JP2010238965A - パワーモジュール用基板、パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール - Google Patents
パワーモジュール用基板、パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】セラミックス基板11と、このセラミックス基板11の一方の面上に配設され、銅または銅合金からなる回路層12と、を備え、セラミックス基板11が、Si3N4または強化Al2O3のいずれかで構成されており、回路層12の厚さtcが、0.8mm≦tc≦2.0mmの範囲内に設定されるとともに、セラミックス基板11の一方の面の面積の25%以上60%以下を占めるように構成されていることを特徴とする。
【選択図】図2
Description
この金属板は回路層として形成され、その金属板の上には、はんだ材を介してパワー素子の半導体チップが搭載される。
ここで、セラミックス基板は、回路層と金属層との間の絶縁性を確保するとともに、パワーモジュール用基板全体の剛性を確保する役割を有している。
また、セラミックス基板が、Si3N4または強化Al2O3のいずれかで構成されていることから、剛性が高く、反り、割れの発生が抑制されることになる。
この場合、回路層の変形が必要以上に抑制されてセラミックス基板に熱応力が作用することを防止でき、セラミックス基板の割れの発生を抑制することができる。
この場合、セラミックス基板が冷却器の天板部としても役割を有することから、セラミックス基板の一方の面に配設された回路層上に配設される電子部品から発生する熱を冷却器によって効率的に冷却することができ、電子部品が高集積、高密度に配設されるパワーモジュールユニットに適用することができる。
この構成のパワーモジュールによれば、高集積、高密度のパワーモジュールユニットを構成することが可能となる。
このパワーモジュール1は、回路層12が配設されたパワーモジュール用基板10と、回路層12の表面にはんだ層2を介して接合された半導体チップ3と、を備えている。ここで、はんだ層2は、例えばSn−Ag系、Sn−In系、若しくはSn−Ag−Cu系のはんだ材とされている。なお、本実施形態では、回路層12とはんだ層2との間にNiメッキ層(図示なし)が設けられている。
回路層12とセラミックス基板11は、例えばAg−Cu−Ti系のろう材によって接合されている。
また、セラミックス基板11の面積(一方の面の面積)は、4000mm2以上5000mm2以下とされている。本実施形態では、セラミックス基板11は、140mm×60〜160mmの矩形平板状をなしており、より具体的には、140mm×60mmとされ、一方の面の面積が84cm2とされている。
回路層12の厚さtcは、0.8mm≦tc≦2.0mmの範囲内に設定されており、本実施形態では、tc=1.6mmに設定されている。
そして、セラミックス基板11の一方の面のうち回路層12が占める割合が、セラミックス基板の一方の面の面積の25%以上60%以下となるように構成されている。すなわち、一つの回路層12の面積が9cm2とされ、この回路層12が3つ配設されていることから、回路層12がセラミックス基板11の一方の面に占める面積が27cm2となる。ここで、本実施形態では、セラミックス基板11の一方の面の面積が84cm2とされていることから、セラミックス基板11の一方の面のうち回路層12が占める割合が、セラミックス基板の一方の面の面積の32%とされているのである。
図3に示すように、セラミックス基板11の一方の面の上に、71wt%Ag−27.5wt%Cu−1.5wt%Tiのろう材ペースト24を塗布し、このろう材ペースト24の上に、無酸素銅の圧延板からなる銅板22が積層され、積層体20が形成される(積層工程)。
これにより、セラミックス基板11と銅板22とを接合し、本実施形態であるパワーモジュール用基板10が製造される。
さらに、セラミックス基板11の一方の面に、3つの回路層12が形成されており、ひとつの回路層12の面積が、16cm2以下とされているので、回路層12の変形が必要以上に抑制されてセラミックス基板11に熱応力が作用することを防止でき、セラミックス基板11の割れの発生を抑制することができる。
この第2の実施形態であるパワーモジュール用基板110においては、図4に示すように、セラミックス基板111の他方の面側に、冷却器用部材である放熱フィン162が設けられており、セラミックス基板111が冷却器160の天板部161として利用されているのである。
また、セラミックス基板111は、強化Al2O3で構成されており、その厚さtsが、0.2mm≦ts≦0.8mmの範囲内に設定されており、本実施形態では、ts=0.32mmに設定されている。
なお、強化Al2O3とは、通常のAl2O3にZrを添加し、緻密構造としたものである。
例えば、回路層を無酸素銅からなるものとして説明したが、これに限定されることはなく、銅または銅合金で構成されていればよい。
また、セラミックス基板の一方の面に、3つの回路層を配設したものとして説明したが、これに限定されることはなく、セラミックス基板の大きさ等を考慮して適宜設計変更してもよい。
2 半導体チップ(電子部品)
10、110 パワーモジュール用基板
11、111 セラミックス基板
12、112 回路層
24 ろう材ペースト
160 冷却器
161 天板部
162 放熱フィン
Claims (5)
- セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面上に配設され、銅または銅合金からなる回路層と、を備え、
前記セラミックス基板が、Si3N4または強化Al2O3のいずれかで構成されており、
前記回路層の厚さtcが、0.8mm≦tc≦2.0mmの範囲内に設定されるとともに、前記セラミックス基板の一方の面の面積の25%以上60%以下を占めるように構成されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。 - 前記セラミックス基板の一方の面に、1又は2以上の前記回路層が形成されており、
ひとつの前記回路層の面積が、16cm2以下とされていることを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュール用基板。 - 前記セラミックス基板が、冷却器の天板部とされることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のパワーモジュール用基板。
- 請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板を製造するパワーモジュール用基板の製造方法であって、
Si3N4または強化Al2O3のいずれかで構成されたセラミックス基板の一方の面にろう材を介して、厚さ0.8mm以上2.0mm以下の銅板を積層し、積層体を形成する積層工程と、
前記積層体を加熱し、前記セラミックス基板と前記銅板との界面に溶融層を形成する溶融工程と、
冷却によって前記溶融層を凝固させる凝固工程と、
を有することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。 - 請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板と、前記回路層上に搭載される電子部品と、を備えたことを特徴とするパワーモジュール。
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