JP2012231116A5 - - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 77
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 56
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 32
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical group CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 15
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 15
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910017665 NH4HF2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011277159A JP5813495B2 (ja) | 2011-04-15 | 2011-12-19 | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
| TW101113226A TWI524453B (zh) | 2011-04-15 | 2012-04-13 | 液體處理方法、液體處理裝置及記憶媒體 |
| US13/446,255 US9111967B2 (en) | 2011-04-15 | 2012-04-13 | Liquid processing method, liquid processing apparatus and storage medium |
| KR1020120038520A KR101678248B1 (ko) | 2011-04-15 | 2012-04-13 | 액 처리 방법, 액 처리 장치 및 기억 매체 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011091295 | 2011-04-15 | ||
| JP2011091295 | 2011-04-15 | ||
| JP2011277159A JP5813495B2 (ja) | 2011-04-15 | 2011-12-19 | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012231116A JP2012231116A (ja) | 2012-11-22 |
| JP2012231116A5 true JP2012231116A5 (enExample) | 2014-04-10 |
| JP5813495B2 JP5813495B2 (ja) | 2015-11-17 |
Family
ID=47005472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011277159A Active JP5813495B2 (ja) | 2011-04-15 | 2011-12-19 | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9111967B2 (enExample) |
| JP (1) | JP5813495B2 (enExample) |
| KR (1) | KR101678248B1 (enExample) |
| TW (1) | TWI524453B (enExample) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5783971B2 (ja) * | 2012-08-10 | 2015-09-24 | 株式会社東芝 | 塗布装置および塗布方法 |
| US9870933B2 (en) * | 2013-02-08 | 2018-01-16 | Lam Research Ag | Process and apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles |
| KR20150000548A (ko) * | 2013-06-24 | 2015-01-05 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 |
| JP6308910B2 (ja) * | 2013-11-13 | 2018-04-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体 |
| TWI539515B (zh) * | 2013-11-13 | 2016-06-21 | 弘塑科技股份有限公司 | 晶片堆疊結構之洗淨方法及洗淨設備 |
| CN104979236B (zh) * | 2014-04-11 | 2017-09-26 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种化学液供给装置及其供给方法 |
| KR102347975B1 (ko) * | 2014-07-14 | 2022-01-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| JP6449097B2 (ja) | 2014-07-24 | 2019-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
| JP6440111B2 (ja) * | 2014-08-14 | 2018-12-19 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法 |
| CN105047529A (zh) * | 2015-05-28 | 2015-11-11 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 改善小尺寸高深宽比结构的湿法工艺润湿性的方法 |
| KR101736871B1 (ko) | 2015-05-29 | 2017-05-18 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| JP6552931B2 (ja) * | 2015-09-18 | 2019-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2017157800A (ja) * | 2016-03-04 | 2017-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体 |
| JP6623943B2 (ja) | 2016-06-14 | 2019-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法、熱処理装置及び記憶媒体。 |
| EP3282474B1 (en) * | 2016-08-11 | 2021-08-04 | IMEC vzw | Method for performing a wet treatment of a substrate |
| JP6690717B2 (ja) * | 2016-08-22 | 2020-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布方法、塗布装置及び記憶媒体 |
| JP6979826B2 (ja) * | 2017-08-04 | 2021-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| KR102029127B1 (ko) * | 2019-02-08 | 2019-10-07 | 영창케미칼 주식회사 | 반도체 제조 공정에 있어서 실리콘 또는 실리콘 화합물 패턴을 형성하기 위한 신규 방법 |
| JP7250566B2 (ja) * | 2019-02-26 | 2023-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| TW202105495A (zh) * | 2019-05-23 | 2021-02-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理方法 |
| JP7419896B2 (ja) * | 2020-03-16 | 2024-01-23 | 栗田工業株式会社 | ウエハの洗浄方法 |
| JP7513454B2 (ja) | 2020-07-27 | 2024-07-09 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP7580217B2 (ja) | 2020-07-27 | 2024-11-11 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法、基板処理装置、および、処理液 |
| JP7546399B2 (ja) | 2020-07-27 | 2024-09-06 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法、基板処理装置および処理液 |
| CN112185857A (zh) * | 2020-09-29 | 2021-01-05 | 王健 | 一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺 |
| KR102597005B1 (ko) * | 2020-12-29 | 2023-11-02 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 |
| JP7592500B2 (ja) * | 2021-01-18 | 2024-12-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| US11925963B2 (en) | 2022-05-27 | 2024-03-12 | Semes Co., Ltd. | Method for treating a substrate |
| CN118073176B (zh) * | 2024-04-25 | 2024-07-09 | 合肥新晶集成电路有限公司 | 晶圆清洗方法和晶圆清洗机 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1187290A (ja) * | 1997-09-10 | 1999-03-30 | Hitachi Ltd | 半導体基板の洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP3932636B2 (ja) * | 1997-12-08 | 2007-06-20 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3185753B2 (ja) * | 1998-05-22 | 2001-07-11 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2001015480A (ja) | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法 |
| JP2003124316A (ja) * | 2001-07-12 | 2003-04-25 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法及び処理液 |
| US6890864B2 (en) * | 2001-07-12 | 2005-05-10 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device fabricating method and treating liquid |
| JP4678665B2 (ja) * | 2001-11-15 | 2011-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2008047831A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | ドライエッチング残渣用洗浄液および洗浄法 |
| JP5139844B2 (ja) * | 2008-03-04 | 2013-02-06 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| US7838425B2 (en) | 2008-06-16 | 2010-11-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of treating surface of semiconductor substrate |
| JP5305331B2 (ja) | 2008-06-17 | 2013-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法及び現像処理装置 |
| JP5298762B2 (ja) | 2008-10-21 | 2013-09-25 | 株式会社ニコン | 積層型半導体装置、積層型半導体装置の製造方法及び半導体基板 |
| JP5220707B2 (ja) * | 2009-07-31 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法、プログラムおよびプログラム記録媒体 |
| US8950414B2 (en) * | 2009-07-31 | 2015-02-10 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium |
-
2011
- 2011-12-19 JP JP2011277159A patent/JP5813495B2/ja active Active
-
2012
- 2012-04-13 TW TW101113226A patent/TWI524453B/zh active
- 2012-04-13 US US13/446,255 patent/US9111967B2/en active Active
- 2012-04-13 KR KR1020120038520A patent/KR101678248B1/ko active Active
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