JP2000294533A - 洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents
洗浄装置及び洗浄方法Info
- Publication number
- JP2000294533A JP2000294533A JP11102035A JP10203599A JP2000294533A JP 2000294533 A JP2000294533 A JP 2000294533A JP 11102035 A JP11102035 A JP 11102035A JP 10203599 A JP10203599 A JP 10203599A JP 2000294533 A JP2000294533 A JP 2000294533A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- temperature
- tank
- chemical
- chemical solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
コストを低減させた洗浄装置及び洗浄方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る洗浄装置は、60℃程度に
温度調節されたアンモニア過水液を用いて半導体ウエハ
を洗浄する洗浄装置であって、アンモニア過水液が入れ
られたアンモニア過水槽9と、アンモニア過水液を60
℃程度に温度調節するヒーター32と、前記ヒーター3
2により温度調節されたアンモニア過水液を用いて第1
のロットを洗浄した後、洗浄処理の行われない状態が所
定時間経過した時に、前記ヒーター32をOFFし、そ
の後、第2のロットを洗浄する時に前記ヒーター32の
出力をONするように制御する制御分10と、を具備す
るものである。
Description
節された洗浄液を用いて被処理体を洗浄する洗浄装置及
び洗浄方法に関する。
る。この洗浄装置は、被洗浄処理体として半導体ウエハ
を洗浄する多槽式のレジスト剥離装置である。このレジ
スト剥離装置は、ローダ、薬液槽、水洗槽、リンス槽、
乾燥機、アンローダ、及び搬送機等から構成されてい
る。薬液槽としては硫酸過水槽及びアンモニア過水槽を
有している。また、洗浄処理を行う際は、硫酸過水槽及
びアンモニア過水槽は、ヒーターにより一定温度に調節
されている。
ロットを硫酸過水槽で洗浄し、アンモニア過水槽で洗浄
した後、1時間後に、第2の処理ロットを硫酸過水槽で
洗浄し、アンモニア過水槽で洗浄する場合について説明
する。
ダにセットし、ローダ内の半導体ウエハを搬送機によっ
て硫酸過水槽に搬送し、この硫酸過水槽内で薬液により
ウエハに対して洗浄処理を行う。この後、ウエハを搬送
機により硫酸過水槽から水洗槽に搬送し、この水洗槽内
でウエハに対して水洗処理を行う。
ンモニア過水槽に搬送し、このアンモニア過水槽内で薬
液によりウエハに対して洗浄処理を行う。この後、ウエ
ハを搬送機によりアンモニア過水槽から水洗槽に搬送
し、この水洗槽内でウエハに対して水洗処理を行う。
ンス槽に搬送し、このリンス槽内でウエハに対してリン
ス処理を行う。この後、ウエハを搬送機によりリンス槽
から乾燥機に搬送し、この乾燥機内でウエハに対して乾
燥処理を行う。次に、ウエハを搬送機により乾燥機から
アンローダに排出する。このようにして、処理ロットに
対する洗浄処理が終了する。
トがない状態が1時間継続する。この場合においても、
硫酸過水槽及びアンモニア過水槽それぞれの薬液温度が
一定となるように温度調節されている。
し、その後は、上述した第1の処理ロットと同様の手順
で洗浄処理が行われる。
薬液濃度の時間変化、ヒーターのON/OFF及び処理
ロットの有無を示す図である。すなわち、図4は、薬液
槽としてアンモニア過水槽を例に取り、処理すべきロッ
トがない状態が一定時間継続したときでも、アンモニア
過水槽のNH4OH/H2O2/H2Oからなる薬液の温度
を一定(60℃)に保持した場合におけるNH4OH濃
度の時間変化を示すグラフ等を示すものである。参照符
号51は薬液温度の時間変化を示すグラフであり、参照
符号52はNH4OH/H2O2/H2O槽(アンモニア過
水槽)中のNH4OH濃度の時間変化を示すグラフであ
る。
H/H2O2/H2Oからなる薬液を作成し、アンモニア
過水槽のヒーター出力がONされる。薬液の温度が60
℃に上昇するまではヒーター出力をONとして常時加熱
し、薬液が60℃に昇温された後は、ヒーター出力のO
N/OFFを小刻みに繰り返すことにより、処理ロット
の有無に拘わらず薬液温度を常に一定(60℃)に保っ
ている。
4に示すように、NH4OH濃度が時間の経過に伴って
減少する。そして、NH4OH濃度が図中の点線で示す
薬液使用限界濃度まで低下した時点が、その薬液の寿命
である。なお、NH4OH/H2O2/H2Oからなる薬液
の寿命は、その調合比及び用途にもよるが、常に60℃
に温調した場合、2〜3時間程度である。
従来の洗浄装置では、処理すべきロットの有無に拘わら
ず、薬液槽の薬液温度を一定に保っているため、薬液が
比較的速く蒸発し、薬液の寿命が短くなってしまう。ま
た、処理すべきロットがない状態が長く続くと、ほとん
どロットの洗浄処理を行わないのに、薬液の蒸発による
薬液の組成の変化によって薬液を交換しなければならな
いことがある。また、処理すべきロットがない状態でも
薬液槽のヒーター加熱による温調を行うと、無駄な電力
を消費することとなる。
に説明する。
/H2O2/H2Oからなる薬液中のNH4OH濃度と経過
時間との関係を示すグラフである。図中の参照符号44
は、薬液温度を60℃に保持した場合のNH4OH濃度
の時間変化を示すグラフである。参照符号45は、薬液
温度を40℃に保持した場合のNH4OH濃度の時間変
化を示すグラフである。
度に注目しているのは、NH4OHが特に蒸発しやすい
からである。この薬液の場合は、NH4OH濃度が下が
ることに伴いその薬液の洗浄能力が低下していき、NH
4OH濃度が薬液使用限界濃度まで低下すると、洗浄液
としての機能を発揮できなくなる。従って、前述したよ
うにアンモニア過水槽の薬液を常に60℃に温調した場
合、その薬液中のNH4OH濃度が薬液使用限界濃度に
達するまでに経過した時間がその薬液の使用限界時間
(薬液の寿命)となる。
合の方が、薬液温度を40℃に保持した場合よりグラフ
の傾きが大きくなり、薬液の寿命が短くなることが分か
る。薬液の温度が高いほど蒸発量が多くなるからであ
る。従って、処理すべきロットの有無に拘わらず、薬液
槽の薬液温度を一定に保つと、それだけ薬液が速く蒸発
し、薬液の寿命が短くなってしまう。
れたものであり、その目的は、洗浄用薬液の寿命を長く
することにより洗浄コストを低減させた洗浄装置及び洗
浄方法を提供することにある。
め、本発明に係る洗浄方法は、所定温度に温度調節され
た洗浄液を用いて第1の被処理体を洗浄する第1の洗浄
工程と、前記第1の洗浄工程の終了後、洗浄処理の行わ
れない状態が所定時間経過した時に、前記温度調節を停
止する工程と、第2の被処理体を洗浄する時に、前記洗
浄液の温度調節を開始し、この洗浄液を所定温度まで昇
温する工程と、この洗浄液を用いて第2の被処理体を洗
浄する第2の洗浄工程と、を具備することを特徴とす
る。また、前記洗浄液が、少なくともアンモニア水と過
酸化水素水と純水を混合した混合液、又は、少なくとも
熱硫酸と過酸化水素水を混合した混合液であることが好
ましい。
調節された洗浄液を用いて被処理体を洗浄する洗浄装置
であって、前記洗浄液が入れられた洗浄槽と、前記洗浄
液を所定温度に温度調節する温調手段と、前記温調手段
により温度調節された洗浄液を用いて第1の被処理体を
洗浄した後、洗浄処理の行われない状態が所定時間経過
した時に、前記温調手段を停止し、その後、第2の被処
理体を洗浄する時に前記温調手段を開始するように制御
する制御手段と、を具備することを特徴とする。また、
前記洗浄液が、少なくともアンモニア水と過酸化水素水
と純水を混合した混合液、又は、少なくとも熱硫酸と過
酸化水素水を混合した混合液であることが好ましい。
節された洗浄液を用いて第1の被処理体を洗浄した後、
洗浄処理の行われない状態が所定時間経過した時に、前
記温調手段を停止し、その後、第2の被処理体を洗浄す
る時に前記温調手段を開始するように制御する制御手段
を具備する。これにより、所定時間以上に処理すべき被
処理体がない状態が継続する場合は温調手段が停止され
る。このため、洗浄処理の行われない状態が継続する際
に洗浄液の温度を下げることができ、その結果、洗浄液
の蒸発を抑制することができる。従って、洗浄液の組成
が変化する速度を低くできるため、薬液の寿命を長くす
ることができ、洗浄コストを低減できる。
液を用いて洗浄した後に前記被処理体を水洗する水洗槽
と、前記水洗槽により水洗した後に前記被処理体をリン
スするリンス槽と、前記リンス槽によりリンスした後に
前記被処理体を乾燥させる乾燥機と、前記被処理体を搬
送する搬送機と、をさらに含むことが好ましい。
施の形態について説明する。
置の一例を示す構成図である。
体ウエハを洗浄する多槽式のレジスト剥離装置である。
このレジスト剥離装置は、主に、半導体ウエハを本装置
に挿入するローダ3、ウエハ上のレジストを剥離する薬
液槽、薬液を水洗する水洗槽5,11、リンス槽13、
スピンドライヤー又はIPAベーパー等を用いた乾燥機
15、本装置から半導体ウエハを取り出すアンローダ1
7、各処理槽を順次搬送する搬送機7、及び、これらを
制御する制御部10から構成されている。
混合した薬液を有する硫酸過水槽1,2及びアンモニア
水と過酸化水素水と純水を混合した薬液を有するアンモ
ニア過水槽9を用いている。制御部10は、どの処理槽
でどの程度の時間処理するか、処理槽の温度調節、搬送
機の動き等の本装置全体の制御を行うものである。
ポンプP、薬液の温度調節を行うヒーターH及び薬液を
ろ過するフィルターFを備えている。すなわち、硫酸過
水槽1には配管を介してポンプ21が接続されており、
このポンプ21には配管を介してヒーター22が接続さ
れており,このヒーター22には配管を介してフィルタ
ー23が接続されており、このフィルター23には配管
を介して硫酸過水槽1に接続されている。また、硫酸過
水槽2には配管を介してポンプ26が接続されており、
このポンプ26には配管を介してヒーター27が接続さ
れており,このヒーター27には配管を介してフィルタ
ー28が接続されており、このフィルター28には配管
を介して硫酸過水槽2に接続されている。また、アンモ
ニア過水槽9には配管を介してポンプ31が接続されて
おり、このポンプ31には配管を介してヒーター32が
接続されており,このヒーター32には配管を介してフ
ィルター33が接続されており、このフィルター33に
は配管を介してアンモニア過水槽9に接続されている。
る。ここでは、例えば、30枚のウエハの第1の処理ロ
ットを硫酸過水槽1,2で洗浄し、アンモニア過水槽9
で洗浄するという設定を制御部10に入力した後、2時
間経過後に、20枚のウエハの第2の処理ロットを硫酸
過水槽1,2で洗浄し、アンモニア過水槽9で洗浄する
という設定を制御部10に入力して洗浄処理を行う場合
ついて説明する。なお、この洗浄装置では、まず、各処
理槽でのロットの処理時間やどの処理槽で処理を行うか
等の設定を制御部10に入力するが、この設定に関して
は、上記の設定以外の設定も可能である。
ト(レジストを剥離する30枚の半導体ウエハ)を洗浄
する設定を制御部10に入力する。すると、硫酸過水槽
1,2は、ポンプ21,26により薬液が配管内を循環
し、その薬液温度がヒーター22,27により80℃〜
100℃程度に調節されており、アンモニア過水槽9
は、ポンプ31により薬液が配管内を循環し、その薬液
温度がヒーター32により60℃程度に調節されてい
る。
ットし、処理開始の入力を行う。次に、ローダ3内の半
導体ウエハを搬送機7によって硫酸過水槽1に搬送し、
この硫酸過水槽1内で80℃〜100℃程度に温調され
た薬液によりウエハに対して所定時間洗浄処理を行う。
1から硫酸過水槽2に搬送し、この硫酸過水槽2内で8
0℃〜100℃程度に温調された薬液によりウエハに対
して所定時間洗浄処理を行う。この後、ウエハを搬送機
7により硫酸過水槽1から水洗槽5に搬送し、この水洗
槽5内でウエハに対して所定時間水洗処理を行う。
らアンモニア過水槽9に搬送し、このアンモニア過水槽
9内で60℃程度の薬液によりウエハに対して所定時間
洗浄処理を行う。この後、ウエハを搬送機7によりアン
モニア過水槽9から水洗槽11に搬送し、この水洗槽1
1内でウエハに対して所定時間水洗処理を行う。
からリンス槽13に搬送し、このリンス槽13内でウエ
ハに対して所定時間リンス処理を行う。この後、ウエハ
を搬送機7によりリンス槽13から乾燥機15に搬送
し、この乾燥機15内でウエハに対して所定時間乾燥処
理を行う。次に、ウエハを搬送機7により乾燥機15か
らアンローダ17に排出する。このようにして、30枚
のウエハの処理ロットに対する洗浄処理が終了する。
トがない状態が開始され、その状態が一定時間(例えば
30分間)継続すると、制御部10からの指令により硫
酸過水槽1,2及びアンモニア過水槽9それぞれのヒー
ター22,27,32の出力を自動的にOFFし、これ
ら硫酸過水槽1,2、アンモニア過水槽9の温調機能を
停止する。これにより、硫酸過水槽1,2及びアンモニ
ア過水槽9それぞれの薬液の温度は徐々に低下してい
く。
過後に、洗浄装置において、第2の処理ロット(レジス
トを剥離する20枚の半導体ウエハ)を洗浄する設定を
制御部10に入力する。すると、制御部10からの指令
により硫酸過水槽1,2及びアンモニア過水槽9それぞ
れのヒーター22,27,32の出力が自動的にONさ
れ、これら過水槽1,2,9それぞれの温調機能が再開
される。これにより、硫酸過水槽1,2の薬液温度を8
0℃〜100℃程度まで昇温し、アンモニア過水槽9の
薬液温度を60℃程度まで昇温する。これと共に、第2
の処理ロット(20枚の半導体ウエハ)をローダ3にセ
ットする。この後は、上述した第1の処理ロットと同様
の流れで洗浄処理が行われる。
了した後、洗浄装置において処理すべきロットがない状
態が開始され、その状態が一定時間(例えば30分間)
継続すると、制御部10からの指令によりアンモニア過
水槽9のヒーター32の出力を自動的にOFFし、この
アンモニア過水槽9の温調機能を停止する。
て処理すべきロットがない状態が一定時間(例えば30
分間)継続した場合は、硫酸過水槽1,2及びアンモニ
ア過水槽9それぞれの温調機能を停止させるように本装
置を制御する制御部10を備えている。このため、上記
一定時間以上に処理すべきロットがない状態が継続する
場合は硫酸過水槽1,2及びアンモニア過水槽9それぞ
れの温調機能が停止される。これにより、それらの薬液
温度を下げることができ、その結果、薬液の蒸発を抑制
することができる。従って、薬液の組成が変化する速度
を低くできるため、薬液の寿命を延ばすことができ、薬
液使用量を低減できる。
時間継続した場合に薬液槽の温調機能を停止させること
により、無駄なヒーター加熱を少なくでき、洗浄装置に
おける使用電力を削減できる。
を停止させた後は薬液を自然冷却しているが、薬液槽の
温調機能を停止させた後の薬液を強制冷却することも可
能である。
とも可能であり、これにより、薬液の蒸発をより抑える
ことができる。
H4OHのみを補充することにより薬液の寿命を延ばす
ことができるが、本実施の形態に併せてこの方法を実施
することにより、薬液の寿命をさらに延長させることが
できる。
中で停止させる場合における薬液濃度の時間変化、ヒー
ターのON/OFF及び処理ロットの有無を示す図であ
る。すなわち、図2は、薬液槽としてアンモニア過水槽
9を例に取り、処理すべきロットがない状態が一定時間
継続した場合に、アンモニア過水槽9の温調機能を停止
させた場合のNH4OH濃度の時間変化を示すグラフ等
を示すものである。参照符号41は薬液温度の時間変化
を示すグラフである。参照符号42はNH4OH/H2O
2/H2O槽(アンモニア過水槽9)中のNH4OH濃度
の時間変化を示すグラフである。参照符号43は薬液温
度を常に60℃に保持した場合に薬液中でNH4OH濃
度が低下する速度を示すグラフである 図1の洗浄装置のアンモニア過水槽9において、まず、
NH4OH/H2O2/H2Oからなる薬液を作成し、処理
すべきロットがある場合、アンモニア過水槽9のヒータ
ー32がONされる。これにより、アンモニア過水槽9
内の薬液の温度が上昇し、薬液が60℃まで昇温された
後は、薬液温度を一定(60℃)に保つためにヒーター
32のON/OFFが繰り返される。
継続すると、制御部10からの指令により温調機能が停
止され、この間(時間T2)はヒーター32の出力がO
FFとされ、薬液の温度が徐々に低下していく。このよ
うに薬液温度が低下していくに従い、NH4OH濃度の
低下速度も緩やかなものとなる。従って、薬液温度を常
に60℃に保持した場合にNH4OH濃度が低下する速
度を示すグラフ43に比べて、薬液温度が低下している
分だけNH4OH濃度の低下速度が遅くなっている。
る時点(洗浄装置にロット処理開始の入力を行った時点
又は洗浄装置に洗浄条件などの設定操作を行った時点)
で、再び薬液槽の温調機能が自動的に開始される。そし
て、薬液温度が60℃に達するまでの間(時間T3)
は、ヒーター32の出力がONのままとなり、薬液温度
の昇温に伴い蒸発によるNH4OH濃度の低下速度が再
び大きくなる。その後は、薬液温度を一定に保つために
ヒーター32の出力は小刻みにON/OFFを繰り返
す。
定時間継続した時、温調機能を停止して薬液温度が低下
している間(時間T2)はNH4OH濃度の低下が緩や
かになるため、従来の洗浄装置のように処理ロットがな
い状態でも常に薬液温度を一定に保持している場合に比
べて薬液の寿命をT1期間だけ延長させることができ
る。これにより、薬液の寿命が延長した時間T1分の薬
液使用量を削減することができる。
定に保つために温調機能を作動させた場合の消費電力
(即ち、小刻みにヒーターをON/OFFした場合の消
費電力)から、図2に示すように一旦温度が下がった薬
液を60℃まで昇温するのに必要な消費電力(即ち、時
間T3の間に常時ヒーターをONした場合の消費電力)
を差し引いた電力が削減できることとなる。なお、時間
T3に比べて時間T2が長いほど消費電力削減の効果が
大きくなる。
ず、種々変更して実施することが可能である。
調手段により温度調節された洗浄液を用いて第1の被処
理体を洗浄した後、洗浄処理の行われない状態が所定時
間経過した時に、前記温調手段を停止し、その後、第2
の被処理体を洗浄する時に前記温調手段を開始するよう
に制御する制御手段を具備する。したがって、洗浄用薬
液の寿命を長くすることができ、洗浄コストを低減させ
た洗浄装置及び洗浄方法を提供することができる。
す構成図である。
る場合における薬液濃度の時間変化、ヒーターのON/
OFF及び処理ロットの有無を示す図である。
Oからなる薬液中のNH4OH濃度と経過時間との関係
を示すグラフである。
間変化、ヒーターのON/OFF及び処理ロットの有無
を示す図である。
時間変化 42 薬液濃度の時間変化
Claims (5)
- 【請求項1】 所定温度に温度調節された洗浄液を用い
て第1の被処理体を洗浄する第1の洗浄工程と、 前記第1の洗浄工程の終了後、洗浄処理の行われない状
態が所定時間経過した時に、前記温度調節を停止する工
程と、 第2の被処理体を洗浄する時に、前記洗浄液の温度調節
を開始し、この洗浄液を所定温度まで昇温する工程と、 この洗浄液を用いて第2の被処理体を洗浄する第2の洗
浄工程と、 を具備することを特徴とする洗浄方法。 - 【請求項2】 前記洗浄液が、少なくともアンモニア水
と過酸化水素水と純水を混合した混合液、又は、少なく
とも熱硫酸と過酸化水素水を混合した混合液であること
を特徴とする請求項1記載の洗浄方法。 - 【請求項3】 所定温度に温度調節された洗浄液を用い
て被処理体を洗浄する洗浄装置であって、 前記洗浄液が入れられた洗浄槽と、 前記洗浄液を所定温度に温度調節する温調手段と、 前記温調手段により温度調節された洗浄液を用いて第1
の被処理体を洗浄した後、洗浄処理の行われない状態が
所定時間経過した時に、前記温調手段を停止し、その
後、第2の被処理体を洗浄する時に前記温調手段を開始
するように制御する制御手段と、 を具備することを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項4】 前記洗浄液が、少なくともアンモニア水
と過酸化水素水と純水を混合した混合液、又は、少なく
とも熱硫酸と過酸化水素水を混合した混合液であること
を特徴とする請求項3記載の洗浄装置。 - 【請求項5】 前記洗浄液を用いて洗浄した後に前記被
処理体を水洗する水洗槽と、前記水洗槽により水洗した
後に前記被処理体をリンスするリンス槽と、前記リンス
槽によりリンスした後に前記被処理体を乾燥させる乾燥
機と、前記被処理体を搬送する搬送機と、をさらに含む
ことを特徴とする請求項3又は4記載の洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11102035A JP2000294533A (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11102035A JP2000294533A (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000294533A true JP2000294533A (ja) | 2000-10-20 |
Family
ID=14316521
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11102035A Pending JP2000294533A (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000294533A (ja) |
-
1999
- 1999-04-09 JP JP11102035A patent/JP2000294533A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4073186B2 (ja) | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム | |
TWI553888B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP3338134B2 (ja) | 半導体ウエハ処理方法 | |
TW201923832A (zh) | 基板處理裝置、基板處理裝置的洗淨方法 | |
JP2006344907A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2009260245A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR102611293B1 (ko) | 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체 | |
JP2005317637A (ja) | 基板処理方法及びその装置 | |
JP2003249476A (ja) | ウェハ洗浄方法 | |
JP2001015475A (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
JP2002210422A (ja) | 被処理基板の洗浄処理装置と洗浄方法 | |
JP2000294533A (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
JP2000294534A (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
JPH0722364A (ja) | ウェハ洗浄方法および装置 | |
JP3430611B2 (ja) | エッチング装置と濃燐酸溶液の処理方法 | |
JP3841641B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JPH05283389A (ja) | 半導体基板洗浄方法 | |
JP2017117938A (ja) | 基板液処理装置および基板液処理方法 | |
JPH05166776A (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法およびその装置 | |
JP3437728B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2003059891A (ja) | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム | |
TW464972B (en) | Wafer cleaning process added with ozone | |
KR100567128B1 (ko) | 웨이퍼 세정 설비 및 이를 이용한 금속 잔유물 제거방법 | |
JPH1079365A (ja) | 半導体装置の洗浄方法 | |
JPH10275796A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050307 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050628 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050824 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050825 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050825 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051025 |