JP2001015475A - 洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents
洗浄装置及び洗浄方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 洗浄用薬液の寿命を長くすることにより洗浄
コストを低減させた洗浄装置及び洗浄方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る洗浄装置は、所定温度に温
度調節された洗浄液を用いて被処理体を洗浄するもので
ある。この洗浄装置は、前記洗浄液が入れられた洗浄槽
１，２，９と、前記洗浄液を所定温度に温度調節するヒ
ーター２２，２７，３２と、前記ヒーターにより温度調
節された洗浄液を用いて第１の被処理体を洗浄した後、
洗浄処理の行われない状態が予め設定した任意の時間経
過した時に、前記ヒーターを停止し、その後、第２の被
処理体を洗浄する時に前記ヒーターを開始するように制
御する制御部１０と、を具備するものである。これによ
り、洗浄コストを低減し且つ洗浄処理能力の低下を防止
できる。
コストを低減させた洗浄装置及び洗浄方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る洗浄装置は、所定温度に温
度調節された洗浄液を用いて被処理体を洗浄するもので
ある。この洗浄装置は、前記洗浄液が入れられた洗浄槽
１，２，９と、前記洗浄液を所定温度に温度調節するヒ
ーター２２，２７，３２と、前記ヒーターにより温度調
節された洗浄液を用いて第１の被処理体を洗浄した後、
洗浄処理の行われない状態が予め設定した任意の時間経
過した時に、前記ヒーターを停止し、その後、第２の被
処理体を洗浄する時に前記ヒーターを開始するように制
御する制御部１０と、を具備するものである。これによ
り、洗浄コストを低減し且つ洗浄処理能力の低下を防止
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、所定温度に温度調
節された洗浄液を用いて被処理体を洗浄する洗浄装置及
び洗浄方法に関する。
節された洗浄液を用いて被処理体を洗浄する洗浄装置及
び洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来の洗浄装置の一例を説明す
る。
る。
【０００３】この洗浄装置は、被洗浄処理体として半導
体ウエハを洗浄する多槽式のレジスト剥離装置である。
このレジスト剥離装置は、ローダ、薬液槽、水洗槽、リ
ンス槽、乾燥機、アンローダ、及び搬送機等から構成さ
れている。薬液槽としては硫酸過水槽及びアンモニア過
水槽を有している。また、洗浄処理を行う際は、硫酸過
水槽及びアンモニア過水槽は、ヒーターにより一定温度
に調節されている。
体ウエハを洗浄する多槽式のレジスト剥離装置である。
このレジスト剥離装置は、ローダ、薬液槽、水洗槽、リ
ンス槽、乾燥機、アンローダ、及び搬送機等から構成さ
れている。薬液槽としては硫酸過水槽及びアンモニア過
水槽を有している。また、洗浄処理を行う際は、硫酸過
水槽及びアンモニア過水槽は、ヒーターにより一定温度
に調節されている。
【０００４】次に、この洗浄装置において、第1の処理
ロットを硫酸過水槽で洗浄し、アンモニア過水槽で洗浄
した後、１時間後に、第２の処理ロットを硫酸過水槽で
洗浄し、アンモニア過水槽で洗浄する場合について説明
する。
ロットを硫酸過水槽で洗浄し、アンモニア過水槽で洗浄
した後、１時間後に、第２の処理ロットを硫酸過水槽で
洗浄し、アンモニア過水槽で洗浄する場合について説明
する。
【０００５】まず、処理ロット（半導体ウエハ）をロー
ダにセットし、ローダ内の半導体ウエハを搬送機によっ
て硫酸過水槽に搬送し、この硫酸過水槽内で薬液により
ウエハに対して洗浄処理を行う。この後、ウエハを搬送
機により硫酸過水槽から水洗槽に搬送し、この水洗槽内
でウエハに対して水洗処理を行う。
ダにセットし、ローダ内の半導体ウエハを搬送機によっ
て硫酸過水槽に搬送し、この硫酸過水槽内で薬液により
ウエハに対して洗浄処理を行う。この後、ウエハを搬送
機により硫酸過水槽から水洗槽に搬送し、この水洗槽内
でウエハに対して水洗処理を行う。
【０００６】次に、ウエハを搬送機により水洗槽からア
ンモニア過水槽に搬送し、このアンモニア過水槽内で薬
液によりウエハに対して洗浄処理を行う。この後、ウエ
ハを搬送機によりアンモニア過水槽から水洗槽に搬送
し、この水洗槽内でウエハに対して水洗処理を行う。
ンモニア過水槽に搬送し、このアンモニア過水槽内で薬
液によりウエハに対して洗浄処理を行う。この後、ウエ
ハを搬送機によりアンモニア過水槽から水洗槽に搬送
し、この水洗槽内でウエハに対して水洗処理を行う。
【０００７】次に、ウエハを搬送機により水洗槽からリ
ンス槽に搬送し、このリンス槽内でウエハに対してリン
ス処理を行う。この後、ウエハを搬送機によりリンス槽
から乾燥機に搬送し、この乾燥機内でウエハに対して乾
燥処理を行う。次に、ウエハを搬送機により乾燥機から
アンローダに排出する。このようにして、処理ロットに
対する洗浄処理が終了する。
ンス槽に搬送し、このリンス槽内でウエハに対してリン
ス処理を行う。この後、ウエハを搬送機によりリンス槽
から乾燥機に搬送し、この乾燥機内でウエハに対して乾
燥処理を行う。次に、ウエハを搬送機により乾燥機から
アンローダに排出する。このようにして、処理ロットに
対する洗浄処理が終了する。
【０００８】この後、洗浄装置において処理すべきロッ
トがない状態が１時間継続する。この場合においても、
硫酸過水槽及びアンモニア過水槽それぞれの薬液温度が
一定となるように温度調節されている。
トがない状態が１時間継続する。この場合においても、
硫酸過水槽及びアンモニア過水槽それぞれの薬液温度が
一定となるように温度調節されている。
【０００９】次に、第２の処理ロットをローダにセット
し、その後は、上述した第１の処理ロットと同様の手順
で洗浄処理が行われる。
し、その後は、上述した第１の処理ロットと同様の手順
で洗浄処理が行われる。
【００１０】図４は、従来の洗浄装置における薬液槽の
薬液濃度の時間変化、ヒーターのＯＮ／ＯＦＦ及び処理
ロットの有無を示す図である。すなわち、図４は、薬液
槽としてアンモニア過水槽を例に取り、処理すべきロッ
トがない状態が一定時間継続したときでも、アンモニア
過水槽のＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏからなる薬液の
温度を一定（６０℃）に保持した場合におけるＮＨ４Ｏ
Ｈ濃度の時間変化を示すグラフ等を示すものである。参
照符号５１は薬液温度の時間変化を示すグラフであり、
参照符号５２はＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ槽（アン
モニア過水槽）中のＮＨ４ＯＨ濃度の時間変化を示すグ
ラフである。
薬液濃度の時間変化、ヒーターのＯＮ／ＯＦＦ及び処理
ロットの有無を示す図である。すなわち、図４は、薬液
槽としてアンモニア過水槽を例に取り、処理すべきロッ
トがない状態が一定時間継続したときでも、アンモニア
過水槽のＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏからなる薬液の
温度を一定（６０℃）に保持した場合におけるＮＨ４Ｏ
Ｈ濃度の時間変化を示すグラフ等を示すものである。参
照符号５１は薬液温度の時間変化を示すグラフであり、
参照符号５２はＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ槽（アン
モニア過水槽）中のＮＨ４ＯＨ濃度の時間変化を示すグ
ラフである。
【００１１】従来の洗浄装置において、まず、ＮＨ４Ｏ
Ｈ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏからなる薬液を作成し、アンモニ
ア過水槽のヒーター出力がＯＮされる。薬液の温度が６
０℃に上昇するまではヒーター出力をＯＮとして常時加
熱し、薬液が６０℃に昇温された後は、ヒーター出力の
ＯＮ／ＯＦＦを小刻みに繰り返すことにより、処理ロッ
トの有無に拘わらず薬液温度を常に一定（６０℃）に保
っている。
Ｈ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏからなる薬液を作成し、アンモニ
ア過水槽のヒーター出力がＯＮされる。薬液の温度が６
０℃に上昇するまではヒーター出力をＯＮとして常時加
熱し、薬液が６０℃に昇温された後は、ヒーター出力の
ＯＮ／ＯＦＦを小刻みに繰り返すことにより、処理ロッ
トの有無に拘わらず薬液温度を常に一定（６０℃）に保
っている。
【００１２】このように薬液温度を６０℃に保つと、図
４に示すように、ＮＨ４ＯＨ濃度が時間の経過に伴って
減少する。そして、ＮＨ４ＯＨ濃度が図中の点線で示す
薬液使用限界濃度まで低下した時点が、その薬液の寿命
である。なお、ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏからなる
薬液の寿命は、その調合比及び用途にもよるが、常に６
０℃に温調した場合、２〜３時間程度である。
４に示すように、ＮＨ４ＯＨ濃度が時間の経過に伴って
減少する。そして、ＮＨ４ＯＨ濃度が図中の点線で示す
薬液使用限界濃度まで低下した時点が、その薬液の寿命
である。なお、ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏからなる
薬液の寿命は、その調合比及び用途にもよるが、常に６
０℃に温調した場合、２〜３時間程度である。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、上記
従来の洗浄装置では、処理すべきロットの有無に拘わら
ず、薬液槽の薬液温度を一定に保っているため、薬液が
比較的速く蒸発し、薬液の寿命が短くなってしまう。ま
た、処理すべきロットがない状態が長く続くと、ほとん
どロットの洗浄処理を行わないのに、薬液の蒸発による
薬液の組成の変化によって薬液を交換しなければならな
いことがある。また、処理すべきロットがない状態でも
薬液槽のヒーター加熱による温調を行うと、無駄な電力
を消費することとなる。
従来の洗浄装置では、処理すべきロットの有無に拘わら
ず、薬液槽の薬液温度を一定に保っているため、薬液が
比較的速く蒸発し、薬液の寿命が短くなってしまう。ま
た、処理すべきロットがない状態が長く続くと、ほとん
どロットの洗浄処理を行わないのに、薬液の蒸発による
薬液の組成の変化によって薬液を交換しなければならな
いことがある。また、処理すべきロットがない状態でも
薬液槽のヒーター加熱による温調を行うと、無駄な電力
を消費することとなる。
【００１４】次に、上記のような問題点をさらに具体的
に説明する。
に説明する。
【００１５】図３は、アンモニア過水槽中のＮＨ４ＯＨ
／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏからなる薬液中のＮＨ４ＯＨ濃度と
経過時間との関係を示すグラフである。図中の参照符号
４４は、薬液温度を６０℃に保持した場合のＮＨ４ＯＨ
濃度の時間変化を示すグラフである。参照符号４５は、
薬液温度を４０℃に保持した場合のＮＨ４ＯＨ濃度の時
間変化を示すグラフである。
／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏからなる薬液中のＮＨ４ＯＨ濃度と
経過時間との関係を示すグラフである。図中の参照符号
４４は、薬液温度を６０℃に保持した場合のＮＨ４ＯＨ
濃度の時間変化を示すグラフである。参照符号４５は、
薬液温度を４０℃に保持した場合のＮＨ４ＯＨ濃度の時
間変化を示すグラフである。
【００１６】ここでアンモニア過水槽中のＮＨ４ＯＨ濃
度に注目しているのは、ＮＨ４ＯＨが特に蒸発しやすい
からである。この薬液の場合は、ＮＨ４ＯＨ濃度が下が
ることに伴いその薬液の洗浄能力が低下していき、ＮＨ
４ＯＨ濃度が薬液使用限界濃度まで低下すると、洗浄液
としての機能を発揮できなくなる。従って、前述したよ
うにアンモニア過水槽の薬液を常に６０℃に温調した場
合、その薬液中のＮＨ４ＯＨ濃度が薬液使用限界濃度に
達するまでに経過した時間がその薬液の使用限界時間
（薬液の寿命）となる。
度に注目しているのは、ＮＨ４ＯＨが特に蒸発しやすい
からである。この薬液の場合は、ＮＨ４ＯＨ濃度が下が
ることに伴いその薬液の洗浄能力が低下していき、ＮＨ
４ＯＨ濃度が薬液使用限界濃度まで低下すると、洗浄液
としての機能を発揮できなくなる。従って、前述したよ
うにアンモニア過水槽の薬液を常に６０℃に温調した場
合、その薬液中のＮＨ４ＯＨ濃度が薬液使用限界濃度に
達するまでに経過した時間がその薬液の使用限界時間
（薬液の寿命）となる。
【００１７】図３から、薬液温度を６０℃に保持した場
合の方が、薬液温度を４０℃に保持した場合よりグラフ
の傾きが大きくなり、薬液の寿命が短くなることが分か
る。薬液の温度が高いほど蒸発量が多くなるからであ
る。従って、処理すべきロットの有無に拘わらず、薬液
槽の薬液温度を一定に保つと、それだけ薬液が速く蒸発
し、薬液の寿命が短くなってしまう。
合の方が、薬液温度を４０℃に保持した場合よりグラフ
の傾きが大きくなり、薬液の寿命が短くなることが分か
る。薬液の温度が高いほど蒸発量が多くなるからであ
る。従って、処理すべきロットの有無に拘わらず、薬液
槽の薬液温度を一定に保つと、それだけ薬液が速く蒸発
し、薬液の寿命が短くなってしまう。
【００１８】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、洗浄用薬液の寿命を長く
することにより洗浄コストを低減させた洗浄装置及び洗
浄方法を提供することにある。特には、洗浄コストを低
減し且つ洗浄処理能力の低下を防止できる洗浄装置及び
洗浄方法を提供することにある。
れたものであり、その目的は、洗浄用薬液の寿命を長く
することにより洗浄コストを低減させた洗浄装置及び洗
浄方法を提供することにある。特には、洗浄コストを低
減し且つ洗浄処理能力の低下を防止できる洗浄装置及び
洗浄方法を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る洗浄方法は、洗浄装置において洗浄処
理の行われない状態が任意の時間経過した時に、洗浄液
の温度調節を停止するように洗浄装置を設定する工程
と、所定温度に温度調節された洗浄液を用いて第１の被
処理体を洗浄する第１の洗浄工程と、前記第１の洗浄工
程の終了後、予め設定された前記任意の時間が経過した
時に、前記温度調節を停止する工程と、第２の被処理体
を洗浄する時に、前記洗浄液の温度調節を開始し、この
洗浄液を所定温度まで昇温する工程と、この洗浄液を用
いて第２の被処理体を洗浄する第２の洗浄工程と、を具
備することを特徴とする。また、前記洗浄液が、少なく
ともアンモニア水と過酸化水素水と純水を混合した混合
液、又は、少なくとも熱硫酸と過酸化水素水を混合した
混合液であることが好ましい。
め、本発明に係る洗浄方法は、洗浄装置において洗浄処
理の行われない状態が任意の時間経過した時に、洗浄液
の温度調節を停止するように洗浄装置を設定する工程
と、所定温度に温度調節された洗浄液を用いて第１の被
処理体を洗浄する第１の洗浄工程と、前記第１の洗浄工
程の終了後、予め設定された前記任意の時間が経過した
時に、前記温度調節を停止する工程と、第２の被処理体
を洗浄する時に、前記洗浄液の温度調節を開始し、この
洗浄液を所定温度まで昇温する工程と、この洗浄液を用
いて第２の被処理体を洗浄する第２の洗浄工程と、を具
備することを特徴とする。また、前記洗浄液が、少なく
ともアンモニア水と過酸化水素水と純水を混合した混合
液、又は、少なくとも熱硫酸と過酸化水素水を混合した
混合液であることが好ましい。
【００２０】本発明に係る洗浄装置は、所定温度に温度
調節された洗浄液を用いて被処理体を洗浄する洗浄装置
であって、前記洗浄液が入れられた洗浄槽と、前記洗浄
液を所定温度に温度調節する温調手段と、前記温調手段
により温度調節された洗浄液を用いて第１の被処理体を
洗浄した後、洗浄処理の行われない状態が予め設定した
任意の時間経過した時に、前記温調手段を停止し、その
後、第２の被処理体を洗浄する時に前記温調手段を開始
するように制御する制御手段と、を具備することを特徴
とする。また、前記洗浄液が、少なくともアンモニア水
と過酸化水素水と純水を混合した混合液、又は、少なく
とも熱硫酸と過酸化水素水を混合した混合液であること
が好ましい。
調節された洗浄液を用いて被処理体を洗浄する洗浄装置
であって、前記洗浄液が入れられた洗浄槽と、前記洗浄
液を所定温度に温度調節する温調手段と、前記温調手段
により温度調節された洗浄液を用いて第１の被処理体を
洗浄した後、洗浄処理の行われない状態が予め設定した
任意の時間経過した時に、前記温調手段を停止し、その
後、第２の被処理体を洗浄する時に前記温調手段を開始
するように制御する制御手段と、を具備することを特徴
とする。また、前記洗浄液が、少なくともアンモニア水
と過酸化水素水と純水を混合した混合液、又は、少なく
とも熱硫酸と過酸化水素水を混合した混合液であること
が好ましい。
【００２１】上記洗浄装置では、洗浄処理の行われない
状態が任意の時間経過した時に温調手段を停止するため
の任意の時間を予め自由に設定する構成としているた
め、薬液使用量の低減及び使用電力量の削減の効果と、
洗浄装置の処理能力の低下防止効果を得ることができ
る。また、温調手段により温度調節された洗浄液を用い
て第１の被処理体を洗浄した後、洗浄処理の行われない
状態が予め設定した任意の時間経過した時に、前記温調
手段を停止し、その後、第２の被処理体を洗浄する時に
前記温調手段を開始するように制御する制御手段を具備
する。これにより、任意の時間以上に処理すべき被処理
体がない状態が継続する場合は温調手段が停止される。
このため、洗浄処理の行われない状態が継続する際に洗
浄液の温度を下げることができ、その結果、洗浄液の蒸
発を抑制することができる。従って、洗浄液の組成が変
化する速度を低くできるため、薬液の寿命を長くするこ
とができ、洗浄コストを低減できる。
状態が任意の時間経過した時に温調手段を停止するため
の任意の時間を予め自由に設定する構成としているた
め、薬液使用量の低減及び使用電力量の削減の効果と、
洗浄装置の処理能力の低下防止効果を得ることができ
る。また、温調手段により温度調節された洗浄液を用い
て第１の被処理体を洗浄した後、洗浄処理の行われない
状態が予め設定した任意の時間経過した時に、前記温調
手段を停止し、その後、第２の被処理体を洗浄する時に
前記温調手段を開始するように制御する制御手段を具備
する。これにより、任意の時間以上に処理すべき被処理
体がない状態が継続する場合は温調手段が停止される。
このため、洗浄処理の行われない状態が継続する際に洗
浄液の温度を下げることができ、その結果、洗浄液の蒸
発を抑制することができる。従って、洗浄液の組成が変
化する速度を低くできるため、薬液の寿命を長くするこ
とができ、洗浄コストを低減できる。
【００２２】また、本発明に係る洗浄装置においては、
前記洗浄液を用いて洗浄した後に前記被処理体を水洗す
る水洗槽と、前記水洗槽により水洗した後に前記被処理
体をリンスするリンス槽と、前記リンス槽によりリンス
した後に前記被処理体を乾燥させる乾燥機と、前記被処
理体を搬送する搬送機と、をさらに含むことが好まし
い。
前記洗浄液を用いて洗浄した後に前記被処理体を水洗す
る水洗槽と、前記水洗槽により水洗した後に前記被処理
体をリンスするリンス槽と、前記リンス槽によりリンス
した後に前記被処理体を乾燥させる乾燥機と、前記被処
理体を搬送する搬送機と、をさらに含むことが好まし
い。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００２４】図１は、本発明の実施の形態による洗浄装
置の一例を示す構成図である。
置の一例を示す構成図である。
【００２５】この洗浄装置は、被洗浄処理体として半導
体ウエハを洗浄する多槽式のレジスト剥離装置である。
このレジスト剥離装置は、主に、半導体ウエハを本装置
に挿入するローダ３、ウエハ上のレジストを剥離する薬
液槽、薬液を水洗する水洗槽５，１１、リンス槽１３、
スピンドライヤー又はＩＰＡベーパー等を用いた乾燥機
１５、本装置から半導体ウエハを取り出すアンローダ１
７、各処理槽を順次搬送する搬送機７、及び、これらを
制御する制御部１０から構成されている。
体ウエハを洗浄する多槽式のレジスト剥離装置である。
このレジスト剥離装置は、主に、半導体ウエハを本装置
に挿入するローダ３、ウエハ上のレジストを剥離する薬
液槽、薬液を水洗する水洗槽５，１１、リンス槽１３、
スピンドライヤー又はＩＰＡベーパー等を用いた乾燥機
１５、本装置から半導体ウエハを取り出すアンローダ１
７、各処理槽を順次搬送する搬送機７、及び、これらを
制御する制御部１０から構成されている。
【００２６】薬液槽としては、熱硫酸と過酸化水素水を
混合した薬液を有する硫酸過水槽１，２及びアンモニア
水と過酸化水素水と純水を混合した薬液を有するアンモ
ニア過水槽９を用いている。制御部１０は、どの処理槽
でどの程度の時間処理するか、処理槽の温度調節、搬送
機の動き等の本装置全体の制御を行うものである。
混合した薬液を有する硫酸過水槽１，２及びアンモニア
水と過酸化水素水と純水を混合した薬液を有するアンモ
ニア過水槽９を用いている。制御部１０は、どの処理槽
でどの程度の時間処理するか、処理槽の温度調節、搬送
機の動き等の本装置全体の制御を行うものである。
【００２７】これら薬液槽は、槽内で薬液を循環させる
ポンプＰ、薬液の温度調節を行うヒーターＨ及び薬液を
ろ過するフィルターＦを備えている。すなわち、硫酸過
水槽１には配管を介してポンプ２１が接続されており、
このポンプ２１には配管を介してヒーター２２が接続さ
れており，このヒーター２２には配管を介してフィルタ
ー２３が接続されており、このフィルター２３には配管
を介して硫酸過水槽１に接続されている。また、硫酸過
水槽２には配管を介してポンプ２６が接続されており、
このポンプ２６には配管を介してヒーター２７が接続さ
れており，このヒーター２７には配管を介してフィルタ
ー２８が接続されており、このフィルター２８には配管
を介して硫酸過水槽２に接続されている。また、アンモ
ニア過水槽９には配管を介してポンプ３１が接続されて
おり、このポンプ３１には配管を介してヒーター３２が
接続されており，このヒーター３２には配管を介してフ
ィルター３３が接続されており、このフィルター３３に
は配管を介してアンモニア過水槽９に接続されている。
ポンプＰ、薬液の温度調節を行うヒーターＨ及び薬液を
ろ過するフィルターＦを備えている。すなわち、硫酸過
水槽１には配管を介してポンプ２１が接続されており、
このポンプ２１には配管を介してヒーター２２が接続さ
れており，このヒーター２２には配管を介してフィルタ
ー２３が接続されており、このフィルター２３には配管
を介して硫酸過水槽１に接続されている。また、硫酸過
水槽２には配管を介してポンプ２６が接続されており、
このポンプ２６には配管を介してヒーター２７が接続さ
れており，このヒーター２７には配管を介してフィルタ
ー２８が接続されており、このフィルター２８には配管
を介して硫酸過水槽２に接続されている。また、アンモ
ニア過水槽９には配管を介してポンプ３１が接続されて
おり、このポンプ３１には配管を介してヒーター３２が
接続されており，このヒーター３２には配管を介してフ
ィルター３３が接続されており、このフィルター３３に
は配管を介してアンモニア過水槽９に接続されている。
【００２８】次に、上記洗浄装置の動作について説明す
る。ここでは、例えば、３０枚のウエハの第1の処理ロ
ットを硫酸過水槽１，２で洗浄し、アンモニア過水槽９
で洗浄するという設定を制御部１０に入力した後、２時
間経過後に、２０枚のウエハの第２の処理ロットを硫酸
過水槽１，２で洗浄し、アンモニア過水槽９で洗浄する
という設定を制御部１０に入力し、更に、任意のロット
投入待ち時間Ｔを制御部１０に入力して洗浄処理を行う
場合ついて説明する。なお、この洗浄装置では、まず、
各処理槽でのロットの処理時間やどの処理槽で処理を行
うか等の設定を制御部１０に入力するが、この設定に関
しては、上記の設定以外の設定も可能である。また、ロ
ット投入待ち時間Ｔとは、処理すべきロットがない状態
でも薬液槽内の温度調節を行う継続時間である。即ち、
ロット投入待ち時間を例えば１時間とした場合、第１の
処理ロットを処理した後、１時間は薬液槽の温度調節を
行うが、その後は薬液槽の温度調節機能を停止させると
いうものであり、このロット投入待ち時間Ｔは自由に設
定可能とされている。
る。ここでは、例えば、３０枚のウエハの第1の処理ロ
ットを硫酸過水槽１，２で洗浄し、アンモニア過水槽９
で洗浄するという設定を制御部１０に入力した後、２時
間経過後に、２０枚のウエハの第２の処理ロットを硫酸
過水槽１，２で洗浄し、アンモニア過水槽９で洗浄する
という設定を制御部１０に入力し、更に、任意のロット
投入待ち時間Ｔを制御部１０に入力して洗浄処理を行う
場合ついて説明する。なお、この洗浄装置では、まず、
各処理槽でのロットの処理時間やどの処理槽で処理を行
うか等の設定を制御部１０に入力するが、この設定に関
しては、上記の設定以外の設定も可能である。また、ロ
ット投入待ち時間Ｔとは、処理すべきロットがない状態
でも薬液槽内の温度調節を行う継続時間である。即ち、
ロット投入待ち時間を例えば１時間とした場合、第１の
処理ロットを処理した後、１時間は薬液槽の温度調節を
行うが、その後は薬液槽の温度調節機能を停止させると
いうものであり、このロット投入待ち時間Ｔは自由に設
定可能とされている。
【００２９】まず、洗浄装置において、任意のロット投
入待ち時間Ｔを制御部１０に入力し、第1の処理ロット
（レジストを剥離する３０枚の半導体ウエハ）を洗浄す
る設定を制御部１０に入力する。すると、硫酸過水槽
１，２は、ポンプ２１，２６により薬液が配管内を循環
し、その薬液温度がヒーター２２，２７により８０℃〜
１００℃程度に調節されており、アンモニア過水槽９
は、ポンプ３１により薬液が配管内を循環し、その薬液
温度がヒーター３２により６０℃程度に調節されてい
る。
入待ち時間Ｔを制御部１０に入力し、第1の処理ロット
（レジストを剥離する３０枚の半導体ウエハ）を洗浄す
る設定を制御部１０に入力する。すると、硫酸過水槽
１，２は、ポンプ２１，２６により薬液が配管内を循環
し、その薬液温度がヒーター２２，２７により８０℃〜
１００℃程度に調節されており、アンモニア過水槽９
は、ポンプ３１により薬液が配管内を循環し、その薬液
温度がヒーター３２により６０℃程度に調節されてい
る。
【００３０】この後、第１の処理ロットをローダ３にセ
ットし、処理開始の入力を行う。次に、ローダ３内の半
導体ウエハを搬送機７によって硫酸過水槽１に搬送し、
この硫酸過水槽１内で８０℃〜１００℃程度に温調され
た薬液によりウエハに対して所定時間洗浄処理を行う。
ットし、処理開始の入力を行う。次に、ローダ３内の半
導体ウエハを搬送機７によって硫酸過水槽１に搬送し、
この硫酸過水槽１内で８０℃〜１００℃程度に温調され
た薬液によりウエハに対して所定時間洗浄処理を行う。
【００３１】次に、ウエハを搬送機７により硫酸過水槽
１から硫酸過水槽２に搬送し、この硫酸過水槽２内で８
０℃〜１００℃程度に温調された薬液によりウエハに対
して所定時間洗浄処理を行う。この後、ウエハを搬送機
７により硫酸過水槽１から水洗槽５に搬送し、この水洗
槽５内でウエハに対して所定時間水洗処理を行う。
１から硫酸過水槽２に搬送し、この硫酸過水槽２内で８
０℃〜１００℃程度に温調された薬液によりウエハに対
して所定時間洗浄処理を行う。この後、ウエハを搬送機
７により硫酸過水槽１から水洗槽５に搬送し、この水洗
槽５内でウエハに対して所定時間水洗処理を行う。
【００３２】次に、ウエハを搬送機７により水洗槽５か
らアンモニア過水槽９に搬送し、このアンモニア過水槽
９内で６０℃程度の薬液によりウエハに対して所定時間
洗浄処理を行う。この後、ウエハを搬送機７によりアン
モニア過水槽９から水洗槽１１に搬送し、この水洗槽１
１内でウエハに対して所定時間水洗処理を行う。
らアンモニア過水槽９に搬送し、このアンモニア過水槽
９内で６０℃程度の薬液によりウエハに対して所定時間
洗浄処理を行う。この後、ウエハを搬送機７によりアン
モニア過水槽９から水洗槽１１に搬送し、この水洗槽１
１内でウエハに対して所定時間水洗処理を行う。
【００３３】次に、ウエハを搬送機７により水洗槽１１
からリンス槽１３に搬送し、このリンス槽１３内でウエ
ハに対して所定時間リンス処理を行う。この後、ウエハ
を搬送機７によりリンス槽１３から乾燥機１５に搬送
し、この乾燥機１５内でウエハに対して所定時間乾燥処
理を行う。次に、ウエハを搬送機７により乾燥機１５か
らアンローダ１７に排出する。このようにして、３０枚
のウエハの処理ロットに対する洗浄処理が終了する。
からリンス槽１３に搬送し、このリンス槽１３内でウエ
ハに対して所定時間リンス処理を行う。この後、ウエハ
を搬送機７によりリンス槽１３から乾燥機１５に搬送
し、この乾燥機１５内でウエハに対して所定時間乾燥処
理を行う。次に、ウエハを搬送機７により乾燥機１５か
らアンローダ１７に排出する。このようにして、３０枚
のウエハの処理ロットに対する洗浄処理が終了する。
【００３４】この後、洗浄装置において処理すべきロッ
トがない状態が開始され、その状態がＴ時間（ロット投
入待ち時間）だけ経過すると、制御部１０からの指令に
より硫酸過水槽１，２及びアンモニア過水槽９それぞれ
のヒーター２２，２７，３２の出力を自動的にＯＦＦ
し、これら硫酸過水槽１，２、アンモニア過水槽９の温
調機能を停止する。これにより、硫酸過水槽１，２及び
アンモニア過水槽９それぞれの薬液の温度は徐々に低下
していく。
トがない状態が開始され、その状態がＴ時間（ロット投
入待ち時間）だけ経過すると、制御部１０からの指令に
より硫酸過水槽１，２及びアンモニア過水槽９それぞれ
のヒーター２２，２７，３２の出力を自動的にＯＦＦ
し、これら硫酸過水槽１，２、アンモニア過水槽９の温
調機能を停止する。これにより、硫酸過水槽１，２及び
アンモニア過水槽９それぞれの薬液の温度は徐々に低下
していく。
【００３５】上記温調機能を停止した後、（２時間−Ｔ
時間）経過後に、洗浄装置において、第２の処理ロット
（レジストを剥離する２０枚の半導体ウエハ）を洗浄す
る設定を制御部１０に入力する。すると、制御部１０か
らの指令により硫酸過水槽１，２及びアンモニア過水槽
９それぞれのヒーター２２，２７，３２の出力が自動的
にＯＮされ、これら過水槽１，２，９それぞれの温調機
能が再開される。これにより、硫酸過水槽１，２の薬液
温度を８０℃〜１００℃程度まで昇温し、アンモニア過
水槽９の薬液温度を６０℃程度まで昇温する。これと共
に、第２の処理ロット（２０枚の半導体ウエハ）をロー
ダ３にセットする。この後は、上述した第１の処理ロッ
トと同様の流れで洗浄処理が行われる。
時間）経過後に、洗浄装置において、第２の処理ロット
（レジストを剥離する２０枚の半導体ウエハ）を洗浄す
る設定を制御部１０に入力する。すると、制御部１０か
らの指令により硫酸過水槽１，２及びアンモニア過水槽
９それぞれのヒーター２２，２７，３２の出力が自動的
にＯＮされ、これら過水槽１，２，９それぞれの温調機
能が再開される。これにより、硫酸過水槽１，２の薬液
温度を８０℃〜１００℃程度まで昇温し、アンモニア過
水槽９の薬液温度を６０℃程度まで昇温する。これと共
に、第２の処理ロット（２０枚の半導体ウエハ）をロー
ダ３にセットする。この後は、上述した第１の処理ロッ
トと同様の流れで洗浄処理が行われる。
【００３６】そして、第２の処理ロットの洗浄処理が終
了した後、洗浄装置において処理すべきロットがない状
態が開始され、その状態がＴ時間（ロット投入待ち時
間）だけ経過すると、制御部１０からの指令によりアン
モニア過水槽９のヒーター３２の出力を自動的にＯＦＦ
し、このアンモニア過水槽９の温調機能を停止する。
了した後、洗浄装置において処理すべきロットがない状
態が開始され、その状態がＴ時間（ロット投入待ち時
間）だけ経過すると、制御部１０からの指令によりアン
モニア過水槽９のヒーター３２の出力を自動的にＯＦＦ
し、このアンモニア過水槽９の温調機能を停止する。
【００３７】上記実施の形態によれば、洗浄装置におい
て処理すべきロットがない状態がＴ時間（ロット投入待
ち時間）継続した場合は、硫酸過水槽１，２及びアンモ
ニア過水槽９それぞれの温調機能を停止させるように本
装置を制御する制御部１０を備えている。このため、上
記Ｔ時間以上に処理すべきロットがない状態が継続する
場合は硫酸過水槽１，２及びアンモニア過水槽９それぞ
れの温調機能が停止される。これにより、それらの薬液
温度を下げることができ、その結果、薬液の蒸発を抑制
することができる。従って、薬液の組成が変化する速度
を低くできるため、薬液の寿命を延ばすことができ、薬
液使用量を低減できる。
て処理すべきロットがない状態がＴ時間（ロット投入待
ち時間）継続した場合は、硫酸過水槽１，２及びアンモ
ニア過水槽９それぞれの温調機能を停止させるように本
装置を制御する制御部１０を備えている。このため、上
記Ｔ時間以上に処理すべきロットがない状態が継続する
場合は硫酸過水槽１，２及びアンモニア過水槽９それぞ
れの温調機能が停止される。これにより、それらの薬液
温度を下げることができ、その結果、薬液の蒸発を抑制
することができる。従って、薬液の組成が変化する速度
を低くできるため、薬液の寿命を延ばすことができ、薬
液使用量を低減できる。
【００３８】また、処理すべきロットがない状態がＴ時
間継続した場合に薬液槽の温調機能を停止させることに
より、無駄なヒーター加熱を少なくでき、洗浄装置にお
ける使用電力を削減できる。
間継続した場合に薬液槽の温調機能を停止させることに
より、無駄なヒーター加熱を少なくでき、洗浄装置にお
ける使用電力を削減できる。
【００３９】また、洗浄装置において上述した薬液使用
量及び電力使用量を低減するような温調モードを実施し
た際、処理すべきロットがない状態の継続時間（本実施
の形態では２時間を例にとり説明している）の変動によ
って、適切なロット投入待ち時間も変化するはずであ
る。言い換えると、どの程度のロット数の処理をどの程
度の間隔で行うかという装置の負荷（又は生産ラインの
負荷）状況によっては、適切なロット投入待ち時間も変
化するので、ロット投入待ち時間を固定値にしておくの
は適切でない。そこで、本実施の形態では、更に、ロッ
ト投入待ち時間Ｔを任意に設定できる制御部１０を備
え、洗浄装置の負荷（生産ラインの負荷）に応じて適切
なロット投入待ち時間を自由に設定可能としている。こ
のため、薬液使用量の低減効果及び使用電力量の削減効
果と、洗浄装置の処理能力の低下防止効果をバランス良
く得ることができる。この効果については、以下に図２
を参照しつつ詳細に説明する。
量及び電力使用量を低減するような温調モードを実施し
た際、処理すべきロットがない状態の継続時間（本実施
の形態では２時間を例にとり説明している）の変動によ
って、適切なロット投入待ち時間も変化するはずであ
る。言い換えると、どの程度のロット数の処理をどの程
度の間隔で行うかという装置の負荷（又は生産ラインの
負荷）状況によっては、適切なロット投入待ち時間も変
化するので、ロット投入待ち時間を固定値にしておくの
は適切でない。そこで、本実施の形態では、更に、ロッ
ト投入待ち時間Ｔを任意に設定できる制御部１０を備
え、洗浄装置の負荷（生産ラインの負荷）に応じて適切
なロット投入待ち時間を自由に設定可能としている。こ
のため、薬液使用量の低減効果及び使用電力量の削減効
果と、洗浄装置の処理能力の低下防止効果をバランス良
く得ることができる。この効果については、以下に図２
を参照しつつ詳細に説明する。
【００４０】図２は、図１に示す制御部にロット投入待
ち時間Ｔ４，Ｔ４’を入力した場合における薬液濃度の
時間変化、ヒーターのＯＮ／ＯＦＦ及び処理ロットの有
無を示す図である。すなわち、図２は、薬液槽としてア
ンモニア過水槽９を例に取り、処理すべきロットがない
状態が開始された後、ロット投入待ち時間Ｔ４，Ｔ４’
を経過した時に、アンモニア過水槽９の温調機能を停止
させた場合のＮＨ４ＯＨ濃度の時間変化を示すグラフ等
を示すものである。参照符号３８，４１は薬液温度の時
間変化を示すグラフである。参照符号３９，４２はＮＨ
４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ槽（アンモニア過水槽９）中
のＮＨ４ＯＨ濃度の時間変化を示すグラフである。参照
符号４３は薬液温度を常に６０℃に保持した場合に薬液
中でＮＨ４ＯＨ濃度が低下する速度を示すグラフである
図１の洗浄装置のアンモニア過水槽９において、まず、
ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏからなる薬液を作成し、
処理すべきロットがある場合、アンモニア過水槽９のヒ
ーター３２がＯＮされる。これにより、アンモニア過水
槽９内の薬液の温度が上昇し、薬液が６０℃まで昇温さ
れた後は、薬液温度を一定（６０℃）に保つためにヒー
ター３２のＯＮ／ＯＦＦが繰り返される。
ち時間Ｔ４，Ｔ４’を入力した場合における薬液濃度の
時間変化、ヒーターのＯＮ／ＯＦＦ及び処理ロットの有
無を示す図である。すなわち、図２は、薬液槽としてア
ンモニア過水槽９を例に取り、処理すべきロットがない
状態が開始された後、ロット投入待ち時間Ｔ４，Ｔ４’
を経過した時に、アンモニア過水槽９の温調機能を停止
させた場合のＮＨ４ＯＨ濃度の時間変化を示すグラフ等
を示すものである。参照符号３８，４１は薬液温度の時
間変化を示すグラフである。参照符号３９，４２はＮＨ
４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ槽（アンモニア過水槽９）中
のＮＨ４ＯＨ濃度の時間変化を示すグラフである。参照
符号４３は薬液温度を常に６０℃に保持した場合に薬液
中でＮＨ４ＯＨ濃度が低下する速度を示すグラフである
図１の洗浄装置のアンモニア過水槽９において、まず、
ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏからなる薬液を作成し、
処理すべきロットがある場合、アンモニア過水槽９のヒ
ーター３２がＯＮされる。これにより、アンモニア過水
槽９内の薬液の温度が上昇し、薬液が６０℃まで昇温さ
れた後は、薬液温度を一定（６０℃）に保つためにヒー
ター３２のＯＮ／ＯＦＦが繰り返される。
【００４１】この後、次の処理ロットが投入されなけれ
ば、洗浄装置での処理ロットがすべて処理終了した時点
から、洗浄装置において処理ロットがない状態が開始す
る。
ば、洗浄装置での処理ロットがすべて処理終了した時点
から、洗浄装置において処理ロットがない状態が開始す
る。
【００４２】ここで、装置の負荷（生産ラインの負荷）
が少ない場合には、処理ロットが連続して投入される確
率は低く、次のロットが投入されるまでの空き時間は比
較的長くなる（処理ロット投入のインターバルは長くな
る）。このような場合には予めロット投入待ち時間をＴ
４と短く設定しておくことが望ましく、それにより、薬
液温度の下げ幅を大きくして薬液使用量の低減、使用電
力量の削減効果を大きくすることができる。
が少ない場合には、処理ロットが連続して投入される確
率は低く、次のロットが投入されるまでの空き時間は比
較的長くなる（処理ロット投入のインターバルは長くな
る）。このような場合には予めロット投入待ち時間をＴ
４と短く設定しておくことが望ましく、それにより、薬
液温度の下げ幅を大きくして薬液使用量の低減、使用電
力量の削減効果を大きくすることができる。
【００４３】すなわち、処理ロットがない状態が開始し
た後、ロット投入待ち時間Ｔ４を経過した時、制御部１
０からの指令により温調機能が停止され、ヒーター３２
の出力がＯＦＦされ、その後、薬液の温度が徐々に低下
していく（図２の参照符号４１）。このように薬液温度
が低下していくに従い、ＮＨ４ＯＨ濃度の低下速度も緩
やかなものとなる（図２の参照符号４２）。従って、薬
液温度を常に６０℃に保持した場合にＮＨ４ＯＨ濃度が
低下する速度を示すグラフ４３に比べて、薬液温度が低
下している分だけＮＨ４ＯＨ濃度の低下速度が遅くなっ
ている。
た後、ロット投入待ち時間Ｔ４を経過した時、制御部１
０からの指令により温調機能が停止され、ヒーター３２
の出力がＯＦＦされ、その後、薬液の温度が徐々に低下
していく（図２の参照符号４１）。このように薬液温度
が低下していくに従い、ＮＨ４ＯＨ濃度の低下速度も緩
やかなものとなる（図２の参照符号４２）。従って、薬
液温度を常に６０℃に保持した場合にＮＨ４ＯＨ濃度が
低下する速度を示すグラフ４３に比べて、薬液温度が低
下している分だけＮＨ４ＯＨ濃度の低下速度が遅くなっ
ている。
【００４４】次に、時間Ｔ２経過した時、洗浄装置にロ
ットが投入され、ロットの処理が開始される。この時点
（洗浄装置にロット処理開始の入力を行った時点又は洗
浄装置に洗浄条件などの設定操作を行った時点）で、再
び薬液槽の温調機能が自動的に開始される。このロット
投入時には、薬液温度がかなり下がっているため、ロッ
トを処理するための昇温待ち時間Ｔ３は少し長くなって
しまうが、装置（生産ライン）の負荷が少ないため、そ
れ程問題とならない。そして、薬液温度が６０℃に達す
るまでの間（時間Ｔ３）は、ヒーター３２の出力がＯＮ
のままとなり、薬液温度の昇温に伴い蒸発によるＮＨ４
ＯＨ濃度の低下速度が再び大きくなる（参照符号４
２）。その後は、薬液温度を一定に保つためにヒーター
３２の出力は小刻みにＯＮ／ＯＦＦを繰り返す。
ットが投入され、ロットの処理が開始される。この時点
（洗浄装置にロット処理開始の入力を行った時点又は洗
浄装置に洗浄条件などの設定操作を行った時点）で、再
び薬液槽の温調機能が自動的に開始される。このロット
投入時には、薬液温度がかなり下がっているため、ロッ
トを処理するための昇温待ち時間Ｔ３は少し長くなって
しまうが、装置（生産ライン）の負荷が少ないため、そ
れ程問題とならない。そして、薬液温度が６０℃に達す
るまでの間（時間Ｔ３）は、ヒーター３２の出力がＯＮ
のままとなり、薬液温度の昇温に伴い蒸発によるＮＨ４
ＯＨ濃度の低下速度が再び大きくなる（参照符号４
２）。その後は、薬液温度を一定に保つためにヒーター
３２の出力は小刻みにＯＮ／ＯＦＦを繰り返す。
【００４５】また逆に、装置の負荷（生産ラインの負
荷）が多い時には、処理ロットが連続して投入される確
率が高く、次のロットが投入されるまでの空き時間は短
くなる（処理ロット投入のインターバルは短くなる）。
このような場合には予めロット投入待ち時間をＴ４’と
長く設定しておくことが望ましく、それにより、薬液温
度の下げ幅を小さくして次ロット処理時の薬液昇温待ち
時間Ｔ３’を短くし、洗浄装置の処理能力の低下を防止
することができる。
荷）が多い時には、処理ロットが連続して投入される確
率が高く、次のロットが投入されるまでの空き時間は短
くなる（処理ロット投入のインターバルは短くなる）。
このような場合には予めロット投入待ち時間をＴ４’と
長く設定しておくことが望ましく、それにより、薬液温
度の下げ幅を小さくして次ロット処理時の薬液昇温待ち
時間Ｔ３’を短くし、洗浄装置の処理能力の低下を防止
することができる。
【００４６】すなわち、処理ロットがない状態が開始し
た後、ロット投入待ち時間Ｔ４’を経過した時、制御部
１０からの指令により温調機能が停止され、ヒーター３
２の出力がＯＦＦされ、その後、薬液の温度が徐々に低
下していく（図２の参照符号３８）。このように薬液温
度が低下していくに従い、ＮＨ４ＯＨ濃度の低下速度も
緩やかなものとなる（図２の参照符号３９）。従って、
薬液温度を常に６０℃に保持した場合にＮＨ４ＯＨ濃度
が低下する速度を示すグラフ４３に比べて、薬液温度が
低下している分だけＮＨ４ＯＨ濃度の低下速度が遅くな
っている。
た後、ロット投入待ち時間Ｔ４’を経過した時、制御部
１０からの指令により温調機能が停止され、ヒーター３
２の出力がＯＦＦされ、その後、薬液の温度が徐々に低
下していく（図２の参照符号３８）。このように薬液温
度が低下していくに従い、ＮＨ４ＯＨ濃度の低下速度も
緩やかなものとなる（図２の参照符号３９）。従って、
薬液温度を常に６０℃に保持した場合にＮＨ４ＯＨ濃度
が低下する速度を示すグラフ４３に比べて、薬液温度が
低下している分だけＮＨ４ＯＨ濃度の低下速度が遅くな
っている。
【００４７】次に、時間Ｔ２’経過した時、洗浄装置に
ロットが投入され、ロットの処理が開始される。この時
点（洗浄装置にロット処理開始の入力を行った時点又は
洗浄装置に洗浄条件などの設定操作を行った時点）で、
再び薬液槽の温調機能が自動的に開始される。このロッ
ト投入時には、薬液温度があまり下がっていないため、
ロットを処理するための昇温待ち時間Ｔ３’を短くする
ことができ、洗浄装置の処理能力の低下を防止すること
ができる。但し、ロット投入待ち時間Ｔ４’を長くして
いるため、薬液温度を十分に下げることができず、薬液
使用量の低減効果及び使用電力量の削減効果は少なくな
るが、装置（生産ライン）の負荷が多いため、洗浄装置
の処理能力を重視したものである。そして、薬液温度が
６０℃に達するまでの間（時間Ｔ３’）は、ヒーター３
２の出力がＯＮのままとなり、薬液温度の昇温に伴い蒸
発によるＮＨ４ＯＨ濃度の低下速度が再び大きくなる
（参照符号３９）。その後は、薬液温度を一定に保つた
めにヒーター３２の出力は小刻みにＯＮ／ＯＦＦを繰り
返す。
ロットが投入され、ロットの処理が開始される。この時
点（洗浄装置にロット処理開始の入力を行った時点又は
洗浄装置に洗浄条件などの設定操作を行った時点）で、
再び薬液槽の温調機能が自動的に開始される。このロッ
ト投入時には、薬液温度があまり下がっていないため、
ロットを処理するための昇温待ち時間Ｔ３’を短くする
ことができ、洗浄装置の処理能力の低下を防止すること
ができる。但し、ロット投入待ち時間Ｔ４’を長くして
いるため、薬液温度を十分に下げることができず、薬液
使用量の低減効果及び使用電力量の削減効果は少なくな
るが、装置（生産ライン）の負荷が多いため、洗浄装置
の処理能力を重視したものである。そして、薬液温度が
６０℃に達するまでの間（時間Ｔ３’）は、ヒーター３
２の出力がＯＮのままとなり、薬液温度の昇温に伴い蒸
発によるＮＨ４ＯＨ濃度の低下速度が再び大きくなる
（参照符号３９）。その後は、薬液温度を一定に保つた
めにヒーター３２の出力は小刻みにＯＮ／ＯＦＦを繰り
返す。
【００４８】図２によれば、洗浄装置（又は生産ライ
ン）の負荷が多い場合に、次ロット処理のための薬液の
昇温時間があまり長くなってしまうと、洗浄装置の処理
能力（処理速度）が低下してしまうため、ロット投入待
ち時間をＴ４’と長くして薬液の昇温時間Ｔ３’を短く
することが望ましい。これにより、薬液使用量の低減効
果、使用電力量の削減効果は大きく望めないが、装置能
力はあまり犠牲にならず、装置能力の低減を防止でき
る。一方、洗浄装置の負荷が少ない場合には、洗浄装置
の処理能力が多少低くても問題にならないので、ロット
投入待ち時間をＴ４と短くし、薬液温度の下げ幅を大き
くすることが望ましい。これにより、洗浄装置の処理能
力は多少犠牲になるが、薬液使用量の低減効果、使用電
力量の削減効果を大きくすることができる。従って、ロ
ット投入待ち時間を任意の時間に自由に設定できる構成
とすることにより、薬液使用量の低減及び使用電力量の
削減の効果と、洗浄装置の処理能力の低下防止効果をバ
ランス良く得ることができ、その時の装置の負荷状況に
応じた最適な温調を実現可能となる。
ン）の負荷が多い場合に、次ロット処理のための薬液の
昇温時間があまり長くなってしまうと、洗浄装置の処理
能力（処理速度）が低下してしまうため、ロット投入待
ち時間をＴ４’と長くして薬液の昇温時間Ｔ３’を短く
することが望ましい。これにより、薬液使用量の低減効
果、使用電力量の削減効果は大きく望めないが、装置能
力はあまり犠牲にならず、装置能力の低減を防止でき
る。一方、洗浄装置の負荷が少ない場合には、洗浄装置
の処理能力が多少低くても問題にならないので、ロット
投入待ち時間をＴ４と短くし、薬液温度の下げ幅を大き
くすることが望ましい。これにより、洗浄装置の処理能
力は多少犠牲になるが、薬液使用量の低減効果、使用電
力量の削減効果を大きくすることができる。従って、ロ
ット投入待ち時間を任意の時間に自由に設定できる構成
とすることにより、薬液使用量の低減及び使用電力量の
削減の効果と、洗浄装置の処理能力の低下防止効果をバ
ランス良く得ることができ、その時の装置の負荷状況に
応じた最適な温調を実現可能となる。
【００４９】また、処理ロットがない状態が一定時間継
続した時、温調機能を停止して薬液温度が低下している
間（時間Ｔ２又はＴ２’）はＮＨ４ＯＨ濃度の低下が緩
やかになるため、従来の洗浄装置のように処理ロットが
ない状態でも常に薬液温度を一定に保持している場合に
比べて薬液の寿命をＴ１期間だけ延長させることができ
る。これにより、薬液の寿命が延長した時間Ｔ１又はＴ
１’分の薬液使用量を削減することができる。
続した時、温調機能を停止して薬液温度が低下している
間（時間Ｔ２又はＴ２’）はＮＨ４ＯＨ濃度の低下が緩
やかになるため、従来の洗浄装置のように処理ロットが
ない状態でも常に薬液温度を一定に保持している場合に
比べて薬液の寿命をＴ１期間だけ延長させることができ
る。これにより、薬液の寿命が延長した時間Ｔ１又はＴ
１’分の薬液使用量を削減することができる。
【００５０】また、時間Ｔ２とＴ３又はＴ２’とＴ３’
の間に薬液温度を一定に保つために温調機能を作動させ
た場合の消費電力（即ち、小刻みにヒーターをＯＮ／Ｏ
ＦＦした場合の消費電力）から、図２に示すように一旦
温度が下がった薬液を６０℃まで昇温するのに必要な消
費電力（即ち、時間Ｔ３又はＴ３’の間に常時ヒーター
をＯＮした場合の消費電力）を差し引いた電力が削減で
きることとなる。
の間に薬液温度を一定に保つために温調機能を作動させ
た場合の消費電力（即ち、小刻みにヒーターをＯＮ／Ｏ
ＦＦした場合の消費電力）から、図２に示すように一旦
温度が下がった薬液を６０℃まで昇温するのに必要な消
費電力（即ち、時間Ｔ３又はＴ３’の間に常時ヒーター
をＯＮした場合の消費電力）を差し引いた電力が削減で
きることとなる。
【００５１】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
前記ロット投入待ち時間Ｔは、洗浄装置の各薬液槽毎
に、その薬液種類、組成、用途、洗浄装置内での位置な
どにより、個別の時間が設定できるようにしておくこと
がさらに望ましい。
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
前記ロット投入待ち時間Ｔは、洗浄装置の各薬液槽毎
に、その薬液種類、組成、用途、洗浄装置内での位置な
どにより、個別の時間が設定できるようにしておくこと
がさらに望ましい。
【００５２】例えば、図１の洗浄装置のアンモニア過水
槽９においては、その成分中のＮＨ４ＯＨが特に蒸発し
やすく、薬液温度が高い程蒸発量も多くなるので、ロッ
ト投入待ち時間Ｔを短く設定しておき早目に温調機能を
切っておくことが望ましい。また、アンモニア過水槽９
は、ロット処理時間の薬液の温調設定温度が６０℃程度
とあまり高くないため、温調機能が停止して薬液温度が
下がっている状態から、温調が再開されて６０℃に達す
るまでの時間（昇温待ち時間Ｔ３）はあまり長くならな
いので、ロット投入待ち時間Ｔを短くしても良いことに
なる。
槽９においては、その成分中のＮＨ４ＯＨが特に蒸発し
やすく、薬液温度が高い程蒸発量も多くなるので、ロッ
ト投入待ち時間Ｔを短く設定しておき早目に温調機能を
切っておくことが望ましい。また、アンモニア過水槽９
は、ロット処理時間の薬液の温調設定温度が６０℃程度
とあまり高くないため、温調機能が停止して薬液温度が
下がっている状態から、温調が再開されて６０℃に達す
るまでの時間（昇温待ち時間Ｔ３）はあまり長くならな
いので、ロット投入待ち時間Ｔを短くしても良いことに
なる。
【００５３】また、各薬液槽の温調機能が停止している
状態から次のロット投入が行われ、温調機能が再開され
た場合に、処理ロットは上流側の処理槽から順次処理さ
れて下流側へ搬送されてくることになるので、洗浄装置
の下流側に配置されているアンモニア過水槽９の昇温待
ち時間Ｔ３は、上流側に配置されている硫酸過水槽１，
２の昇温待ち時間Ｔ３よりも長くても良いことになる。
つまり、アンモニア過水槽９の薬液温度の下げ幅を大き
くしても良いことになる。そのためには、アンモニア過
水槽９のロット投入待ち時間Ｔは、硫酸過水槽１，２の
ロット投入待ち時間Ｔより短い時間に設定しておくこと
により実現できる。
状態から次のロット投入が行われ、温調機能が再開され
た場合に、処理ロットは上流側の処理槽から順次処理さ
れて下流側へ搬送されてくることになるので、洗浄装置
の下流側に配置されているアンモニア過水槽９の昇温待
ち時間Ｔ３は、上流側に配置されている硫酸過水槽１，
２の昇温待ち時間Ｔ３よりも長くても良いことになる。
つまり、アンモニア過水槽９の薬液温度の下げ幅を大き
くしても良いことになる。そのためには、アンモニア過
水槽９のロット投入待ち時間Ｔは、硫酸過水槽１，２の
ロット投入待ち時間Ｔより短い時間に設定しておくこと
により実現できる。
【００５４】同様に硫酸過水槽２についても、硫酸過水
槽１での処理時間分だけ余裕があるため、硫酸過水槽１
よりもロット投入待ち時間Ｔを短い時間に設定しておい
ても良いことになる。
槽１での処理時間分だけ余裕があるため、硫酸過水槽１
よりもロット投入待ち時間Ｔを短い時間に設定しておい
ても良いことになる。
【００５５】このようにロット投入待ち時間Ｔを、洗浄
装置の各薬液槽毎に個別の時間が自由に設定できるよう
にしておくことにより、より効果的な薬液使用量の低
減、使用電力の削減を図ることができる。
装置の各薬液槽毎に個別の時間が自由に設定できるよう
にしておくことにより、より効果的な薬液使用量の低
減、使用電力の削減を図ることができる。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、温
調手段により温度調節された洗浄液を用いて第１の被処
理体を洗浄した後、洗浄処理の行われない状態が予め設
定した任意の時間経過した時に、前記温調手段を停止
し、その後、第２の被処理体を洗浄する時に前記温調手
段を開始するように制御する制御手段を具備する。した
がって、洗浄用薬液の寿命を長くすることができ、洗浄
コストを低減させた洗浄装置及び洗浄方法を提供するこ
とができる。
調手段により温度調節された洗浄液を用いて第１の被処
理体を洗浄した後、洗浄処理の行われない状態が予め設
定した任意の時間経過した時に、前記温調手段を停止
し、その後、第２の被処理体を洗浄する時に前記温調手
段を開始するように制御する制御手段を具備する。した
がって、洗浄用薬液の寿命を長くすることができ、洗浄
コストを低減させた洗浄装置及び洗浄方法を提供するこ
とができる。
【図１】本発明の実施の形態による洗浄装置の一例を示
す構成図である。
す構成図である。
【図２】図１に示す制御部にロット投入待ち時間Ｔ４，
Ｔ４’を入力した場合における薬液濃度の時間変化、ヒ
ーターのＯＮ／ＯＦＦ及び処理ロットの有無を示す図で
ある。
Ｔ４’を入力した場合における薬液濃度の時間変化、ヒ
ーターのＯＮ／ＯＦＦ及び処理ロットの有無を示す図で
ある。
【図３】アンモニア過水槽中のＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／
Ｈ２Ｏからなる薬液中のＮＨ４ＯＨ濃度と経過時間との
関係を示すグラフである。
Ｈ２Ｏからなる薬液中のＮＨ４ＯＨ濃度と経過時間との
関係を示すグラフである。
【図４】従来の洗浄装置における薬液槽の薬液濃度の時
間変化、ヒーターのＯＮ／ＯＦＦ及び処理ロットの有無
を示す図である。
間変化、ヒーターのＯＮ／ＯＦＦ及び処理ロットの有無
を示す図である。
１，２ 硫酸過水槽 ３ ローダ ５ 水洗槽 ７ 搬送機 ９ アンモニア過水槽 １０ 制御部 １１ 水洗槽 １３ リンス槽 １５ 乾燥機 １７ アンローダ ２１ ポンプ ２２ ヒーター ２３ フィルター ２６ ポンプ ２７ ヒーター ２８ フィルター ３１ ポンプ ３２ ヒーター ３３ フィルター ３８，４１ 薬液
温度の時間変化 ３９，４２ 薬液濃度の時間変化
温度の時間変化 ３９，４２ 薬液濃度の時間変化
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｄ
Claims (5)
- 【請求項１】 洗浄装置において洗浄処理の行われない
状態が任意の時間経過した時に、洗浄液の温度調節を停
止するように洗浄装置を設定する工程と、 所定温度に温度調節された洗浄液を用いて第１の被処理
体を洗浄する第１の洗浄工程と、 前記第１の洗浄工程の終了後、予め設定された前記任意
の時間が経過した時に、前記温度調節を停止する工程
と、 第２の被処理体を洗浄する時に、前記洗浄液の温度調節
を開始し、この洗浄液を所定温度まで昇温する工程と、 この洗浄液を用いて第２の被処理体を洗浄する第２の洗
浄工程と、 を具備することを特徴とする洗浄方法。 - 【請求項２】 前記洗浄液が、少なくともアンモニア水
と過酸化水素水と純水を混合した混合液、又は、少なく
とも熱硫酸と過酸化水素水を混合した混合液であること
を特徴とする請求項１記載の洗浄方法。 - 【請求項３】 所定温度に温度調節された洗浄液を用い
て被処理体を洗浄する洗浄装置であって、 前記洗浄液が入れられた洗浄槽と、 前記洗浄液を所定温度に温度調節する温調手段と、 前記温調手段により温度調節された洗浄液を用いて第１
の被処理体を洗浄した後、洗浄処理の行われない状態が
予め設定した任意の時間経過した時に、前記温調手段を
停止し、その後、第２の被処理体を洗浄する時に前記温
調手段を開始するように制御する制御手段と、 を具備することを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項４】 前記洗浄液が、少なくともアンモニア水
と過酸化水素水と純水を混合した混合液、又は、少なく
とも熱硫酸と過酸化水素水を混合した混合液であること
を特徴とする請求項３記載の洗浄装置。 - 【請求項５】 前記洗浄液を用いて洗浄した後に前記被
処理体を水洗する水洗槽と、前記水洗槽により水洗した
後に前記被処理体をリンスするリンス槽と、前記リンス
槽によりリンスした後に前記被処理体を乾燥させる乾燥
機と、前記被処理体を搬送する搬送機と、をさらに含む
ことを特徴とする請求項３又は４記載の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18167999A JP2001015475A (ja) | 1999-06-28 | 1999-06-28 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18167999A JP2001015475A (ja) | 1999-06-28 | 1999-06-28 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001015475A true JP2001015475A (ja) | 2001-01-19 |
Family
ID=16104986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18167999A Pending JP2001015475A (ja) | 1999-06-28 | 1999-06-28 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001015475A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002158361A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-05-31 | Nec Kagoshima Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2005183937A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-07-07 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法およびレジスト除去用洗浄装置 |
| JP2005251806A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体用基板の洗浄方法およびスピン式洗浄装置 |
| JP2010139764A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 塗布型ケイ素含有膜の剥離方法 |
| JP2019212757A (ja) * | 2018-06-05 | 2019-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2020081959A (ja) * | 2018-11-22 | 2020-06-04 | オリンパス株式会社 | 洗浄装置 |
-
1999
- 1999-06-28 JP JP18167999A patent/JP2001015475A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002158361A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-05-31 | Nec Kagoshima Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
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| US8652267B2 (en) | 2008-12-11 | 2014-02-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Coated-type silicon-containing film stripping process |
| KR101518071B1 (ko) | 2008-12-11 | 2015-05-06 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 도포형 규소 함유막의 박리 방법 |
| JP2019212757A (ja) * | 2018-06-05 | 2019-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP7089948B2 (ja) | 2018-06-05 | 2022-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2020081959A (ja) * | 2018-11-22 | 2020-06-04 | オリンパス株式会社 | 洗浄装置 |
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