JP2012190855A - 半導体モジュール及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体モジュール100は、高周波チップ10と、高周波チップ10との間に中空部分30を形成しつつ高周波チップ10を覆う絶縁性のキャップ部20と、キャップ部20の高周波チップ10と対向する第1の面21とキャップ部20の第1の面21と反対側の第2の面22とを通る貫通電極40と、キャップ部20上に設けられ、貫通電極40と接続された配線60、61、70、71、80と、キャップ部20上に設けられ、配線60、61、70、71、80の間を充填する絶縁層2、3、4と、を備える。
【選択図】図4
Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
実施例1では、様々な抵抗率を持つシリコン、およびガラス基板によりキャップを形成し、且つ低誘電率(比誘電率εr=2.9)を持つポリイミド樹脂により入出力配線を形成したX帯周波数対応MMICチップ(GaAs系FETスイッチ)のモジュール作製例を示す。本実施例のプロセス工程は、上述の説明と同様である。図6に、出来上がった半導体モジュールの平面図(B)を、従来の半導体モジュール(A)の平面図と比較して示す。
図8に、配線部の特性インピーダンスを50Ωに設定した場合における、配線幅および挿入損失の樹脂厚み依存性を示す。樹脂厚み増大に伴い、配線幅も増大するが、いずれの場合も通常の成膜、リソグラフィー、エッチング技術を用いて形成可能な範囲の構造であることが分かる。また、挿入損失は、配線幅の増大に伴い減少する。この挿入損失減少は、配線幅の増大による配線抵抗の低下によるものと考えられる。
実施例3では、実施例1と同様の構造において、様々な誘電率を持つ有機樹脂により、入出力配線を形成した例を示す。表1に樹脂の物性比較を示す。また、図10には、実施例1同様の方法にて評価した挿入損失の、比誘電率への依存性を示す。同図より、比誘電率が変化しても、特に大きな挿入損失の低下は見られない。入出力配線の比誘電率が2から4の範囲では、半導体モジュールの製造に問題が無いことが分かる。
実施例4では、入出力配線の様々な形状にて実施した例を示す。樹脂層5中のそれぞれの入出力配線72の形状の平面図および断面図を図12に示す。図12(A)はストリップラインを示し、図12(B)はマイクロストリップラインを示し、図12(C)は同軸線を示し、図12(D)はGSGラインを示す。なお、樹脂層5の主面の法線方向を矢印140で表す。それぞれの形状についての実際の特性インピーダンス、挿入損失の値を表2に示す。いずれの配線形態においても、ほぼ50Ωのインピーダンス整合を形成することが可能となっており、且つ実際の挿入損失も0.1dB程度と良好であることが分かる。
実施例5では、入出力配線の一部に、配線用メタルと樹脂の一部を活用する形で内蔵型受動部品を形成する場合の半導体モジュール100の例を示す。図13は、受動部品を内蔵した入出力配線形成の例を示す斜視図である。例では、内蔵型キャパシタ(容量)92と、内蔵型インダクタ(コイル)93、および内蔵型レジスタ(抵抗)94を示している。キャパシタ92は、第3の樹脂3の上に形成されたリードパッド80の上に、絶縁性ペーストタイプの樹脂を塗布、パタニング後に低温焼結したものを誘電膜91として設けて形成している。インダクタ93は、第4の樹脂4上に更にリードパッド80の材料を用いてコイル状のインダクタを形成し、第4の樹脂4の貫通孔を介してキャパシタ92の電極とメタルコンタクトすることにより、マッチング回路を形成している。レジスタ94は、第3の樹脂3上の電極パッド61上にNi系合金層、あるいは導電性有機樹脂層を設けて形成している。また第4の樹脂層4上には接地用のGND95も形成されている。表3に、それぞれの受動部品の設計値と評価値を示す。同表より、設計値と同等の値を持つ受動素子が形成されており、受動部品の点数削減と品質向上に効果を持つことが分かる。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
Claims (8)
- 高周波チップと、
前記高周波チップとの間に中空部分を形成しつつ前記高周波チップを覆う絶縁性のキャップ部と、
前記キャップ部の前記高周波チップと対向する第1の面と前記キャップ部の第1の面と反対側の第2の面とを通る貫通電極と、
前記キャップ部上に設けられ、前記貫通電極と接続された配線と、
前記キャップ部上に設けられ、前記配線の間を充填する絶縁層と、
を備える半導体モジュール。 - 前記キャップ部の材質が、絶縁ガラス材料、あるいは高抵抗シリコン、のうちの少なくとも1種類以上により構成されている請求項1に記載の半導体モジュール。
- 前記絶縁層は、少なくとも一部が有機樹脂により構成されている請求項2に記載の半導体モジュール。
- 前記配線は、ストリップライン、マイクロストリップライン、コプレーナーライン、同軸ライン、の少なくとも一種を有する請求項3に記載の半導体モジュール。
- 前記配線の一部と前記絶縁層の一部はキャパシタ、インダクタ、またはレジスタの少なくともいずれか1つを形成する請求項4に記載の半導体モジュール。
- 前記中空部分の高さが10μm以上である請求項5に記載の半導体モジュール。
- 貫通孔および溝を有する絶縁性のウエハの前記溝に電極を形成する工程と、
前記溝を介して前記ウエハと高周波チップを対向させる工程と
前記高周波チップを第1の樹脂中に設ける工程と、
前記ウエハ上に第2の樹脂を形成する工程と、
前記第2の樹脂中に前記貫通電極と接続された配線を形成する工程と、
を有する半導体モジュールの製造方法。 - 前記高周波チップと前記ウエハとの間にある前記溝の高さが10μm以上である請求項6に記載の半導体モジュールの製造方法。
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