JP3933592B2

JP3933592B2 - 窒化物系半導体素子

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Publication number: JP3933592B2
Application number: JP2003074966A
Authority: JP
Inventors: 忠夫戸田; 雅幸畑; 勤山口; 康彦野村
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 2002-03-26
Filing date: 2003-03-19
Publication date: 2007-06-20
Anticipated expiration: 2023-03-19
Also published as: JP2004006718A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、窒化物系半導体素子に関し、特に、電極を有する窒化物系半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、窒化物系半導体レーザ素子は、次世代の大容量光ディスク用光源としての利用が期待され、その開発が盛んに行われている。
【０００３】
通常、窒化物系半導体レーザ素子を形成する場合、絶縁性のサファイア基板が用いられる。しかし、サファイア基板上に、窒化物系半導体層を形成する場合、サファイア基板と窒化物系半導体層との格子定数の差が大きいので、窒化物系半導体層内に格子定数の差に起因した多数の結晶欠陥（転位）が発生するという不都合があった。その結果、窒化物系半導体レーザ素子の特性が低下するという問題点があった。
【０００４】
そこで、従来、窒化物系半導体層との格子定数の差が小さいＧａＮ基板などの窒化物系半導体基板を用いた窒化物系半導体レーザ素子が提案されている。
【０００５】
図７は、ｎ型ＧａＮ基板を用いて形成された従来の窒化物系半導体レーザ素子を示した断面図である。図７を参照して、従来の窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスでは、ｎ型ＧａＮ基板１０１上に成長される窒化物系半導体層（１０２〜１１０）の結晶性を向上させるため、窒化物系半導体層（１０２〜１１０）は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１のＧａ面（（ＨＫＬＭ）面：Ｍは正の整数）上に成長される。また、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１０１の窒素面（（ＨＫＬ−Ｍ）面：Ｍは正の整数）は、裏面として用いられるとともに、このｎ型ＧａＮ基板１０１の裏面上にｎ側電極１１２が形成される。以下、従来の窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスを詳細に説明する。
【０００６】
図７に示すように、約３００μｍ〜約５００μｍの厚みを有するｎ型ＧａＮ基板１０１の上面（Ｇａ面）上に、ＭＯＣＶＤ法（ＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；有機金属化学気相成長法）などを用いて、約３μｍの厚みを有するｎ型ＧａＮからなるｎ型層１０２と、約１００ｎｍの厚みを有するｎ型Ｉｎ_0.05Ｇａ_0.95Ｎからなるｎ型バッファ層１０３と、約４００ｎｍの厚みを有するｎ型Ａｌ_0.05Ｇａ_0.95Ｎからなるｎ型クラッド層１０４と、約７０ｎｍの厚みを有するｎ型ＧａＮからなるｎ型光ガイド層１０５と、ＭＱＷ（ＭｕｌｔｉｐｌｅＱｕａｎｔｕｍＷｅｌｌ；多重量子井戸）構造を有するＭＱＷ活性層１０６と、約２００ｎｍの厚みを有するｐ型Ａｌ_0.2Ｇａ_0.8Ｎからなるｐ型層１０７と、約７０ｎｍの厚みを有するｐ型ＧａＮからなるｐ型光ガイド層１０８と、約４００ｎｍの厚みを有するｐ型Ａｌ_0.05Ｇａ_0.95Ｎからなるｐ型クラッド層１０９と、約１００ｎｍの厚みを有するｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層１１０とを順次形成する。
【０００７】
次に、ｐ型コンタクト層１１０の上面上の所定領域に、ｐ側電極１１１を形成する。そして、ｎ型ＧａＮ基板１０１の裏面をｎ型ＧａＮ基板１０１が所定の厚み（１００μｍ程度）になるまで研磨した後、ｎ型ＧａＮ基板１０１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極１１２を形成する。最後に、ｎ型ＧａＮ基板１０１および各層１０２〜１１０を劈開することにより、素子分離および共振器端面の形成を行う。これにより、図７に示した従来の窒化物系半導体レーザ素子が完成される。
【０００８】
図７に示した従来の窒化物系半導体レーザ素子では、ｎ型ＧａＮ基板１０１の硬度が非常に大きいので、劈開により素子分離および共振器端面の形成を良好に行うのが困難であるという不都合がある。このような不都合に対処するため、劈開工程の前にｎ型ＧａＮ基板の裏面を機械研磨して、ｎ型ＧａＮ基板の裏面の凹凸の大きさを小さくすることによって、素子分離および共振器端面の形成を良好に行う方法が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００２−２６４３８号公報
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献１に開示された従来の方法では、ｎ型ＧａＮ基板の裏面を機械研磨する際に、ｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍に応力が加わる。このため、ｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍にクラックなどの微細な結晶欠陥が発生するという不都合がある。その結果、ｎ型ＧａＮ基板と、ｎ型ＧａＮ基板の裏面（窒素面）上に形成されたｎ側電極とのコンタクト抵抗が増加するという問題点があった。
【００１０】
また、ｎ型ＧａＮ基板の窒素面は、酸化されやすいので、これによっても、ｎ型ＧａＮ基板の裏面（窒素面）上に形成されたｎ側電極とのコンタクト抵抗が増加するという問題点があった。
【００１３】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、
この発明の目的は、窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体素子を提供することである。
【００２４】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記目的を達成するために、この発明の窒化物系半導体素子は、ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層と、第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０ ⁹ ｃｍ ^-2 以下であり、ｎ側電極と第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ²以下のコンタクト抵抗を有する。
【００２５】
この発明の窒化物系半導体素子では、ｎ側電極と第１半導体層とのコンタクト抵抗を、０．０５Ωｃｍ²以下にすることによって、ｎ側電極と第１半導体層とのコンタクト抵抗が低減された良好な素子特性を有する窒化物系半導体素子を得ることができる。
【００２６】
上記の窒化物系半導体素子において、好ましくは、第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における電子キャリア濃度は、１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上である。このように構成すれば、容易に、ｎ側電極と第１半導体層とのコンタクト抵抗が低減された窒化物系半導体素子を得ることができる。
【００２８】
上記の窒化物系半導体素子において、好ましくは、第１半導体層の裏面は、第１半導体層の窒素面を含む。
【００３５】
上記の窒化物系半導体素子において、第１半導体層は、ＧａＮ、ＢＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮおよびＴｌＮからなるグループより選択される少なくとも１つの材料からなるｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板を含んでいてもよい。また、ｎ側電極は、Ａｌ膜を含んでいてもよい。
【００３６】
上記の局面による窒化物系半導体素子において、好ましくは、窒化物系半導体素子は、窒化物系半導体発光素子である。このように構成すれば、窒化物系半導体発光素子において、第１半導体層とｎ側電極とのコンタクト抵抗を低減することができるので、良好な発光特性を有する窒化物系半導体発光素子を得ることができる。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて説明する。
【００３８】
図１〜図５は、本発明の一実施形態による窒化物系半導体レ−ザ素子の製造プロセスを説明するための断面図および斜視図である。
【００３９】
図１〜図５を参照して、本発明の一実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスについて説明する。まず、本実施形態では、たとえば、特開２０００−４４４００号公報に開示された方法によりウルツ鉱構造を有する酸素ドープのｎ型ＧａＮ基板１を形成する。具体的には、ＨＶＰＥ法を用いてＧａＡｓ基板（図示せず）上に、酸素ドープのｎ型ＧａＮ層を約１２０μｍ〜約４００μｍの厚みで形成する。その後、ＧａＡｓ基板を除去することによって、図１に示されるようなｎ型ＧａＮ基板１を得る。このｎ型ＧａＮ基板１のホール効果測定による基板キャリア濃度は、５×１０¹⁸ｃｍ^-3である。また、ｎ型ＧａＮ基板１のＳＩＭＳ（ＳｅｃｏｎｄａｒｙＩｏｎＭａｓｓＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析による不純物濃度は、１×１０¹⁹ｃｍ^-3である。なお、ｎ型ＧａＮ基板１は、本発明の「第１半導体層」の一例である。
【００４０】
そして、ｎ型ＧａＮ基板１の（０００１）面である上面（Ｇａ面）上に、常圧ＭＯＣＶＤ法を用いて、約１気圧（約１００ｋＰａ）の圧力下で、約５μｍの厚みを有するｎ型ＧａＮからなるｎ型バッファ層２と、約１μｍの厚みを有するｎ型Ａｌ_0.08Ｇａ_0.92Ｎからなるｎ型クラッド層３と、ＩｎＧａＮからなるＭＱＷ活性層４と、約０．２８μｍの厚みを有するｐ型Ａｌ_0.08Ｇａ_0.92Ｎからなるｐ型クラッド層５と、約７０ｎｍの厚みを有するｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層６とを順次形成する。
【００４１】
なお、ＭＱＷ活性層４は、約２０ｎｍの厚みのＧａＮからなる４層のバリア層と、約３．５ｎｍの厚みのＩｎ_0.15Ｇａ_0.85Ｎからなる３層の井戸層とを交互に積層することにより形成する。また、原料ガスとしては、Ｇａ（ＣＨ₃）₃と、Ｉｎ（ＣＨ₃）₃と、Ａｌ（ＣＨ₃）₃と、ＮＨ₃とを用い、キャリアガスとしては、Ｈ₂とＮ₂とを用いる。本実施形態では、これらの原料ガスの供給量を変化させることにより、各層２〜６の組成を調整している。また、ｎ型バッファ層２およびｎ型クラッド層３のｎ型ドーパントとしては、ＳｉＨ₄ガス（Ｓｉ）を用いる。ｐ型クラッド層５およびｐ型コンタクト層６のｐ型ドーパントとしては、Ｃｐ₂Ｍｇガス（Ｍｇ）を用いる。
【００４２】
次に、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、ｐ型コンタクト層６およびｐ型クラッド層５の一部の領域をエッチングする。これにより、図２に示すように、ｐ型クラッド層５の凸部とｐ型コンタクト層６とからなる約２μｍの幅を有する凸部（リッジ部）を形成する。次に、ｐ型コンタクト層６の上面上に、下から上に向かって、約１ｎｍの厚みを有するＰｔ膜と、約１０ｎｍの厚みを有するＰｄ膜と、約３００ｎｍの厚みを有するＮｉ膜とからなるｐ側電極７を形成する。これにより、図２に示したような複数の素子が形成される領域を含む窒化物系半導体レーザ素子構造２０が形成される。
【００４３】
この後、図３および図４に示すように、ｎ型ＧａＮ基板１の（０００−１）面である裏面（窒素面）を機械研磨する。この研磨工程に用いる機械研磨装置３０は、図３に示すように、平坦な表面を有するガラス基板１１と、上下に移動可能で、かつ、Ｒ方向に回転可能に支持されたホルダ１２と、バフ１３とから構成されている。バフ１３上には、約０．２μｍ〜約１μｍの粒子粗さのダイヤモンド、酸化ケイ素またはアルミナなどからなる研磨剤（図示せず）が配置されている。この研磨剤の粒子粗さは、約０．２μｍ〜約０．５μｍの範囲であれば、特に良好に裏面研磨を行うことができる。また、ホルダ１２の下面には、図３および図４に示すように、窒化物系半導体レーザ素子構造２０が、ワックス１４により、ホルダ１２と直接接触することのないように間隔を隔てて取り付けられている。これにより、機械研磨に際して、窒化物系半導体レーザ素子構造２０が破損するのを防止する。なお、ガラス基板１１などに代えて、金属などからなる平坦な研磨盤を用いてもよい。
【００４４】
図３に示した機械研磨装置３０を用いて、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をｎ型ＧａＮ基板１の厚みが約１２０μｍ〜約１８０μｍになるまで研磨する。具体的には、ホルダ１２の下面に取り付けられた窒化物系半導体レーザ素子構造２０のｎ型ＧａＮ基板１の裏面（図４参照）を、研磨剤が配置されているバフ１３の上面に、一定の負荷で押圧する。そして、バフ１３（図３参照）に水またはオイルを流しながら、ホルダ１２をＲ方向に回転する。このようにして、ｎ型ＧａＮ基板１の厚みが約１２０μｍ〜約１８０μｍになるまで機械研磨を行う。なお、ｎ型ＧａＮ基板１の厚みを、約１２０μｍ〜約１８０μｍの範囲に加工するのは、この範囲の厚みであれば、後述する劈開工程を良好に行うことができるためである。
【００４５】
この後、本実施形態では、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法により、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）を、約２０分間エッチングする。このエッチングは、ガス流量、Ｃｌ₂ガス：１０ｓｃｃｍ、ＢＣｌ₃ガス：５ｓｃｃｍ、エッチング圧力：約３．３Ｐａ、ＲＦパワー：２００Ｗ（０．６３Ｗ／ｃｍ²）、エッチング温度：常温の条件下で行った。これにより、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）を約１μｍの厚み分だけ除去する。その結果、上記機械研磨に起因して発生した結晶欠陥を含むｎ型ＧａＮ基板１の裏面近傍の領域を除去することができる。また、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面を、機械研磨のみで加工した場合と比べて、より平坦な鏡面にすることができる。なお、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面の反射像を目視により良好に確認することができる表面状態を鏡面とする。
【００４６】
ここで、上記したエッチングによる効果を確認するために、エッチング前後におけるｎ型ＧａＮ基板１の裏面の結晶欠陥（転位）密度を、ＴＥＭ（ＴｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎＥｌｅｃｔｒｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）分析により測定した。その結果、エッチング前には、結晶欠陥密度は、１×１０¹⁰ｃｍ^-2以上であったのに対して、エッチング後には、結晶欠陥密度は、１×１０⁶ｃｍ^-2以下にまで減少していることが判明した。また、エッチング後のｎ型ＧａＮ基板１の裏面近傍の電子キャリア濃度を、エレクトロケミカルＣ−Ｖ測定濃度プロファイラーにより測定した。その結果、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面近傍の電子キャリア濃度は、１．０×１０¹⁸ｃｍ^-3以上であった。これにより、ＲＩＥ法によるエッチングによって、裏面近傍の電子キャリア濃度を、ｎ型ＧａＮ基板１の基板キャリア濃度（５×１０¹⁸ｃｍ^-3）と同程度にできることがわかった。
【００４７】
また、上記したエッチング条件では、エッチング時間とエッチング深さとは比例関係になる。したがって、エッチング時間を調整することにより、エッチング深さを精度よく制御することができる。また、エッチングガスの組成により、エッチングレートおよび表面状態は変化する。図６は、ＲＩＥ法のエッチングガスを変化させた場合のエッチングレートの変化を示したグラフである。この場合、Ｃｌ₂ガス流量を１０ｓｃｃｍに固定するとともに、ＢＣｌ₃ガス流量を変化させた場合のエッチングレートを測定した。その結果、図６に示すように、Ｃｌ₂ガスに対するＢＣｌ₃ガスの流量比が、３０％以上７０％以下の範囲であれば、エッチングされた面が平坦な鏡面になることが判明した。なお、Ｃｌ₂ガスに対するＢＣｌ₃ガスの流量比が、５％未満の場合または８５％を越える場合には、エッチングされた面の平坦性が損なわれるとともに、白濁した面となった。
【００４８】
上記のようなエッチング工程を行った後、窒化物系半導体レーザ素子構造２０を、室温のＨＣｌ溶液（濃度１０％）に１分間浸漬することにより塩酸処理を行う。これにより、ＲＩＥ法によるエッチング時に、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面に付着した塩素系残留物が除去される。
【００４９】
この後、スパッタリング法または真空蒸着法などを用いて、窒化物系半導体レーザ素子構造２０のｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面に近い方から順に、６ｎｍの厚みを有するＡｌ膜と、２ｎｍの厚みを有するＳｉ膜と、１０ｎｍの厚みを有するＮｉ膜と、３００ｎｍの厚みを有するＡｕ膜とからなるｎ側電極８を形成する。
【００５０】
最後に、劈開により、素子分離および共振器端面の形成を行うことによって、図５に示すような本実施形態による窒化物系半導体レーザ素子が完成される。
【００５１】
本実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスでは、上記したように、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）を、ＲＩＥ法によりエッチングすることによって、研磨工程に起因して発生したｎ型ＧａＮ基板１の裏面近傍の結晶欠陥を含む領域を除去することができる。これにより、結晶欠陥による電子キャリアのトラップなどに起因する電子キャリア濃度の低下を抑制することができる。また、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面が窒素面である場合には、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面が酸化されやすいので、その酸化された部分をエッチングにより除去することができる。これらの結果、ｎ型ＧａＮ基板１とｎ側電極８とのコンタクト抵抗を低減することができる。なお、本実施形態に沿って作製された窒化物系半導体レーザ素子におけるｎ型ＧａＮ基板１とｎ側電極８とのコンタクト抵抗をＴＬＭ法（ＴｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎＬｉｎｅＭｏｄｅｌ）により測定したところ、コンタクト抵抗は、２．０×１０^-4Ωｃｍ²以下であった。また、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上にｎ側電極８を形成した後、さらに５００℃の窒素ガス雰囲気中で１０分間の熱処理を行った場合には、コンタクト抵抗はさらに低い１．０×１０^-5Ωｃｍ²であった。
【００５２】
また、本実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスでは、上記したように、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面を、ＲＩＥ法によりエッチングすることによって、機械研磨の場合に比べて、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面の平坦性をより向上させることができる。これにより、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面上に形成されたｎ側電極８の平坦性を向上させることができる。その結果、窒化物系半導体レーザ素子をジャンクションダウンで取り付ける構造の場合には、ｎ側電極８に対するワイヤボンディングのボンディング特性を向上させることができる。また、ｎ側電極８を放熱基台（サブマウント）に取り付ける構造の場合には、ｎ側電極８と放熱基台との密着性を向上させることができるので、良好な放熱特性を得ることができる。
【００５３】
次に、ＲＩＥ法を用いてｎ型ＧａＮ基板の裏面（窒素面）のエッチングを行う本発明の効果をより詳細に確認するため、以下の表１に示すような実験を行った。
【００５４】
【表１】

上記表１を参照して、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板からなる試料１〜７に、種々の窒素面（裏面）処理を施した後、ｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍の電子キャリア濃度を、エレクトロケミカルＣ−Ｖ測定濃度プロファイラーにより測定した。また、電子キャリア濃度測定後の試料１〜７のｎ型ＧａＮ基板の裏面上に、ｎ側電極を形成した後、ｎ型ＧａＮ基板とｎ側電極とのコンタクト抵抗を、ＴＬＭ法により測定した。
【００５５】
なお、試料１〜７のｎ側電極は、上記した一実施形態と同様、Ａｌ膜とＳｉ膜とＮｉ膜とＡｕ膜とにより形成した。また、基板研磨、ＲＩＥ法によるエッチングおよび塩酸処理のその他の条件は、上記した一実施形態と同様である。なお、試料６は、上記した一実施形態の製造プロセスを用いて作製した。
【００５６】
結果としては、ＲＩＥ法を用いてｎ型ＧａＮ基板の裏面のエッチングを行った本発明による試料３〜７では、従来と同様の方法により作製された試料１よりもコンタクト抵抗が大きく低減された。具体的には、試料１のコンタクト抵抗は、２０Ωｃｍ²であったのに対して、本発明による試料３〜７のコンタクト抵抗は、０．０５Ωｃｍ²以下であった。これは以下の理由によると考えられる。すなわち、本発明による試料３〜７では、機械研磨により発生した結晶欠陥を含むｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍の領域が、ＲＩＥ法によるエッチングにより除去されたと考えられる。このため、ｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍における結晶欠陥に起因して電子キャリア濃度が低下するのが抑制されたためであると考えられる。
【００５７】
また、本発明による試料３〜７では、従来例に対応する試料１よりも、ｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍の電子キャリア濃度が高かった。具体的には、従来例に対応する試料１の電子キャリア濃度は、２．０×１０¹⁶ｃｍ^-3であったのに対して、本発明による試料３〜７の電子キャリア濃度は、１．０×１０¹⁷ｃｍ^-3以上であった。
【００５８】
また、Ｃｌ₂ガスを用いたＲＩＥ法により、ｎ型ＧａＮ基板の裏面を約１μｍの厚み分だけ除去した試料４では、Ｃｌ₂ガスを用いたＲＩＥ法により、ｎ型ＧａＮ基板の裏面を約０．５μｍの厚み分だけ除去した試料３よりも、低いコンタクト抵抗を得ることができた。これは、約０．５μｍの厚み分の除去では、機械研磨により発生した結晶欠陥を含むｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍の領域を十分に除去することができなかったためであると考えられる。これらの試料において、ｎ型ＧａＮ基板の裏面の結晶欠陥（転位）密度を、ＴＥＭ分析により測定したところ、試料３の結晶欠陥密度は１×１０⁹ｃｍ^-2であった。一方、試料４では、観察した視野中に結晶欠陥は観察されず、結晶欠陥密度は１×１０⁶ｃｍ^-2以下であった。したがって、ＲＩＥ法によりｎ型ＧａＮ基板の裏面を約１．０μｍ以上の厚み分除去するのが好ましい。
【００５９】
また、Ｃｌ₂ガスおよびＢＣｌ₃ガスを用いたＲＩＥ法によるエッチングを行った試料５では、Ｃｌ₂ガスのみを用いたＲＩＥ法によってｎ型ＧａＮ基板の裏面のエッチングを行った試料４に比べて、さらに低いコンタクト抵抗を得ることができた。
【００６０】
また、Ｃｌ₂ガスおよびＢＣｌ₃ガスを用いたＲＩＥ法によりｎ型ＧａＮ基板の裏面をエッチングした後、塩酸処理を行った上記一実施形態に対応する試料６、および、さらに５００℃の窒素雰囲気中で１０分間の熱処理を行った試料７では、塩酸処理および熱処理を行わない試料５に比べて、さらに低いコンタクト抵抗を得ることができた。また、試料６と試料７との比較から、熱処理によって、ｎ型ＧａＮ基板とｎ側電極とのコンタクト抵抗をさらに減少することができるとともに、ｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍の電子キャリア濃度をさらに向上させることが判明した。
【００６１】
なお、ＲＩＥ法によるエッチングを行わずに、１０％の濃度のＨＣｌ溶液による約１０分間の浸漬処理（塩酸処理）を行った試料２では、塩酸処理を行わなかった従来例に対応する試料１よりも、低いコンタクト抵抗を得ることができた。具体的には、試料１のコンタクト抵抗は、２０Ωｃｍ²であったのに対して、試料２のコンタクト抵抗は、０．１Ωｃｍ²であった。これは、塩酸処理により、ｎ型ＧａＮ基板の裏面が清浄化されたためであると考えられる。
【００６２】
また、ｎ型ＧａＮ基板のｎ型ドーパントとして酸素を用いた場合、コンタクト抵抗を低くするために酸素のドーピング量を多くしてキャリア濃度を上げると結晶性が低下する。しかし、本発明により、上記一実施形態によるｎ型ＧａＮ基板１の酸素ドープ量（基板キャリア濃度：５×１０¹⁸ｃｍ^-3）においてもコンタクト抵抗を低くすることができる。
【００６３】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００６４】
たとえば、上記一実施形態では、ｎ型ＧａＮ基板１を用いて窒化物系半導体レーザ素子を形成した場合について説明したが、本発明はこれに限らず、ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板または窒化物系半導体層を用いた場合であってもよい。たとえば、ＢＮ（窒化ホウ素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＩｎＮ（窒化インジウム）またはＴｌＮ（窒化タリウム）などからなる窒化物系半導体基板または窒化物系半導体層が考えられる。また、これらの混晶からなる窒化物系半導体基板または窒化物系半導体層であってもよい。
【００６５】
また、上記一実施形態では、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングしたが、本発明はこれに限らず、他のドライエッチング（反応性エッチング）を用いてもよい。たとえば、反応性イオンビームエッチングや、ラジカルエッチングや、プラズマエッチングを用いてもよい。
【００６６】
また、上記一実施形態では、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）を、Ｃｌ₂ガスとＢＣｌ₃ガスとを用いて、ＲＩＥ法によりエッチングを行ったが、本発明はこれに限らず、他のエッチングガスを用いてもよい。たとえば、Ｃｌ₂とＳｉＣｌ₄との混合ガスやＣｌ₂とＣＦ₄との混合ガスやＣｌ₂ガスを用いてもよい。
【００６７】
また、上記一実施形態では、ＲＩＥ法によるエッチング後、窒化物系半導体レーザ素子構造２０をＨＣｌ溶液に浸漬（塩酸処理）することにより、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面に付着した塩素系残留物を除去したが、本発明はこれに限らず、塩素、フッ素、臭素、ヨウ素、イオウおよびアンモニアの少なくとも１つを含む溶液に浸漬してもよい。
【００６８】
また、上記一実施形態では、ｎ型ＧａＮ基板１の上面（Ｇａ面）上に各層２〜６を成長した後、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）を機械研磨した場合について説明したが、本発明はこれに限らず、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をあらかじめ所定の厚みに機械研磨した後、ｎ型ＧａＮ基板１の上面（Ｇａ面）上に各層２〜６を形成する場合であってもよい。また、ｎ型ＧａＮ基板１の窒素面の機械研磨を行わない場合であってもよい。
【００６９】
また、上記一実施形態では、各層２〜６を形成する際のｎ型ドーパントおよびｐ型ドーパントとして、それぞれ、ＳｉおよびＭｇを用いたが、本発明はこれに限らず、他のｎ型またはｐ型のドーパントを用いてもよい。たとえば、ｎ型ドーパントして、ＳｅやＧｅなどを用いてもよい。また、ｐ型ドーパントして、ＢｅやＺｎなどを用いてもよい。
【００７０】
また、上記一実施形態では、常圧ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＮ基板１上に各層２〜６を形成したが、本発明はこれに限らず、他の成長法により、各層２〜６を形成してもよい。たとえば、減圧ＭＯＣＶＤ法により、各層２〜６を形成してもよい。
【００７１】
また、上記一実施形態では、ｎ型ＧａＮ基板１上に、ｎ型バッファ層２を形成した場合について説明したが、本発明はこれに限らず、ｎ型バッファ層２を形成しない場合であってもよい。この場合、各層３〜６の結晶性は若干低下するが、製造プロセスを簡略化することができる。
【００７２】
また、上記一実施形態では、ｎ側電極８材料としてＡｌ／Ｓｉ／Ｎｉ／Ａｕ膜を用いたが、本発明はこれに限らず、１０ｎｍの厚みを有するＴｉ膜と５００ｎｍの厚みを有するＡｌ膜とからなるｎ側電極、６ｎｍの厚みを有するＡｌ膜と１０ｎｍの厚みを有するＮｉ膜と３００ｎｍの厚みを有するＡｕ膜とからなるｎ側電極、または、１０ｎｍの厚みを有するＡｌＳｉ膜と３００ｎｍの厚みを有するＺｎ膜と１００ｎｍの厚みを有するＡｕ膜とからなるｎ側電極などのＡｌを含む他の電極構造を用いてもよい。
【００７３】
また、上記一実施形態では、電流狭窄構造または横方向光閉じ込め構造として、リッジ構造を用いた場合について説明したが、本発明はこれに限らず、高抵抗のブロック層またはｎ型のブロック層を用いた埋め込み構造により電流狭窄を行ってもよい。また、イオン注入法などにより、電流狭窄層または横方向光閉じ込め構造としての光吸収層を形成してもよい。
【００７４】
また、上記一実施形態では、本発明を窒化物系半導体レーザ素子に適用する場合について説明したが、本発明はこれに限らず、ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体層または窒化物系半導体基板を用いた半導体素子であればよい。たとえば、表面の平坦性が要求されるＭＥＳＦＥＴ（ＭｅｔａｌＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＨＥＭＴ（ＨｉｇｈＥｌｅｃｔｒｏｎＭｏｂｉｌｉｔｙＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、発光ダイオード素子（ＬＥＤ）または面発光レーザ素子（ＶＣＳＥＬ（ＶｅｒｔｉｃａｌＣａｖｉｔｙＳｕｒｆａｃｅＥｍｉｔｔｉｎｇＬａｓｅｒ））などに本発明を適用してもよい。
【００７５】
また、上記一実施形態では、所定の厚みを有するｐ側電極７およびｎ側電極８を用いたが、本発明はこれに限らず、他の厚みを有する電極であってもよい。たとえば、電極の各層の厚みを薄くして、電極が透光性を有するように形成することによって、面発光レーザ素子や発光ダイオード素子として用いてもよい。特に、ｎ側の電極は透光性を有するような薄い厚みに形成しても、本発明により、ｎ側電極のコンタクト抵抗を十分に低くすることができる。
【００７６】
また、上記一実施形態では、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）を、ＲＩＥ法によりドライエッチングを行ったが、本発明はこれに限らず、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をウェットエッチングするようにしてもよい。ｎ型ＧａＮ基板１の裏面の窒素面をウェットエッチングする場合には、ウェットエッチング液として、王水、ＫＯＨやＫ₂Ｓ₂Ｏ₈などを用いる。たとえば、０．１Ｍｏｌの濃度のＫＯＨを用いてｎ型ＧａＮ基板１の裏面の窒素面を室温でウェットエッチングすればよい。なお、この場合、約１２０℃に昇温すれば、室温の場合に比べて、エッチングレートを約１０倍にすることができる。
【００７７】
また、上記一実施形態では、ｎ型ＧａＮ基板１の窒素面からなる裏面を、ＲＩＥ法によりドライエッチングする場合について説明したが、本発明はこれに限らず、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面がＧａ面からなる場合に、そのｎ型ＧａＮ基板１のＧａ面からなる裏面をウェットエッチングするようにしてもよい。ｎ型ＧａＮ基板１の裏面のＧａ面をウェットエッチングする場合には、ウェットエッチング液として、王水、ＫＯＨやＫ₂Ｓ₂Ｏ₈などを用いる。たとえば、０．１Ｍｏｌの濃度のＫＯＨを用いて３６５ｎｍの水銀ランプを用いて、室温でｎ型ＧａＮ基板１の裏面のＧａ面をウェットエッチングすればよい。なお、この場合、約１２０℃に昇温すれば、室温の場合に比べて、エッチングレートを約１０倍にすることができる。
【００７８】
また、上記一実施形態では、裏面が全て窒素面であるｎ型ＧａＮジャスト基板を用いる場合について説明したが、本発明はこれに限らず、ｎ型ＧａＮ基板の裏面に少しＧａ面が存在するｎ型ＧａＮオフ基板を用いてもよい。このｎ型ＧａＮオフ基板の場合にも、裏面は本発明の窒素面に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図２】本発明の一実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による窒化物系半導体レ−ザ素子の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図４】図３に示したプロセスにおける拡大断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスを説明するための斜視図である。
【図６】ＲＩＥ法のエッチングガスを変化させた場合のエッチングレートの変化を示したグラフである。
【図７】従来の窒化物系半導体レーザ素子を示した断面図である。
【符号の説明】
１ｎ型ＧａＮ基板（第１半導体層）
８ｎ側電極

Claims

ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層と、
前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０ ⁹ ｃｍ ^-2 以下であり、
前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ ² 以下のコンタクト抵抗を有する、窒化物系半導体素子。
前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度が、１×１０ ⁶ ｃｍ ^-2 以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体素子。
前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における電子キャリア濃度は、１×１０ ¹⁷ ｃｍ ^-3 以上である、請求項１または２に記載の窒化物系半導体素子。
前記第１半導体層の裏面は、前記第１半導体層の窒素面を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が加工された層であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
前記第１半導体層のｎ型ドーパントが酸素であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
前記第１半導体層の上面上に、 Si 、 Se 及び Ge のいずれかがドープされたｎ型の窒化物系半導体層を更に備えることを特徴とする請求項６に記載の窒化物系半導体素子。
前記第１半導体層は、 HVPE 法を用いて形成されたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。