JP2004006718A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004006718A5 JP2004006718A5 JP2003074966A JP2003074966A JP2004006718A5 JP 2004006718 A5 JP2004006718 A5 JP 2004006718A5 JP 2003074966 A JP2003074966 A JP 2003074966A JP 2003074966 A JP2003074966 A JP 2003074966A JP 2004006718 A5 JP2004006718 A5 JP 2004006718A5
- Authority
- JP
- Japan
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003074966A JP3933592B2 (ja) | 2002-03-26 | 2003-03-19 | 窒化物系半導体素子 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002085085 | 2002-03-26 | ||
JP2003074966A JP3933592B2 (ja) | 2002-03-26 | 2003-03-19 | 窒化物系半導体素子 |
Related Child Applications (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006232784A Division JP3896149B2 (ja) | 2002-03-26 | 2006-08-29 | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
JP2006232783A Division JP3920910B2 (ja) | 2002-03-26 | 2006-08-29 | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
JP2006348155A Division JP4171511B2 (ja) | 2002-03-26 | 2006-12-25 | 窒化物系半導体素子の製造方法 |
JP2006348140A Division JP4017654B2 (ja) | 2002-03-26 | 2006-12-25 | 窒化物系半導体素子 |
JP2006348156A Division JP2007116192A (ja) | 2002-03-26 | 2006-12-25 | 窒化物系半導体装置 |
JP2006348161A Division JP4148976B2 (ja) | 2002-03-26 | 2006-12-25 | 窒化物系半導体素子の製造方法 |
JP2006348164A Division JP4078380B2 (ja) | 2002-03-26 | 2006-12-25 | 窒化物系半導体素子の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004006718A JP2004006718A (ja) | 2004-01-08 |
JP2004006718A5 true JP2004006718A5 (ja) | 2006-10-12 |
JP3933592B2 JP3933592B2 (ja) | 2007-06-20 |
Family
ID=30445969
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003074966A Expired - Lifetime JP3933592B2 (ja) | 2002-03-26 | 2003-03-19 | 窒化物系半導体素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3933592B2 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6791120B2 (en) * | 2002-03-26 | 2004-09-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor device and method of fabricating the same |
US8089093B2 (en) | 2004-02-20 | 2012-01-03 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device including different concentrations of impurities |
JP5217077B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2013-06-19 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子及び窒化物半導体基板の製造方法、並びに窒化物半導体素子の製造方法 |
JP4670034B2 (ja) | 2004-03-12 | 2011-04-13 | 学校法人早稲田大学 | 電極を備えたGa2O3系半導体層 |
JP4822674B2 (ja) * | 2004-04-30 | 2011-11-24 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
JP4379208B2 (ja) | 2004-06-03 | 2009-12-09 | 三菱電機株式会社 | 窒化物半導体装置の製造方法 |
JP2006128558A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Sony Corp | 半導体レーザ、半導体レーザの実装方法、半導体レーザ実装構造体および光ディスク装置 |
JP2006179511A (ja) | 2004-12-20 | 2006-07-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光装置 |
US8685764B2 (en) * | 2005-01-11 | 2014-04-01 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Method to make low resistance contact |
US7816696B2 (en) | 2005-03-16 | 2010-10-19 | Panasonic Corporation | Nitride semiconductor device and method for manufacturing same |
JP2006294698A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光素子、発光素子の製造方法、およびGaN基板 |
US7606276B2 (en) | 2005-05-19 | 2009-10-20 | Panasonic Corporation | Nitride semiconductor device and method for fabricating the same |
DE102005035722B9 (de) * | 2005-07-29 | 2021-11-18 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP2007116076A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子 |
JP2007273492A (ja) | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | 窒化物半導体装置およびその製造方法 |
JP2007273844A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子 |
JP2008028259A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Mitsubishi Chemicals Corp | 単結晶GaN基板の製造方法 |
JP4884866B2 (ja) | 2006-07-25 | 2012-02-29 | 三菱電機株式会社 | 窒化物半導体装置の製造方法 |
JP2010147117A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Mitsubishi Electric Corp | 窒化物半導体装置の製造方法 |
JP5281545B2 (ja) * | 2009-11-04 | 2013-09-04 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
RU2434315C1 (ru) * | 2010-03-15 | 2011-11-20 | Юрий Георгиевич Шретер | Светоизлучающее устройство с гетерофазными границами |
JP2012231087A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Mitsubishi Chemicals Corp | 窒化物系ledの製造方法 |
KR20140048071A (ko) | 2011-09-12 | 2014-04-23 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 발광 다이오드 소자 |
JP2013201326A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Hitachi Cable Ltd | 窒化ガリウム基板及びエピタキシャルウェハ |
JP6957982B2 (ja) * | 2017-05-29 | 2021-11-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP6893268B1 (ja) * | 2020-02-13 | 2021-06-23 | 株式会社サイオクス | 構造体の製造方法 |
JP7165858B2 (ja) * | 2020-06-30 | 2022-11-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法 |
CN112420513A (zh) * | 2020-12-07 | 2021-02-26 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 湿法腐蚀实现凹栅增强型hemt器件的方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06275911A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
JP3360812B2 (ja) * | 1998-05-26 | 2003-01-07 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
JP4077137B2 (ja) * | 2000-06-15 | 2008-04-16 | 東芝電子エンジニアリング株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2001068786A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-03-16 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2001176823A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-06-29 | Sharp Corp | 窒化物半導体チップの製造方法 |
JP2001345266A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置,その製造方法及び半導体基板の製造方法 |
JP2002026456A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Toshiba Corp | 半導体装置、半導体レーザ及びその製造方法並びにエッチング方法 |
JP2002033305A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法およびそれを用いて製造した半導体装置 |
JP2001313441A (ja) * | 2001-03-30 | 2001-11-09 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
KR100387242B1 (ko) * | 2001-05-26 | 2003-06-12 | 삼성전기주식회사 | 반도체 발광소자의 제조방법 |
-
2003
- 2003-03-19 JP JP2003074966A patent/JP3933592B2/ja not_active Expired - Lifetime