JP5641481B2 - Si系クラスレートの製造方法 - Google Patents
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- Naを内包するII型のSi系クラスレートの製造方法であって、
Si粉末とGe粉末とNaとを混合して650℃以上の温度で加熱して、SiとGeとNaとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、
前記陽圧加熱処理工程によって生成されたSiとGeとNaとからなる前記化合物を、10−2Pa以下の陰圧下で300℃以上450℃以下の温度により2時間以上72時間以下加熱する陰圧加熱処理工程と、
を備えており、
供給される前記Si粉末と前記Ge粉末の合計のモル数に対する前記Ge粉末のモル数の割合が1モル%以上20モル%以下であることを特徴とするII型のSi系クラスレートの製造方法。 - 前記Naは、前記Si及び前記Geの合計モル数に対するモル比が、1.0よりも大きくなるように供給されることを特徴とする請求項1に記載のII型のSi系クラスレートの製造方法。
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