JP7018103B2 - 構造体の製造方法および製造装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 88
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 719
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 275
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 118
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 70
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 70
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 46
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 42
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 33
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 25
- -1 peroxodisulfuric acid ions Chemical class 0.000 claims description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 8
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 53
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 40
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 38
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 27
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 27
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 23
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 5
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 230000002779 inactivation Effects 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012935 ammoniumperoxodisulfate Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002567 K2S2O8 Inorganic materials 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hcl hcl Chemical compound Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005385 peroxodisulfate group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 235000019394 potassium persulphate Nutrition 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000252506 Characiformes Species 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019892 Stellar Nutrition 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- CABDFQZZWFMZOD-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrochloride Chemical compound Cl.OO CABDFQZZWFMZOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3063—Electrolytic etching
- H01L21/30635—Electrolytic etching of AIIIBV compounds
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Description
III族窒化物で構成された被エッチング領域を有する処理対象物を容器に収容する工程と、
前記容器にペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液を注入し、前記処理対象物を前記エッチング液中に浸漬する工程と、
前記エッチング液の所定温度への加熱により硫酸イオンラジカルを生成させ、前記被エッチング領域への光照射によりホールを生成させることで、前記被エッチング領域を光電気化学エッチングする工程と、
前記光電気化学エッチングの後、前記エッチング液を前記容器から排出する工程と、
前記光電気化学エッチングの後、前記容器に前記エッチング液とは異なる後処理液を注入し、前記処理対象物に対して後処理を行う工程と、
を有する、構造体の製造方法
が提供される。
III族窒化物で構成された被エッチング領域を有する処理対象物を収容する容器と、
前記容器にペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液を注入し、前記処理対象物を前記エッチング液中に浸漬させる、エッチング液注入装置と、
前記エッチング液を加熱するヒータと、
前記被エッチング領域に光を照射する光照射装置と、
を有し、
前記エッチング液の所定温度への加熱により硫酸イオンラジカルを生成させ、前記被エッチング領域への光照射によりホールを生成させることで、前記被エッチング領域を光電気化学エッチングし、前記光電気化学エッチングの後、前記エッチング液を前記容器から排出させる、構造体の製造装置であって、
前記光電気化学エッチングの後、前記容器に前記エッチング液とは異なる後処理液を注入し、前記処理対象物に対して後処理を行う、後処理液注入装置、
をさらに有する、構造体の製造装置
が提供される。
本発明の一実施形態による、構造体の製造技術について説明する。本実施形態では、III族窒化物の光電気化学(PEC)エッチングにおいて、エッチング液の加熱を用いる技術(加熱PECエッチング)を提案する。
次に、上述の実施形態の変形例による処理装置200について説明する。図6(a)および図6(b)は、それぞれ、第1変形例および第2変形例の撹拌装置260を示す概略断面図である。
次に、加熱PECエッチングに係る実験例について説明する。本実験例では、ホットプレート(ヒータ)上に、ビーカを配置し、ビーカ内にエッチング液と処理対象物とを収容し、ホットプレートでエッチング液を加熱しつつ、処理対象物に光を照射することで、PECエッチングを行った。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
III族窒化物で構成された被エッチング領域を有する処理対象物を、ペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液中に浸漬された状態で容器に収容する工程と、
前記エッチング液の所定温度への加熱により硫酸イオンラジカルを生成させ、前記被エッチング領域への光照射によりホールを生成させることで、前記被エッチング領域をエッチングする工程と、
を有する、構造体の製造方法。
前記所定温度を、45℃以上(好ましくは50℃以上、より好ましくは60℃以上、さらに好ましくは70℃以上)とする、付記1に記載の構造体の製造方法。
前記エッチング液を、前記所定温度よりも低い温度に加熱した後、前記所定温度に加熱する、付記1または2に記載の構造体の製造方法。
前記所定温度を、100℃未満(好ましくは95℃以下)とする、付記1~3のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記エッチング液は、(少なくとも)ペルオキソ二硫酸イオンの塩を、前記エッチング液が調製される時点でのペルオキソ二硫酸イオンの濃度である調製時濃度が所定濃度となるように、水に溶解させることで調製されたものである、付記1~4のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記調製時濃度を、当該調製時濃度を有し50℃以上に加熱された前記エッチング液を用いて行うエッチングにおける、前記被エッチング領域がエッチングされるエッチングレートが、当該調製時濃度を有し30℃の前記エッチング液を用いて行うエッチングにおけるエッチングレートよりも、高くなるような(高い)濃度とする、付記5に記載の構造体の製造方法。
前記調製時濃度を、当該調製時濃度を有し50℃以上に加熱された前記エッチング液を用いて行うエッチングにおける、前記被エッチング領域がエッチングされるエッチングレートが、6nm/分以上(好ましくは10nm/分以上、より好ましくは15nm/分以上、さらに好ましくは20nm/分以上)となるような(高い)濃度とする、付記5または6に記載の構造体の製造方法。
前記調製時濃度を、0.075mol/L以上(好ましくは0.1mol/L以上、より好ましくは0.15mol/L以上、さらに好ましくは0.2mol/L以上、さらに好ましくは0.25mol/L以上)とする、付記5~7のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記調製時濃度を、当該調製時濃度を有し80℃に加熱された前記エッチング液を用いて行うエッチングにおける、前記被エッチング領域がエッチングされるエッチングレートが、当該調製時濃度を有し70℃の前記エッチング液を用いて行うエッチングにおけるエッチングレートに対し、1.2倍以下となるような(高い)濃度とする、付記5~8のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記所定温度に加熱された前記エッチング液において、前記塩が析出していない(溶け残っていない)、付記5~9のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記所定温度に加熱された前記エッチング液において、前記塩が析出している(溶け残っている)、付記5~9のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記塩として、アルカリ金属元素を含まない塩が用いられる、付記5~11のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記塩として、ペルオキソ二硫酸アンモニウムが用いられる、付記5~12のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記被エッチング領域がエッチングされるエッチングレートが、6nm/分以上(好ましくは10nm/分以上、より好ましくは15nm/分以上、さらに好ましくは20nm/分以上、さらに好ましくは25nm/分以上)である、付記1~13のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記被エッチング領域がエッチングされるエッチングレートのうち、前記光に含まれる波長(200nm以上)310nm未満の波長成分の照射による硫酸イオンラジカルの生成に起因するエッチングレートよりも、前記エッチング液の加熱による硫酸イオンラジカルの生成に起因するエッチングレートが大きくなるように、前記エッチングを行う、付記1~14のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記所定温度を、45℃以上とし、
硫酸イオンラジカルを、1.6×10-4(mol/L)/分以上のレートで生成させる、付記1~15のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記エッチング液に照射される前記光の、波長(200nm以上)310nm未満の範囲に含まれる所定波長における照射強度が、3mW/cm2以下である、付記1~16のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記被エッチング領域のエッチングを開始する時点において、前記エッチング液を酸性とする、付記1~17のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記被エッチング領域のエッチングを開始する時点において、前記エッチング液をアルカリ性とする、付記1~17のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。好ましくは、前記被エッチング領域をエッチングする期間中、前記エッチング液がアルカリ性である(より好ましくはpHが9以上である)状態を保つ。
前記エッチング液を、(少なくとも、)ペルオキソ二硫酸イオンの塩の水溶液と、アルカリ性水溶液と、が混合された混合溶液とする、付記19に記載の構造体の製造方法。
前記被エッチング領域をエッチングする期間中における、前記エッチング液のpHの低下幅(最大のpHと最小のpHとの差)は、5以下(好ましくは4以下、より好ましくは3以下)である、付記19または20に記載の構造体の製造方法。pHの低下を抑制するために、前記被エッチング領域をエッチングする期間中に、前記エッチング液に、アルカリ性水溶液を追加してもよい。pHを高くするために、前記被エッチング領域のエッチングを開始する時点における、前記エッチング液のpHを、好ましくは11以上(より好ましくは12以上、さらに好ましくは13以上)としてもよい。
前記光による影が前記処理対象物の表面に映らない位置に配置される温度計により、前記エッチング液の温度を測定する、付記1~21のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記エッチング液を撹拌しながら、前記エッチング液を加熱する、付記1~22のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記処理対象物を、前記処理対象物を収容する容器に固定した状態で、前記エッチングを行う、付記1~23のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記被エッチング領域をエッチングする工程の後、
前記所定温度よりも低い温度の後処理液により、前記処理対象物に後処理を施す(とともに前記処理対象物を冷却する)工程、
を有する、付記1~24のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記処理対象物は、
前記被エッチング領域を有するエッチング対象物と、
前記エッチング対象物の、前記被エッチング領域と電気的に接続された導電性領域の表面の少なくとも一部と接触するように設けられた導電性部材と、
を有し、
前記導電性部材が、前記エッチング液と接触した状態で、前記エッチングを行う、付記1~25のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記処理対象物の、前記光が照射される表面と反対側の面が、前記被エッチング領域と電気的に接続された導電性の面であり、
前記被エッチング領域、および、前記反対側の面が、前記エッチング液と接触した状態で、前記エッチングを行う、付記1~26のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記処理対象物は、
第1層と、
前記第1層上に配置され、前記被エッチング領域を構成する第2層と、
前記第2層上に配置された第3層と、
を有し、
前記第2層を前記エッチングにより除去することで、前記第1層と前記第3層とを分離する、付記1~27のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記第3層は、前記第2層を構成する前記III族窒化物よりも広いバンドギャップを有することにより前記光を透過させるIII族窒化物で構成されており、
前記光を、前記第3層を透過させて前記第2層に照射し、
前記第2層の端面が、前記エッチング液と接触した状態で、前記第3層に対して前記第2層を選択的にエッチングする、付記28に記載の構造体の製造方法。
III族窒化物で構成された被エッチング領域を有する処理対象物を、ペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液中に浸漬された状態で収容する容器と、
前記エッチング液を加熱する(少なくとも1つの)ヒータと、
前記被エッチング領域に光を照射する光照射装置と、
前記エッチング液の所定温度への加熱により硫酸イオンラジカルを生成させ、前記被エッチング領域への光照射によりホールを生成させることで、前記被エッチング領域がエッチングされるように、前記ヒータおよび前記光照射装置を制御する制御装置と、
を有する、構造体の製造装置。
前記ヒータは、前記容器に注入される(収容される)前の前記エッチング液を加熱する第1ヒータを有する、付記30に記載の構造体の製造装置。
前記エッチング液を前記容器に注入するエッチング液注入装置を有し、
前記第1ヒータは、前記エッチング液注入装置に設けられている、付記31に記載の構造体の製造装置。
前記ヒータは、前記容器に注入された(収容された)後の前記エッチング液を加熱する第2ヒータを有する、付記30~32のいずれか1つに記載の構造体の製造装置。
前記第2ヒータは、前記容器に設けられている、付記33に記載の構造体の製造装置。
前記第2ヒータは、前記エッチング液に赤外光を照射するランプである、付記33または34に記載の構造体の製造装置。
前記エッチング液の温度を測定する温度計を有し、
前記温度計は、前記温度計の前記光による影が、被エッチング領域に映らない位置に配置される、付記30~35のいずれか1つに記載の構造体の製造装置。前記ヒータは、好ましくは、前記温度計により測定された前記エッチング液の温度に基づいて制御される。
前記エッチング液を撹拌する撹拌装置を有する、付記30~36のいずれか1つに記載の構造体の製造装置。
前記撹拌装置(回転装置)は、前記容器を動かすことにより、前記エッチング液を撹拌する、付記37に記載の構造体の製造装置。
前記容器内の側面または底面に、前記エッチング液を撹拌する凸部(フィン)が設けられている、付記38に記載の構造体の製造装置。
前記撹拌装置(スターラ)は、前記エッチング液中で撹拌部材を動かすことにより、前記エッチング液を撹拌する、付記37~39のいずれか1つに記載の構造体の製造装置。
前記処理対象物を前記容器に固定する固定装置を有する、付記30~40のいずれか1つに記載の構造体の製造装置。
前記固定装置は、前記処理対象物の、前記光が照射される表面と反対側の面が、前記容器内の底面から離れて配置されるように、前記処理対象物を固定する、付記41に記載の構造体の製造装置。
前記容器は、回転可能に保持され、前記容器を回転させて前記エッチング液を外周側に飛散させることで、前記エッチング液を前記容器から排出可能に構成されている、付記30~42のいずれか1つに記載の構造体の製造装置。
前記所定温度よりも低い温度の後処理液を前記容器に注入する後処理液注入装置を有する、付記30~43のいずれか1つに記載の構造体の製造装置。
前記光照射装置は、前記光を放出する光源として、バンドギャップに対応する波長が310nm以上である半導体材料で構成された半導体発光素子を有する、付記30~44のいずれか1つに記載の構造体の製造装置。当該光照射装置は、少なくとも波長310nm未満の短波長成分が減衰された光、を出射するように構成された光照射装置の一例である。
前記光照射装置は、波長310nm未満の範囲の波長成分を減衰させるフィルタを備える、付記30~45のいずれか1つに記載の構造体の製造装置。当該光照射装置は、少なくとも波長310nm未満の短波長成分が減衰された光、を出射するように構成された光照射装置の他の例である。
処理対象物およびエッチング液を収容する容器と、
前記エッチング液を加熱するヒータと、
前記処理対象物に光を照射する光照射装置と、
前記光による影が前記処理対象物の表面に映らない位置に配置され、前記エッチング液の温度を測定する温度計と、
前記ヒータおよび前記光照射装置を制御する制御装置と、
を有し、前記処理対象物に光電気化学エッチングを行うよう構成された、構造体の製造装置。
処理対象物およびエッチング液を収容する容器と、
前記エッチング液を加熱するヒータと、
前記処理対象物に光を照射する光照射装置と、
前記処理対象物を前記容器に固定する固定装置と、
前記ヒータおよび前記光照射装置を制御する制御装置と、
を有し、前記処理対象物に(エッチング時に気泡の発生を伴う)光電気化学エッチングを行うよう構成された、構造体の製造装置。
Claims (10)
- III族窒化物で構成された被エッチング領域を有する処理対象物を容器に収容する工程と、
前記容器にペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液を注入し、前記処理対象物を前記エッチング液中に浸漬する工程と、
前記エッチング液の所定温度への加熱により硫酸イオンラジカルを生成させ、前記被エッチング領域への光照射によりホールを生成させることで、前記被エッチング領域を光電気化学エッチングする工程と、
前記光電気化学エッチングの後、前記エッチング液を前記容器から排出する工程と、
前記光電気化学エッチングの後、前記容器に前記エッチング液とは異なる後処理液を注入し、前記処理対象物に対して後処理を行う工程と、
を有し、
前記エッチング液を前記容器から排出する工程では、前記容器を回転させて、前記エッチング液を、前記容器の外周側に排出させる、構造体の製造方法。 - III族窒化物で構成された被エッチング領域を有する処理対象物を容器に収容する工程と、
前記容器にペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液を注入し、前記処理対象物を前記エッチング液中に浸漬する工程と、
前記エッチング液の所定温度への加熱により硫酸イオンラジカルを生成させ、前記被エッチング領域への光照射によりホールを生成させることで、前記被エッチング領域を光電気化学エッチングする工程と、
前記光電気化学エッチングの後、前記エッチング液を前記容器から排出する工程と、
前記光電気化学エッチングの後、前記容器に前記エッチング液とは異なる後処理液を注入し、前記処理対象物に対して後処理を行う工程と、
を有し、
前記後処理を行う工程では、前記容器を回転させつつ、前記処理対象物に前記後処理液を供給し、前記後処理液を、前記処理対象物の上面上で移動させ、前記容器の外周側に排出させる、構造体の製造方法。 - 前記後処理を行う工程では、前記光電気化学エッチングにおける前記所定温度よりも低い温度の前記後処理液を前記容器に注入し、前記後処理は、前記処理対象物を冷却する工程を兼ねる、請求項1または2に記載の構造体の製造方法。
- 前記後処理を行う工程では、20℃未満に冷却した前記後処理液により前記後処理を行う、請求項3に記載の構造体の製造方法。
- III族窒化物で構成された被エッチング領域を有する処理対象物を収容する容器と、
前記容器にペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液を注入し、前記処理対象物を前記エッチング液中に浸漬させる、エッチング液注入装置と、
前記エッチング液を加熱するヒータと、
前記被エッチング領域に光を照射する光照射装置と、
を有し、
前記エッチング液の所定温度への加熱により硫酸イオンラジカルを生成させ、前記被エッチング領域への光照射によりホールを生成させることで、前記被エッチング領域を光電気化学エッチングし、前記光電気化学エッチングの後、前記エッチング液を前記容器から排出させる、構造体の製造装置であって、
前記光電気化学エッチングの後、前記容器に前記エッチング液とは異なる後処理液を注入し、前記処理対象物に対して後処理を行う、後処理液注入装置、
をさらに有し、
前記容器は、
回転可能に保持され、
前記容器を回転させて、前記エッチング液を、前記容器の外周側に排出させること、が可能に構成されている、構造体の製造装置。 - III族窒化物で構成された被エッチング領域を有する処理対象物を収容する容器と、
前記容器にペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液を注入し、前記処理対象物を前記エッチング液中に浸漬させる、エッチング液注入装置と、
前記エッチング液を加熱するヒータと、
前記被エッチング領域に光を照射する光照射装置と、
を有し、
前記エッチング液の所定温度への加熱により硫酸イオンラジカルを生成させ、前記被エッチング領域への光照射によりホールを生成させることで、前記被エッチング領域を光電気化学エッチングし、前記光電気化学エッチングの後、前記エッチング液を前記容器から排出させる、構造体の製造装置であって、
前記光電気化学エッチングの後、前記容器に前記エッチング液とは異なる後処理液を注入し、前記処理対象物に対して後処理を行う、後処理液注入装置、
をさらに有し、
前記容器は、
回転可能に保持され、
前記容器を回転させつつ、前記処理対象物に前記後処理液を供給し、前記後処理液を、前記処理対象物の上面上で移動させ、前記容器の外周側に排出させること、が可能に構成されている、構造体の製造装置。 - 前記後処理液注入装置は、前記光電気化学エッチングにおける前記所定温度よりも低い温度の前記後処理液を前記容器に注入し、前記後処理は、前記処理対象物を冷却する処理を兼ねる、請求項5または6に記載の構造体の製造装置。
- 前記後処理液注入装置は、20℃未満に冷却した前記後処理液を前記容器に注入する、請求項7に記載の構造体の製造装置。
- III族窒化物で構成された被エッチング領域を有する処理対象物を容器に収容する工程と、
前記容器にペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液を注入し、前記処理対象物を前記エッチング液中に浸漬する工程と、
前記エッチング液の所定温度への加熱により硫酸イオンラジカルを生成させ、前記被エッチング領域への光照射によりホールを生成させることで、前記被エッチング領域を光電気化学エッチングする工程と、
前記光電気化学エッチングの後、前記エッチング液を前記容器から排出する工程と、
前記光電気化学エッチングの後、前記容器に前記エッチング液とは異なる後処理液を注入し、前記処理対象物に対して後処理を行う工程と、
を有し、
前記処理対象物は、前記被エッチング領域を有する層上にさらに、前記被エッチング領域を構成する前記III族窒化物よりも広いバンドギャップを有するIII族窒化物で構成された上層部を有し、
前記光電気化学エッチングする工程では、前記上層部を透過し前記被エッチング領域で吸収される波長の光を、前記上層部を透過させて前記被エッチング領域に照射することで、前記光電気化学エッチングにより前記被エッチング領域を前記上層部に対して選択的に除去し、前記上層部を前記処理対象物から分離させる、構造体の製造方法。 - III族窒化物で構成された被エッチング領域を有する処理対象物を容器に収容する工程と、
前記容器にペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液を注入し、前記処理対象物を前記エッチング液中に浸漬する工程と、
前記エッチング液の所定温度への加熱により硫酸イオンラジカルを生成させ、前記被エッチング領域への光照射によりホールを生成させることで、前記被エッチング領域を光電気化学エッチングする工程と、
を有し、
前記処理対象物は、前記被エッチング領域を有する層上にさらに、前記被エッチング領域を構成する前記III族窒化物よりも広いバンドギャップを有するIII族窒化物で構成された上層部を有し、
前記光電気化学エッチングする工程では、前記上層部を透過し前記被エッチング領域で吸収される波長の光を、前記上層部を透過させて前記被エッチング領域に照射することで、前記光電気化学エッチングにより前記被エッチング領域を前記上層部に対して選択的に除去し、前記上層部を前記処理対象物から分離させる、構造体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020150666A JP7018103B2 (ja) | 2020-02-13 | 2020-09-08 | 構造体の製造方法および製造装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020022443 | 2020-02-13 | ||
JP2020150666A JP7018103B2 (ja) | 2020-02-13 | 2020-09-08 | 構造体の製造方法および製造装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020041622A Division JP6893268B1 (ja) | 2020-02-13 | 2020-03-11 | 構造体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021129100A JP2021129100A (ja) | 2021-09-02 |
JP7018103B2 true JP7018103B2 (ja) | 2022-02-09 |
Family
ID=76464565
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020041622A Active JP6893268B1 (ja) | 2020-02-13 | 2020-03-11 | 構造体の製造方法 |
JP2020150666A Active JP7018103B2 (ja) | 2020-02-13 | 2020-09-08 | 構造体の製造方法および製造装置 |
JP2021523824A Active JP6942291B1 (ja) | 2020-02-13 | 2021-02-12 | 構造体の製造方法、および、構造体の製造装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020041622A Active JP6893268B1 (ja) | 2020-02-13 | 2020-03-11 | 構造体の製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021523824A Active JP6942291B1 (ja) | 2020-02-13 | 2021-02-12 | 構造体の製造方法、および、構造体の製造装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230343597A1 (ja) |
JP (3) | JP6893268B1 (ja) |
CN (1) | CN115066741A (ja) |
TW (1) | TW202137287A (ja) |
WO (1) | WO2021162083A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11393693B2 (en) * | 2019-04-26 | 2022-07-19 | Sciocs Company Limited | Structure manufacturing method and intermediate structure |
JP2022146507A (ja) * | 2021-03-22 | 2022-10-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN117747421B (zh) * | 2024-02-19 | 2024-06-18 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) | 欧姆接触结构及其制备方法、GaN HEMT器件 |
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JP2006032673A (ja) | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2018056158A (ja) | 2016-09-26 | 2018-04-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP6625260B1 (ja) | 2018-10-18 | 2019-12-25 | 株式会社サイオクス | 構造体の製造方法および構造体の製造装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0562966A (ja) * | 1991-09-04 | 1993-03-12 | Fujitsu Ltd | 透明導電膜のエツチング方法 |
JPH06252449A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Japan Energy Corp | レンズ加工方法 |
JP3933592B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体素子 |
JP4622720B2 (ja) * | 2004-07-21 | 2011-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体ウエハ又は窒化物半導体素子の製造方法 |
US7186580B2 (en) * | 2005-01-11 | 2007-03-06 | Semileds Corporation | Light emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening |
JP5024048B2 (ja) * | 2005-11-18 | 2012-09-12 | 三菱瓦斯化学株式会社 | ウエットエッチング方法及びウエットエッチング装置 |
JP4799332B2 (ja) * | 2006-09-12 | 2011-10-26 | 株式会社東芝 | エッチング液、エッチング方法および電子部品の製造方法 |
JP2012169562A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Kurita Water Ind Ltd | 窒化物半導体材料の表面処理方法および表面処理システム |
JP2015532009A (ja) * | 2012-08-30 | 2015-11-05 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 発光ダイオードのための{20−2−1}半極性窒化ガリウムのpecエッチング |
JP2014154754A (ja) * | 2013-02-12 | 2014-08-25 | Kurita Water Ind Ltd | シリコン材料のウェットエッチング方法及び装置 |
-
2020
- 2020-03-11 JP JP2020041622A patent/JP6893268B1/ja active Active
- 2020-09-08 JP JP2020150666A patent/JP7018103B2/ja active Active
-
2021
- 2021-02-09 TW TW110105134A patent/TW202137287A/zh unknown
- 2021-02-12 CN CN202180013632.XA patent/CN115066741A/zh active Pending
- 2021-02-12 JP JP2021523824A patent/JP6942291B1/ja active Active
- 2021-02-12 WO PCT/JP2021/005225 patent/WO2021162083A1/ja active Application Filing
- 2021-02-12 US US17/799,406 patent/US20230343597A1/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006032673A (ja) | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2018056158A (ja) | 2016-09-26 | 2018-04-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP6625260B1 (ja) | 2018-10-18 | 2019-12-25 | 株式会社サイオクス | 構造体の製造方法および構造体の製造装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021129096A (ja) | 2021-09-02 |
US20230343597A1 (en) | 2023-10-26 |
CN115066741A (zh) | 2022-09-16 |
TW202137287A (zh) | 2021-10-01 |
WO2021162083A1 (ja) | 2021-08-19 |
JP6942291B1 (ja) | 2021-09-29 |
JP6893268B1 (ja) | 2021-06-23 |
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