JP2002033305A - 半導体装置の製造方法およびそれを用いて製造した半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】結晶欠陥の少ない埋込再成長界面を実現する化
合物半導体のエッチング方法を提供する。 【解決手段】ドライエッチングにより形成したメサの損
傷層除去に、臭化水素酸濃度０．５０±０．２５モル／
リットル、臭素濃度０．０２±０．０１モル／リットル
の範囲の臭化水素酸と臭素と水の混合液によるウェット
エッチングを用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は化合物半導体素子お
よびその製造方法ならびに化合物半導体素子を用いた光
応用システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】化合物半導体のエッチング加工技術は、
半導体レーザ、高電子移動度トランジスタ、光変調器
等、様々な化合物半導体素子の製造に用いられている。
化合物半導体のエッチングには、永らくウェットエッチ
ングが用いられてきた。しかし、近年ではウェハ面内で
の加工寸法均一性向上への要求が高まり、ドライエッチ
ング技術の研究が進められている。ドライエッチングを
用いると、イオン衝撃の効果により加工形状が垂直とな
り、マスクパターン寸法を高精度に基板に転写できるた
めである。

【０００３】その一方、イオン衝撃は基板表面および導
波路側面に損傷をもたらす。高速電子素子や半導体レー
ザでは、それぞれ電気的能動層、光学的活性層のエッチ
ングが中心であるため、エッチング時に生じる損傷は素
子の特性や寿命に関する信頼性に甚大な悪影響を及ぼ
す。例えば半導体レーザの光導波路をドライエッチング
で形成した場合、イオン衝撃による活性層側面の損傷層
の影響により、通電試験時の素子劣化の進行が速くなる
ことが知られている。この、ドライエッチング損傷によ
る信頼性低下を避けるために、ドライエッチング後にウ
ェットエッチングにより損傷層を除去する工程が一般的
に用いられている。

【０００４】また、このウェットエッチング工程には損
傷層除去効果のみならず、別の効果がある。それは、埋
込ヘテロ構造半導体レーザのように、ドライエッチング
により形成した導波路の周囲を半導体層で埋め込む場合
においては、ウェットエッチングによってマスクパター
ンに庇を形成することにより、マスク上への異常成長の
ない良好な埋込成長が容易に実現されることである。

【０００５】従来のウェットエッチング技術の公知例と
しては、ジャーナル・オブ・エレクトロケミカル・ソサ
イエティ、１４４巻、３９４０頁に、炭化水素系ガスを
用いたドライエッチングにより形成したＩｎＰ層とＩｎ
ＧａＡｓＰ層の積層構造からなるメサ構造に対し、幾つ
かの異なるウェットエッチング工程を施した場合の、エ
ッチング断面形状の評価結果が報告されている。この報
告では、燐酸／過酸化水素水／水によるウェットエッチ
ングと、臭化水素酸／飽和臭素水／水によるウェットエ
ッチングの組み合わせにより、メサ側壁に凹凸の少ない
加工形状を得る試みがなされている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のウェッ
トエッチング技術では、再現性よく、凹凸のないウェッ
トエッチング形状を得ることができないという問題があ
った。上記報告の燐酸／過酸化水素水／水によるウェッ
トエッチングではＩｎＧａＡｓＰ層が多くエッチングさ
れ、臭化水素酸／飽和臭素水／水によるウェットエッチ
ングでは、逆にＩｎＧａＡｓＰ層のエッチング量がＩｎ
Ｐ層のエッチング量と比較して少ない。すなわち上記報
告ではドライエッチングにより形成したＩｎＰ層とＩｎ
ＧａＡｓＰ層の積層構造からなるメサ構造を、二段階の
ウェットエッチングによって平滑に加工している。しか
し、このようにエッチングを二段階にしても、二回のエ
ッチング量の調整が困難であり、平滑性の再現性が極め
て悪く、凹凸をなくすまでには到っていない。

【０００７】ウェットエッチング後の形状に凹凸がある
場合、それに続く埋込成長工程において、凹凸部分で埋
込成長形状に乱れが生じ、結晶欠陥が生成する。埋込再
成長界面に結晶欠陥が存在すると、半導体素子動作中に
非発光再結合中心が増殖し、素子寿命に関する信頼性に
甚大な悪影響を与える。したがって、このようなメサの
凹凸はできる限り抑制しなければならない。

【０００８】また、ＩｎＰとＩｎＧａＡｓＰを等速エッ
チング可能なエッチング液として、臭化水素／過酸化水
素水／水の混合液が知られているが、本エッチング液
は、過酸化水素水が強い酸化力を有し、臭化水素の酸化
が進行するために、エッチング速度の経時変化が極めて
大きく、制御性の観点から半導体素子の製造工程に適用
することはできない。

【０００９】本発明の第１の目的は、ドライエッチング
により形成した半導体多層構造からなるメサを、凹凸無
く食刻するための、ＩｎＰとＩｎＧａＡｓＰを等速でエ
ッチングするウェットエッチング方法を提供することに
ある。また、本発明の第２の目的は、本発明のエッチン
グ方法を用いて製造した半導体装置を提供することにあ
る。また、本発明の第３の目的は、本発明のエッチング
方法を用いて製造した半導体レーザを提供することにあ
る。また、本発明の第４の目的は、本発明の半導体レー
ザを搭載した光モジュールを提供することにある。ま
た、本発明の第５の目的は、本発明の光モジュールを搭
載した光伝送システムあるいは光情報処理システム等の
光応用システムを提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の目的は、
あらかじめマスクパターンを形成した、少なくとも一つ
のIII−Ｖ族化合物半導体層を有する半導体多層基板
に、第１のエッチングにより溝を形成する工程と、上記
溝の表面を第２のエッチングにより食刻する工程とを有
する半導体装置の製造方法において、上記第２のエッチ
ングが、臭化水素酸と臭素と水の混合液を用いたウェッ
トエッチングであり、上記混合液の組成が、臭化水素酸
濃度０．５０±０．２５モル／リットル、臭素濃度０．
０２±０．０１モル／リットルの範囲であることにより
達成される。

【００１１】また、あらかじめマスクパターンを形成し
た、少なくとも一つのIII−Ｖ族化合物半導体層を有す
る半導体多層基板に、第１のエッチングにより溝を形成
する工程と、上記溝の表面を第２のエッチングにより食
刻する工程と、上記溝を少なくとも一つのIII−Ｖ族化
合物半導体層を有する半導体埋込層により埋込む工程と
を有する半導体装置の製造方法において、上記第２のエ
ッチングが、臭化水素酸と臭素と水の混合液を用いたウ
ェットエッチングであり、上記混合液の組成が、臭化水
素酸濃度０．５０±０．２５モル／リットル、臭素濃度
０．０２±０．０１モル／リットルの範囲であることに
より達成される。

【００１２】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、上記第１のエッチングがドライエッチングであるこ
とにより達成される。また、上記半導体装置の製造方法
において、上記半導体多層基板がＩｎＰ層およびＩｎＧ
ａＡｓＰ層を含むことにより達成される。また、上記半
導体装置の製造方法において、上記半導体埋込層がＩｎ
Ｐであることにより達成される。また、上記半導体装置
の製造方法において、上記混合液を、臭化水素酸と臭素
水と水との混合により作製することにより達成される。

【００１３】また、本発明の第２の目的は、上記半導体
装置の製造方法を用いて製造したことを特徴とする半導
体装置を提供することにより達成される。

【００１４】また、本発明の第３の目的は、本発明の半
導体装置の製造方法を用いて製造したことを特徴とする
半導体レーザを提供することにより達成される。

【００１５】また、本発明の第４の目的は、本発明の半
導体レーザを搭載したことを特徴とする光モジュールを
提供することにより達成される。

【００１６】また、本発明の第５の目的は、本発明の光
モジュールを搭載した光伝送システムあるいは光情報処
理システム等の光応用システムを提供することにより達
成される。

【００１７】以下、図６を用いて、本発明の作用につい
て説明する。図６（ａ）は臭化水素酸／臭素／水の三元
混液における、ＩｎＰ（１０）面エッチング速度とＩｎ
ＧａＡｓＰの（１０）面エッチング速度の、混液組成依
存性の測定結果である。図６（ｂ）は、測定試料の断面
形状をあらわす模式図である。

【００１８】同図から、ＩｎＰのエッチングは、臭化水
素酸濃度ゼロにおいて全く進行しないが、臭化水素酸濃
度の低い範囲においては臭化水素酸濃度増大に伴って速
度が増し、臭化水素酸濃度１モル／リットル、臭素濃度
０．０１５モル／リットルの点においてピーク値を持
ち、臭素濃度の低い範囲では、臭素濃度減少に伴って速
度が低下する。これは、本エッチングが酸化物溶解型反
応に支配されており、臭素と臭化水素酸が、それぞれ酸
化剤および酸化物の溶剤として機能しているために、そ
のいずれの濃度が不足した場合においてもエッチング速
度が低下するためである。ただし、同図から、ＩｎＰの
エッチング速度は臭素濃度ゼロにおいても一定の値を有
することから、臭素が酸化剤として機能する酸化物溶解
型反応だけでなく、臭化水素酸による直接反応も起こっ
ていることが推認される。

【００１９】一方、ＩｎＧａＡｓＰのエッチング速度
は、臭化水素酸濃度ゼロで臭化水素酸濃度が低い範囲で
は臭化水素酸濃度の増大にしたがって増大し、ピーク値
を持ったのち、臭素濃度の低い範囲では、臭素濃度の増
大に伴って減少する傾向は、ＩｎＰの場合と同様である
が、臭素濃度ゼロにおいてエッチングが全くおこらない
点が異なっている。このことは、ＩｎＧａＡｓＰのエッ
チングは、ＩｎＰで観測された臭化水素酸による直接反
応の寄与はなく、酸化物溶解型の反応が起こっているこ
とを示す。

【００２０】このように、ＩｎＰの場合とＩｎＧａＡｓ
Ｐの場合では、エッチング機構が異なっており、そのエ
ッチング速度は、それぞれ異なる混液組成において最大
値をとっている。このため、二つのエッチング速度曲線
には交差する点が存在し、図から、臭化水素酸濃度０．
５モル／リットル、臭素濃度０．０２モル／リットルに
おいて両材料のエッチング速度が一致するのである。こ
の結果、本発明のエッチング液組成を用いれば、ＩｎＰ
とＩｎＧａＡｓＰを等速でエッチングすることができ
る。

【００２１】また、本発明のエッチング液では、酸化力
の強い過酸化水素を含まないので、エッチング速度は安
定であり、経時的なエッチング速度の変化は全くなく、
再現性、制御性の高いエッチングが可能である。

【００２２】

【発明の実施の形態】（実施例１）本発明の第１の実施
例を図１、および図２を用いて説明する。本実施例で
は、本発明のエッチング技術を用いて作製したメサ構造
に埋込成長を施した場合の断面形状の評価結果を述べ
る。

【００２３】まず、試料作製フローを図１を用いて説明
する。エピタキシャル成長は有機金属気相成長法により
行った。ｎ型ＩｎＰ基板１１上に、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ
光ガイド層１２（膜厚１００nm、バンドギャップ波長
１．１μm）、アンドープ多重量子井戸型活性層１３
（膜厚１２２nm）、アンドープＩｎＧａＡｓＰ光ガイド
層１４（膜厚１００nm、バンドギャップ波長１．１μ
m）、ｐ型ＩｎＰクラッド層１５（膜厚５００nm）を順
次形成した。

【００２４】ここで、上記多重量子井戸型活性層１３
は、７層のＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸層（膜厚６nm、バ
ンドギャップ波長１．３μm）を、８層のＩｎＧａＡｓ
Ｐ障壁層（膜厚１０nm、バンドギャップ波長１．１μ
m）で挟んだものである（図１（ａ））。

【００２５】メサ形成は、ＣＨＦ₃／Ｃ₂Ｆ₆ガスのドラ
イエッチングにより形成した膜厚４００nmのＳｉＯ₂パ
ターン１６をマスクとし、ＣＨ₄／Ｏ₂／Ｈ₂混合ガスの
ドライエッチングにより行った。加工条件は、ＣＨ₄流
量２０ｓｃｃｍ、Ｏ₂流量２ｓｃｃｍ、Ｈ₂流量８０ｓｃ
ｃｍ、エッチング圧力１００ｍＴ、高周波パワー２００
Ｗである。エッチングは、深さ２μmまで行った（図１
（ｂ））。

【００２６】ドライエッチング加工表面の損傷層を除去
することを目的としたウェットエッチングには、臭化水
素酸（４７．６％、８．６８モル／リットル）、臭素
（１００％、１９．４モル／リットル）、並びに水を用
いて調合した、臭化水素酸濃度０．５モル／リットル、
臭素濃度０．０２モル／リットルの混合液を用いた。ウ
ェットエッチングは、恒温水槽を用いて２５℃に温度調
整したエッチング液に、試料を２分間浸すことにより行
った。その結果、本発明のエッチング液の、材料組成に
依らない等速エッチング特性を反映して、エッチング後
のメサ形状として、凹凸のない滑らかな形状が得られた
（図１（ｃ））。

【００２７】埋込再成長は、有機金属気相成長法により
行った。埋込層１７は、成長形状を可視化するために、
ＩｎＰ層とＩｎＧａＡｓＰ層の交互の積層構造とした。
ＩｎＰ成長の原料には、Ｉｎ（ＣＨ₃）₃とＰＨ₃を用い
た。基板温度は６２０℃、成長圧力は５０Ｔｏｒｒであ
る（図１（ｄ））。

【００２８】埋込再成長を行った試料の断面形状を図２
（ａ）に示す。また、比較のためＩｎＧａＡｓＰのエッ
チング速度がＩｎＰより遅く、活性層が突出する組成
（臭化水素酸濃度１．５モル／リットル、臭素濃度０．
０１モル／リットル）の混合液でエッチングを行ったメ
サ構造に埋込再成長を行った場合の断面形状を図２
（ｂ）に示す。

【００２９】図２（ｂ）の、活性層が突出したメサの場
合では、活性層側面のくびれ部分において、複数の方向
からの結晶成長面が交錯していることが分かる。この部
分には、結晶欠陥が生成している。活性層近傍に結晶欠
陥がある場合、素子動作中に非発光再結合中心が増殖
し、半導体レーザの信頼性を著しく低下させる。したが
って結晶欠陥はできる限り抑制しなくてはならない。

【００３０】これに対し、図２（ａ）の、本発明の混合
液（臭化水素酸０．４モル／リットル、臭素０．０２モ
ル／リットル）でエッチングしたメサの場合では、メサ
側壁に凹凸がないことにより、結晶がメサ側壁に均一に
成長していることが分かる。欠陥発生の原因となる結晶
成長面の交錯が全くないことから、低欠陥の埋込再成長
界面を実現できたと言える。

【００３１】なお、本実施例では、臭化水素酸濃度０．
５モル／リットル、臭素濃度０．０２モル／リットルの
混合液を用いた例について説明したが、臭化水素酸濃度
が０．５±０．２５モル／リットル、臭素濃度が０．０
２±０．０１モル／リットルの範囲の混合液では同様な
効果が得られた。

【００３２】（実施例２）つぎに第２の実施例を図３に
より詳細に説明する。ｎ型ＩｎＰ基板２１上に有機金属
気相成長法により、アンドープ多重量子井戸活性層２
２、ｐ型ＩｎＰクラッド層（厚さ１．５ミクロン）２
３、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層（厚さ０．２ミクロ
ン）２４を順次形成した。ここで、上記多重量子井戸活
性層２２は、ＩｎＧａＡｓ井戸層（厚さ６０nm）５層
を、ＩｎＧａＡｓＰ障壁層（厚さ１００nm、組成波長
１．１５ミクロン）６層で挟んだものである。次に熱Ｃ
ＶＤ法により厚さ３００nmのＳｉＯ₂膜を形成し、通常
のリソグラフィ技術を用いて幅１．５ミクロンのＳｉＯ
₂ストライプ２５を形成した（図３（ａ））。

【００３３】次にこのウェハを平行平板型電極構造を有
するエッチング装置の陰極上に載置し、エタンと水素と
アルゴンの混合ガス５０ｓｃｃｍ（混合比４：１０：
１）をエッチング処理装置内に導入し、ガス圧８０ｍＴ
において、試料を配置した電極を陰極とする高周波電力
３００Ｗを供給してグロー放電をおこすことにより、反
応性イオンエッチングを行い、３ミクロンの段差を形成
した。（図３（ｂ））。

【００３４】酸素プラズマアッシングによりエッチング
中にＳｉＯ₂パターン２５上に堆積したポリマー（図示
せず）を除去した後、臭化水素酸、飽和臭素水および水
を用いて調合した、臭化水素酸濃度０．３モル／リット
ル、臭素濃度０．０２モル／リットルの混合液を用い、
ドライエッチング損傷層の除去とＳｉＯ₂マスク２５に
庇を形成することを目的としたウェットエッチングを行
った。ウェットエッチングは、恒温水槽を用いて２０℃
に温度調整したエッチング液に、試料を３分間浸すこと
により行った。その結果、本発明のエッチング液の、材
料組成に依らない等速エッチング特性を反映して、エッ
チング後のメサ形状として、凹凸のない滑らかな形状が
得られた（図３（ｃ））。つぎに、本試料を有機金属気
相成長炉内に搬入し、成長温度６００℃にてフォスフィ
ンガス、トリメチルインジウム、フェロセン、および塩
化メチルを導入してＦｅドープ半絶縁性ＩｎＰ電流狭窄
層（成長厚さ３ミクロン）２６を成長した（図３
（ｃ））。

【００３５】本実施例のごとくドライエッチング後にウ
ェットエッチングを行うことにより、ＳｉＯ₂マスク上
への結晶の回り込み成長を抑制することができ、半導体
が露出した部分のみを選択的に埋込み、平坦化を実現す
ることができる。埋込み成長後、ＳｉＯ₂ストライプ２
５を希フッ酸で除去し、ｐ側電極２７を形成し、基板裏
面を研磨により薄くした後、裏面にｎ側電極２８を形成
した（図３（ｄ））。最後に分割、劈開することによ
り、発光波長１．５５ミクロンの半導体レーザを作製し
た。

【００３６】作製したレーザ素子は、メサ形状に凹凸が
あった場合に生成する埋込成長界面の結晶欠陥が存在せ
ず、非発光再結合中心による無効電流が少ない本発明の
効果を反映して、室温、連続条件においてしきい値電流
５ｍＡ、発振効率０．４５Ｗ／Ａと低しきい値でかつ高
効率な特性が得られた。また、５０℃、５ｍＷでの一定
光出力通電試験を行った結果、本発明の欠陥の少ない結
晶構造を反映して、推定寿命として１００万時間が得ら
れた。

【００３７】本実施例では本発明を１．５５μm帯の半
導体レーザに適用した場合について述べたが、１．３μ
m帯や他の波長帯の半導体レーザにも適用可能である。
また、本実施例ではドライエッチングを用いて形成した
メサの欠陥除去に本発明のウェットエッチング液を用い
た場合について述べたが、ドライエッチングに限らず、
劈開やウェットエッチングで形成した異種材料の積層構
造からなる面を、材料組成によらず平滑にエッチングす
ることが求められるあらゆる化合物半導体製造工程にお
いて、本発明のエッチング液が有効であることは言うま
でもない。

【００３８】また、本実施例ではマスク材としてＳｉＯ
₂を用いた場合について述べたが、Ｓｉ₃Ｎ₄等他の材料
を用いてもよい。また、本実施例ではＩｎＰ基板上のＩ
ｎＧａＡｓＰ系材料半導体レーザに本発明を適用した例
について述べたが、ＩｎＰ基板上のＩｎＧａＡｌＡｓ系
材料半導体レーザにも同様に適用可能である。

【００３９】また、本実施例では埋込材料として、鉄ド
ープ半絶縁性ＩｎＰを用いた場合について述べたが、ｐ
型ＩｎＰとｎ型ＩｎＰの積層構造により電流狭窄構造を
形成した場合にも同様の効果がある。また、本実施例で
は半導体レーザの製造に本発明を適用した場合について
述べたが、光変調器、高電子移動度トランジスタ、電界
効果トランジスタ、フォトダイオード、あるいは光導波
路素子などの他の化合物半導体素子に適用することもで
きる。また、本発明は、電界吸収形変調器を集積した変
調器集積半導体レーザや、レンズ機能を集積したビーム
スポット拡大器集積レーザ等のモノリシック集積素子に
おいても実施可能である。

【００４０】（実施例３）つぎに第３の実施例を図４に
より詳細に説明する。図４は実施例２の半導体レーザ３
１をヒートシンク３２上に実装した後、光学レンズ３
３、後端面光出力モニタ用のフォトダイオード３４と光
ファイバ３５とを一体化した光送信モジュールの構造図
である。本モジュールの発振特性は、室温・連続条件に
おいて、しきい値電流８ｍＡ、発振効率０．４Ｗ／Ａで
あった。また、本発明の結晶欠陥の少ない素子構造を反
映して推定寿命として１００万時間が得られた。また、
８５℃の高温においても、しきい値電流２５ｍＡ、発振
効率０．３Ｗ／Ａと良好な発振特性が得られた。また、
本発明の優れた加工寸法制御性を反映して、８５℃の高
温においても副モード抑圧比４０ｄＢ以上の安定な単一
モード動作を９５％以上の高い製造歩留まりで実現でき
た。

【００４１】（実施例４）つぎに第４の実施例を図５に
より詳細に説明する。図５は、実施例３の送信モジュー
ル４１を用いた幹線系光通信システムである。送信装置
４２は送信モジュール４１とこのモジュール４１を駆動
するための駆動系４３とを有する。モジュール４１から
の光信号がファイバ４４を通って受信装置４５内の受光
部４６で検出される。本実施例に係る光通信システムに
よれば１００万時間の長期信頼性を有する１００ｋｍ以
上の無中継光伝送を提供できる。

【００４２】

【発明の効果】本発明によれば、結晶欠陥の少ないドラ
イエッチングメサ埋込成長界面を実現できる。本発明を
用いれば、化合物半導体素子の高信頼化および製造の歩
留まり向上による低コスト化に効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の試料作製フローを説明
する断面図。

【図２】本発明の第１の実施例および比較例の埋込再成
長を行った試料の断面図。

【図３】本発明の第２の実施例の試料作製フローを説明
する断面図。

【図４】本発明の第３の実施例を説明する光送信モジュ
ールの部分断面斜視図。

【図５】本発明の第４の実施例を説明する幹線系光通信
システムのブロック図。

【図６】本発明の作用効果の説明図。

【符号の説明】

１１…ｎ型ＩｎＰ基板、１２…ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ光ガ
イド層、１３…多重量子井戸活性層、１４…ｐ型ＩｎＧ
ａＡｓＰ光ガイド層、１５…ｐ型ＩｎＰクラッド層、１
６…ＳｉＯ₂マスク、１７…ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ埋
込層、２１…ｎ型ＩｎＰ基板、２２…多重量子井戸活性
層、２３…ｐ型ＩｎＰクラッド層、２４…ｐ型ＩｎＧａ
Ａｓコンタクト層、２５…ＳｉＯ₂マスク、２６…Ｆｅ
ドープ半絶縁性ＩｎＰ層、２７…上部電極、２８…下部
電極、３１…半導体レーザ、３２…ヒートシンク、３３
…光学レンズ、３４…フォトダイオード、３５…光ファ
イバ、４１…送信モジュール、４２…送信装置、４３…
駆動系、４４…光ファイバ、４５…受信装置、４６…受
光部、５１…ＳｉＯ₂マスク、５２…ｐ型ＩｎＰ層、５
３…ＩｎＧａＡｓＰ層、５４…ｎ型ＩｎＰ層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｓ 5/02 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｓ 5/227 21/302 Ｎ 5/323 21/306 Ｂ 31/10 Ａ (72)発明者 佐藤 宏 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 2H079 AA02 AA13 BA01 CA04 DA16 DA22 EA03 EA08 EB04 HA11 JA07 5F004 AA06 CA02 CA03 DA00 DA02 DA16 DA24 DA26 DB20 DB22 EA10 5F043 AA14 AA15 BB07 BB08 DD07 DD15 EE10 FF05 5F049 MA04 MB07 NA08 NA18 NB01 PA14 QA02 SS04 5F073 AA22 AA45 AA74 CA12 CB02 CB11 DA23 DA35 EA29

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】あらかじめマスクパターンを形成した、少
   なくとも一つのIII−Ｖ族化合物半導体層を有する半導
   体多層基板に、第１のエッチングにより溝を形成する工
   程と、上記溝の表面を第２のエッチングにより食刻する
   工程とを有する半導体装置の製造方法において、上記第
   ２のエッチングが、臭化水素酸と臭素と水の混合液を用
   いたウェットエッチングであり、上記混合液の組成が、
   臭化水素酸濃度０．５０±０．２５モル／リットル、臭
   素濃度０．０２±０．０１モル／リットルの範囲である
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】あらかじめマスクパターンを形成した、少
   なくとも一つのIII−Ｖ族化合物半導体層を有する半導
   体多層基板に、第１のエッチングにより溝を形成する工
   程と、上記溝の表面を第２のエッチングにより食刻する
   工程と、上記溝を少なくとも一つのIII−Ｖ族化合物半
   導体層を有する半導体埋込層により埋込む工程とを有す
   る半導体装置の製造方法において、上記第２のエッチン
   グが、臭化水素酸と臭素と水の混合液を用いたウェット
   エッチングであり、上記混合液の組成が、臭化水素酸濃
   度０．５０±０．２５モル／リットル、臭素濃度０．０
   ２±０．０１モル／リットルの範囲であることを特徴と
   する半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】請求項１または２に記載の半導体装置の製
   造方法において、上記第１のエッチングがドライエッチ
   ングであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】請求項１ないし３のいずれかに記載の半導
   体装置の製造方法において、上記半導体多層基板に、Ｉ
   ｎＰ層およびＩｎＧａＡｓＰ層が含まれることを特徴と
   する半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】請求項２ないし４のいずれかに記載の半導
   体装置の製造方法において、上記半導体埋込層がＩｎＰ
   からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】請求項１ないし５のいずれかに記載の半導
   体装置の製造方法において、上記混合液が、臭化水素酸
   と臭素水と水との混合により調合されたものであること
   を特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】請求項１ないし６のいずれかに記載の半導
   体装置の製造方法を用いて製造したことを特徴とする半
   導体装置。
8. 【請求項８】請求項１ないし６のいずれかに記載の半導
   体装置の製造方法を用いて製造したことを特徴とする半
   導体レーザ。
9. 【請求項９】請求項８に記載の半導体レーザを搭載した
   ことを特徴とする光モジュール。
10. 【請求項１０】請求項９に記載の光モジュールを搭載し
    たことを特徴とする光応用システム。