KR20170029063A - 기판 처리 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 처리 방법을 개시한다. 그의 방법은, 선행 기판을 세정하는 단계와 선행 기판을 건조하고 후속 기판을 세정하는 단계를 포함한다. 선행 기판을 건조하는 단계와 후속 기판을 세정하는 단계는 선행 기판의 건조를 시작한 후의 일정 시점을 후속 기판의 세정 시작 시점으로 판단하는 단계를 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 상세하게는 기판을 습식으로 처리하는 기판 처리 방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 소자의 디자인 룰은 빠르게 감소하고 있다. 이에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 다양하게 개발되고 있다. 예를 들어, 습식 세정 공정의 세정액은 건조 시 표면 장력에 의해 패턴을 붕괴시키거나 패턴간에 달라 붙는 불량을 일으킬 수 있다. 초임계 건조 공정은 기판 상의 세정액을 초임계 유체로 대체하여 패턴 붕괴 불량 및 패턴 접합 불량을 방지할 수 있다. 그럼에도 불구하고, 초임계 건조 공정은 세정 공정에 비해 장시간 소요될 수 있다.
본 발명의 일 과제는 건조대기시간을 제거할 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명은 기판 처리 방법을 개시한다. 그의 방법은, 선행 기판을 세정하는 단계; 및 상기 선행 기판을 세정하는 단계보다 장시간으로 상기 선행 기판을 건조하고, 후속 기판을 세정하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 선행 기판을 건조하고, 상기 후속 기판을 세정하는 단계는: 상기 선행 기판의 건조를 시작하는 단계; 및 상기 선행 기판의 건조 시작 후 일정 시점을 상기 후속 기판의 세정 시작 시점으로 판단하는 단계를 포함할 수 있다.
선행 기판을 세정하는 단계; 상기 선행 기판을 세정하는 단계보다 장시간으로 상기 선행 기판을 건조하고, 후속 기판을 세정하는 단계; 및 상기 후속 기판이 라스트 기판일 경우, 상기 라스트 기판을 건조하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 선행 기판을 건조하고, 상기 후속 기판을 세정하는 단계는: 상기 선행 기판의 건조를 시작하는 단계; 상기 선행 기판의 건조 시작 후 일정 시점을 상기 후속 기판의 세정 시작 시점으로 판단하는 단계; 상기 후속 기판을 세정하는 단계; 및 상기 선행 기판의 건조와 상기 후속 기판의 세정이 완료되었는지를 판단하는 단계를 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 선행 기판의 건조 공정 중에 후속 기판의 세정 공정 시점을 판단하여 선행 기판의 세정 공정과 후속 기판의 건조 공정을 동시에 완료시킬 수 있다. 후속 기판은 건조대기시간 없이 건조될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 시스템을 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 세정 장치, 건조 장치, 및 제어부를 보여준다.
도 3은 도 1의 기판 처리 시스템의 기판 처리 방법의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 4는 도 3의 제 N 기판을 세정하는 단계의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 5는 도 3의 제 N 기판을 건조하고, 제 N+1 기판을 세정하는 단계의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 6은 도 5의 제 N 기판의 건조를 시작하는 단계와 제 N 기판의 건조와 제 N+1 기판의 세정이 완료되었는지를 판단하는 단계 사이의 제 N 기판을 건조하는 단계를 보여주는 그래프이다.
도 7은 도 5의 제 N+1 기판을 세정하는 단계와 도 6의 제 N 기판을 건조하는 단계를 비교하여 보여주는 그래프이다.
도 8은 도 3의 라스트 기판을 건조하는 단계의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 2는 도 1의 세정 장치, 건조 장치, 및 제어부를 보여준다.
도 3은 도 1의 기판 처리 시스템의 기판 처리 방법의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 4는 도 3의 제 N 기판을 세정하는 단계의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 5는 도 3의 제 N 기판을 건조하고, 제 N+1 기판을 세정하는 단계의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 6은 도 5의 제 N 기판의 건조를 시작하는 단계와 제 N 기판의 건조와 제 N+1 기판의 세정이 완료되었는지를 판단하는 단계 사이의 제 N 기판을 건조하는 단계를 보여주는 그래프이다.
도 7은 도 5의 제 N+1 기판을 세정하는 단계와 도 6의 제 N 기판을 건조하는 단계를 비교하여 보여주는 그래프이다.
도 8은 도 3의 라스트 기판을 건조하는 단계의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당 업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 포함한다(comprises) 및/또는 포함하는(comprising)은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한, 명세서에서 챔버, 플라즈마, 윈도우, 블록, 지그, 전극, 및 플레이트는 일반적인 반도체 제조 설비 및 장치 용어들로 이해될 수 있을 것이다. 바람직한 실시 예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 시스템(10)을 보여준다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 시스템(10)은 습식 처리 시스템(wet process system)를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 기판 처리 시스템(10)은 기판 반송 장치(20), 세정 장치들(30), 건조 장치들(40), 및 제어부(50)를 포함할 수 있다. 기판 반송 장치(20)는 기판들(W)을 가이드 레일(22)을 따라 세정 장치들(30) 및 건조 장치들(40)에 반송할 수 있다. 기판들(W)은 기판 반송 장치(20)에 의해 로드 포트들(14) 상의 캐리어들(12)에 로딩/언로딩될 수 있다. 세정 장치들(30)과 건조 장치들(40) 각각은 서로 인접하여 배치될 수 있다. 세정 장치들(30)은 기판들(W)을 습식으로 세정할 수 있다. 건조 장치들(40)은 세정된 기판들(W)을 건조할 수 있다. 제어부(50)는 기판 반송 장치(20), 세정 장치들(30), 및 건조 장치들(40)를 제어할 수 있다.
도 2는 도 1의 세정 장치(30), 건조 장치(40), 및 제어부(50)를 보여준다.
도 2를 참조하면, 세정 장치(30)는 습식 세정 장치를 포함할 수 있다. 예를 들어, 세정 장치(30)는 세정 챔버(32), 플래터너(33), 제 1 기판 홀더(34), 세정액 노즐(35), 식각액 공급부(36), 린스액 공급부(38), 그리고, 제 1 및 제 2 밸브들(37, 39)을 포함할 수 있다.
기판(W)은 세정 챔버(32) 내에 제공될 수 있다. 플래터너(33)는 세정 챔버(32) 내에 배치될 수 있다. 플래터너(33)는 세정액(31)을 일시적으로 저장할 수 있다. 세정액(31)은 식각액(etching solution, 31a)과 린스액(lines solution, 31b)을 포함할 수 있다. 식각액(31a)은 기판(W)을 식각할 수 있다. 예를 들어, 식각액(31a)은 염산, 인산, 황산, 질산 과 같은 강산 용액을 포함할 수 있다. 린스액(31b)은 기판(W) 상의 식각액(31a)을 제거할 수 있다. 린스액(31b)은 탈이온수(deionized water)를 포함할 수 있다.
제 1 기판 홀더(34)는 기판(W)을 플래터너(33)의 식각액(31a) 및/또는 린스액(31b) 내에 침지시킬 수 있다. 기판(W)은 제 1 기판 홀더(34)에 의해 식각액(31a) 및 린스액(31b) 내에서 회전될 수 있다. 기판(W)은 식각액(31a) 내에 침지된 시간에 비례하여 식각될 수 있다. 이와 달리, 기판(W)은 식각액(31a) 내에서의 회전 속도에 비례하여 식각될 수 있다.
세정액 노즐(35)은 세정 챔버(32) 내의 기판(W) 상에 배치될 수 있다. 세정액 노즐(35)은 식각액(31a) 및 린스액(31b)을 기판(W) 상에 제공할 수 있다.
식각액 공급부(36)와 린스액 공급부(38)는 세정 챔버(32) 내의 세정액 노즐(35)에 연결될 수 있다. 식각액 공급부(36)는 식각액(31a)을 저장할 수 있다. 린스액 공급부(38)는 린스액(31b)을 저장할 수 있다. 식각액 공급부(36)와 린스액 공급부(38)는 식각액(31a)과 린스액(31b)을 세정액 노즐(35)에 각각 공급할 수 있다.
제 1 밸브(37)는 식각액 공급부(36)와 세정액 노즐(35) 사이의 세정액 공급 라인(35)에 배치될 수 있다. 제 1 밸브(37)는 제어부(50)의 제어 신호에 따라 식각액(31a)의 공급을 단속(switching)할 수 있다. 예를 들어, 제 1 밸브(37)가 오픈되면, 기판(W)은 식각될 수 있다. 제어부(50)는 기판(W)의 식각 공정을 제어할 수 있다.
제 2 밸브(39)는 린스액 공급부(38)와 세정액 노즐(35) 사이의 세정액 공급 라인(35a)에 배치될 수 있다. 제 2 밸브(39)는 제어부(50)의 제어 신호에 따라 린스액(31b)의 공급을 단속할 수 있다. 예를 들어, 제 2 밸브(39)가 오픈되면, 기판(W)은 린스될 수 있다. 제어부(50)는 기판(W)의 린스 공정을 제어할 수 있다. 제 1 및 제 2 밸브들(37, 39)는 반대로 개폐될 수 있다. 제 1 밸브(37)가 오픈되면, 제 2 밸브(39)는 클로즈될 수 있다. 반면, 제 1 밸브(37)가 클로즈되면, 제 2 밸브(39)는 오픈될 수 있다. 기판들(W)의 세정공정이 완료되면, 제 1 및 제 2 밸브들(37, 39)가 모두 닫혀질 수 있다. 세정액(31)은 플레터너(33)의 아래로 배출될 수 있다.
계속하여, 도 2를 참조하면, 건조 장치(40)는 초임계 건조 장치를 포함할 수 있다. 예를 들어, 건조 장치(40)는 건조 챔버(42), 기판 홀더(44), 초임계 유체 공급부(46), 초임계 유체 회수부(48), 제 3 및 제 4 밸브들(45, 47)을 포함할 수 있다.
기판(W)은 건조 챔버(42) 내에 제공될 수 있다. 건조 챔버(42)는 고압의 초임계 유체(41)를 일시적으로 저장(store)할 수 있다. 초임계 유체(41)는 기판(W) 상에 제공될 수 있다.
기판 홀더(44)는 건조 챔버(42) 내에 배치될 수 있다. 기판 홀더(44)는 기판(W)을 고정(holding)할 수 있다.
초임계 유체 공급부(46)는 건조 챔버(42) 내에 초임계 유체(41)를 제공할 수 있다. 초임계 유체(41)는 기판(W)에 제공될 수 있다. 예를 들어, 초임계 유체(41)는 약 0기압 내지 150기압으로 제공될 수 있다. 기판(W) 상의 린스액(31b)은 초임계 유체(41)로 대체될 수 있다. 초임계 유체(41)는 이산화탄소를 포함할 수 있다. 초임계 유체(41)는 기압이 낮아지면, 표면 장력 없이 기화될 수 있다.
초임계 유체 회수부(48)는 초임계 유체(41)을 건조 챔버(42)로부터 회수할 수 있다. 초임계 유체 회수부(48)와 초임계 유체 공급부(46)는 연결될 수 있다. 초임계 유체 회수부(48)는 회수된 초임계 유체(41)를 초임계 유체 공급부(46)에 다시 제공할 수 있다. 초임계 유체(41)는 건조 챔버(42), 초임계 유체 공급부(46), 및 초임계 유체 회수부(48)에서 순환될 수 있다.
제 3 밸브(45)는 초임계 유체 공급부(46)와 건조 챔버(42) 사이의 초임계 유체 공급 라인(45a)에 배치될 수 있다. 제 3 밸브(45)는 제어부(50)의 제어 신호에 따라 초임계 유체(41)의 공급을 단속할 수 있다.
제 4 밸브(47)는 초임계 유체 회수부(48)와 건조 챔버(42) 사이의 초임계 유체 회수 라인(47a)에 배치될 수 있다. 제 4 밸브(47)는 제어부(50)의 제어 신호에 따라 초임계 유체(41)의 배기를 단속할 수 있다. 따라서, 제어부(50)는 기판(W)의 건조 공정을 제어할 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명의 기판 처리 시스템(10)의 기판 처리 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 3은 도 1의 기판 처리 시스템(10)의 기판 처리 방법의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 3을 참조하면, 기판 처리 방법은 기판(W)을 세정 및 건조 방법을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 기판 처리 방법은 제 N 기판을 세정하는 단계(S100), 제 N 기판을 건조하고 제 N+1 기판을 세정하는 단계(S200), 및 라스트 기판을 건조하는 단계(S300)를 포함할 수 있다. 여기서, 제 N 기판은 선행(preceding) 기판이고, 제 N+1 기판은 후속(next) 기판일 수 있다. N은 자연수일 수 있다.
먼저, 제어부(50)는 제 N 기판을 세정시킬 수 있다(S100). 예를 들어, 제 1 기판은 세정될 수 있다.
다음, 제어부(50)는 제 N 기판을 건조시키고, 제 N+1 기판을 세정시킬 수 있다(S200). 일 예에 따르면, 제 N 기판의 건조 시간은 제 N 기판의 세정시간보다 길 수 있다. 제 N 기판의 세정시간은 제 N+1 기판의 세정시간과 동일할 수 있다. 제어부(50)는 제 N+1 기판이 라스트 기판으로 판단될 때까지 반복적으로 제 N 기판을 건조시키고, 제 N+1 기판을 세정시킬 수 있다. 즉, 세정되는 기판(W)이 마지막 기판이 될 때까지 제 N 기판을 건조하고 제 N+1 기판을 세정하는 단계(S200)는 연속적으로 수행될 수 있다. 예를 들어, 제 1 기판은 건조될 수 있다. 제 1 기판이 건조되는 동안 제 2 기판은 세정될 수 있다. 제 2 기판은 제 1 기판의 건조 중에 세정될 수 있다. 이후 제 2 기판이 건조되는 동안에 제 3 기판은 세정될 수 있다.
마지막으로 제 N+1 기판이 라스트 기판으로 판단되면, 제어부(50)는 라스트 기판을 건조시킬 수 있다(S300). 제 3 기판이 라스트 기판일 경우, 라스트 기판은 건조될 수 있다(S300).
도 4는 도 3의 제 N 기판을 세정하는 단계(S100)의 일 예를 보여준다.
도 4를 참조하면, 제 N 기판을 세정하는 단계(S100)는 제 N 기판을 식각하는 단계(S110)와 제 N 기판을 린스하는 단계(S120)를 포함할 수 있다. 제 N 기판을 식각하는 단계(S110)는 식각액(31a)을 제 N 기판에 제공하는 단계일 수 있다. 제 N 기판은 식각액(31a)에 노출된 시간에 비례하여 식각될 수 있다. 제 N 기판을 린스하는 단계(S120)는 린스액(31b)을 제 N 기판에 제공하는 단계일 수 있다.
도 5는 도 3의 제 N 기판을 건조하고, 제 N+1 기판을 세정하는 단계(S200)의 일 예를 보여준다.
도 5를 참조하면, 제 N 기판을 건조하고, 제 N+1 기판을 세정하는 단계(S200)는 제 N 기판의 건조를 시작하는 단계(S210), 제 N+1 기판의 세정 시작 시점을 판단하는 단계(S220), 제 N+1 기판을 세정하는 단계(S230), 제 N 기판의 건조와 제 N+1 기판의 세정이 완료되었는지를 판단하는 단계(S240), 제 N+2의 세정이 필요한지를 판단하는 단계(S250), 제 N+1 기판을 제 N 기판으로 인식하고, 제 N+2 기판을 제 N+1 기판으로 인식하는 단계(S260), 및 제 N+1 기판을 라스트 기판으로 인식하는 단계(S270)를 포함할 수 있다. 여기서, 제 N+2 기판은 제 N 기판 및 제 N+1 기판과 다른 기판일 수 있다.
먼저, 제어부(50)는 세정된 제 N 기판을 세정 장치(30)에서 건조 장치(40)로 반송시킨 후에 제 N 기판의 건조를 시작시킨다(S210). 제어부(50)는 제 N 기판의 건조를 시작하는 단계(S210)에서 제 N+1 기판을 세정하는 단계(S230)까지 제 N 기판을 건조시킬 수 있다.
도 6은 도 5의 제 N 기판의 건조를 시작하는 단계(S210)와 제 N 기판의 건조와 제 N+1 기판의 세정이 완료되었는지를 판단하는 단계(S240) 사이의 제 N 기판을 건조하는 단계(S210a)를 보여주는 그래프이다.
도 6을 참조하면, 제 N 기판을 건조하는 단계(S210a)는 초임계 유체(41)의 압력을 증가하는 단계(S212), 초임계 유체(41)의 압력을 포화하는 단계(S214), 및 초임계 유체(41)의 압력을 감소하는 단계(S216)를 포함할 수 있다.
먼저, 건조 시작(S210)과 동시에 초임계 유체(41)는 제 N 기판에 제공될 수 있다. 이와 달리, 건조 시작(S210)과 동시에 건조 챔버(42)가 펌핑된 후 초임계 유체(41)는 제 N 기판에 제공될 수 있다. 초임계 유체(41)의 압력은 증가한다(S212), 예를 들어, 초임계 유체(41)의 압력은 약 40초 동안에 약 0기압에서 150기압까지 증가할 수 있다.
다음, 초임계 유체(41)의 압력은 포화된다(S214). 예를 들어, 포화된 초임계 유체(41)의 압력은 진동(oscillation)할 수 있다. 이 과정에서 제 N 기판 상의 린스액(31b)은 초임계 유체(41)로 대체될 수 있다. 초임계 유체(41)의 압력을 포화하는 단계(S214)는 약 130기압 내지 약 150 기압에서 약 100초 동안에 수행될 수 있다.
그 다음, 초임계 유체(41)의 압력은 감소한다(S216). 압력이 감소되면, 초임계 유체(41)는 표면장력 없이 기화될 수 있다. 일 예에 따르면, 초임계 유체(41)의 압력을 감소하는 단계(S216)는 초임계 유체(41)의 압력을 제 1 속도로 감소하는 단계(S215)와 초임계 유체(41)의 압력을 제 2 속도로 감소하는 단계(S217)를 포함할 수 있다. 여기서, 제 1 속도는 제 2 속도보다 작을 수 있다. 초임계 유체(41)의 압력을 제 1 속도로 감소하는 단계(S215)에서 초임계 유체(41)의 압력은 약 150 기압에서 약 80 기압까지 약 100초 동안 천천히 감소할 수 있다. 초임계 유체(41)의 압력을 제 2 속도로 감소하는 단계(S217)에서 초임계 유체(41)의 압력은 약 80 기압에서 약 0기압까지 약 55초 동안 급격하게 감소할 수 있다.
다시 도 5를 참조하면, 제 N 기판이 건조되는 동안에 제어부(50)는 제 N+1 기판의 세정 시작 시점을 판단할 수 있다(S220). 일 예에 따르면, 제어부(50)는 제 N+1 기판의 세정 시작 시점을 제 N 기판을 세정하는 단계(S100)의 소요 시간으로부터 계산할 수 있다. 제 N 기판의 건조시작 후 제 N 기판의 건조 완료 시간과, 제 N 기판을 세정하는 단계(S100)의 소요 시간은 미리 저장될 수 있다. 따라서, 제어부(50)는 제 N 기판의 건조 시작 이후 일정 시점을 제 N+1 기판의 세정 시작 시점으로 판단할 수 있다(S220).
다음, 제어부(50)는 제 N+1 기판을 세정시킨다(S230). 제 N+1 기판을 세정하는 단계(S230)는 세정액(31)을 제 N+1 기판에 제공하는 단계일 수 있다. 일 예에 따르면, 제 N+1 기판을 세정하는 단계(S230)는 제 N+1 기판을 식각하는 단계(S232)와 제 N+1 기판을 린스하는 단계(S234)를 포함할 수 있다. 제 N+1 기판을 식각하는 단계(S232)는 식각액(31a)을 제 N+1 기판에 제공하는 단계일 수 있다. 제 N+1 기판을 린스하는 단계(S234)는 린스액(31b)을 제 N+1 기판에 제공하는 단계일 수 있다.
그 다음, 제어부(50)는 제 N 기판의 건조와 제 N+1 기판의 세정이 모두 완료되었는지를 판단한다(S240). 예를 들어, 제 N 기판의 건조와 제 N+1 기판의 세정은 동시에 완료될 수 있다. 따라서, 제 N+1 기판은 건조대기시간 없이 건조될 수 있다.
도 7은 도 5의 제 N+1 기판을 세정하는 단계(S230)와 도 6의 제 N 기판을 건조하는 단계(S210a)를 보여준다.
도 7을 참조하면, 제 N 기판을 건조하는 단계(S210a)는 연속적이고, 제 N+1 기판을 세정하는 단계(S230)는 불연속적일 수 있다.
일 예에 따르면, 제 N+1 기판을 식각하는 단계(S232)는 초임계 유체(41)의 압력을 포화하는 단계(S214)에서 시작될 수 있다. 이와 달리, 제 N+1 기판을 식각하는 단계(S232)는 초임계 유체(41)의 압력을 증가하는 단계(S212)에서 시작될 수 있다.
일 예에 따르면, 제 N+1 기판을 린스하는 단계(S234)는 초임계 유체(41)의 압력을 급격히 감소하는 단계(S217)와 매칭(matching)될 수 있다. 예를 들어, 제 N+1 기판을 린스하는 단계(S234)와 초임계 유체(41)의 압력을 급격히 감소하는 단계(S217)는 동시에 시작되고 완료될 수 있다.
또 다시 도 5를 참조하면, 제어부(50)는 제 N+2 기판이 존재하는지를 판단한다(S250).
제 N+2 기판이 존재하면, 제어부(50)는 제 N+1 기판을 제 N 기판으로 인식하고, 제 N+2 기판으로 인식한다(S260). 이후, 제어부(50)는 제 N 기판의 건조를 시작시킨다(S210). 제 N+2 기판이 존재하면, 제어부(50)는 단계 S210 내지 단계 S260를 반복하여 수행할 수 있다.
제 N+2 기판이 존재하지 않으면, 제어부(50)는 제 N+1 기판을 라스트 기판으로 인식한다(S270). 이후, 제어부(50)는 라스트 기판을 건조시킨다(S300).
도 8은 도 3의 라스트 기판을 건조하는 단계(S300)의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 8을 참조하면, 라스트 기판을 건조하는 단계(S300)는 제 N 기판을 건조하는 단계(S210a)와 동일할 수 있다. 일 예에 따르면, 라스트 기판을 건조하는 단계(S300)는 라스트 기판에 제공되는 초임계 유체의 압력을 증가하는 단계(S310), 초임계 유체의 압력을 포화하는 단계(S320), 초임계 유체의 압력을 감소하는 단계(S330)를 포함할 수 있다. 초임계 유체의 압력을 감소하는 단계(S330)는 초임계 유체의 압력을 제 1 속도로 감소하는 단계(S332), 초임계 유체의 압력을 제 2 속도로 감소하는 단계(S334)를 포함할 수 있다.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들 및 응용 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
Claims (10)
- 선행 기판을 세정하는 단계; 및
상기 선행 기판을 세정하는 단계보다 장시간으로 상기 선행 기판을 건조하고, 후속 기판을 세정하는 단계를 포함하되,
상기 선행 기판을 건조하고, 상기 후속 기판을 세정하는 단계는:
상기 선행 기판의 건조를 시작하는 단계; 및
상기 선행 기판의 건조 시작 후의 일정 시점을 상기 후속 기판의 세정 시작 시점으로 판단하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 선행 기판을 건조하고, 상기 후속 기판을 세정하는 단계는:
상기 후속 기판의 세정 시작 시점을 판단한 후, 상기 후속 기판을 세정하는 단계;
상기 선행 기판의 건조와 상기 후속 기판의 세정이 완료되었는지를 판단하는 단계; 및
상기 선행 기판의 건조와 상기 후속 기판의 세정이 완료되면, 세정될 다른 기판이 더 존재하는지를 판단하는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 선행 기판을 건조하고, 상기 후속 기판을 세정하는 단계는:
상기 다른 기판이 더 존재하면, 상기 후속 기판을 선행 기판으로 인식하고, 상기 다른 기판을 후속 기판으로 인식하는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 선행 기판을 건조하고, 상기 후속 기판을 세정하는 단계는:
상기 다른 기판이 더 이상 존재하지 않으면, 상기 후속 기판을 라스트 기판으로 인식하는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법. - 제 4 항에 있어서,
상기 방법은, 상기 라스트 기판을 건조하는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 후속 기판을 세정하는 단계는:
상기 후속 기판을 식각하는 단계; 및
상기 후속 기판을 린스하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법. - 제 6 항에 있어서,
상기 선행 기판을 건조하는 단계는:
상기 선행 기판 상에 제공되는 초임계 유체의 압력을 증가하는 단계;
상기 초임계 유체의 압력을 포화하는 단계; 및
상기 후속 기판의 세정 완료 전에 상기 초임계 유체의 압력을 감소하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 초임계 유체의 압력을 감소하는 단계는:
상기 초임계 유체의 압력을 제 1 속도로 감소하는 단계; 및
상기 초임계 유체의 압력을 제 2 속도로 감소하는 단계를 포함하되,
상기 후속 기판을 린스하는 단계는 상기 초임계 유체의 압력을 제 2 속도로 감소하는 단계와 매칭되는 기판 처리 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 후속 기판을 식각하는 단계는 상기 초임계 유체의 압력을 포화하는 단계에서 시작하는 기판 처리 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 후속 기판의 세정 시작 시점은 상기 선행 기판을 세정하는 단계로부터 계산되는 기판 처리 방법.
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