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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100917654B1 (ko) * 2006-11-10 2009-09-17 베이징 보에 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 박막트랜지스터 액정 디스플레이 화소 구조 및 그 제조방법
CN101826532B (zh) * 2009-03-06 2012-05-30 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
CN102714184B (zh) * 2009-12-28 2016-05-18 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
JP6019370B2 (ja) * 2012-01-11 2016-11-02 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜トランジスタ及びその製造方法、表示装置
CN103400822A (zh) * 2013-08-01 2013-11-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
CN103715266A (zh) 2013-12-25 2014-04-09 京东方科技集团股份有限公司 氧化物薄膜晶体管、阵列基板的制造方法及显示器件
CN105161504B (zh) * 2015-09-22 2019-01-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN105870058B (zh) * 2016-06-08 2018-12-18 昆山龙腾光电有限公司 薄膜晶体管阵列基板的制作方法
CN109935627A (zh) * 2019-01-21 2019-06-25 上海易密值半导体技术有限公司 薄膜晶体管
CN112447762A (zh) * 2019-09-05 2021-03-05 咸阳彩虹光电科技有限公司 一种显示面板及显示器

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6284563A (ja) * 1985-10-08 1987-04-18 Nec Corp 薄膜電界効果トランジスタアレイの製造方法
JPS62252973A (ja) * 1986-04-25 1987-11-04 Nec Corp 順スタガ−ド型薄膜トランジスタ
JPS6378572A (ja) * 1986-09-20 1988-04-08 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH02248079A (ja) * 1989-03-22 1990-10-03 Sumitomo Metal Ind Ltd 薄膜半導体装置
JPH05315616A (ja) 1992-05-08 1993-11-26 Hitachi Ltd 半導体装置及び薄膜トランジスタ
JPH07326756A (ja) * 1994-05-30 1995-12-12 Kyocera Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JPH11109406A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置とその製造方法
JP3288615B2 (ja) * 1997-10-21 2002-06-04 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 薄膜トランジスタの製造方法
KR100336890B1 (ko) * 1998-12-15 2003-06-19 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 박막트랜지스터액정표시소자의제조방법
JP2001166332A (ja) * 1999-12-06 2001-06-22 Hitachi Ltd 液晶表示装置
US6933568B2 (en) * 2002-05-17 2005-08-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Deposition method of insulating layers having low dielectric constant of semiconductor device, a thin film transistor substrate using the same and a method of manufacturing the same
CN1466017A (zh) 2002-07-05 2004-01-07 友达光电股份有限公司 于薄膜晶体管液晶显示器制造过程中的蚀刻方法
KR100615205B1 (ko) * 2004-01-27 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 광투과율을 개선시키는 구조의 유기 전계 발광 디스플레이소자 및 이의 제조 방법
JP2006100387A (ja) * 2004-09-28 2006-04-13 Toshiba Corp 電界効果トランジスタ及びその製造方法
JP4700352B2 (ja) * 2005-01-12 2011-06-15 出光興産株式会社 Ｔｆｔ基板及びその製造方法
US7411298B2 (en) * 2005-08-17 2008-08-12 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Source/drain electrodes, thin-film transistor substrates, manufacture methods thereof, and display devices

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