JP2012235077A - パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】セラミックス基板2及び金属板4A,4C,4D,5A,6を積層する際に、セラミックス基板2の貫通孔11内に、貫通孔11よりも長い柱状の金属部材12を挿入しておき、セラミックス基板及び金属板を接合する際に金属部材12を加圧して塑性変形させ、金属部材12と貫通孔11の内周面との間に隙間を形成した状態で金属部材12によりセラミックス基板2の両側の金属板5A、4A,4Dを接続状態とする。
【選択図】 図1
Description
このパワーモジュールに用いられるパワーモジュール用基板においては、セラミックス基板の表面に金属板をろう付けにより接合している。例えば、特許文献1では、セラミックス基板の表面に揮発性有機媒体の表面張力によってろう材箔を仮固定するとともに、そのろう材箔の表面に基材から打ち抜かれた導体パターン層を仮固定した状態で加熱し、揮発性有機媒体を揮発させ、これらを厚さ方向に加圧することにより、金属板とセラミックス基板とをろう付けしたパワーモジュール用基板を形成している。
一方、この種のパワーモジュール用基板としては、絶縁基板としての機能、放熱基板としての機能の他に、近年の高集積化に伴い、配線基板としての機能も求められてきており、多層化することが検討されている。
あるいは、前記金属部材は、前記セラミックス基板の両側に配置される両金属板のそれぞれの表面に予め一体に立設しておいてもよい。この場合、金属部材は二つの部材からなり、両金属板のそれぞれに立設され、貫通孔の長さの途中位置で接合される。
さらに、別の方法として、前記金属部材は、その長さ方向の両端に端面を有しており、前記セラミックス基板の両側に配置される両金属板にそれぞれ接合されるものとしてもよい。
<第1実施形態>
図1〜図5は第1実施形態のパワーモジュール用基板を示しており、このパワーモジュール用基板1は、複数のセラミックス基板2,3と金属板4A〜4E,5A,5B,6とが交互に積層され、相互にろう付けにより接合されており、最上段に配置される金属板4A〜4Eの一部(図示例では4D,4E)に電子部品7が搭載され、最下段に配置される金属板6にヒートシンク8が接合される。
図示例ではセラミックス基板2,3が2枚用いられ、金属板4A〜4E,5A,5B,6が3層となるように配置されている。金属板4A〜4E,5A,5B,6は、最上段に5枚、両セラミックス基板の間に2枚、最下段に1枚それぞれ設けられている。最上段の5枚の金属板4A〜4Eは、中間の位置に1枚(4C)、その両側にそれぞれ2枚ずつ(4A,4Bと4D,4E)配置されている。両セラミックス基板2,3の間の金属板(以下、中央の金属板という)5A,5Bは、図4及び図5に示すように、最上段の両側位置に配置されている金属板4A,4D及び金属板4B,4Eをそれぞれ連結し得る長さの細長い帯板状に形成され、2枚が並んで平行に配置されている。そして、最上段における両側の金属板4A,4D及び金属板4B,4Eが組になって、中間位置の金属板4Cの下方で連結するように、中央の金属板5A,5Bを介して相互に電気的接続状態とされている。
セラミックス基板2,3のうち、貫通孔11を有するセラミックス基板2は、セラミックスの焼成前のグリーンシートにプレス加工により貫通孔を形成した後に焼成することにより得ることができる。その外形は焼成後に加工される。貫通孔を有しないセラミックス基板3は、グリーンシートを焼成した後に外形加工される。
また、最上段の金属板4A〜4Eのうち、凸部12を有する金属板4A,4B,4D,4Eは、予めプレス加工により片面に凸部12を成形しておき、その凸部12を除くように穴をあけたろう材箔を凸部12の周囲の平面に貼り付けることにより形成される。
この加圧装置110は、ベース板111と、ベース板111の上面の四隅に垂直に取り付けられたガイドポスト112と、これらガイドポスト112の上端部に固定された固定板113と、これらベース板111と固定板113との間で上下移動自在にガイドポスト112に支持された押圧板114と、固定板113と押圧板114との間に設けられて押圧板114を下方に付勢するばね等の付勢手段115とを備えている。
固定板113および押圧板114は、ベース板111に対して平行に配置されており、ベース板111と押圧板114との間に前述の積層体Sが配置される。積層体Sの両面には加圧を均一にするためにカーボンシート116が配設される。
このろう付け時に金属板4A,4B,4D,4Eの凸部12に降伏点以上の荷重が作用するように、予め付勢手段115の付勢力を設定しておく。図7は純度が99.99質量%のアルミニウムの630℃付近での真応力−真ひずみ線図であり、3.5MPa程度で降伏している。したがって、例えば、凸部12の外径D1が10mmとすると、630℃の高温時に、凸部12に270N以上の荷重が作用するように、常温での付勢手段115の付勢力を設定しておく。
また、接合した後の状態においても、凸部12は部分的に拡径するが、前述したように拡径した状態で凸部12と貫通孔11の内周面との間に隙間Gが形成される設定であるので、凸部12が貫通孔11の内周面に圧迫されることはない。
図8〜図10は、本発明の第2実施形態のパワーモジュール用基板を示している。
このパワーモジュール用基板21では、2枚のセラミックス基板と3層の金属板との積層構造である点は第1実施形態と同様であるが、両セラミック基板2,3の間に配置される中央の金属板22A,22Bが、平面視L字状に屈曲成形され、その屈曲部分を対峙させるようにして並んでいる。
最上段の金属板23A〜23Eは5枚配置され、そのうちの2枚ずつ(23Aと23B、23Cと23D)が中央の金属板22A,22Bを介して電気的接続状態とされ、その接続構造については、第1実施形態と同様であり、説明を省略する。
図11〜図13は、本発明の第3実施形態のパワーモジュール用基板を示している。
このパワーモジュール用基板31では、2枚のセラミックス基板2,3と3層の金属板4A〜4E,5A,5B,6との積層構造とされるとともに、最下段の金属板6にピンフィン付ヒートシンク32が接合されている。各図の符号は第1実施形態と共通部分に同一符号をして説明する。
ヒートシンク32は、例えばA6063アルミニウム合金の熱間鍛造により、板状部33の片面に多数のピン状フィン34が一体成形されたものであり、寸法的に限定されるものではないが、例えば、板状部33は、50mm角で厚さが5mmの正方形板に形成され、各フィン34は、直径3mm、高さ15mmに形成され、ピッチ6mmの千鳥状に配列されている。
そして、2枚のセラミックス基板2,3と3層の金属板4A〜4E,5A,5B,6とを先に接合(一次接合)し、その後にヒートシンク32を接合(二次接合)する。
この一次接合により、中間層の金属板5A,5Bに形成した凸部12が塑性変形しながら最上段の金属板4A〜4Eに接合し、セラミックス基板2の貫通孔11を経由して両層の金属板4A〜4E,5A,5Bが接続状態となる。この場合も、塑性変形により拡径した凸部12の外周面とセラミックス基板2の貫通孔11の内周面との間には隙間が形成される。
第3実施形態では、2枚のセラミックス基板2,3と3層の金属板4A〜4E,5A,5B,6とを先に接合した後にヒートシンク32を接合したが、第4実施形態では、これらを同時に接合したヒートシンク付パワーモジュール用基板41を提供する。この第4実施形態では、各要素の符号は第3実施形態と同一として説明する。
そして、セラミックス基板2を介して最上段の金属板4A〜4Eと中間の金属板5A,5Bとが接続状態とされるとともに、第3実施形態と同様に、ヒートシンク32と一体のパワーモジュール用基板41として提供することができる。
この製造方法によれば、セラミックス基板2,3、各金属板4A〜4E,5A,5B,6、ヒートシンク32とを一度に接合でき、組立作業の効率がよい。
以上の各実施形態では、基板としてセラミックス基板の両面の金属板にアルミニウムを用いた、いわゆるDBA(Direct Brazed Aluminum)基板の例を示したが、図15に示す第5実施形態のパワーモジュール用基板51では最上段の金属板52A〜52E及び中間層の金属板53A,53Bとして銅板が用いられる。また、図示例では、ヒートシンク54としてはストレートフィン55を有するヒートシンクが用いられる。なお、各金属板の平面形状及び平面上の配置は図4及び図5と同様とし、図15は図1同様、図4のA−A線に沿う断面に相当するものとし、各金属板52A〜52E,53A,53Bのうち、金属板52A,52C,52D,53Aが示されている。
この一次接合では、ろう材中の活性金属であるTiが優先的にセラミックス基板2,3の表面に拡散してTiNを形成し、Ag−Cu合金を介して金属板52A〜52E,53A,53Bと接合する。そして、この一次接合時に中間層の金属板53A,53Bの凸部12がセラミックス基板2の貫通孔12を介して最上段の金属板52A〜52Eに接合する。
図16に示す第6実施形態のパワーモジュール用基板61は、金属板52A〜52E,53A,53B,62が全て銅(例えばタフピッチ銅)により形成されるとともに、ヒートシンク63も銅によって形成され、このヒートシンク63と最下段の金属板62との間がはんだ付けにより接合されている。セラミックス基板2,3は各実施形態と同様、AlNが用いられる。また、図示例ではヒートシンク63は板状のものが用いられている。
一次接合では、ろう材に、例えばAg−27.4質量%Cu−2.0質量%Tiの活性金属ろう材を用い、これら金属板とセラミックス基板との積層体を、850℃の高温時に凸部12が降伏する以上の荷重が作用するように加圧し、真空中で850℃で約10分加熱することにより、活性金属であるTiをセラミックス基板2,3に優先的に拡散させてTiNを形成し、Ag−Cu合金を介して金属板52A〜52E,53A,53B,62と接合する。
このパワーモジュール用基板61は、金属板52A〜52E,53A,53B,62がすべて銅により形成されているので、放熱性に優れている。
さらに、図18に示すように、両金属板4,5にそれぞれ凸部(金属部材)12A,12Bを形成しておき、セラミックス基板2の貫通孔11の長さの途中位置で接合される構成としてもよい。この場合は、貫通孔11の途中位置に接合部Pが形成される。
また、この金属部材は円柱状でなく、横断面多角形の柱状に形成し、貫通孔も同様の多角形とすることにより、貫通孔内で金属部材を回り止めすることが可能になり、多層構造とする場合の金属板の位置決めを容易にすることができる。
また、各実施形態ではセラミックス基板を2枚で金属板を3層構造としたが、これに限らず、セラミックス基板を3枚以上として金属板を積層してもよい。
さらに、本明細書では、ピンフィンやストレートフィンなどのフィン付のタイプに限らず、放熱板と呼ばれる板状のタイプも合わせてヒートシンクと定義する。
2,3 セラミックス基板
4,5,4A〜4E,5A,5B,6 金属板
7 電子部品
8 ヒートシンク
11 貫通孔
12,12A,12B 凸部(金属部材)
21 パワーモジュール用基板
22A,22B,23A〜23E 金属板
24 空洞部
31 パワーモジュール用基板
31X 一次接合体
32 ヒートシンク
33 板状部
34 フィン
35 ろう材箔
41 パワーモジュール用基板
42 銅層
51 パワーモジュール用基板
52A〜52E,53A,53B 金属板
54 ヒートシンク
55 フィン
61 パワーモジュール用基板
61X 一次接合体
62 金属板
63 ヒートシンク
71 金属部材
Claims (7)
- 複数のセラミックス基板と金属板とを交互に積層して接合するとともに、セラミックス基板に形成した貫通孔を介して該セラミックス基板の両側の金属板を接続状態としたパワーモジュール用基板の製造方法であって、前記セラミックス基板及び金属板を積層する際に、セラミックス基板の貫通孔内に、該貫通孔よりも長い柱状の金属部材を挿入しておき、前記セラミックス基板及び金属板を接合する際に前記金属部材を加圧して塑性変形させて、前記金属部材により前記セラミックス基板の両側の金属板を接合することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。
- 前記金属部材と前記貫通孔の内周面との間に隙間を形成した状態で前記金属板を接合することを特徴とする請求項1記載のパワーモジユール用基板の製造方法。
- 前記金属部材は、前記セラミックス基板の両側に配置される両金属板の一方の表面に予め一体に立設しておくことを特徴とする請求項1又は2記載のパワーモジュール用基板の製造方法。
- 前記金属部材は、前記セラミックス基板の両側に配置される両金属板のそれぞれの表面に予め一体に立設しておくことを特徴とする請求項1又は2記載のパワーモジュール用基板の製造方法。
- 前記金属部材は、その長さ方向の両端に端面を有しており、前記セラミックス基板の両側に配置される両金属板にそれぞれ接合されることを特徴とする請求項1又は2記載のパワーモジュール用基板の製造方法。
- 複数のセラミックス基板と金属板とを交互に積層して接合するとともに、セラミックス基板に形成した貫通孔の内部を介して該セラミックス基板の両側の金属板を接続状態としたパワーモジュール用基板であって、前記貫通孔内に挿入された金属部材が塑性変形した状態で前記セラミックス基板の両側の金属板が接合されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。
- 前記金属部材と前記貫通孔の内周面との間に隙間が形成されたことを特徴とする請求項6記載のパワーモジュール用基板。
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