JP2013004729A - パワー半導体モジュールおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁層と、この絶縁層の一方の面と他方の面にそれぞれ固着された、第1銅ブロックと第2銅ブロックとを備える銅ベース基板と、第1銅ブロックの上にその一方の面が導電接合層により固着された、炭化シリコンを用いた複数のパワー半導体素子と、このパワー半導体素子のそれぞれの他方の面に導電接合層により固着された複数のインプラントピンと、このインプラントピンに固着され、パワー半導体素子に対向して配置されたプリント基板と、少なくともパワー半導体素子とプリント基板との間に配置された、難燃剤を添加しない第1の封止材と、この第1の封止材を覆うように配置された、難燃剤を添加した第2の封止材と、を備えるパワー半導体モジュール。
【選択図】図1
Description
パワー半導体モジュール200の動作時は、パワー半導体素子25や回路パターン22に大電流が流れるため、パワー半導体素子25で発生した熱を、銅ベース基板23から熱伝導ペースト12を介して冷却フィンに伝熱し冷却することが大切となる。
炭化シリコン素子を搭載したパワー半導体モジュールの封止材には、ノンハロゲン化に対応するため、難燃剤として、水酸化アルミニウム等を添加した封止材が使用される。しかしこの場合、封止材は、難燃剤の影響で熱劣化し易くなり、耐熱性の低下が問題であった。
絶縁層と、
この絶縁層の一方の面と他方の面にそれぞれ固着された、第1銅ブロックと第2銅ブロックとを備える銅ベース基板と、
第1銅ブロックの上にその一方の面が導電接合層により固着された、炭化シリコンを用いた複数のパワー半導体素子と、
このパワー半導体素子のそれぞれの他方の面に導電接合層により固着された複数のインプラントピンと、
このインプラントピンに固着され、パワー半導体素子に対向して配置されたプリント基板と、
少なくともパワー半導体素子とプリント基板との間に配置された、難燃剤を添加しない第1の封止材と、
この第1の封止材を覆うように配置された、難燃剤を添加した第2の封止材と、
を備えることにより達成される。
ここで、第1の封止材の熱変形温度が、175℃〜225℃であることが好ましい。
また、第1の封止材の熱膨張係数が1.5×10−5/℃〜1.8×10−5/℃であることが好ましい。
さらに、第1の封止材の銅ベース基板に対する接着強さが10MPa〜30MPaであることが好ましい。
また、第2の封止材の熱変形温度が100℃〜175℃であることが好ましい。
第2の封止材の熱膨張係数が1.5×10−5/℃〜1.8×10−5/℃であることが好ましい。
第1の封止材ならびに第2の封止材に液状エポキシ樹脂を用いることが好ましい。
絶縁層を用意する工程と、
この絶縁層の一方の面と他方の面にそれぞれ第1銅ブロックと第2銅ブロックを備える銅ベース基板を用意する工程と、
第1の銅ブロックの上に炭化シリコンを用いた複数のパワー半導体素子の一方の面を導電接合層により固着する工程と、
このパワー半導体素子のそれぞれの他方の面に複数のインプラントピンを導電接合層により固着する工程と、
このインプラントピンに固着されパワー半導体素子に対向するようにプリント基板を配置する工程と、
少なくともパワー半導体素子とプリント基板との間に難燃剤を添加しない第1の封止材を充填する工程と、
この第1の封止材を覆うように難燃剤を添加した第2の封止材を配置する工程と、
を有することとする。
[実施例]
図1は、本発明の実施例である炭化シリコンパワー半導体モジュールの成形構造体の断面構造図である。
絶縁層1の両面に銅ブロック2と銅ブロック3とを配置した銅ベース基板4の上面に、導電接合層5aにより炭化シリコンパワー半導体素子6が複数個、搭載されて取り付けられ、さらに、炭化シリコンパワー半導体素子6の上面に導電接合層7bにより、インプラントピン8を有するインプラント方式のプリント基板9が取り付けられる。
さらに外部接続端子10を取り付け、銅ベース基板4とインプラント方式のプリント基板9の間の炭化シリコンパワー半導体素子6の近傍に第1の封止材11をディスペンサーにより注入形成し、図示しない金型内に載置して、第2の封止材12により封止され、炭化シリコンパワー半導体モジュール成形構造体100が完成する。
硬化後の材料物性は、第1の封止材11の熱変形温度が225℃で、熱膨張係数が1.5×10−5/℃、銅ベース基板4に対する接着強さが23MPaである。
封止材11の熱変形温度が、175℃から225℃であると、封止材11の熱特性に対する変曲点が高くなり、パワー半導体素子6の上下の導電接合層5a、7bの、熱疲労による熱抵抗の増大を防止できるので、耐熱性能が高く、信頼性の高い、パワー半導体モジュールを得ることができる。パワー半導体素子の温度は、200℃程度になるので、封止材11の熱変形温度は最低でも175℃が必要である。熱変形温度の上限は、余裕を持って225℃としている。
第2の封止材12の材料物性は基本的には第1の封止材11と同様である。
2 銅ブロック
3 銅ブロック
4 銅ベース基板
5a 導電接合層
6 炭化シリコン半導体素子
7b 導電接合層
8 インプラントピン
9 インプラント方式プリント基板
10 外部端子
11 第1の封止材
12 第2の封止材
13 取付け金具
100 炭化シリコン半導体パワーモジュール成形構造体
21 絶縁層
22 回路パターン
23 銅ベース基板
24a 半田層
25 シリコンパワー半導体素子
26b 半田層
27 リードフレーム
28 外部接続端子
29 ケース
30 封止材
31 フタ
200 シリコンパワー半導体モジュール構造体
Claims (9)
- 絶縁層と、
この絶縁層の一方の面と他方の面にそれぞれ固着された、第1銅ブロックと第2銅ブロックとを備える銅ベース基板と、
第1銅ブロックの上にその一方の面が導電接合層により固着された、炭化シリコンを用いた複数のパワー半導体素子と、
このパワー半導体素子のそれぞれの他方の面に導電接合層により固着された複数のインプラントピンと、
このインプラントピンに固着され、パワー半導体素子に対向して配置されたプリント基板と、
少なくともパワー半導体素子とプリント基板との間に配置された、難燃剤を添加しない第1の封止材と、
この第1の封止材を覆うように配置された、難燃剤を添加した第2の封止材と、
を備えることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 第1の封止材の熱変形温度が、175℃〜225℃であることを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体モジュール。
- 第1の封止材の熱膨張係数が1.5×10−5/℃〜1.8×10−5/℃であることを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体モジュール。
- 第1の封止材の銅ベース基板に対する接着強さが10MPa〜30MPaであることを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体モジュール。
- 第2の封止材の熱変形温度が100℃〜175℃であることを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体モジュール。
- 第2の封止材の熱膨張係数が1.5×10−5/℃〜1.8×10−5/℃であることを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体モジュール。
- 第2の封止材の銅ベース基板に対する接着強さが、10MPa〜30MPaであることを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体モジュール。
- 第1の封止材ならびに第2の封止材に液状エポキシ樹脂を用いることを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体モジュール。
- 絶縁層を用意する工程と、
この絶縁層の一方の面と他方の面にそれぞれ第1銅ブロックと第2銅ブロックを備える銅ベース基板を用意する工程と、
第1の銅ブロックの上に炭化シリコンを用いた複数のパワー半導体素子の一方の面を導電接合層により固着する工程と、
このパワー半導体素子のそれぞれの他方の面に複数のインプラントピンを導電接合層により固着する工程と、
このインプラントピンに固着されパワー半導体素子に対向するようにプリント基板を配置する工程と、
少なくともパワー半導体素子とプリント基板との間に難燃剤を添加しない第1の封止材を充填する工程と、
この第1の封止材を覆うように難燃剤を添加した第2の封止材を配置する工程と、
を有することを特徴とするパワー半導体モジュールの製造方法。
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