JP2012164737A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012164737A5 JP2012164737A5 JP2011022540A JP2011022540A JP2012164737A5 JP 2012164737 A5 JP2012164737 A5 JP 2012164737A5 JP 2011022540 A JP2011022540 A JP 2011022540A JP 2011022540 A JP2011022540 A JP 2011022540A JP 2012164737 A5 JP2012164737 A5 JP 2012164737A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- submount
- light emitting
- degrees
- semiconductor light
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 75
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 30
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 21
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims 16
- NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 3-morpholin-4-yl-1-oxa-3-azonia-2-azanidacyclopent-3-en-5-imine;hydrochloride Chemical group Cl.[N-]1OC(=N)C=[N+]1N1CCOCC1 NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims 5
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011022540A JP2012164737A (ja) | 2011-02-04 | 2011-02-04 | サブマウント、サブマウント組立体及びサブマウント組立方法 |
TW101102725A TW201234643A (en) | 2011-02-04 | 2012-01-20 | Submount, submount assembly, and submount assembling method |
IN237DE2012 IN2012DE00237A (enrdf_load_stackoverflow) | 2011-02-04 | 2012-01-27 | |
CN201210020425.XA CN102629732B (zh) | 2011-02-04 | 2012-01-29 | 次载具、次载具组件和次载具装配方法 |
US13/364,957 US8982920B2 (en) | 2011-02-04 | 2012-02-02 | Submount, submount assembly, and submount assembling method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011022540A JP2012164737A (ja) | 2011-02-04 | 2011-02-04 | サブマウント、サブマウント組立体及びサブマウント組立方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012164737A JP2012164737A (ja) | 2012-08-30 |
JP2012164737A5 true JP2012164737A5 (enrdf_load_stackoverflow) | 2014-03-06 |
Family
ID=46587929
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011022540A Pending JP2012164737A (ja) | 2011-02-04 | 2011-02-04 | サブマウント、サブマウント組立体及びサブマウント組立方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8982920B2 (enrdf_load_stackoverflow) |
JP (1) | JP2012164737A (enrdf_load_stackoverflow) |
CN (1) | CN102629732B (enrdf_load_stackoverflow) |
IN (1) | IN2012DE00237A (enrdf_load_stackoverflow) |
TW (1) | TW201234643A (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010027935A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Sony Corp | 半導体レーザ、光ディスク装置および光ピックアップ |
JP5945213B2 (ja) * | 2012-10-30 | 2016-07-05 | 日本電信電話株式会社 | 光半導体装置 |
TW201428905A (zh) * | 2013-01-04 | 2014-07-16 | 矽品精密工業股份有限公司 | 半導體封裝件及其製法 |
JP6127516B2 (ja) * | 2013-01-08 | 2017-05-17 | 株式会社リコー | 光学パッケージ、光学ユニット、光走査装置、画像形成装置 |
JP2014165328A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Sony Corp | 半導体発光素子及び表示装置 |
JP2014220404A (ja) * | 2013-05-09 | 2014-11-20 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ装置組立体 |
CN103779783A (zh) * | 2014-02-10 | 2014-05-07 | 中国科学院半导体研究所 | Z字形自准直半导体光放大器热沉 |
CN104518425A (zh) * | 2014-12-17 | 2015-04-15 | 中国科学院半导体研究所 | 斜腔半导体光放大器的耦合方法 |
EP3273551B1 (en) * | 2015-03-19 | 2025-01-29 | Sony Group Corporation | Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting element assembly |
US20170146793A1 (en) * | 2015-11-20 | 2017-05-25 | Innovative Micro Technology | Microfabricated optical apparatus with integrated turning surface |
JPWO2017138649A1 (ja) * | 2016-02-12 | 2018-12-13 | 古河電気工業株式会社 | レーザモジュール |
JP6665666B2 (ja) * | 2016-04-28 | 2020-03-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法、レーザモジュールの製造方法及び発光装置 |
WO2018117251A1 (ja) * | 2016-12-22 | 2018-06-28 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュールおよび半導体レーザモジュールの製造方法 |
EP3706262B1 (en) | 2019-02-15 | 2022-01-26 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device, light emitting device, and base member |
JP7206494B2 (ja) * | 2019-02-15 | 2023-01-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法、発光装置 |
JP6608104B1 (ja) * | 2019-03-14 | 2019-11-20 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置およびレーザ加工機 |
CN112968118B (zh) * | 2020-11-13 | 2022-05-13 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 显示背板制作方法和显示背板 |
CN113300211B (zh) * | 2021-06-24 | 2022-07-15 | 西安嘉合超亿光电科技有限公司 | 半导体激光器封装结构及其制备方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS577989A (en) * | 1980-06-17 | 1982-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Mount for semiconductor laser |
JPS59110185A (ja) * | 1982-12-16 | 1984-06-26 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置端面保護膜の形成方法 |
JPS60176355A (ja) | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Fujitsu Ltd | 秘匿回線割り込み方式 |
JPS6284950U (enrdf_load_stackoverflow) * | 1985-11-15 | 1987-05-30 | ||
US5354695A (en) * | 1992-04-08 | 1994-10-11 | Leedy Glenn J | Membrane dielectric isolation IC fabrication |
JP3754995B2 (ja) * | 1997-09-11 | 2006-03-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体光素子 |
US6091755A (en) * | 1997-11-21 | 2000-07-18 | Sdl, Inc. | Optically amplifying semiconductor diodes with curved waveguides for external cavities |
JP3235571B2 (ja) * | 1998-09-03 | 2001-12-04 | 日本電気株式会社 | 活性層と位置決めマークとの相対位置を測定する測定方法 |
JP2002094168A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JP2003017794A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Ricoh Co Ltd | サブマウント構造および光源ユニット製造方法 |
JP2006269846A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Anritsu Corp | サブマウント及びそれを用いた光半導体装置 |
JP2007088320A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Fujifilm Corp | 光源装置および光半導体素子 |
JP2010087209A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | 集積化半導体レーザ及びその製造方法並びに実装方法 |
-
2011
- 2011-02-04 JP JP2011022540A patent/JP2012164737A/ja active Pending
-
2012
- 2012-01-20 TW TW101102725A patent/TW201234643A/zh unknown
- 2012-01-27 IN IN237DE2012 patent/IN2012DE00237A/en unknown
- 2012-01-29 CN CN201210020425.XA patent/CN102629732B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-02-02 US US13/364,957 patent/US8982920B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012164737A5 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
KR102617183B1 (ko) | 다중 kW 급 청색 레이저 시스템 | |
US6314117B1 (en) | Laser diode package | |
TWI331430B (en) | Optical pump semiconductor device | |
JP4901909B2 (ja) | 光学部品及びその製造方法 | |
JP2011023628A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2008060445A (ja) | 発光素子 | |
US20070264734A1 (en) | Solid-state laser device and method for manufacturing wavelength conversion optical member | |
JP2003262766A (ja) | 光結合装置 | |
JP2006287231A (ja) | レーザ装置 | |
US20210336411A1 (en) | Method of manufacturing laser light source | |
JP2009130206A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP7603862B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP6593547B1 (ja) | 光モジュール | |
KR101667464B1 (ko) | 반도체 레이저 여기 고체 레이저 | |
JP5509317B2 (ja) | レーザ装置およびその製造方法 | |
JP2000353845A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
WO2012086009A1 (ja) | モード制御導波路型レーザ装置 | |
JP2007266260A (ja) | 位相制御機能を有する光半導体装置 | |
CN104656255A (zh) | 发光装置以及图像显示装置 | |
US20100097700A1 (en) | Laser diode emitter power concentration enhancement | |
JP6863683B2 (ja) | 光アイソレータ | |
JP5076694B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2023536007A (ja) | バックポンピング半導体膜レーザ | |
JP3599917B2 (ja) | 半導体レーザ装置 |