JP4371567B2 - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタ(TFT)の製造方法、特に、TFTのバックチャネル部の洗浄を含むバッチ式洗浄装置における基板の洗浄方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示装置では、逆スタガード型のTFTを搭載した液晶表示装置が良く用いられるが、このタイプの液晶表示装置の製造工程の中でも逆スタガード型のTFTのバックチャネル部のエッチングが液晶表示装置の表示特性に大きく影響する。このため、逆スタガード型のTFTの製造方法において、a−Si(アモルファスシリコン)及びn+型a−Siからなる半導体膜を堆積し、その上にCr膜からなるソース・ドレイン電極を形成し、ソース・ドレイン電極をマスクとしてn+型a−Siの全部とa−Siの一部をドライエッチングによりエッチングしてTFTのバックチャネル部を形成するが、この際のドライエッチングによるチャネル掘り込み量の制御が難しい。
【0003】
従って、チャネルドライエッチング後にアルカリ洗浄液を使ったバッチ式洗浄装置でバックチャネル部の表面処理を行い、チャネル掘り込み部の微細制御を行う。アルカリ洗浄液は水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)を主成分とする有機アルカリ水溶液で、二酸化炭素との反応によりアルカリ濃度が低下する性質があり、そのためアルカリ洗浄液のpHは徐々に低下する。
【0004】
また、バッチ式洗浄装置では処理基板やカセットに付着した洗浄液が次の槽に持ち出され、液量が定量を下回ると自動的に新液が補充されるため、処理1槽目のアルカリ洗浄液はpHの変動がわずかである。2槽目のアルカリ洗浄液も同様に処理基板やカセットに付着した洗浄液が次の槽に持ち出されるが、持ち出される液量とほぼ同量の液が1槽目のアルカリ洗浄液(前槽)から基板やカセットに付着して持ち込まれるため、液量の変動がほとんどなく新液が供給されることがない(1槽目も2槽目も定量を下回ると新液が自動的に供給される構造になっているが、2槽目は定量を下回る事が無いため新液が供給されない)。そのため、アルカリ洗浄液のアルカリ濃度は、図4に示されるように、時間の経過と共に徐々に低下していく。
【0005】
ここで、バッチ式洗浄装置は、TFTのバックチャネル部の掘り込み量の微細制御の他にも、TFTのゲート絶縁膜表面の付着物の除去等、各製造工程において付着する付着物の除去を目的として頻繁に使用される。このため、バッチ式洗浄装置のアルカリ洗浄液のpHが低下すると、これらの付着物の除去能力が低下するので、pHをある程度高く維持する必要が生じる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従って、アルカリ洗浄液による洗浄では、上述のように、アルカリ濃度が低下すると洗浄効果は低くなるため、定期的に液交換をする必要がある。
【0007】
しかしながら、液交換直後は2槽共にアルカリ濃度が高いため基板表面に付着した付着物に対する洗浄効果は高いが、このアルカリ濃度の高い液をチャネルエッチング後のバックチャネル部の微細制御洗浄に用いた場合、バックチャネル表面状態の変化(アルカリ洗浄液の跡がバックチャネル部に残る)により素子特性にばらつきが生じて、表示ムラの発生率が高くなるという問題があった。
【0008】
本発明の目的は、TFTの製造方法において用いられるバッチ式洗浄装置のアルカリ洗浄液を最適化してTFTのバックチャネル部の微細制御によるばらつきを最小化し、表示ムラを低減できる薄膜トランジスタの製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、基板の上に堆積させたゲート絶縁膜の上に半導体膜パターンを形成する工程と、前記半導体膜パターンを覆って前記ゲート絶縁膜の上に金属膜を堆積させた後、前記金属膜をパターニングして前記半導体膜パターンと一部重なるソース・ドレイン電極を形成し、続いて、前記ソース・ドレイン電極をマスクとして前記半導体膜パターンをその表面から一部エッチング除去して半導体膜パターンにバックチャネル領域を形成する工程と、前記基板をアルカリ洗浄槽に浸して前記バックチャネル領域の表面を洗浄すると同時にスライトエッチングする工程とを有する薄膜トランジスタの製造方法であって、前記アルカリ洗浄槽は、第1槽目に第1アルカリ洗浄槽を第2槽目に第2アルカリ洗浄槽を有し、かつ、前記バックチャネル領域の洗浄以外のTFTの洗浄工程でも使用される構成であり、洗浄作業前のアルカリ濃度の初期設定において、前記第1アルカリ洗浄槽は、前記第2アルカリ洗浄槽よりも高いアルカリ濃度に設定される、という構成を基本構成としている。本発明は、以下のような適用形態を有している。
【0010】
まず、前記第1アルカリ洗浄槽のアルカリ濃度がpH12.0〜pH12.5に初期設定されるとき、前記第2アルカリ洗浄槽のアルカリ濃度は、pH10.5〜pH11.5に初期設定される。
【0011】
また、前記アルカリ洗浄槽は、第3槽が液温が40〜50℃の範囲に設定される純水槽、第4槽が液温が22〜28℃の範囲の常温に保たれる純水槽、第5槽がイソプロピルアルコールベーパー乾燥槽である。
【0012】
また、前記アルカリ洗浄液は,水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)を0.34〜0.36重量%含む洗浄液である。
【0013】
また、前記第1アルカリ洗浄槽及び前記第2アルカリ洗浄槽が共に洗浄液液面を所定の範囲の液面に保つためのアルカリ洗浄液補給手段を有する。
【0014】
最後に、前記バックチャネル領域の洗浄以外のTFTの洗浄工程は、ゲート電極形成後のゲート絶縁膜堆積直後及びソース・ドレイン電極形成後の保護絶縁膜堆積直後を含む工程に行われる。
【0015】
【発明の実施の形態】
液晶表示装置のアクティブマトリクス基板に搭載されるチャネル掘り込み型アモルファスシリコン薄膜トランジスタの製造において、本発明の第1の特徴は、チャネルドライエッチング後のアルカリ性洗浄液を用いた複数のアルカリ洗浄槽を有するバッチ式洗浄装置による洗浄工程で、最後尾のアルカリ洗浄槽のpHをその前のアルカリ洗浄槽のpHより低くする(アルカリ濃度を低くする)ことを特徴とする。
【0016】
また、本発明の第2の特徴は、チャネル掘り込み型アモルファスシリコン薄膜トランジスタの製造において、チャネルドライエッチング後のアルカリ性洗浄液を用いた複数の洗浄槽を有するバッチ式洗浄装置による洗浄工程で、最後尾のアルカリ洗浄槽の初期pHを10.5〜11.5の範囲内に設定することを特徴とする。
【0017】
次に、本発明の薄膜トランジスタの製造方法の実施形態について説明する。図1は、バッチ式洗浄装置の洗浄フローを示す洗浄工程フローである。図2は、バッチ式洗浄装置のアルカリ洗浄槽のアルカリ洗浄液に浸漬する基板のTFT近傍の断面図である。バッチ式洗浄装置の構成を説明する前に、薄膜トランジスタの製造方法において、本発明によるバッチ式洗浄装置が用いられるまでの基板の製造方法について、図2を参照して基板の構造を説明する。
【0018】
まず、ガラス等の材料からなる基板2の上にはクロムからなるゲート電極3が形成され、それを覆ってSiNx(シリコン窒化膜)からなるゲート絶縁膜4が形成されている(図2(a))。
【0019】
次に、ゲート絶縁膜4の上にノンドープアモルファスシリコン(ノンドープa−Si)からなるa−Si層5及びリン等のn型不純物がドープされたn+型a−Si層6を連続して堆積し、ゲート電極3の上方に位置するようにパターニングされてアイランド7となる。続いて、アイランド7の両端上にはクロムからなるソース・ドレイン電極8が形成される(図2(b))。
【0020】
次に、ソース・ドレイン電極8をマスクとしてアイランド7の上層を構成するn+型a−Si層6をドライエッチングにより完全に除去し、a−Si層5の一部までエッチング除去してソース・ドレイン電極8を電気的に分離すると、アイランド7にバックチャネル部9が形成される。この後、バックチャネル部9の掘り込み量の微調整にバッチ式洗浄装置のアルカリ洗浄槽の洗浄を用い、バックチャネル部9は洗浄されつつ、スライトエッチングされる(図2(c))。
【0021】
以上のようにして、チャネル掘り込み型薄膜トランジスタの製造過程において、チャネルドライエッチング後、パッシベーション膜成膜前にアルカリ洗浄液による洗浄を、複数のアルカリ洗浄槽を有するバッチ式洗浄装置を用いて行う。
【0022】
バッチ式洗浄装置100では、図1に示すように、専用カセット1にTFTの形成される基板2を移載後、専用カセット1を第1アルカリ洗浄槽10に浸漬する。第1アルカリ洗浄槽10のアルカリ洗浄液は、TFTのバックチャネル部の表面処理に特に影響するため、高いpHが必要とされる。次に、第2アルカリ洗浄槽20に浸漬するが、この槽の洗浄液のpHが高い場合、アルカリ洗浄液が流れた跡が表示ムラとなって現れる。
【0023】
この表示ムラの現象を確認するために、表1に示す確認実験を行った。
【0024】
【表1】
【0025】
この実験においては、第2アルカリ洗浄槽のアルカリ濃度(pH)が第1アルカリ洗浄槽のアルカリ濃度(pH)以下となる関係を保ちながらそれぞれのアルカリ濃度を変化させ、第1アルカリ洗浄槽及び第2アルカリ洗浄槽の洗浄液で洗浄したサンプルを作成した。さらに、アルカリ洗浄時に、第1アルカリ洗浄槽及び第2アルカリ洗浄槽のうちいずれかの洗浄槽の洗浄液で洗浄しないサンプルも作成した。
【0026】
この実験結果により、第2アルカリ洗浄槽のアルカリ濃度(pH)が第1アルカリ洗浄槽のアルカリ濃度(pH)よりも低く、第1アルカリ洗浄槽及び第2アルカリ洗浄槽の両方の洗浄液で洗浄したサンプルが表示ムラが無く、良好な表示特性を示した。また、さらに実験を繰り返すことにより、第1アルカリ洗浄槽のアルカリ濃度をpH12.0〜pH12.5、第2アルカリ洗浄槽のアルカリ濃度をpH10.5〜pH11.5にそれぞれ初期設定すれば良好な表示特性が得られることがわかった。
【0027】
従って、第1アルカリ洗浄槽10のアルカリ洗浄液はpH12.5(水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)濃度:0.35重量%)、第2アルカリ洗浄槽20のアルカリ洗浄液は、pH12.5のアルカリ洗浄液を純水で希釈してpH11.0に調整(第2アルカリ洗浄槽20のアルカリ洗浄液のアルカリ濃度を、第1アルカリ洗浄槽10のアルカリ洗浄液のアルカリ濃度よりも低くする)してアルカリ洗浄を行う。その後、液温が40〜50℃の範囲に設定される温水の純水槽30、液温が22〜28℃の範囲の常温の純水槽40に浸漬後、イソプロピルアルコール(IPA)ベーパー乾燥槽50にて基板2を乾燥し、TFTのバックチャネル部微細制御処理が完了する。
【0028】
次に、本発明の効果について従来の洗浄方法と比較しながら説明する。
【0029】
アルカリ洗浄液の主成分であるTMAHは、空気中の二酸化炭素を吸収して潮解する性質があるため、大気中に放置するとアルカリ濃度が徐々に低下していく(pHが低下する。ここで、アルカリ濃度(水酸化物イオン濃度)が高い程、pH=−log[H+]の式に基づいて、pH値は大きくなる。)。しかし、従来のバッチ式洗浄装置においては、アルカリ洗浄液のpHの変動は、図4に示されるように、槽毎に異なる。これは、理由の理由による。
【0030】
TFTを製造するに当たって、各工程において基板表面に付着する付着物を除去するために、必要な工程毎にバッチ式洗浄装置による洗浄処理工程を通す。バッチ式洗浄装置による洗浄処理工程では、最初に乾燥した基板2及びカセット1が第1アルカリ洗浄槽10に浸漬された後、第2アルカリ洗浄槽20に移動する際、基板2やカセット1に洗浄液が付着して第2アルカリ洗浄槽20に持ち出されるため第1アルカリ洗浄槽10の洗浄液は徐々に減っていく。これをバッチ式洗浄装置による洗浄処理工程が必要とされる工程毎に繰り返し、アルカリ洗浄液が定量以下になると、自動的にpH12.5の新液が供給されるため、第1アルカリ洗浄槽10のアルカリ洗浄液は、pHの変動がほとんどない。
【0031】
一方、本発明のバッチ式洗浄装置によれば、第2アルカリ洗浄槽20のアルカリ洗浄液はpH12.5の液を純水で希釈し、pH11.0としておく。前述したとおり、第2アルカリ洗浄槽20には第1アルカリ洗浄槽10のアルカリ洗浄液が基板2やカセット1により持ち込まれる。このため、第2アルカリ洗浄槽20は洗浄液の液量がほとんど変化しない。第1アルカリ洗浄槽10から第2アルカリ洗浄槽20に持ち込まれたアルカリ洗浄液はpH約12.5の洗浄液であるため、2槽目の洗浄液はpH約11.0を保つことが出来る(図3)。
【0032】
バッチ式洗浄装置を以上のように初期設定し、チャネルドライエッチング後に、パッシベーション窒化膜成膜前の洗浄としてバッチ式洗浄装置を通せば、2槽目のアルカリ洗浄液のアルカリ濃度が低く(pH11.0)設定されているので、アルカリ洗浄液交換直後の強アルカリ洗浄液(pHが高い洗浄液)による洗浄工程起因の表示ムラが発生しない。
【0033】
1槽目の洗浄液は常に強アルカリ性の性質を保っており、洗浄力がほとんど低下しない(アルカリ洗浄液による洗浄ではアルカリ濃度が高い(pHが高い)程、洗浄力が高い)。さらに、液交換からの時間経過によるアルカリ濃度の変動が少ない(洗浄液2槽共にpHをほぼ一定に保つことが出来る)。
【0034】
また、TFTのバックチャネル部の微細制御以外の洗浄工程においては、第2アルカリ洗浄槽20のアルカリ洗浄液のpHが低いため、基板表面の付着物の除去能力が低下するが、第1アルカリ洗浄槽10での洗浄時間を長くすることにより従来と同様の洗浄効果が得られる。
【0035】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明の薄膜トランジスタの製造方法では、TFT製造工程中に基板表面に付着する付着物を除去するためのアルカリ洗浄液によるバッチ洗浄を行うが、このアルカリ洗浄をTFTのバックチャネル部の微細制御にも用い、2槽のアルカリ洗浄槽のうち、2槽目のアルカリ洗浄槽のアルカリ濃度を1槽目のアルカリ洗浄槽のアルカリ濃度よりも低く設定することにより、バックチャネル部におけるアルカリ洗浄液跡の発生を抑制し、アルカリ洗浄液跡に基因する表示ムラを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態の薄膜トランジスタの製造方法におけるバッチ式洗浄装置の流れを示す概念図である。
【図2】本発明の実施形態の薄膜トランジスタの製造方法を説明するための薄膜トランジスタの製造方法の一部を製造工程順に示す断面図である。
【図3】本発明の実施形態の薄膜トランジスタの製造方法におけるバッチ式洗浄装置のアルカリ洗浄槽のアルカリ濃度の積算時間推移を示すグラフである。
【図4】従来の薄膜トランジスタの製造方法におけるバッチ式洗浄装置のアルカリ洗浄槽のアルカリ濃度の積算時間推移を示すグラフである。
【符号の説明】
1 専用カセット
2 基板
3 ゲート電極
4 ゲート絶縁膜
5 a−Si層
6 n+型a−Si層
7 アイランド
8 ソース・ドレイン電極
9 バックチャネル部
10 第1アルカリ洗浄槽
20 第2アルカリ洗浄槽
30、40 純水洗浄槽
50 IPAベーパー乾燥槽
100 バッチ式洗浄装置
Claims (4)
- 基板の上に堆積させたゲート絶縁膜の上に半導体膜パターンを形成する工程と、前記半導体膜パターンを覆って前記ゲート絶縁膜の上に金属膜を堆積させた後、前記金属膜をパターニングして前記半導体膜パターンと一部重なるソース・ドレイン電極を形成し、続いて、前記ソース・ドレイン電極をマスクとして前記半導体膜パターンをその表面から一部エッチング除去して半導体膜パターンにバックチャネル領域を形成する工程と、前記基板をアルカリ洗浄液に浸して前記バックチャネル領域の表面を洗浄すると同時にスライトエッチングする工程とを有する薄膜トランジスタの製造方法であって、前記アルカリ洗浄液に浸す工程は第1アルカリ洗浄液に浸す工程の次に第2アルカリ洗浄液に浸す工程を含み、洗浄作業前のアルカリ濃度の初期設定において、前記第1アルカリ洗浄液は、前記第2アルカリ洗浄液よりも高いアルカリ濃度に設定されることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記第1アルカリ洗浄液のアルカリ濃度はpH12.0〜pH12.5に初期設定され、前記第2アルカリ洗浄液のアルカリ濃度は、pH10.5〜pH11.5に初期設定される請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記第1アルカリ洗浄液及び前記第2アルカリ洗浄液は,水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)を0.34〜0.36重量%含む洗浄液である請求項1又は2記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記第1アルカリ洗浄液及び前記第2アルカリ洗浄液はそれぞれ第1アルカリ洗浄槽及び第2アルカリ洗浄槽に溜められ、前記第1アルカリ洗浄槽及び前記第2アルカリ洗浄槽が共に洗浄液液面を所定の範囲の液面に保つためのアルカリ洗浄液補給手段を有する請求項1乃至3のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
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