JP2012169017A - 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 - Google Patents
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- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910000943 NiAl Inorganic materials 0.000 claims description 9
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- -1 Ta 2 O 5 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 84
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical group [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSBXGIUJOOQZMP-JLNYLFASSA-N Matrine Chemical compound C1CC[C@H]2CN3C(=O)CCC[C@@H]3[C@@H]3[C@H]2N1CCC3 ZSBXGIUJOOQZMP-JLNYLFASSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001149 41xx steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005435 FeTaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020015 Nb W Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000849798 Nita Species 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 1
- 229920000314 poly p-methyl styrene Polymers 0.000 description 1
- 206010063401 primary progressive multiple sclerosis Diseases 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7369—Two or more non-magnetic underlayers, e.g. seed layers or barrier layers
- G11B5/737—Physical structure of underlayer, e.g. texture
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7369—Two or more non-magnetic underlayers, e.g. seed layers or barrier layers
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7375—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer for heat-assisted or thermally-assisted magnetic recording [HAMR, TAMR]
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
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Abstract
【解決手段】基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、L10構造を有する合金を主成分とする磁性層からなる磁気記録媒体において、該下地層の少なくとも一つが、MnOであることを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体を用いる。また、MnO下地層を、Cr、もしくはCrを主成分とし、Ti、V、Mo、W、Mn、Ruのうちの少なくとも1種類を含有したBCC構造を有する下地層の上に形成する。
【選択図】図1
Description
(2)前記MnOを含む下地層が、Cr、もしくはCrを主成分とし、Ti、V、Mo、W、Mn、Ruのうちの少なくとも1種類を含有したBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする(1)に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
(3)前記MnOを含む下地層が、Cr、もしくはCrを主成分とし、Ti、V、Mo、W、Mn、Ruのうちの少なくとも1種類を含有し、更に、B、Cのうちの少なくとも1種類を含有したBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする(1)に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
(4)前記MnOを含む下地層が、Mo、W、Ta、Nb、もしくはこれらを含有する格子定数が0.3nm以上のBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする(1)に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
(5)前記MnOを含む下地層が、B2構造を有するNiAl、もしくはRuAlからなる下地層の上に形成されていることを特徴とする(1)に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
(6)前記MnOを含む下地層が、MgOからなる下地層の上に形成されていることを特徴とする(1)に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
(7)前記MgOからなる下地層が、Cr、もしくはCrを主成分とし、Ti、V、Mo、W、Mn、Ruのうちの少なくとも1種類を含有したBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする(6)に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
(8)前記MgOからなる下地層が、Cr、もしくはCrを主成分とし、Ti、V、Mo、W、Mn、Ruのうちの少なくとも1種類を含有し、更に、B、Cのうちの少なくとも1種類を含有したBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする(6)に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
(9)前記MgOからなる下地層が、Mo、W、Ta、Nb、もしくはこれらを含有する格子定数が0.3nm以上のBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする(6)に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
(10)前記MgOからなる下地層が、B2構造を有するNiAl、もしくはRuAlからなる下地層の上に形成されていることを特徴とする(6)に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
(11)磁性層がL10構造を有するFePt、もしくはCoPt合金を主成分とし、かつ、SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO、Cから選択される少なくとも一種類の酸化物、もしくは元素を含有していることを特徴とする(1)乃至(10)の何れか1項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
(12)磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を回転させるための駆動部と、該磁気記録媒体を加熱するためのレーザー発生部と、該レーザー発生部から発生したレーザー光をヘッド先端まで導く導波路と、ヘッド先端に取り付けられた近接場光発生部を備えた磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを移動させるための駆動部と、記録再生信号処理系から構成さる磁気記憶装置において、該磁気記録媒体が(1)乃至(11)の何れか1項に記載の熱アシスト媒体であることを特徴とする磁気記憶装置。
図1に本実施例で作製した磁気記録媒体の層構成の一例を示す。本実施例では、ガラス基板上101に、5nmのNi−37at%Ta接着層102、50nmのCu−0.5at%Zrヒートシンク層103、5nmのNi−50at%Ti下地層104を形成し、220℃まで基板加熱を行った。その後、10nmのCr−5at%Ti下地層105、3nmのMnO下地層106を形成し、再度、480−640℃まで基板加熱を行った後、15nmの(Fe−47at%Pt−3at%Cu)−50at%C磁性層107、5nmのCo−20at%Cr−16at%Pt−10at%Bキャップ層108を形成した。更に、保護膜として3.2nmのDLC膜109を形成した。ここで、MnO下地層は、MnターゲットをArと酸素の混合ガス雰囲気中でDC放電させることによって形成した。また、比較例として、MnO下地層の代わりに3nmのMgO下地層を形成した媒体を作製した。
実施例1と同様な膜構成で、Cr−5at%下地層とMnO下地層の間に、応力導入層として、5nmのMo−20at%Cr(実施例2.1)、W−20at%V(実施例2.2)、Ta−50at%Mo(実施例2.3)、Nb−50at%W(実施例2.4)、Mo(実施例2.5)、W(実施例2.6)、Ta(実施例2.7)、Nb(実施例2.8)を形成した。ここで、MnO下地層形成後の基板加熱温度は、560℃とした。
図4に本実施例で作製した磁気記録媒体の層構成の一例を示す。本実施例では、ガラス基板401上に、5nmのCr−50at%Ti接着層402、40nmのAg−3at%Pdヒートシンク層403、20nmのFe−8at%Ta−12at%C軟磁性下地層404、5nmのCo−50at%Ti下地層405を形成したのち、220℃の基板加熱を行った。その後、10nmのCr−15at%Mn下地層406、2nmのMgO下地層407、2nmのMnO下地層408を形成し、600℃の基板加熱を行った。その後、10nmの(Fe−50at%Pt)−12mol%SiO2−8mol%TiO2磁性層409を形成し、更に4nmのCo−12at%Cr−18at%Ptキャップ層410、DLC保護膜411を形成した。ここで、MnO下地層は、MnO複合ターゲットを用いてRFスパッタにより形成した。また、比較例として、MnO下地層を形成しない媒体を作製した。
尚、本実施例媒体のMgO下地層の直下に実施例2で示した応力導入層を導入した場合でも、磁性層の規則度が改善され、Hcが1〜5kOe程度向上した。
実施例3と同一層構成で、MgO下地層の直下の下地層として、Cr−5at%Ti(実施例4.1)、Cr−20at%V(実施例4.2)、Cr−12at%Mo(実施例4.3)、Cr−10at%W(実施例4.4)、Cr−10at%Mn(実施例4.5)、Cr−2at%Ru(実施例4.6)、Cr−5at%Ti−2at%B(実施例4.7)、Cr−5at%Mo−2at%C(実施例4.9)、Cr−5at%Mn−2at%B(実施例4.8)、Cr−5at%Ru−2at%C(実施例4.10)下地層を形成した媒体を作製した。
実施例3で示した媒体(実施例媒体3、比較例媒体3)、及び実施例4で示した媒体(実施例媒体4.1〜4.10)にパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を塗布したのち、図5に示した磁気記憶装置に組み込んだ。本磁気記憶装置は、磁気記録媒体501と、磁気記録媒体を回転させるための駆動部502と、磁気ヘッド503と、ヘッドを移動させるための駆動部504と、記録再生信号処理系505から構成される。図6に磁気ヘッドの詳細を示す。ヘッドは、主磁極601、補助磁極602、磁界を発生させるためのコイル603、レーザーダイオードLD604、LDから発生したレーザー光605を近接場発生素子606まで伝達するための導波路607から構成される記録ヘッド608、及びシールド609で挟まれた再生素子610から構成される再生ヘッド611からなる。近接場光素子から発生した近接場光により媒体501を加熱し、媒体の保磁力をヘッド磁界以下まで低下させて記録できる。
102…NiTa接着層
103…CuZrヒートシンク層
104…NiTi下地層
105…CrTi下地層
106…MnO下地層
107…磁性層
108…キャップ層
109…DLC保護膜
401…ガラス基板
402…CrTi接着層
403…AgPdヒートシンク層
404…軟磁性下地層
405…CoTi下地層
406…CrMn下地層
407…MgO下地層
408…MnO下地層
409…磁性層
410…キャップ層
411…DLC保護膜
501…磁気記録媒体
502…媒体駆動部
503…磁気ヘッド
504…ヘッド駆動部
505…記録再生信号処理系
601…主磁極
602…補助磁極
603…コイル
604…半導体レーザーダイオード
605…レーザー光
606…近接場光発生部
607…導波路
608…記録ヘッド
609…シールド
610…再生素子
611…再生ヘッド
Claims (12)
- 基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、L10構造を有する合金を主成分とする磁性層を含む磁気記録媒体において、該下地層の少なくとも一つが、MnOを含むことを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体。
- 前記MnOを含む下地層が、Cr、もしくはCrを主成分とし、Ti、V、Mo、W、Mn、Ruのうちの少なくとも1種類を含有したBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
- 前記MnOを含む下地層が、Cr、もしくはCrを主成分とし、Ti、V、Mo、W、Mn、Ruのうちの少なくとも1種類を含有し、更に、B、Cのうちの少なくとも1種類を含有したBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
- 前記MnOを含む下地層が、Mo、W、Ta、Nb、もしくはこれらを含有する格子定数が0.3nm以上のBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
- 前記MnOを含む下地層が、B2構造を有するNiAl、もしくはRuAlからなる下地層の上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
- 前記MnOを含む下地層が、MgOからなる下地層の上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
- 前記MgOからなる下地層が、Cr、もしくはCrを主成分とし、Ti、V、Mo、W、Mn、Ruのうちの少なくとも1種類を含有したBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする請求項6に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
- 前記MgOからなる下地層が、Cr、もしくはCrを主成分とし、Ti、V、Mo、W、Mn、Ruのうちの少なくとも1種類を含有し、更に、B、Cのうちの少なくとも1種類を含有したBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする請求項6に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
- 前記MgOからなる下地層が、Mo、W、Ta、Nb、もしくはこれらを含有する格子定数が0.3nm以上のBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする請求項6に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
- 前記MgOからなる下地層が、B2構造を有するNiAl、もしくはRuAlからなる下地層の上に形成されていることを特徴とする請求項6に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
- 磁性層がL10構造を有するFePt、もしくはCoPt合金を主成分とし、かつ、SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO、Cから選択される少なくとも一種類の酸化物、もしくは元素を含有していることを特徴とする請求項1乃至10の何れか1項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
- 磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を回転させるための駆動部と、該磁気記録媒体を加熱するためのレーザー発生部と、該レーザー発生部から発生したレーザー光をヘッド先端まで導く導波路と、ヘッド先端に取り付けられた近接場光発生部を備えた磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを移動させるための駆動部と、記録再生信号処理系から構成さる磁気記憶装置において、該磁気記録媒体が請求項1乃至11の何れか1項に記載の熱アシスト媒体であることを特徴とする磁気記憶装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011029974A JP5787344B2 (ja) | 2011-02-15 | 2011-02-15 | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
US13/396,234 US8542569B2 (en) | 2011-02-15 | 2012-02-14 | Heat-assisted magnetic recording medium and magnetic storage device |
CN201210034081.8A CN102646421B (zh) | 2011-02-15 | 2012-02-15 | 热辅助磁记录介质和磁存储装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011029974A JP5787344B2 (ja) | 2011-02-15 | 2011-02-15 | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012169017A true JP2012169017A (ja) | 2012-09-06 |
JP5787344B2 JP5787344B2 (ja) | 2015-09-30 |
Family
ID=46636779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011029974A Active JP5787344B2 (ja) | 2011-02-15 | 2011-02-15 | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8542569B2 (ja) |
JP (1) | JP5787344B2 (ja) |
CN (1) | CN102646421B (ja) |
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