JP6202520B2 - カルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物薄膜、及びカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物の製造方法 - Google Patents
カルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物薄膜、及びカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6202520B2 JP6202520B2 JP2013124188A JP2013124188A JP6202520B2 JP 6202520 B2 JP6202520 B2 JP 6202520B2 JP 2013124188 A JP2013124188 A JP 2013124188A JP 2013124188 A JP2013124188 A JP 2013124188A JP 6202520 B2 JP6202520 B2 JP 6202520B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- calcium
- silicon compound
- casi
- deficient
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011575 calcium Substances 0.000 title claims description 78
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 title claims description 38
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 35
- 230000002950 deficient Effects 0.000 title claims description 35
- OSMSIOKMMFKNIL-UHFFFAOYSA-N calcium;silicon Chemical compound [Ca]=[Si] OSMSIOKMMFKNIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 34
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 229910004706 CaSi2 Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 28
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims description 25
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 35
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000002135 nanosheet Substances 0.000 description 5
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- DYRBFMPPJATHRF-UHFFFAOYSA-N chromium silicon Chemical compound [Si].[Cr] DYRBFMPPJATHRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 229910004709 CaSi Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 3
- 206010006956 Calcium deficiency Diseases 0.000 description 2
- 229910019018 Mg 2 Si Inorganic materials 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 description 2
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 229910021350 transition metal silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910001424 calcium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- PYNUOAIJIQGACY-UHFFFAOYSA-N propylazanium;chloride Chemical compound Cl.CCCN PYNUOAIJIQGACY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Description
本発明は、カルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物薄膜、及びカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物の製造方法に関し、さらに詳しくは、一般式：ＣａyＳｉ2（０＜ｙ＜１）で表され、かつ、ナノシートの集合体からなるカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物薄膜、及びカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物の製造方法に関する。
ＣａとＳｉの化合物として、Ｃａ2Ｓｉ、ＣａＳｉ、及び、ＣａＳｉ2が知られている。これらのカルシウム−シリコン化合物は、いずれも平衡状態においては化学量論組成を持つ化合物である。カルシウム−シリコン化合物は、その組成に応じて、種々の用途に用いられ、あるいは、種々の用途への応用が期待されている。
例えば、Ｓｉナノシートは、ポリシラン(Ｓｉ2Ｈ2)nやシロキセン(Ｓｉ2ＨＯＨ)nを出発原料として製造されている。また、ポリシランやシロキセンは、ＣａとＳｉが交互に積層した構造を持つＣａＳｉ2結晶を塩酸処理し、ＣａＳｉ2結晶からＣａを抜くことによって合成されている。
また、Ｃａ2Ｓｉは、直接遷移型の半導体であり、可視領域の光電変化デバイスへの応用が期待されている。
また、Ｃａ2Ｓｉは、直接遷移型の半導体であり、可視領域の光電変化デバイスへの応用が期待されている。
また、特許文献１には、遷移金属シリサイド粒子と、Ｓｉナノシート又はＣａ欠損層状Ｃａシリサイドとを含む複合体からなる遷移金属シリサイド−Ｓｉ複合粉末が開示されている。
同文献には、遷移金属シリサイド−Ｓｉ複合粉末は、結晶性の高い遷移金属シリサイド粒子（導電材料）と、Ｓｉナノシート又はＣａ欠損層状Ｃａシリサイド（Ｌｉイオンの吸蔵放出体）とがナノレベルで複合しているため、これをＬｉ二次電池の負極材料として用いると、高い充放電容量を示す点が記載されている。
同文献には、遷移金属シリサイド−Ｓｉ複合粉末は、結晶性の高い遷移金属シリサイド粒子（導電材料）と、Ｓｉナノシート又はＣａ欠損層状Ｃａシリサイド（Ｌｉイオンの吸蔵放出体）とがナノレベルで複合しているため、これをＬｉ二次電池の負極材料として用いると、高い充放電容量を示す点が記載されている。
特許文献２には、Ｍｇ2Ｓｉ薄膜が形成されたシリコン基板を密閉空間内でカルシウム蒸気雰囲気に曝し、Ｍｇ2Ｓｉ薄膜表面にＣａ2Ｓｉ薄膜を成長させる方法が開示されている。
非特許文献１には、ＣａＳｉ2を電気化学的に酸化させることにより、Ｓｉ層の層間にあるＣａを引き抜く方法が開示されている。
同文献には、
（ａ）ＣａＳｉ2から除去されたＣａの割合は、３０〜５０％である点、
（ｂ）このような方法によりＣａＳｉ2からＣａを完全に取り除くのは難しい点、及び、
（ｃ）Ｃａ除去の困難性は電気化学的酸化の不均一性に由来する点、
が記載されている。
同文献には、
（ａ）ＣａＳｉ2から除去されたＣａの割合は、３０〜５０％である点、
（ｂ）このような方法によりＣａＳｉ2からＣａを完全に取り除くのは難しい点、及び、
（ｃ）Ｃａ除去の困難性は電気化学的酸化の不均一性に由来する点、
が記載されている。
さらに、非特許文献２には、ＭｇがドープされたＣａＳｉ2（ＣａＳｉ1.85Ｍｇ0.15）の板状結晶にプロピルアミン塩酸（ＰＡ・ＨＣｌ）及び水を加え、室温で１０日間攪拌する方法が開示されている。
同文献には、このような方法により、Ｃａイオンが引き抜かれ、シリコンシートと不溶性の黒色の金属性固体が得られる点が記載されている。
同文献には、このような方法により、Ｃａイオンが引き抜かれ、シリコンシートと不溶性の黒色の金属性固体が得られる点が記載されている。
特許文献２には、Ｃａの比率がＳｉより多いＣａＳｉ化合物（Ｃａ2Ｓｉ）の薄膜を合成する技術が開示されている。また、非特許文献２には、ＣａＳｉ2からＣａを全量脱離させ、Ｓｉを形成する技術が開示されている。しかしながら、ＣａＳｉ2からＣａが欠損したカルシウム−シリコン化合物を得ることは、通常困難である。
また、得られたとしても、特許文献１に記載されているように、Ｃａ欠損カルシウム−シリコン化合物と他のシリサイドとの混合物であったり、あるいは、非特許文献１に記載されているように、分離困難なカーボンとの混合焼結体であり、Ｃａが欠損したカルシウム−シリコン化合物の選択的生成は困難である。
また、得られたとしても、特許文献１に記載されているように、Ｃａ欠損カルシウム−シリコン化合物と他のシリサイドとの混合物であったり、あるいは、非特許文献１に記載されているように、分離困難なカーボンとの混合焼結体であり、Ｃａが欠損したカルシウム−シリコン化合物の選択的生成は困難である。
Physica 105B, pp.230-233(1981)
Angew. Chem. Int. Ed. pp.6303-6306(2006)
本発明が解決しようとする課題は、ＣａＳｉ2からＣａが欠損したカルシウム−シリコン化合物を、不純物が少ない単相として選択的に、かつ、簡便な方法で合成することが可能な方法を提供することにある。
また、本発明が解決しようとする他の課題は、不純物が少ないカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物薄膜を提供することにある。
また、本発明が解決しようとする他の課題は、不純物が少ないカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物薄膜を提供することにある。
上記課題を解決するために本発明に係るカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物の製造方法は、
ＣａＳｉ2を加熱し、
前記ＣａＳｉ2とハロゲンを含むガスとを反応させ、
前記ＣａＳｉ2からＣａを引き抜き、ＣａyＳｉ2（０＜ｙ＜１）を生成させる
反応工程を備えている。
前記ハロゲンを含むガスは、前記ＣａＳｉ2と金属ハロゲン化物とを離間して配置し、前記金属ハロゲン化物を加熱することにより発生させたものが好ましい
ＣａＳｉ2を加熱し、
前記ＣａＳｉ2とハロゲンを含むガスとを反応させ、
前記ＣａＳｉ2からＣａを引き抜き、ＣａyＳｉ2（０＜ｙ＜１）を生成させる
反応工程を備えている。
前記ハロゲンを含むガスは、前記ＣａＳｉ2と金属ハロゲン化物とを離間して配置し、前記金属ハロゲン化物を加熱することにより発生させたものが好ましい
また、本発明に係るカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物薄膜は、基板の表面に形成された、一般式：ＣａyＳｉ2（０＜ｙ＜１）で表される組成を持つナノシートの集合体の単相からなる。
ＣａＳｉ2とハロゲンを含むガスとを反応させると、ＣａＳｉ2からＣａの一部が引き抜かれる。その結果、不純物の少ないカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物が得られる。
特に、ＣａＳｉ2と金属ハロゲン化物とを離間して配置し、金属ハロゲン化物を加熱することにより発生させたハロゲンを含むガスとＣａＳｉ2とを反応させると、不純物の少ないカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物を簡便に合成することができる。
特に、ＣａＳｉ2と金属ハロゲン化物とを離間して配置し、金属ハロゲン化物を加熱することにより発生させたハロゲンを含むガスとＣａＳｉ2とを反応させると、不純物の少ないカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物を簡便に合成することができる。
以下に本発明の一実施の形態について詳細に説明する。
［１． カルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物の製造方法］
本発明に係るカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物の製造方法は、
ＣａＳｉ2を加熱し、
前記ＣａＳｉ2とハロゲンを含むガスとを反応させ、
前記ＣａＳｉ2からＣａを引き抜き、ＣａyＳｉ2（０＜ｙ＜１）を生成させる
反応工程を備えている。
［１． カルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物の製造方法］
本発明に係るカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物の製造方法は、
ＣａＳｉ2を加熱し、
前記ＣａＳｉ2とハロゲンを含むガスとを反応させ、
前記ＣａＳｉ2からＣａを引き抜き、ＣａyＳｉ2（０＜ｙ＜１）を生成させる
反応工程を備えている。
［１．１． ＣａＳｉ2］
本発明において、出発原料には、ＣａＳｉ2が用いられる。ＣａＳｉ2の形状及び大きさは、特に限定されるものではなく、目的に応じて任意に選択することができる。
ＣａＳｉ2の形状としては、
（１）粉末、
（２）基板表面に形成された薄膜、
などがある。
本発明において、出発原料には、ＣａＳｉ2が用いられる。ＣａＳｉ2の形状及び大きさは、特に限定されるものではなく、目的に応じて任意に選択することができる。
ＣａＳｉ2の形状としては、
（１）粉末、
（２）基板表面に形成された薄膜、
などがある。
ＣａＳｉ2からＣａを引き抜く反応は、固気反応である。そのため、出発原料の全体を現実的な反応時間内にカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物に変換するためには、出発原料の大きさ（又は、厚さ）は小さいほど良い。一方、出発原料の表面の一部をカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物に変換する場合には、出発原料の大きさ（又は、厚さ）は特に限定されない。
［１．２． ハロゲンを含むガス］
本発明において、反応ガスには、塩素、ヨウ素、臭素などのハロゲンを含むガスが用いられる。入手と取扱の容易さから、ハロゲンを含むガスは、塩素を含むガスが好ましい。
ハロゲンを含むガスとしては、例えば、
（１）ハロゲンガス（Ｃｌ2、Ｉ2、Ｂｒ2）、
（２）ハロゲン化水素ガス（ＨＣｌ、ＨＩ、ＨＢｒ）、
（３）金属ハロゲン化物を加熱することにより発生させたガス（以下、これを「分解ガス」ともいう）、
などがある。
本発明において、反応ガスには、塩素、ヨウ素、臭素などのハロゲンを含むガスが用いられる。入手と取扱の容易さから、ハロゲンを含むガスは、塩素を含むガスが好ましい。
ハロゲンを含むガスとしては、例えば、
（１）ハロゲンガス（Ｃｌ2、Ｉ2、Ｂｒ2）、
（２）ハロゲン化水素ガス（ＨＣｌ、ＨＩ、ＨＢｒ）、
（３）金属ハロゲン化物を加熱することにより発生させたガス（以下、これを「分解ガス」ともいう）、
などがある。
これらの中でも、ハロゲンを含むガスは、分解ガスが好ましい。これは、金属ハロゲン化物は危険性が少なく、製造時の取扱が容易であるためである。入手と取扱の容易さから、金属ハロゲン化物は、金属塩化物が好ましい。
ハロゲンを含むガスとして分解ガスを用いる場合、ＣａＳｉ2と金属ハロゲン化物とを離間して配置する必要がある。ＣａＳｉ2と金属ハロゲン化物とが互いに接触した状態で加熱すると、分解ガスの発生及びＣａの引き抜き反応が生じるだけでなく、副生成物として金属シリサイドも生成する。反応物から金属シリサイドを選択的に除去するのは、通常、困難である。
ハロゲンを含むガスとして分解ガスを用いる場合、ＣａＳｉ2と金属ハロゲン化物とを離間して配置する必要がある。ＣａＳｉ2と金属ハロゲン化物とが互いに接触した状態で加熱すると、分解ガスの発生及びＣａの引き抜き反応が生じるだけでなく、副生成物として金属シリサイドも生成する。反応物から金属シリサイドを選択的に除去するのは、通常、困難である。
分解ガス発生源である金属ハロゲン化物の種類は、特に限定されない。金属ハロゲン化物は、熱力学的に不安定な化合物であるため、適切な温度に加熱すれば、加熱温度に応じた分圧を持つガスを発生させることができる。
金属ハロゲン化物としては、例えば、
（１）遷移金属元素のハロゲン化物、
（２）アルカリ金属元素のハロゲン化物、
（３）アルカリ土類金属元素のハロゲン化物
などがある。
分解ガス発生源として、これらのいずれか１種の金属ハロゲン化物を用いてもよく、あるいは、２種以上を組み合わせて用いても良い。
金属ハロゲン化物としては、例えば、
（１）遷移金属元素のハロゲン化物、
（２）アルカリ金属元素のハロゲン化物、
（３）アルカリ土類金属元素のハロゲン化物
などがある。
分解ガス発生源として、これらのいずれか１種の金属ハロゲン化物を用いてもよく、あるいは、２種以上を組み合わせて用いても良い。
これらの中でも、金属ハロゲン化物は、遷移金属元素の塩化物が好ましい。これは、脱離したＣａにより形成されるＣａＣｌ2よりも熱力学的に不安定な塩化物が多いためである。
また、前記金属塩化物は、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｍｎ及びＷからなる群から選ばれるいずれか１以上の遷移金属元素を含むものが好ましい。これは、基板表面との反応に際し、エッチング効果があり、反応性が向上するためである。
また、前記金属塩化物は、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｍｎ及びＷからなる群から選ばれるいずれか１以上の遷移金属元素を含むものが好ましい。これは、基板表面との反応に際し、エッチング効果があり、反応性が向上するためである。
［１．３． 反応条件］
ＣａＳｉ2とハロゲンを含む反応ガスとの反応温度が低すぎると、現実的な時間内に反応が進行しない。従って、反応温度は、４００℃以上が好ましい。反応温度は、さらに好ましくは、５００℃以上である。
一方、反応温度が高すぎると、ＣａＳｉ2が融解し、組成や結晶構造、薄膜形状を維持できなくなる。従って、反応温度は、１０００℃以下が好ましい。反応温度は、さらに好ましくは、９００℃以下である。
反応時間は、反応温度やＣａＳｉ2の大きさ（又は、厚さ）にもよるが、通常、０．１〜１時間程度である。
ＣａＳｉ2とハロゲンを含む反応ガスとの反応温度が低すぎると、現実的な時間内に反応が進行しない。従って、反応温度は、４００℃以上が好ましい。反応温度は、さらに好ましくは、５００℃以上である。
一方、反応温度が高すぎると、ＣａＳｉ2が融解し、組成や結晶構造、薄膜形状を維持できなくなる。従って、反応温度は、１０００℃以下が好ましい。反応温度は、さらに好ましくは、９００℃以下である。
反応時間は、反応温度やＣａＳｉ2の大きさ（又は、厚さ）にもよるが、通常、０．１〜１時間程度である。
ハロゲンを含むガスとして分解ガスを用いる場合、金属ハロゲン化物の加熱温度は、金属ハロゲン化物の種類に応じて最適な温度を選択する。一般に、加熱温度が高くなるほど、ハロゲンを含むガスの分圧が増大する。
例えば、金属ハロゲン化物として、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｍｎ及びＷからなる群から選ばれるいずれか１以上の遷移金属元素を含む金属塩化物を用いる場合、加熱温度は、４００〜１０００℃が好ましい。
例えば、金属ハロゲン化物として、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｍｎ及びＷからなる群から選ばれるいずれか１以上の遷移金属元素を含む金属塩化物を用いる場合、加熱温度は、４００〜１０００℃が好ましい。
図１に、金属ハロゲン化物を用いてカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物を合成するための合成装置の概略図を示す。
図１において、合成装置１０は、石英管１２と、２つのヒーター（図示せず）とを備えている。石英管１２内は、キャリアガス（例えば、Ａｒガス）を流せるようになっている。２つのヒーターは、キャリアガスの上流側（加熱ゾーンＡ）と、下流側（加熱ゾーンＢ）に配置されている。
加熱ゾーンＡには、金属ハロゲン化物（図１の例では、ＣｒＣｌ2）を入れたボートが置かれている。また、加熱ゾーンＢには、ＣａＳｉ2（図１の例では、表面にＣａＳｉ2膜が形成された基板）が置かれている。
図１において、合成装置１０は、石英管１２と、２つのヒーター（図示せず）とを備えている。石英管１２内は、キャリアガス（例えば、Ａｒガス）を流せるようになっている。２つのヒーターは、キャリアガスの上流側（加熱ゾーンＡ）と、下流側（加熱ゾーンＢ）に配置されている。
加熱ゾーンＡには、金属ハロゲン化物（図１の例では、ＣｒＣｌ2）を入れたボートが置かれている。また、加熱ゾーンＢには、ＣａＳｉ2（図１の例では、表面にＣａＳｉ2膜が形成された基板）が置かれている。
石英管１２内にキャリアガスを流しながら、加熱ゾーンＡ及び加熱ゾーンＢを、それぞれ適切な温度に加熱する。加熱ゾーンＡでは、加熱温度に応じた分圧のハロゲンを含むガスが発生する。ハロゲンを含むガスは、キャリアガスによって加熱ゾーンＢに運ばれ、ＣａＳｉ2と反応する。その結果、加熱ゾーンＢの加熱温度、加熱時間、及び、ハロゲンを含むガスの分圧に応じて、ＣａＳｉ2からＣａの一部が引き抜かれる。
なお、ハロゲンを含むガスとして、分解ガス以外のガス（例えば、塩素ガス）を用いる場合、反応管内にＣａＳｉ2のみを置き、ＣａＳｉ2を適切な温度に加熱する。この状態で、反応管内に反応ガスを供給すれば良い。
［２． カルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物］
本発明に係るカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物は、本発明に係る方法により得られる。
カルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物の組成は、ＣａyＳｉ2（０＜ｙ＜１）で表される。Ｃａ量（ｙ）は、反応条件を選択することにより、任意に制御できる。
また、カルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物の形状は、出発原料の形状に応じて、粉末又は薄膜となる。
本発明に係るカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物は、本発明に係る方法により得られる。
カルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物の組成は、ＣａyＳｉ2（０＜ｙ＜１）で表される。Ｃａ量（ｙ）は、反応条件を選択することにより、任意に制御できる。
また、カルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物の形状は、出発原料の形状に応じて、粉末又は薄膜となる。
［３． 作用］
ＣａＳｉ2とハロゲンを含むガスとを反応させると、ＣａＳｉ2からＣａの一部が引き抜かれる。その結果、不純物の少ないカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物が得られる。
特に、ＣａＳｉ2と金属ハロゲン化物とを離間して配置し、金属ハロゲン化物を加熱することにより発生させたハロゲンを含むガスとＣａＳｉ2とを反応させると、不純物の少ないカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物を簡便に合成することができる。
ＣａＳｉ2とハロゲンを含むガスとを反応させると、ＣａＳｉ2からＣａの一部が引き抜かれる。その結果、不純物の少ないカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物が得られる。
特に、ＣａＳｉ2と金属ハロゲン化物とを離間して配置し、金属ハロゲン化物を加熱することにより発生させたハロゲンを含むガスとＣａＳｉ2とを反応させると、不純物の少ないカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物を簡便に合成することができる。
（実施例１、比較例１〜２）
［１． 試料の作製］
［１．１． 実施例１］
Ｓｉ基板：０．０３ｇと、Ｃａ粒：０．５ｇを容器に入れ、真空下において６００℃、１．５時間の熱処理を行うことで、ＣａＳｉ2基板を得た。続いて、大気下において、得られたＣａＳｉ2基板：０．００６ｇを、図１に示す合成装置の加熱ゾーンＢに設置した。また、加熱ゾーンＡには、ＣｒＣｌ2粉末：０．０８ｇを設置した。ＣａＳｉ2基板の温度を６５０℃、ＣｒＣｌ2粉末の温度を９００℃に設定し、Ａｒ流通下において１０分間加熱することで、Ｃａ欠損カルシウム−シリコン化合物薄膜を合成した。
［１． 試料の作製］
［１．１． 実施例１］
Ｓｉ基板：０．０３ｇと、Ｃａ粒：０．５ｇを容器に入れ、真空下において６００℃、１．５時間の熱処理を行うことで、ＣａＳｉ2基板を得た。続いて、大気下において、得られたＣａＳｉ2基板：０．００６ｇを、図１に示す合成装置の加熱ゾーンＢに設置した。また、加熱ゾーンＡには、ＣｒＣｌ2粉末：０．０８ｇを設置した。ＣａＳｉ2基板の温度を６５０℃、ＣｒＣｌ2粉末の温度を９００℃に設定し、Ａｒ流通下において１０分間加熱することで、Ｃａ欠損カルシウム−シリコン化合物薄膜を合成した。
［１．２． 比較例１］
実施例１と同様にして、ＣａＳｉ2基板を作製した。得られたＣａＳｉ2基板とＣｒＣｌ2粉末とを混合し、混合物を６５０℃で１５分間加熱した。
［１．３． 比較例２］
ＣａＳｉ2粉末とＣｒＣｌ2粉末とを混合し、混合物を６５０℃で１５分間加熱した。
実施例１と同様にして、ＣａＳｉ2基板を作製した。得られたＣａＳｉ2基板とＣｒＣｌ2粉末とを混合し、混合物を６５０℃で１５分間加熱した。
［１．３． 比較例２］
ＣａＳｉ2粉末とＣｒＣｌ2粉末とを混合し、混合物を６５０℃で１５分間加熱した。
［２． 試験方法］
ＳＥＭにより、生成物の状態解析を行った。また、ＥＤＸにより、生成物の組成分析を行った。
ＳＥＭにより、生成物の状態解析を行った。また、ＥＤＸにより、生成物の組成分析を行った。
［３． 結果］
図２に、実施例１で得られた薄膜のＳＥＭ像を示す。また、図３に、実施例１で得られた薄膜の低倍率ＴＥＭ像を示す。得られた薄膜は、３μｍ程度の粒子が凝集して形成されており（図２）、それらの粒子は、数百ｎｍのシートから構成されていた（図３）。
表１に、元素分析値を示す。ＳＥＭの視野におけるＥＤＸを用いた元素組成から、ＣｒやＣｌの含有量が非常に少なく、ＣａＳｉ2からＣａが脱離したカルシウム−シリコン化合物であることを確認した。
図４に、実施例１で得られた薄膜の高倍率ＴＥＭ像（図４（ａ））及び格子像（図４（ｂ））を示す。図４に示されるように、得られた薄膜がバルクのＳｉとは異なる格子像を持つことを確認した。
図２に、実施例１で得られた薄膜のＳＥＭ像を示す。また、図３に、実施例１で得られた薄膜の低倍率ＴＥＭ像を示す。得られた薄膜は、３μｍ程度の粒子が凝集して形成されており（図２）、それらの粒子は、数百ｎｍのシートから構成されていた（図３）。
表１に、元素分析値を示す。ＳＥＭの視野におけるＥＤＸを用いた元素組成から、ＣｒやＣｌの含有量が非常に少なく、ＣａＳｉ2からＣａが脱離したカルシウム−シリコン化合物であることを確認した。
図４に、実施例１で得られた薄膜の高倍率ＴＥＭ像（図４（ａ））及び格子像（図４（ｂ））を示す。図４に示されるように、得られた薄膜がバルクのＳｉとは異なる格子像を持つことを確認した。
図５に、比較例１で得られた薄膜のＳＥＭ像を示す。表１に示すように、得られた薄膜は、クロム−シリコン化合物を形成している部分と、シリコン単相からなる部分の混合物として得られ、ＣａＳｉ2からＣａが脱離したカルシウム−シリコン化合物の形成は確認されなかった。
図６に、比較例２で得られた粉末のＳＥＭ像を示す。得られた粉末は、クロム−シリコン化合物を形成している粒子と、未反応のＣｒＣｌ2からなる粒子の混合物であった。表１に示したクロム−シリコン化合物の組成比から判断して、クロム−シリコン化合物が選択的に生成してしまい、ＣａＳｉ2からＣａが脱離したカルシウム−シリコン化合物の形成は確認されなかった。
以上、本発明の実施の形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。
本発明に係るカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物は、Ｓｉナノシートを製造するための原料、Ｌｉ二次電池の負極材料などに使用することができる。
Claims (6)
- ＣａＳｉ2を加熱し、
前記ＣａＳｉ2とハロゲンを含むガスとを反応させ、
前記ＣａＳｉ2からＣａを引き抜き、ＣａyＳｉ2（０＜ｙ＜１）を生成させる
反応工程を備えたカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物の製造方法。 - 前記ハロゲンを含むガスは、前記ＣａＳｉ2と金属ハロゲン化物とを離間して配置し、前記金属ハロゲン化物を加熱することにより発生させたものである
請求項１に記載のカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物の製造方法。 - 前記ハロゲンは、塩素である請求項１又は２に記載のカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物の製造方法。
- 前記金属ハロゲン化物は、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｍｎ及びＷからなる群から選ばれるいずれか１以上の遷移金属元素を含む金属塩化物である
請求項２に記載のカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物の製造方法。 - 前記ＣａＳｉ2は、基板表面に形成された薄膜である請求項１から４までのいずれか１項に記載のカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物の製造方法。
- 基板の表面に形成された、一般式：ＣａyＳｉ2（０＜ｙ＜１）で表される組成を持つナノシートの集合体の単相からなるカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013124188A JP6202520B2 (ja) | 2013-06-12 | 2013-06-12 | カルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物薄膜、及びカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013124188A JP6202520B2 (ja) | 2013-06-12 | 2013-06-12 | カルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物薄膜、及びカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014240341A JP2014240341A (ja) | 2014-12-25 |
| JP6202520B2 true JP6202520B2 (ja) | 2017-09-27 |
Family
ID=52139819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013124188A Active JP6202520B2 (ja) | 2013-06-12 | 2013-06-12 | カルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物薄膜、及びカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6202520B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6436234B2 (ja) * | 2015-06-12 | 2018-12-12 | 株式会社豊田自動織機 | ＣａＳｉ２含有組成物及びシリコン材料の製造方法 |
| CN112573521B (zh) * | 2020-11-20 | 2022-07-26 | 重庆文理学院 | 一种CaSi纳米线的制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006009073A1 (ja) * | 2004-07-16 | 2006-01-26 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | シリコンナノシート、ナノシート溶液及びその製造方法、ナノシート含有複合体、並びに、ナノシート凝集体 |
| JP5387613B2 (ja) * | 2010-09-03 | 2014-01-15 | 株式会社豊田中央研究所 | 遷移金属シリサイド−Ｓｉ複合粉末及びその製造方法、並びに、遷移金属シリサイド−Ｓｉ複合粉末製造用ＣａＳｉｙ系粉末及びその製造方法 |
-
2013
- 2013-06-12 JP JP2013124188A patent/JP6202520B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2014240341A (ja) | 2014-12-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Zhang et al. | 2D black phosphorus for energy storage and thermoelectric applications | |
| KR101522350B1 (ko) | 초음파 조사를 이용한 단원자층 흑린의 제조방법 | |
| Shi et al. | Synthesis and structure of two-dimensional transition-metal dichalcogenides | |
| US20180201513A1 (en) | Reduction of metal/semi-metal oxides | |
| Zhang et al. | Two-dimensional β-phase group-VA binary compounds for versatile electronic and optical properties | |
| JP6097125B2 (ja) | 硫化リチウムの製造方法 | |
| JP6202520B2 (ja) | カルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物薄膜、及びカルシウム欠損カルシウム−シリコン化合物の製造方法 | |
| CN106029563A (zh) | 通过用碱金属还原磷酸硼的磷化硼制备 | |
| Ahn et al. | Sea sand-derived magnesium silicide as a reactive precursor for silicon-based composite electrodes of lithium-ion battery | |
| JP6095613B2 (ja) | クロロシランの精製方法 | |
| CN108417819A (zh) | 一种纳米硅颗粒的制备方法 | |
| JP6221752B2 (ja) | Ｃａ欠損カルシウムシリサイド粉末及びその製造方法 | |
| JP2015089969A (ja) | Ｎｉ−Ｓｉ合金微粒子及びその製造方法 | |
| JP4778111B1 (ja) | 水酸化マグネシウム及びその製造方法 | |
| JP4888777B2 (ja) | 水素貯蔵材料の製造方法 | |
| JP6294979B1 (ja) | 異相のグラファイト構造の製造方法 | |
| JP2018048056A (ja) | 炭化物原料の製造方法 | |
| JP6747828B2 (ja) | 熱電変換材料及びその製造方法 | |
| JP2009084129A (ja) | 高純度シリコンの製造方法 | |
| Mao et al. | Synthesis of hexagonal GaN nanoplates via a convenient solid state reaction | |
| JP2015086100A (ja) | 炭化珪素の製造方法 | |
| Barry | Synthesis of transition-metal polyphosphides | |
| JP5724742B2 (ja) | Ｍｇ２Ｓｉ微粒子及びその製造方法 | |
| CN115491760A (zh) | 一种单晶Hittorf’s磷材料的制备方法 | |
| JP4672264B2 (ja) | ＳｉＯの精製方法及び得られたＳｉＯを用いる高純度シリコンの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160601 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160601 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170119 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170131 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170221 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170425 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170522 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170808 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170822 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6202520 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |