JP2013018679A - Si系クラスレートの製造方法 - Google Patents
Si系クラスレートの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013018679A JP2013018679A JP2011153635A JP2011153635A JP2013018679A JP 2013018679 A JP2013018679 A JP 2013018679A JP 2011153635 A JP2011153635 A JP 2011153635A JP 2011153635 A JP2011153635 A JP 2011153635A JP 2013018679 A JP2013018679 A JP 2013018679A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- clathrate
- powder
- type
- heat treatment
- moles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明のシリコン系クラスレートの製造方法は、Si粉末とGe粉末とNaとを混合して650℃以上の温度で加熱し、SiとGeとNaとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、生成されたSiとGeとNaとからなる化合物を、10−2Pa以下の陰圧下で300℃以上450℃以下の温度により2時間以上72時間以下加熱する陰圧加熱処理工程とを備えている。Ge粉末は、Si粉末とGe粉末の総モル数に対する割合が1モル%以上20モル%以下となるように使用されることが好ましい。
【選択図】図1
Description
Claims (3)
- Naを内包するII型のSi系クラスレートの製造方法であって、
Si粉末とGe粉末とNaとを混合して650℃以上の温度で加熱して、SiとGeとNaとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、
前記陽圧加熱処理工程によって生成されたSiとGeとNaとからなる前記化合物を、10−2Pa以下の陰圧下で300℃以上450℃以下の温度により2時間以上72時間以下加熱する陰圧加熱処理工程と、
を備えていることを特徴とするII型のSi系クラスレートの製造方法。 - 前記Naは、前記Si及び前記Geの合計モル数に対するモル比が、1.0よりも大きくなるように供給されることを特徴とする請求項1に記載のII型のSi系クラスレートの製造方法。
- 供給される前記Si粉末と前記Ge粉末の合計のモル数に対する前記Ge粉末のモル数の割合が1モル%以上20モル%以下となることを特徴とする請求項1又は2に記載のII型のSi系クラスレートの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011153635A JP5641481B2 (ja) | 2011-07-12 | 2011-07-12 | Si系クラスレートの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011153635A JP5641481B2 (ja) | 2011-07-12 | 2011-07-12 | Si系クラスレートの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013018679A true JP2013018679A (ja) | 2013-01-31 |
JP5641481B2 JP5641481B2 (ja) | 2014-12-17 |
Family
ID=47690501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011153635A Expired - Fee Related JP5641481B2 (ja) | 2011-07-12 | 2011-07-12 | Si系クラスレートの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5641481B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014050100A1 (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-03 | 新日鐵住金株式会社 | 電極活物質材料、電極活物質材料の製造方法、電極、電池、及び、クラスレート化合物の使用方法 |
CN104308140A (zh) * | 2014-09-25 | 2015-01-28 | 北京科技大学 | 一种去除含Si笼状化合物中硅及含硅化合物杂相的方法 |
JP2020087886A (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | トヨタ自動車株式会社 | 活物質、電池、および活物質の製造方法 |
CN112242521A (zh) * | 2019-07-19 | 2021-01-19 | 丰田自动车株式会社 | 活性物质 |
JP2021018981A (ja) * | 2019-07-19 | 2021-02-15 | トヨタ自動車株式会社 | 活物質 |
CN113443632A (zh) * | 2020-03-24 | 2021-09-28 | 丰田自动车株式会社 | Si系活性物质的制造方法 |
CN115432704A (zh) * | 2021-06-04 | 2022-12-06 | 丰田自动车株式会社 | 无客体硅包合物的制造方法和无客体硅包合物的制造装置 |
US11894551B2 (en) | 2020-06-05 | 2024-02-06 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Active material, battery, and methods for producing these |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09183607A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Nec Corp | クラスレート化合物およびその製造方法 |
JPH11343110A (ja) * | 1998-05-28 | 1999-12-14 | Nec Corp | クラスレート化合物薄膜の作製方法 |
JP2000327319A (ja) * | 1999-05-11 | 2000-11-28 | Agency Of Ind Science & Technol | クラスター及びその製造方法 |
JP2001048517A (ja) * | 1999-08-03 | 2001-02-20 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | クラスレート化合物と高効率熱電材料およびそれらの製造方法と高効率熱電材料を用いた熱電モジュール |
-
2011
- 2011-07-12 JP JP2011153635A patent/JP5641481B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09183607A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Nec Corp | クラスレート化合物およびその製造方法 |
JPH11343110A (ja) * | 1998-05-28 | 1999-12-14 | Nec Corp | クラスレート化合物薄膜の作製方法 |
JP2000327319A (ja) * | 1999-05-11 | 2000-11-28 | Agency Of Ind Science & Technol | クラスター及びその製造方法 |
JP2001048517A (ja) * | 1999-08-03 | 2001-02-20 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | クラスレート化合物と高効率熱電材料およびそれらの製造方法と高効率熱電材料を用いた熱電モジュール |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014050100A1 (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-03 | 新日鐵住金株式会社 | 電極活物質材料、電極活物質材料の製造方法、電極、電池、及び、クラスレート化合物の使用方法 |
JPWO2014050100A1 (ja) * | 2012-09-26 | 2016-08-22 | 新日鐵住金株式会社 | 電極活物質材料、電極活物質材料の製造方法、電極、電池、及び、クラスレート化合物の使用方法 |
CN104308140A (zh) * | 2014-09-25 | 2015-01-28 | 北京科技大学 | 一种去除含Si笼状化合物中硅及含硅化合物杂相的方法 |
JP2020087886A (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | トヨタ自動車株式会社 | 活物質、電池、および活物質の製造方法 |
JP7087968B2 (ja) | 2018-11-30 | 2022-06-21 | トヨタ自動車株式会社 | 活物質、電池、および活物質の製造方法 |
KR20210010360A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-27 | 도요타 지도샤(주) | 활물질 |
US11901556B2 (en) | 2019-07-19 | 2024-02-13 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Active material |
KR20220038624A (ko) | 2019-07-19 | 2022-03-29 | 도요타 지도샤(주) | 활물질 |
CN112242521A (zh) * | 2019-07-19 | 2021-01-19 | 丰田自动车株式会社 | 活性物质 |
US11502298B2 (en) | 2019-07-19 | 2022-11-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Active material |
JP7468096B2 (ja) | 2019-07-19 | 2024-04-16 | トヨタ自動車株式会社 | 活物質 |
JP2021018981A (ja) * | 2019-07-19 | 2021-02-15 | トヨタ自動車株式会社 | 活物質 |
CN113443632A (zh) * | 2020-03-24 | 2021-09-28 | 丰田自动车株式会社 | Si系活性物质的制造方法 |
JP2021152990A (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | トヨタ自動車株式会社 | Si系活物質の製造方法 |
JP7247933B2 (ja) | 2020-03-24 | 2023-03-29 | トヨタ自動車株式会社 | Si系活物質の製造方法 |
CN113443632B (zh) * | 2020-03-24 | 2023-11-07 | 丰田自动车株式会社 | Si系活性物质的制造方法 |
US11894551B2 (en) | 2020-06-05 | 2024-02-06 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Active material, battery, and methods for producing these |
CN115432704B (zh) * | 2021-06-04 | 2024-04-09 | 丰田自动车株式会社 | 无客体硅包合物的制造方法和无客体硅包合物的制造装置 |
US11955628B2 (en) | 2021-06-04 | 2024-04-09 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method of producing guest-free silicon clathrate, apparatus for producing guest-free silicon clathrate |
CN115432704A (zh) * | 2021-06-04 | 2022-12-06 | 丰田自动车株式会社 | 无客体硅包合物的制造方法和无客体硅包合物的制造装置 |
JP7494800B2 (ja) | 2021-06-04 | 2024-06-04 | トヨタ自動車株式会社 | ゲストフリーシリコンクラスレートの製造方法、ゲストフリーシリコンクラスレートの製造装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5641481B2 (ja) | 2014-12-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5641481B2 (ja) | Si系クラスレートの製造方法 | |
Xiao et al. | From lead halide perovskites to lead‐free metal halide perovskites and perovskite derivatives | |
JP5626896B2 (ja) | Siクラスレートの製造方法 | |
CN110498445B (zh) | 层状GaAs、其制备方法及由此剥离的GaAs纳米片 | |
CN108640117B (zh) | 一种以石墨烯为模板熔盐法合成二维SiC超薄纳米结构及其制备方法 | |
RU2451635C2 (ru) | Способ получения высокочистого элементного кремния | |
KR20110056486A (ko) | 광전 적용분야용 공급원료의 정제 및 압축 방법 | |
WO2009028725A1 (ja) | シリコンの製造方法 | |
JP2013071864A (ja) | 離型剤用窒化ケイ素粉末およびその製造方法 | |
CN101857270A (zh) | 一种合成高纯砷烷的方法 | |
CN105543968A (zh) | 一种低成本制备氮化镓晶体的方法 | |
KR101504118B1 (ko) | 고온 진공소결로를 이용한 고순도 고밀도 알루미나의 제조방법 | |
Kim et al. | SiC powder manufacturing through silicon recovery from waste Si solar cells | |
JP4888777B2 (ja) | 水素貯蔵材料の製造方法 | |
CN113801164A (zh) | 三甲基铋的制备方法 | |
CN103708533B (zh) | 一种制备纳米Ga2O3粉末的方法 | |
JP6008282B2 (ja) | Geクラスレートの製造方法 | |
JP6202520B2 (ja) | カルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物薄膜、及びカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物の製造方法 | |
JP5644637B2 (ja) | Iii族窒化物半導体結晶の製造方法 | |
JP6294979B1 (ja) | 異相のグラファイト構造の製造方法 | |
CN102365234A (zh) | 制造光伏级硅金属的方法 | |
Ke et al. | Characteristics of Cu2O: Na thin films prepared by DC magnetron sputtering method at low temperature | |
CN111348680B (zh) | 砷烷的制备方法 | |
CN1327434A (zh) | 生产单同位素硅Si28的方法 | |
CN117735544B (zh) | 一种半导体级石墨粉的深度纯化方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140326 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140723 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140812 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140901 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140924 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141017 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5641481 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |