JP2018056158A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法及び基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018056158A JP2018056158A JP2016186708A JP2016186708A JP2018056158A JP 2018056158 A JP2018056158 A JP 2018056158A JP 2016186708 A JP2016186708 A JP 2016186708A JP 2016186708 A JP2016186708 A JP 2016186708A JP 2018056158 A JP2018056158 A JP 2018056158A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cleaning
- etching
- processing
- hot water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 145
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 97
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 70
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 61
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 59
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 48
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 23
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 23
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CCO KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- -1 drying Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- C11D2111/22—
Abstract
【課題】基板に対してエッチング及び洗浄を行う場合において、エッチング液に溶解させた物質の再結晶化を抑制する。
【解決手段】基板処理方法は、所定の基板に対してエッチング及び洗浄を行う。詳細には、基板処理方法は、常温よりも高温のアルカリ性のエッチング液を用いて、基板上に設けられたシリコン膜を溶解させるエッチング工程と、エッチング工程を経た基板に対し、常温よりも高温の温水を用いて洗浄する洗浄工程とを含む。
【選択図】図３
【解決手段】基板処理方法は、所定の基板に対してエッチング及び洗浄を行う。詳細には、基板処理方法は、常温よりも高温のアルカリ性のエッチング液を用いて、基板上に設けられたシリコン膜を溶解させるエッチング工程と、エッチング工程を経た基板に対し、常温よりも高温の温水を用いて洗浄する洗浄工程とを含む。
【選択図】図３
Description
本発明は、半導体ウェハ等の基板に対しエッチング処理や洗浄処理を行う基板処理方法及び基板処理装置に関する。
半導体装置の製造工程には、半導体ウェハ等の基板を処理槽に浸漬させることにより、当該基板にエッチング処理や洗浄処理を施す工程や、処理液を除去する乾燥処理を施す工程が含まれる。このような工程は、複数の処理槽を含む基板処理装置により実行される。また、エッチング処理や洗浄処理においては、溶解させる処理対象の物質に応じて適切な処理液が用いられる。
例えば、フッ酸によるウェットエッチング、純水によるリンス（洗浄）、乾燥、アルカリ洗浄、及び純水によるリンスを行う基板の洗浄方法が提案されている（例えば、特許文献１）。また、多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜をアルカリ性の薬液でエッチングする、キャパシタ構造の形成方法も提案されている（例えば、特許文献２）。
近年、半導体基板のエッチングにおいて、エッチング量が増加する傾向がある。これに伴い、エッチングされた成分が、例えば水洗時に再結晶化するという問題が生じていた。
そこで、本発明は、基板に対してエッチング及び洗浄を行う場合において、エッチング液に溶解させた物質の再結晶化を抑制することを目的とする。
上記課題を解決するための本発明は、次のような構成とする。
所定の基板に対してエッチング及び洗浄を行う基板処理方法であって、
常温よりも高温のアルカリ性のエッチング液を用いて、前記基板上に設けられたシリコン膜を溶解させるエッチング工程と、
前記エッチング工程を経た前記基板に対し、常温よりも高温の温水を用いて洗浄する洗浄工程と、
を含む基板処理方法。
所定の基板に対してエッチング及び洗浄を行う基板処理方法であって、
常温よりも高温のアルカリ性のエッチング液を用いて、前記基板上に設けられたシリコン膜を溶解させるエッチング工程と、
前記エッチング工程を経た前記基板に対し、常温よりも高温の温水を用いて洗浄する洗浄工程と、
を含む基板処理方法。
このようにすれば、エッチング工程を経た基板に対し、常温よりも高温の温水を用いて洗浄するため、基板に付着したエッチング液を急激に冷却することがなくなる。したがって、エッチング液の溶解度を超えたシリコンが基板表面に析出することを抑制できる。
希釈されたエッチング液と同一の成分を含む洗浄液を用いて基板を洗浄する第２の洗浄工程をさらに備えるようにしてもよい。エッチング処理と同じ成分を含む洗浄液を用いることで、洗浄の効果を高めることができる。
また、洗浄液は、過酸化水素水をさらに含むものであってもよい。このようにすれば、
洗浄液によってエッチング処理がなされてしまうことを抑制できる。
洗浄液によってエッチング処理がなされてしまうことを抑制できる。
また、洗浄工程において、又は洗浄工程に加えて、基板に対し温水を散布して基板を洗浄する処理を行うようにしてもよい。このようにすれば、洗浄に用いる温水の量を削減することができる。
また、エッチング工程を行う処理槽から洗浄工程を行う処理槽へ基板を移送する移送工程を含み、移送工程において、基板に対し加温するようにしてもよい。このようにすれば、移送工程における、基板に付着したエッチング液の冷却及びこれに伴うシリコンの析出を抑制できる。
また、本発明に係る基板処理装置は、所定の基板に対してエッチング及び洗浄を行う基板処理装置であって、常温よりも高温のアルカリ性のエッチング液を用いて、基板上に設けられたシリコン膜を溶解させるためのエッチング処理槽と、エッチング処理槽において処理された基板に対し、常温よりも高温の温水を用いて洗浄するための洗浄処理槽と、加温して温水を生成するための温調手段とを備える。
なお、上述した課題を解決するための手段は、適宜組み合わせて用いることができる。
本発明によれば、基板に対してエッチング及び洗浄を行う場合において、エッチング液に溶解させた物質の再結晶化を抑制することができる。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施例は、本願発明の一態様であり、本願発明の技術的範囲を限定するものではない。
＜実施例１＞
図１は実施例１に係る基板処理装置１の概略構成を示す斜視図である。この基板処理装置１は、主として基板（例えば半導体基板）Ｗに対してエッチング処理や洗浄処理を施すものである。基板処理装置１においては、図１において右奥側に基板Ｗをストックするバッファ部２が配置され、バッファ部２のさらに右奥側には、基板処理装置１を操作するための正面パネル（不図示）が設けられている。また、バッファ部２における正面パネルと反対側には、基板搬出入口３が設けられている。また、基板処理装置１の長手方向における、バッファ部２の反対側（図１において左手前側）から、基板Ｗに対して処理を行う処理部５、７及び９が並設されている。
図１は実施例１に係る基板処理装置１の概略構成を示す斜視図である。この基板処理装置１は、主として基板（例えば半導体基板）Ｗに対してエッチング処理や洗浄処理を施すものである。基板処理装置１においては、図１において右奥側に基板Ｗをストックするバッファ部２が配置され、バッファ部２のさらに右奥側には、基板処理装置１を操作するための正面パネル（不図示）が設けられている。また、バッファ部２における正面パネルと反対側には、基板搬出入口３が設けられている。また、基板処理装置１の長手方向における、バッファ部２の反対側（図１において左手前側）から、基板Ｗに対して処理を行う処理部５、７及び９が並設されている。
処理部５、７及び９は、各々二つの処理槽５ａ及び５ｂ、７ａ及び７ｂ、９ａ及び９ｂを有している。処理槽５ａ、７ａ及び９ａは、エッチング処理を行うエッチング処理槽であり、処理槽５ｂ、７ｂ及び９ｂは、洗浄処理を行う洗浄処理槽である。洗浄処理とは、
純水や希釈したエッチング液等により、基板Ｗに残留するエッチング液を洗い流す、すすぎ処理（「リンス」とも呼ぶ）である。また、基板処理装置１には、複数枚の基板Ｗを各処理部５、７及び９における各処理槽の間でのみ図１中の短い矢印の方向及び範囲に対して移動させるための副搬送機構４３が備えられている。また、この副搬送機構４３は、複数枚の基板Ｗを処理槽５ａ及び５ｂ、７ａ及び７ｂ、９ａ及び９ｂに浸漬しまたは、これらの処理槽から引き上げるため、複数枚の基板Ｗを上下にも移動させる。各々の副搬送機構４３には、複数枚の基板Ｗを保持するリフタ１１、１３及び１５が設けられている。さらに基板処理装置１には、複数枚の基板Ｗを各処理部５、７及び９の各々に搬送するために、図１中の長い矢印の方向及び範囲で移動可能な主搬送機構１７が備えられている。
純水や希釈したエッチング液等により、基板Ｗに残留するエッチング液を洗い流す、すすぎ処理（「リンス」とも呼ぶ）である。また、基板処理装置１には、複数枚の基板Ｗを各処理部５、７及び９における各処理槽の間でのみ図１中の短い矢印の方向及び範囲に対して移動させるための副搬送機構４３が備えられている。また、この副搬送機構４３は、複数枚の基板Ｗを処理槽５ａ及び５ｂ、７ａ及び７ｂ、９ａ及び９ｂに浸漬しまたは、これらの処理槽から引き上げるため、複数枚の基板Ｗを上下にも移動させる。各々の副搬送機構４３には、複数枚の基板Ｗを保持するリフタ１１、１３及び１５が設けられている。さらに基板処理装置１には、複数枚の基板Ｗを各処理部５、７及び９の各々に搬送するために、図１中の長い矢印の方向及び範囲で移動可能な主搬送機構１７が備えられている。
主搬送機構１７は、二本の可動式のアーム１７ａを有している。これらのアーム１７ａには、基板Ｗを載置するための複数の溝（図示省略）が設けられており、図１に示す状態で、各基板Ｗを起立姿勢（基板主面の法線が水平方向に沿う姿勢）で保持する。また、主搬送機構１７における二本のアーム１７ａは、図１中の右斜め下方向から見て、「Ｖ」の字状から逆「Ｖ」の字状に揺動することにより、各基板Ｗを開放する。そして、この動作により、基板Ｗは、主搬送機構１７とリフタ１１、１３及び１５との間で授受されることが可能となっている。
図２は、基板処理装置１の機能ブロック図を示す。上述した主搬送機構１７、副搬送機構４３、処理部５、７、９は、制御部５５によって統括的に制御されている。制御部５５のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部５５は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。本実施例においては、制御部５５のＣＰＵが所定のプログラムを実行することにより、基板Ｗを各処理部５、７、９に搬送し、プログラムに応じた処理を施すように各部を制御する。上記のプログラムは、記憶部５７に記憶されている。また、記憶部５７には、後述する各処理を継続する時間等、プログラムが動作する際の基準となるパラメータを予め保持させておく。
図３は、基板処理装置１の処理部５、７、９における処理槽５ｂ、７ｂ、９ｂの構成を示す図である。図３においては、処理槽７ｂを例にとって説明する。以下の処理槽７ｂの構成及び制御と同等または類似の構成及び制御が、他の処理槽５ｂ、９ｂについても適用される。
ここで、半導体ウェハの製造工程においては、例えばシリコン等の単結晶インゴッドをその棒軸方向にスライスし、得られたものに対して面取り、ラッピング、エッチング処理、ポリッシング等の処理が順次施される。その結果、基板表面上には異なる材料による複数の層、構造、回路が形成される。処理槽７ａにおいて行われる基板Ｗのエッチング処理は、例えば、半導体基板上のパターン形成のための工程であり、基板上に形成されたシリコン膜（Ｓｉ膜）を選択的に除去する目的で行われ、基板Ｗを処理液である高温（８０℃程度）のアルカリ性エッチング液などに所定時間浸漬することにより行われる。
図３において、処理槽７ｂは、処理液に対する耐食性に優れた石英またはフッ素樹脂材料にて形成された平面視矩形の箱形形状部材である。また、処理槽７ｂは、処理液中に基板Ｗを浸漬させる内槽と、内槽の周囲に設けられ内槽の上端から溢水（オーバーフロー）した処理液が流入する外槽とによって構成される二重槽構造（図示せず）を有していてもよい。また、処理槽７ｂは、基板Ｗを洗浄するための処理液（「洗浄液」とも呼ぶ）を供給するための供給管７１及びノズル７２、処理槽７ｂから洗浄液を排液するための排液管７３、及び供給管７１から供給される洗浄液を加温するヒータ等の温調器（本発明に係る「温調手段」に相当する）７４を有する。供給管７１、排液管７３は、それぞれバルブ（
図示せず）を有し、制御部５５（図２）によって洗浄液の供給及び排液が制御される。なお、洗浄液の排液は、開口した処理槽７ｂの上端から溢水することにより行うようにしてもよい。また、排液管７３から排液される洗浄液をフィルタリングし、また供給管７１に循環させてもよい。
図示せず）を有し、制御部５５（図２）によって洗浄液の供給及び排液が制御される。なお、洗浄液の排液は、開口した処理槽７ｂの上端から溢水することにより行うようにしてもよい。また、排液管７３から排液される洗浄液をフィルタリングし、また供給管７１に循環させてもよい。
また、処理槽７ｂには、前述のように、貯留された処理液に基板Ｗを浸漬させるためのリフタ１３が設けられている。リフタ１３は、起立姿勢にて相互に平行に配列された複数（例えば５０枚）の基板Ｗを３本の保持棒によって一括して保持する。リフタ１３は、副搬送機構４３によって上下左右の方向に移動可能に設けられており、保持する複数枚の基板Ｗを処理槽７ｂ内の処理液中に浸漬する処理位置（図３の実線）と処理液から上方に引き上げた受渡位置（図３の破線）との間で昇降させるとともに、隣の処理槽へ移動させることができる。
（処理）
図４は、本実施例において、処理槽７ｂでの洗浄処理の工程を示す模式図である。なお、図４に示す工程の前に、処理槽７ａにおいて、基板Ｗのシリコン（Ｓｉ）膜をアルカリ性の薬液（「エッチング液」とも呼ぶ）を用いてエッチングするエッチング工程が行われる。シリコン膜は、アモルファスシリコン、ポリシリコン等の材料によって形成された薄膜である。アルカリ性のエッチング液は、例えば、トリメチル−２ヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＹ）若しくはテトラメチルアンモニアハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）を含む水溶液、又は水酸化アンモニウム（アンモニア水）である。
図４は、本実施例において、処理槽７ｂでの洗浄処理の工程を示す模式図である。なお、図４に示す工程の前に、処理槽７ａにおいて、基板Ｗのシリコン（Ｓｉ）膜をアルカリ性の薬液（「エッチング液」とも呼ぶ）を用いてエッチングするエッチング工程が行われる。シリコン膜は、アモルファスシリコン、ポリシリコン等の材料によって形成された薄膜である。アルカリ性のエッチング液は、例えば、トリメチル−２ヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＹ）若しくはテトラメチルアンモニアハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）を含む水溶液、又は水酸化アンモニウム（アンモニア水）である。
その後、エッチング液が基板Ｗの表面に付着した状態で、基板Ｗを処理槽７ｂに移送し、図４に示す洗浄処理が行われる。ここで、例えば３次元ＮＡＮＤの形成のように、従来と比較してエッチング量の多い処理を行うと、基板Ｗに付着したエッチング液から過飽和シリコンが析出し、乾燥後に基板Ｗ上にパーティクルとして残ってしまう。これを抑制するため、本実施例では温水による洗浄を行う。
図４の（Ａ）では、供給管７１から供給される温水を、ノズル７２から処理槽７ｂに供給する。図４においては液体の流れを太い実線の矢印で示している。温水は、常温よりも高温の純水である。具体的には、５０〜８０℃程度の純水が用いられる。なお、図４の（Ａ）においては空の処理槽７ｂに温水を充填してもよいし、前回の処理に用いた洗浄液が残っている状態から置換するかたちで処理槽７ｂに温水を充填するようにしてもよい。なお、ここで常温とは、積極的な温調を行っていない事を表し、実際は２４℃〜２６℃程度である。
図４の（Ｂ）では、基板Ｗを載置したリフタ１３を副搬送機構４３によって処理位置に移動させ、基板Ｗを処理槽７ｂの温水に浸漬させる。
また、図４の（Ｃ）に示すように、基板Ｗを温水内に浸漬させた状態において、処理槽７ｂ内の温水を置換し、洗浄する。図４に示すように処理槽７ｂは断面形状が鉛直下方に凸のホームベース形状になっている。また、ノズル７２は、処理槽７ｂの左右の側面の下方に設けられている。ノズル７２からは、新たに供給される温水が、処理槽７ｂの底面の凸状になった下端に向かって放出される。そして、左右のノズルから放出された温水は、処理槽７ｂの底面の中央で衝突し、処理槽７ｂ内を上昇する。このとき、処理位置に保持された基板Ｗ表面の温水が置換され、温水の一部は処理槽７ｂの上端から溢水することにより排液される。例えば、（Ｃ）の処理は５分程度継続する。また、（Ｃ）の工程は、本発明に係る洗浄工程に相当する。
その後、図４の（Ｄ）では、供給管７１から供給する洗浄液を、温水とアルカリ性エッ
チング液との混合液に切り替える。当該混合液は、換言すれば希釈したエッチング液であり、「温洗浄液」とも呼ぶものとする。温洗浄液の温度は常温よりも高く、例えば５０〜８０℃程度が用いられる。エッチング液と同じ成分を含む温洗浄液で洗浄することにより、洗浄効果を高めることができると共に、基板Ｗへの異物の付着を抑制することができる。また、温洗浄液は、さらに過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）を含む混合液であってもよい。このような混合液を用いることにより、温洗浄液により過剰にエッチング処理がなされてしまうことを抑制できる。図４の（Ｄ）の工程は、本発明に係る第２の洗浄工程に相当する。
チング液との混合液に切り替える。当該混合液は、換言すれば希釈したエッチング液であり、「温洗浄液」とも呼ぶものとする。温洗浄液の温度は常温よりも高く、例えば５０〜８０℃程度が用いられる。エッチング液と同じ成分を含む温洗浄液で洗浄することにより、洗浄効果を高めることができると共に、基板Ｗへの異物の付着を抑制することができる。また、温洗浄液は、さらに過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）を含む混合液であってもよい。このような混合液を用いることにより、温洗浄液により過剰にエッチング処理がなされてしまうことを抑制できる。図４の（Ｄ）の工程は、本発明に係る第２の洗浄工程に相当する。
そして、図４の（Ｅ）では、供給管７１から供給する洗浄液を、常温の水（温水と区別するため、「冷水」とも呼ぶ）に切り替える。本工程では、基板Ｗを洗浄すると共に、冷却することができる。
その後、図４の（Ｆ）に示すように、洗浄を完了し、リフタ１３を移動させて基板Ｗを処理槽７ｂから排出する。
（効果）
本実施例によれば、洗浄を温水によって行うことにより、基板Ｗに付着したエッチング液からシリコンが再結晶化することを抑制できる。すなわち、エッチング液が洗浄工程において、常温の純水にて洗浄を行う等により急激に冷却されると、エッチング液に溶解し得るシリコンの溶解度が下がり、シリコンが析出するものと推測される。これを避けるため、本実施形態では図４の（Ａ）〜（Ｄ）の工程を追加している。なお、本実施例に係る洗浄処理の前に行うエッチング処理が、循環しない所定量のエッチング液に基板Ｗを浸漬させて行うエッチング処理や、所定量のエッチング液を入れ替えることなく閉鎖系内を循環させて行うエッチング処理である場合、冷却時にシリコンが飽和濃度を超える可能性が高くなるため、温水による洗浄が特に有効である。
本実施例によれば、洗浄を温水によって行うことにより、基板Ｗに付着したエッチング液からシリコンが再結晶化することを抑制できる。すなわち、エッチング液が洗浄工程において、常温の純水にて洗浄を行う等により急激に冷却されると、エッチング液に溶解し得るシリコンの溶解度が下がり、シリコンが析出するものと推測される。これを避けるため、本実施形態では図４の（Ａ）〜（Ｄ）の工程を追加している。なお、本実施例に係る洗浄処理の前に行うエッチング処理が、循環しない所定量のエッチング液に基板Ｗを浸漬させて行うエッチング処理や、所定量のエッチング液を入れ替えることなく閉鎖系内を循環させて行うエッチング処理である場合、冷却時にシリコンが飽和濃度を超える可能性が高くなるため、温水による洗浄が特に有効である。
＜実施例２＞
上述の実施例１において、図４の（Ｄ）に示す工程を省略するようにしてもよい。すなわち、実施例２では、図４の（Ａ）〜（Ｃ）、（Ｅ）及び（Ｆ）に示した処理を行う。本実施例では、（Ｃ）の工程において、時間当たりの温水を入れ替える量を増大させることにより、（Ｄ）の工程を省略しても異物の付着を抑制できるようになる。例えば、容量が約３５リットルの処理槽７ｂに対し、（Ｃ）の工程では毎分５０リットルの温水を入れ替えることが好ましい。
上述の実施例１において、図４の（Ｄ）に示す工程を省略するようにしてもよい。すなわち、実施例２では、図４の（Ａ）〜（Ｃ）、（Ｅ）及び（Ｆ）に示した処理を行う。本実施例では、（Ｃ）の工程において、時間当たりの温水を入れ替える量を増大させることにより、（Ｄ）の工程を省略しても異物の付着を抑制できるようになる。例えば、容量が約３５リットルの処理槽７ｂに対し、（Ｃ）の工程では毎分５０リットルの温水を入れ替えることが好ましい。
＜変形例１＞
図５は、変形例１に係る洗浄処理の工程を示す模式図である。変形例１に係る処理槽７ｂは、その上部に、処理槽７ｂ内に幅広く温水を撒くためのシャワーノズル７５を有する。そして、処理槽７ｂ内の処理位置に保持された基板Ｗの上方から、温水を散布することができるようになっている。
図５は、変形例１に係る洗浄処理の工程を示す模式図である。変形例１に係る処理槽７ｂは、その上部に、処理槽７ｂ内に幅広く温水を撒くためのシャワーノズル７５を有する。そして、処理槽７ｂ内の処理位置に保持された基板Ｗの上方から、温水を散布することができるようになっている。
図５の（Ａ）では、処理槽７ｂ内に温水を充填する。また、図５の（Ｂ）では、基板Ｗを処理槽７ｂ内に移動させる。そして、図５の（Ｃ）では、処理槽７ｂ内の温水を置換しつつ基板Ｗの洗浄を行う。（Ａ）〜（Ｃ）に示す工程の内容は、図４の（Ａ）〜（Ｃ）と同様であるため、詳細な説明は省略する。
図５の（Ｄ）では、排液管７３から処理槽７ｂ内の温水を排液すると共に、シャワーノズル７５から基板Ｗに対して温水を散布し、基板Ｗを洗浄する。散布する温水の温度は、例えば５０〜８０℃程度が用いられる。
その後、図５の（Ｅ）に示すように、シャワーノズル７５からの温水の散布を停止する
と共に、ノズル７２から常温の水を供給し、冷水による洗浄を行う。そして、図５の（Ｆ）に示すように、洗浄を完了し、基板Ｗを処理槽７ｂから排出する。（Ｅ）及び（Ｆ）に示す工程の内容は、図４の（Ｅ）及び（Ｆ）と同様であるため、詳細な説明は省略する。
と共に、ノズル７２から常温の水を供給し、冷水による洗浄を行う。そして、図５の（Ｆ）に示すように、洗浄を完了し、基板Ｗを処理槽７ｂから排出する。（Ｅ）及び（Ｆ）に示す工程の内容は、図４の（Ｅ）及び（Ｆ）と同様であるため、詳細な説明は省略する。
変形例１では、シャワーによる洗浄を採用することで、洗浄効率を向上させることができると共に、洗浄に用いる洗浄液の総量を少なくすることができる。
＜変形例２＞
図６は、変形例２に係る工程の一例を示す模式図である。基板Ｗの投入時の処理槽７ｂには、温水でなく上述した温洗浄液を充填しておくようにしてもよい。図６の（Ａ）では、ノズル７２から温洗浄液を供給し、処理槽７ｂに充填させる。そして、図６の（Ｂ）に示すように温洗浄液が充填された処理槽７ｂに基板Ｗを浸漬させる。本工程では、温洗浄液の供給は停止し、循環させない。
図６は、変形例２に係る工程の一例を示す模式図である。基板Ｗの投入時の処理槽７ｂには、温水でなく上述した温洗浄液を充填しておくようにしてもよい。図６の（Ａ）では、ノズル７２から温洗浄液を供給し、処理槽７ｂに充填させる。そして、図６の（Ｂ）に示すように温洗浄液が充填された処理槽７ｂに基板Ｗを浸漬させる。本工程では、温洗浄液の供給は停止し、循環させない。
その後、図６の（Ｃ）に示すように、ノズル７２から温水を供給し、処理槽７ｂ内の洗浄液を温水に置換すると共に基板Ｗを洗浄する。そして、図６の（Ｄ）に示すように、ノズル７２から冷水を供給して処理槽７ｂ内の洗浄液を冷水に置換し、基板Ｗを洗浄すると共に冷却する。その後、図６の（Ｅ）に示すように、洗浄を完了し、基板Ｗを処理槽７ｂから排出する。（Ｃ）〜（Ｅ）に示す工程の内容は、図４の（Ｃ）、（Ｅ）及び（Ｆ）と同様であるため、詳細な説明は省略する。
また、変形例２に係る（Ａ）及び（Ｂ）の工程は、他の実施例又は変形例における基板Ｗの投入時の工程に適用することができる。このような工程によっても、エッチング液と同じ成分を含む温洗浄液で洗浄することにより、洗浄効果を高めることができると共に、基板Ｗへの異物の付着を抑制することができる。
＜変形例３＞
処理槽７ｂへの基板Ｗの投入時には、高温の気体を吹き付けるようにしてもよい。本変形例に係る処理槽７ｂは、例えばその上部に、基板Ｗに高温の気体を吹き付けるための送風機（図示せず）を有する。気体は、例えば窒素（Ｎ2）である。また、気体の温度は、
例えば５０〜１００℃程度が用いられる。なお、気体の吹き付けは、基板Ｗを乾燥させてしまわない程度に行う。
処理槽７ｂへの基板Ｗの投入時には、高温の気体を吹き付けるようにしてもよい。本変形例に係る処理槽７ｂは、例えばその上部に、基板Ｗに高温の気体を吹き付けるための送風機（図示せず）を有する。気体は、例えば窒素（Ｎ2）である。また、気体の温度は、
例えば５０〜１００℃程度が用いられる。なお、気体の吹き付けは、基板Ｗを乾燥させてしまわない程度に行う。
このようにすれば、基板Ｗを処理槽間で移送する工程おいて、基板Ｗが冷却されることが抑制され、その結果、基板Ｗに付着したエッチング工程の処理液からシリコンが析出することを抑制できる。
＜変形例４＞
処理槽７ｂへの温水又は温洗浄液の充填は、すでに処理槽７ｂに充填されている液体に対し加温することにより実現するようにしてもよい。本変形例に係る処理槽７ｂは、例えばハロゲンヒータのような加熱用の光源などの温度調節装置を有し、加温するようにしてもよい。このようにすれば、温水または温水溶液の置き換えにかかる時刻を削減できる。
処理槽７ｂへの温水又は温洗浄液の充填は、すでに処理槽７ｂに充填されている液体に対し加温することにより実現するようにしてもよい。本変形例に係る処理槽７ｂは、例えばハロゲンヒータのような加熱用の光源などの温度調節装置を有し、加温するようにしてもよい。このようにすれば、温水または温水溶液の置き換えにかかる時刻を削減できる。
＜変形例５＞
図７は、変形例５に係る工程の一例を示す模式図である。変形例５に係る処理槽７ｂは、その上部に、処理槽７ｂ内に幅広く温水を撒くためのシャワーノズル７５を有する。そして、処理槽７ｂ内の処理位置に保持された基板Ｗの上方から、温水を散布することができるようになっている。シャワーノズル７５は、変形例１と同様である。
図７は、変形例５に係る工程の一例を示す模式図である。変形例５に係る処理槽７ｂは、その上部に、処理槽７ｂ内に幅広く温水を撒くためのシャワーノズル７５を有する。そして、処理槽７ｂ内の処理位置に保持された基板Ｗの上方から、温水を散布することができるようになっている。シャワーノズル７５は、変形例１と同様である。
本変形例では、図７の（Ａ）に示すように例えば排液し、処理槽７ｂには処理液が満た
されていない状態で処理を行う。また、図７の（Ｂ）に示すように、処理槽７ｂへの基板Ｗの投入時に、シャワーノズル７５から基板Ｗに対して温水を散布する。このようにすれば、基板Ｗの温度の低下を抑制すると共に、基板Ｗの洗浄効果を向上させることができる。そして、図７の（Ｃ）では、ノズル７２から処理槽７ｂに温水を供給し、充填させる。このとき、シャワーノズル７５からの温水の散布を行ってもよいし、行わなくてもよい。また、図７の（Ｄ）では温水による基板Ｗの洗浄を行い、さらに、例えば図４の（Ｄ）以降又は（Ｅ）以降に示した洗浄処理を行う。
されていない状態で処理を行う。また、図７の（Ｂ）に示すように、処理槽７ｂへの基板Ｗの投入時に、シャワーノズル７５から基板Ｗに対して温水を散布する。このようにすれば、基板Ｗの温度の低下を抑制すると共に、基板Ｗの洗浄効果を向上させることができる。そして、図７の（Ｃ）では、ノズル７２から処理槽７ｂに温水を供給し、充填させる。このとき、シャワーノズル７５からの温水の散布を行ってもよいし、行わなくてもよい。また、図７の（Ｄ）では温水による基板Ｗの洗浄を行い、さらに、例えば図４の（Ｄ）以降又は（Ｅ）以降に示した洗浄処理を行う。
＜変形例６＞
図８は、変形例６に係る工程の一例を示す模式図である。変形例６に係る処理槽７ｂも、その上部に、処理槽７ｂ内に幅広く温水を撒くためのシャワーノズル７５を有する。そして、処理槽７ｂ内の処理位置に保持された基板Ｗの上方から、温水を散布することができるようになっている。シャワーノズル７５は、変形例１と同様である。
図８は、変形例６に係る工程の一例を示す模式図である。変形例６に係る処理槽７ｂも、その上部に、処理槽７ｂ内に幅広く温水を撒くためのシャワーノズル７５を有する。そして、処理槽７ｂ内の処理位置に保持された基板Ｗの上方から、温水を散布することができるようになっている。シャワーノズル７５は、変形例１と同様である。
本変形例では、シャワーノズル７５からの温水の散布によって洗浄を行う。すなわち、図８の（Ａ）に示すように例えば排液し、処理槽７ｂには処理液が満たされていない状態で処理を行う。図８の（Ｂ）では、処理槽７ｂへの基板Ｗの投入時に、シャワーノズル７５から基板Ｗに対して温水を散布する。このようにすれば、基板Ｗの温度の低下を抑制すると共に、基板Ｗの洗浄効果を向上させることができる。また、図８の（Ｃ）では、基板Ｗへの温水の散布によって洗浄を行う。このとき、例えばリフタ１３を副搬送機構４３によって上下に摺動させ、エッチングが施された基板Ｗの内部に温水が十分行き渡るようにしてもよい。その後、図８の（Ｄ）に示すように、洗浄を完了し、基板Ｗを処理槽７ｂから排出する。このとき、例えばシャワーノズル７５からは温水を散布し続ける。
変形例６のように温水のシャワーのみによって洗浄を行えば、洗浄に用いる温水の総量を削減することができる。
＜その他＞
上述の実施例及び変形例に記載した内容は、可能な限り組み合わせて実施することができる。
上述の実施例及び変形例に記載した内容は、可能な限り組み合わせて実施することができる。
１ 基板処理装置
２ バッファ部
３ 基板搬出入口
５、７、９ 処理部
５ａ、５ｂ、７ａ、７ｂ、９ａ、９ｂ 処理槽
１１、１３、１５ リフタ
１７ 主搬送機構
１７ａ アーム
４３ 副搬送機構
５５ 制御部
５７ 記憶部
７１ 供給管
７２ ノズル
７３ 排液管
７４ 温調器
７５ シャワーノズル
Ｗ 基板
２ バッファ部
３ 基板搬出入口
５、７、９ 処理部
５ａ、５ｂ、７ａ、７ｂ、９ａ、９ｂ 処理槽
１１、１３、１５ リフタ
１７ 主搬送機構
１７ａ アーム
４３ 副搬送機構
５５ 制御部
５７ 記憶部
７１ 供給管
７２ ノズル
７３ 排液管
７４ 温調器
７５ シャワーノズル
Ｗ 基板
Claims (6)
- 所定の基板に対してエッチング及び洗浄を行う基板処理方法であって、
常温よりも高温のアルカリ性のエッチング液を用いて、前記基板上に設けられたシリコン膜を溶解させるエッチング工程と、
前記エッチング工程を経た前記基板に対し、常温よりも高温の温水を用いて洗浄する洗浄工程と、
を含む基板処理方法。 - 希釈された前記エッチング液と同一の成分を含む洗浄液を用いて前記基板を洗浄する第２の洗浄工程をさらに備える
請求項１に記載の基板処理方法。 - 前記洗浄液は、過酸化水素水をさらに含む
請求項２に記載の基板処理方法。 - 前記洗浄工程において、又は前記洗浄工程に加えて、前記基板に対し前記温水を散布して前記基板を洗浄する処理を行う
請求項１から３のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記エッチング工程を行う処理槽から前記洗浄工程を行う処理槽へ前記基板を移送する移送工程を含み、
前記移送工程において、前記基板に対し加温する
請求項１から４のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 所定の基板に対してエッチング及び洗浄を行う基板処理装置であって、
常温よりも高温のアルカリ性のエッチング液を用いて、前記基板上に設けられたシリコン膜を溶解させるためのエッチング処理槽と、
前記エッチング処理槽において処理された前記基板に対し、常温よりも高温の温水を用いて洗浄するための洗浄処理槽と、
加温して前記温水を生成するための温調手段と、
を備える基板処理装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016186708A JP6800675B2 (ja) | 2016-09-26 | 2016-09-26 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| KR1020170118711A KR20180034240A (ko) | 2016-09-26 | 2017-09-15 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| CN201710854047.8A CN107871655A (zh) | 2016-09-26 | 2017-09-20 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
| US15/710,160 US20180090341A1 (en) | 2016-09-26 | 2017-09-20 | Substrate treating method and substrate treating device |
| TW106132447A TWI650811B (zh) | 2016-09-26 | 2017-09-21 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016186708A JP6800675B2 (ja) | 2016-09-26 | 2016-09-26 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018056158A true JP2018056158A (ja) | 2018-04-05 |
| JP6800675B2 JP6800675B2 (ja) | 2020-12-16 |
Family
ID=61686625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016186708A Active JP6800675B2 (ja) | 2016-09-26 | 2016-09-26 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20180090341A1 (ja) |
| JP (1) | JP6800675B2 (ja) |
| KR (1) | KR20180034240A (ja) |
| CN (1) | CN107871655A (ja) |
| TW (1) | TWI650811B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021129100A (ja) * | 2020-02-13 | 2021-09-02 | 株式会社サイオクス | 構造体の製造方法および製造装置 |
| WO2022009885A1 (ja) | 2020-07-09 | 2022-01-13 | 東邦化成株式会社 | 基板処理モジュールおよび基板処理装置 |
| WO2023127049A1 (ja) | 2021-12-27 | 2023-07-06 | 東邦化成株式会社 | 基板処理モジュールおよびそれを備える基板処理装置 |
| WO2023127051A1 (ja) | 2021-12-27 | 2023-07-06 | 東邦化成株式会社 | 基板処理モジュールおよびそれを備える基板処理装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7142461B2 (ja) * | 2018-05-14 | 2022-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および基板処理システム |
| JP7176904B2 (ja) * | 2018-09-21 | 2022-11-22 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62144350A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-27 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| US5296093A (en) * | 1991-07-24 | 1994-03-22 | Applied Materials, Inc. | Process for removal of residues remaining after etching polysilicon layer in formation of integrated circuit structure |
| JPH1092777A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体ウェハの製造方法 |
| JPH10275790A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2000286429A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Tokin Corp | 静電容量型圧力センサの製造方法 |
| US6799583B2 (en) * | 1999-05-13 | 2004-10-05 | Suraj Puri | Methods for cleaning microelectronic substrates using ultradilute cleaning liquids |
| US6492275B2 (en) * | 2000-01-21 | 2002-12-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Control of transistor performance through adjustment of spacer oxide profile with a wet etch |
| US20020001125A1 (en) * | 2000-06-12 | 2002-01-03 | Do-Il Chang | Optical device for generating a plurality of optical signals |
| JP4371567B2 (ja) * | 2000-11-22 | 2009-11-25 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2009206300A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Kumi Hara | 基板の洗浄方法 |
| JP5379441B2 (ja) * | 2008-10-09 | 2013-12-25 | 関東化学株式会社 | 基板処理用アルカリ性水溶液組成物 |
| KR101554190B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2015-09-18 | 후지필름 가부시키가이샤 | 반도체 기판 제품의 제조방법 및 이것에 이용되는 에칭방법 |
| KR20140015869A (ko) * | 2012-07-26 | 2014-02-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포토 레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법 |
-
2016
- 2016-09-26 JP JP2016186708A patent/JP6800675B2/ja active Active
-
2017
- 2017-09-15 KR KR1020170118711A patent/KR20180034240A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-09-20 CN CN201710854047.8A patent/CN107871655A/zh active Pending
- 2017-09-20 US US15/710,160 patent/US20180090341A1/en not_active Abandoned
- 2017-09-21 TW TW106132447A patent/TWI650811B/zh active
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021129100A (ja) * | 2020-02-13 | 2021-09-02 | 株式会社サイオクス | 構造体の製造方法および製造装置 |
| JP7018103B2 (ja) | 2020-02-13 | 2022-02-09 | 株式会社サイオクス | 構造体の製造方法および製造装置 |
| WO2022009885A1 (ja) | 2020-07-09 | 2022-01-13 | 東邦化成株式会社 | 基板処理モジュールおよび基板処理装置 |
| WO2022009884A1 (ja) | 2020-07-09 | 2022-01-13 | 東邦化成株式会社 | 基板処理モジュールおよび基板処理装置、並びに基板の製造方法 |
| WO2023127049A1 (ja) | 2021-12-27 | 2023-07-06 | 東邦化成株式会社 | 基板処理モジュールおよびそれを備える基板処理装置 |
| WO2023127051A1 (ja) | 2021-12-27 | 2023-07-06 | 東邦化成株式会社 | 基板処理モジュールおよびそれを備える基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201818461A (zh) | 2018-05-16 |
| US20180090341A1 (en) | 2018-03-29 |
| KR20180034240A (ko) | 2018-04-04 |
| TWI650811B (zh) | 2019-02-11 |
| JP6800675B2 (ja) | 2020-12-16 |
| CN107871655A (zh) | 2018-04-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6800675B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| US9881799B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium | |
| JP7130510B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP6434367B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
| KR102264002B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
| JP7321052B2 (ja) | 基板処理装置および装置洗浄方法 | |
| JP5412218B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3254518B2 (ja) | 洗浄処理方法及び洗浄処理システム | |
| JP3465467B2 (ja) | レジスト剥離装置の制御方法 | |
| JPH11186217A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH11145105A (ja) | 洗浄装置 | |
| JP2007317936A (ja) | 洗浄装置および洗浄方法、ならびにコンピュータ読取可能な記憶媒体 | |
| KR101987810B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| WO2023120229A1 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| TWI835839B (zh) | 基板處理裝置 | |
| TWI781307B (zh) | 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體 | |
| JP2648556B2 (ja) | シリコンウエーハの表面処理方法 | |
| JP2002252197A (ja) | 基板処理方法 | |
| JP2009087958A (ja) | 洗浄・乾燥処理方法及びその装置並びにそのプログラム | |
| JP3450200B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| KR20050082835A (ko) | 기판 세정 장치 및 그 세정 방법 | |
| KR100771097B1 (ko) | 기판 처리 방법 | |
| KR20080053113A (ko) | 저온 및 고온 순수 공급라인이 설치된 화학약품조를포함하는 일괄처리형 세정장비 | |
| JPH10150012A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2005101572A (ja) | 基板洗浄方法及びその装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190624 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200528 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200609 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200811 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201027 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201125 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6800675 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |