうことがあり、さらに直胴中の高速回転時では、変化時間が短すぎることによるメルト振動等が発生してしまうことがある。
尚、上記単結晶の交互回転の最終条件(最終回転速度、正転及び逆転の回転量、変化時間等)、コーン中に交互回転を開始する際の回転速度及び回転速度変化率等は、当業者が適宜設定すべきものであり、上記例示したものに限定されるものではない。
(実施例1)
図5に示すような単結晶製造装置を用いて、直径130mmのシリコン原料棒に対してFZ法によりゾーニングを行い、コーン中に一方向回転の回転速度が7rpmになった時点で交互回転を開始し、その後回転速度をアップして、回転速度の最終回転速度である20rpmに到達させた。直胴中に最終回転速度である20rpmに到達した後も交互回転を続け、n型100Ωcm以下の直径128mm、直胴長さ150cmのシリコン単結晶を製造した。
ここで交互回転を行う際に、コーン中及び直胴中共に、図1に示すような単結晶の回転速度と回転時間の関係において、回転時間を調整することにより、単結晶の回転量は正転で2.0回転、逆転で1.2回転と一定になるようにした。また変化時間は、1.6秒で一定とし、偏芯量は10mmとした。そしてこれらを単結晶製造装置が有する制御用コンピュータにプログラミングして制御した。
この条件でFZ法による単結晶製造を10回実施した所、結晶変形、有転位化が発生することなく単結晶の製造に10回とも成功した。
最終回転速度を30rpmとする以外は実施例1と同じ条件でシリコン単結晶を製造した。尚、この条件においても、回転速度の大小に関わらず、コーン中及び直胴中共に単結晶の回転量は正転で2.0回転、逆転で1.2回転と一定になるようにした。
この条件でFZ法による単結晶製造を10回実施した所、成功は7回であった。
交互回転の回転方向の反転時において、図2に示すような単結晶の回転速度と変化時間の関係から、コーン中及び直胴中共に、変化時間を調整することにより回転速度変化率を12.5rpm/sで一定とすること以外は実施例2と同じ条件でシリコン単結晶を製造した。尚、この条件においても、回転速度の大小に関わらず、コーン中及び直胴中共に単結晶の回転量は正転で2.0回転、逆転で1.2回転と一定になるようにした。
この条件でFZ法による単結晶製造を10回実施した所、成功は10回であった。
図5に示すような単結晶製造装置を用いて、直径130mmのシリコン原料棒に対してFZ法によりゾーニングを行い、コーン中に一方向回転の回転速度が7rpmになった時点で交互回転を開始し、その後回転速度をアップして、回転速度の最終回転速度である20rpmに到達させた。直胴中に最終回転速度である20rpmに到達した後も、図4に示すような時間に対する回転速度のパターンで周期的に交互回転を続け、n型100Ωcm以下の直径128mm、直胴長さ150cmのシリコン単結晶を製造した。
このとき、単結晶の回転速度に対する回転時間及び変化時間は一定で、単結晶の回転速度の大小に関わらず、コーン中及び直胴中共に正転の回転時間を6秒(コーン中の回転量0.7回転、直胴中の回転量2回転)、逆転の回転時間を3.6秒(コーン中の回転量0.42回転、直胴中の回転量1.2回転)、変化時間を1.6秒と一定にした。
この条件でFZ法による単結晶製造を10回実施した所、成功は2回であった。
また、実施例2においては、抵抗率の均一性を高めるべく回転速度を速くし、結晶回転方向の融液のゆれが大きい場合であっても、10回の実施のうち7回成功と、ある程度良い結果が得られた。
4…上部保持治具、 5…下軸、 6…下部保持治具、 7、16…誘導加熱コイル、
8…種結晶、 9…絞り部、 10…浮遊帯域、 11…ドープノズル、
12…スリット、 12a、12b…スリット対向面 13a、13b…電源端子、
14…内周面、 15…外周面、 20…チャンバー、 30…単結晶製造装置。
Claims (4)
- 誘導加熱コイルで原料結晶を部分的に加熱溶融して溶融帯を形成し、該溶融帯を移動させて単結晶を製造させる際に、成長中の単結晶の回転方向を、正転方向及び逆転方向とで交互に入れ換えて単結晶を成長させるFZ法の単結晶製造方法であって、前記単結晶の交互回転において、一度の回転における正転及び逆転の回転量が、共に予め定められた1回転以上の所定値となるように、単結晶の回転速度に応じてその回転時間を変化させることを特徴とする単結晶の製造方法。
- 前記交互回転において、一方向における一定速度が反転して、他方向における一定速度となるまでの回転速度変化率を、10〜20rpm/sとすることを特徴とする請求項1に記載の単結晶の製造方法。
- 前記交互回転を、直胴中とは異なる回転速度でコーン中に行うことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の単結晶の製造方法。
- 前記コーン中における交互回転の回転速度を10rpm未満とすることを特徴とする請求項3に記載の単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011166175A JP5375889B2 (ja) | 2010-12-28 | 2011-07-29 | 単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010292525 | 2010-12-28 | ||
JP2010292525 | 2010-12-28 | ||
JP2011166175A JP5375889B2 (ja) | 2010-12-28 | 2011-07-29 | 単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012148953A JP2012148953A (ja) | 2012-08-09 |
JP5375889B2 true JP5375889B2 (ja) | 2013-12-25 |
Family
ID=46508929
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011166175A Active JP5375889B2 (ja) | 2010-12-28 | 2011-07-29 | 単結晶の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5375889B2 (ja) |
DE (1) | DE102011122381B4 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103147118B (zh) * | 2013-02-25 | 2016-03-30 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法 |
JP5888264B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2016-03-16 | 信越半導体株式会社 | 半導体単結晶の製造方法 |
JP2014169211A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体単結晶の製造方法 |
JP5895875B2 (ja) * | 2013-03-07 | 2016-03-30 | 信越半導体株式会社 | 半導体単結晶の製造方法 |
JP6248816B2 (ja) * | 2014-06-05 | 2017-12-20 | 株式会社Sumco | 単結晶の製造方法 |
DE102014226419A1 (de) | 2014-12-18 | 2016-06-23 | Siltronic Ag | Verfahren zum Züchten eines Einkristalls durch Kristallisieren des Einkristalls aus einer Fließzone |
CN115734412A (zh) * | 2022-11-30 | 2023-03-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 感应线圈组件驱动系统及其控制方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2820027B2 (ja) | 1994-05-24 | 1998-11-05 | 信越半導体株式会社 | 半導体単結晶の成長方法 |
DE10137857B4 (de) | 2001-08-02 | 2006-11-16 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls |
DE10137856B4 (de) * | 2001-08-02 | 2007-12-13 | Siltronic Ag | Durch tiegelloses Zonenziehen hergestellter Einkristall aus Silicium |
JP4771989B2 (ja) * | 2007-04-25 | 2011-09-14 | Sumco Techxiv株式会社 | Fz法シリコン単結晶の製造方法 |
-
2011
- 2011-07-29 JP JP2011166175A patent/JP5375889B2/ja active Active
- 2011-12-22 DE DE102011122381.2A patent/DE102011122381B4/de active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102011122381A1 (de) | 2012-06-28 |
JP2012148953A (ja) | 2012-08-09 |
DE102011122381B4 (de) | 2020-01-16 |
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A621 | Written request for application examination |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A977 | Report on retrieval |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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