JP2003017794A - サブマウント構造および光源ユニット製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】この発明は、ダイボンディング装置が高額であ
ったり、発光点観察の工程が煩雑であり、工程が長くな
るという課題を解決しようとするものである。 【解決手段】この発明は、発光点位置を特定するマーカ
を有する１個または複数個の半導体発光素子１１、１２
をサブマウント１３に実装するサブマウント構造におい
て、サブマウント１３に形成された電気信号取出し用金
属電極１４、１５と、この金属電極１４、１５の一部に
形成された、半導体発光素子１１、１２をダイボンディ
ングするためのハンダ領域１６、１７と、サブマウント
１３の一部に形成され各半導体発光素子１１、１２を位
置合わせするためのマーカを兼ねた鏡面部１９、２０と
を有するものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＤおよびＤＶＤ
兼用光ピックアップ用光源や、ピックアップモジュー
ル、レーザプリンタやデジタル複写機の複数ビーム書き
込み用光源、半導体レーザと光ファイバーを同一基板上
で結合する半導体レーザモジュールなどの光源ユニット
のサブマウント構造、及び光源ユニット製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ＤＶＤプレーヤでは、ＤＶＤとＣＤとの
両者を互換再生できることが望まれる。そのためには、
ＤＶＤ再生用の波長の短い635nmあるいは650nmの赤色半
導体レーザチップと、ＣＤ再生用の780nmの近赤外半導
体レーザチップとを搭載した光ピックアップが必要とさ
れ、装置の小型化のためには２種類の半導体レーザチッ
プを一つのパッケージの中に組み込んだ集積型光ピック
アップの実現が期待されている。

【０００３】しかし、２つの半導体レーザチップを一つ
のパッケージに組み込んで２つの半導体レーザチップに
対して光学系を共通化するためには、２つの半導体レー
ザチップの発光点間隔をできるだけ接近させる必要があ
り、その間隔としては１００μｍ以下が望ましく、更に
その実装公差は±１０μｍ程度と厳しい精度が要求され
ている。しかし、一般的な半導体レーザチップは幅が３
００μｍ程度であり、その中央に発光点が形成されてい
るので、二つの半導体レーザチップを並列に配置した場
合には発光点間隔が３００μｍ以上となって仕様を満足
出来ない。

【０００４】従来、半導体レーザチップの発光点間隔を
狭くする方式としては特開平１１−１１２０８９号公報
記載の半導体レーザ素子構造がある。この半導体レーザ
素子構造では、図７に示すように発光波長７８０ｎｍの
半導体レーザチップ１と、発光波長６５０ｎｍの半導体
レーザチップ２がサブマウント上にジャンクションダウ
ンで実装されている。なお、６５０ｎｍの半導体レーザ
チップ３２の出射端面形状は結晶成長の関係から平行四
辺形となっている。

【０００５】図７に示すように、この半導体レーザ素子
構造では、半導体レーザチップ素子１、２の発光点位置
３、４を端部に偏らせることで発光点間隔を狭くしてい
る。例えば、半導体レーザチップ１、２の発光点３、４
が発光点間隔方向において端部から３０μｍの位置に形
成され、これらの半導体レーザチップ１、２を３０μｍ
の間隔でダイボンディングすれば、その発光点間隔Ｐ
Ａ、ＰＢは９０μｍと見積もられ、要求仕様を満足する
ことができる。

【０００６】しかし、半導体レーザチップ１、２に対し
て光学系を共通化するためには、各半導体レーザ１、２
の発光点３、４は高い位置精度の実装が要求される。Ｃ
ＤおよびＤＶＤ兼用のホログラム型ピックアップでは、
ＣＤ用半導体レーザチップおよびＤＶＤ用半導体レーザ
チップの発光点間隔、光路長、および発光点の厚さ方向
高さなどの実装公差は±１０μｍ以下が要求される。

【０００７】特にＣＤ用半導体レーザチップおよびＤＶ
Ｄ用半導体レーザチップの発光点間隔の実装精度は厳し
い。一般に、半導体レーザチップでは、外形を基準とし
た場合、その発光点位置精度は±２０μｍ程度と悪いの
で、上記光源ユニットの仕様を満足することは出来な
い。したがって、要求される実装精度を満足するために
は、２つの半導体レーザチップの発光点を観察・計測し
て実装する必要があった。

【０００８】従来、半導体レーザチップの発光点を観察
する手法としては、実際に半導体レーザチップに電流を
流して発光させる方法が採用されている。

【０００９】図６は特開平７−２０２３４７号公報記載
の従来例を示す。この従来例では、半導体レーザチップ
をダイボンディングする直前の中間ステージ上にチップ
を置き、発光電源とプローブで半導体レーザチップを発
光させ、その発光方向すなわちＺ方向（チップ厚み方
向）とＸ方向（チップ出射端面に平行な方向）の光強度
はＮＦＰ（近視野像）観察用カメラ５で計測し、θ方向
の光強度はＦＦＰ（遠視野像）観察用カメラ６で計測を
行い、その計測結果に基づいてモニターＴＶ７上で各方
向の光強度波形のピークと基準線ｌとが一致するように
θテーブル８、Ｙテーブル９、Ｘテーブル１０を走査し
て各方向の位置誤差を補正した後に半導体レーザチップ
を吸引・搬送してダイボンディングしている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記従来例では、半導
体レーザチップの発光点を観測するために発光電源とプ
ローブを必要とするので、ダイボンディング装置が高額
であったり、発光点観察の工程が煩雑であり、工程が長
くなるなどの欠点があった。

【００１１】本発明は、上記従来技術の欠点を解決し、
半導体発光素子を電気的に発光させることなく高精度に
サブマウント上に実装することができるサブマウント構
造及び光源ユニット製造方法を提供することを目的とす
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に係る発明は、発光点位置を特定するマー
カを有する１個または複数個の半導体発光素子をサブマ
ウントに実装するサブマウント構造において、前記サブ
マウントに形成された電気信号取出し用金属電極と、こ
の金属電極の一部に形成された、半導体発光素子をダイ
ボンディングするためのハンダ領域と、前記サブマウン
トの一部に形成され各半導体発光素子を位置合わせする
ためのマーカを兼ねた鏡面部とを有するものである。

【００１３】請求項２に係る発明は、請求項１記載のサ
ブマウント構造において、前記鏡面部が前記ハンダ領域
の一部を開口させて前記金属電極を露出させて形成され
ているものである。請求項３に係る発明は、請求項１記
載のサブマウント構造において、前記鏡面部を前記金属
電極の所定の位置に形成したものである。

【００１４】請求項４に係る発明は、請求項１記載のサ
ブマウント構造において、前記鏡面部が、一個の半導体
発光素子に対して複数個形成されているものである。請
求項５に係る発明は、請求項１記載のサブマウント構造
において、前記サブマウントは、主材料がシリコンで、
表面が鏡面処理されているものである。請求項６に係る
発明は、請求項１〜４のいずれか１つに記載のサブマウ
ント構造を有する光源ユニットを製造する光源ユニット
製造方法において、前記半導体発光素子の裏面マーカを
前記サブマウント表面の前記鏡面部に反射投影して位置
合わせを行うことを特徴とする。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の実施例のサブマウント構
造は、特に高い実装精度が要求される、ＣＤ／ＤＶＤ兼
用光ピックアップ用光源ユニットの実現に効果がある。
本発明の実施例１のサブマウント構造は、発光波長の異
なる２つの半導体発光素子（ここでは半導体レーザ）と
しての半導体レーザチップ１１、１２の発光点間隔が１
００μｍである光源ユニットのサブマウント構造であ
り、高精度に実装することができる。図１は本実施例１
のサブマウント構造と実装工程を示す。

【００１６】図１（ａ）は本実施例１における発光点位
置を偏らせて製造された半導体レーザチップ１１の表面
１１ａとダイボンディングする裏面１１ｂを示す模式図
である。半導体レーザチップ１１の裏面１１ｂには電流
狭窄層を反映した線１１ｃがあり、半導体レーザチップ
１１はその線１１ｃの直下に活性領域、つまり発光点が
形成されている。同様に、半導体レーザチップ１２の裏
面には電流狭窄層を反映した線があり、半導体レーザチ
ップ１２はその線の直下に活性領域、つまり発光点が形
成されている。

【００１７】図１（ｂ）に示すように、本実施例１のサ
ブマウント構造は、サブマウント１３の材質には鏡面処
理された厚さ２００μｍ程度のシリコン基板を使用し、
その表面にはリード線取出しのためにTi（0.1um）、Pt
(0.2um)、Au(0.5um)を順次に積層した金属電極１４、１
５が中央にギャップをおいて形成され、この金属電極１
４、１５の一部（内側部分）には半導体レーザチップ１
１、１２をダイボンディングするための厚さ３μｍのAu
-Sn（30wt%）からなるハンダ層が形成されたハンダ領域
１６、１７が設けられている。

【００１８】金属電極１４、１５は、二つの半導体レー
ザチップ１１、１２を電気的に分離するために、サブマ
ウント１３の中央に３０μｍ程度のギャップ１８が形成
されている。ハンダ領域１６、１７の一部には、ハンダ
領域１６、１７の一部を開口して下地の金属電極１４、
１５を露出させることで形成した鏡面部１９、２０が形
成されている。この鏡面部１９、２０は、半導体レーザ
チップ１１、１２を配置するための位置合わせ用マーカ
を兼用しているため、所定の間隔Lで正確に形成されて
いる。鏡面部１９、２０の面積は、たとえば、幅２０μ
ｍ、長さ５０μｍ程度で、その間隔が１００μｍに選ば
れている。

【００１９】次に、このようなサブマウントを用いた光
源ユニットの製造工程を以下に示す。ダイボンディング
装置は、撮像を行う監視カメラおよび、この監視カメラ
からの画像信号に基づいて表示を行うモニターを有する
マニュアルダイボンディング装置である。半導体レーザ
チップ１１、１２の位置合わせの基準はモニター２１上
のＸ軸電子ライン２２とY軸電子ライン２３とし、この
Ｘ軸電子ライン２２とY軸電子ライン２３はそれぞれ半
導体レーザチップ１１、１２の出射端面および発光点位
置の仮想基準線とする。

【００２０】説明を容易にするため図１には示されてい
ないが、ダイボンディング装置は、第一のステージで半
導体レーザチップ１１、１２の姿勢調整を行い、第二の
ステージでサブマウント１３の姿勢調整およびダイボン
ディング処理を行う機構になっており、半導体レーザチ
ップ１１、１２の搬送はコレットに半導体レーザチップ
１１、１２を真空吸着して行う。また、それぞれのステ
ージ直上には複数の監視カメラが設置されて該監視カメ
ラによりステージ上を撮像し、各カメラのXY軸は一致さ
せてある。

【００２１】まず、第一のステージ上においてサブマウ
ント１３の上方で図１（ｅ）に示すように半導体レーザ
チップ１１、１２の姿勢をその出射端面がX軸に平行に
なるように修正する。同様に、第二のステージ上におい
て、サブマウント１３の角度θをモニター２１上でＸ軸
電子ライン２２に合わせるように修正する。図１（ｂ）
に示すように、サブマウント１３はハンダ領域１６、１
７開口部の鏡面部１９、２０中心が半導体レーザチップ
１１、１２の発光点位置になるように開口されている。

【００２２】そこで、図１（ｅ）に示すようにサブマウ
ント１３表面の鏡面部１９の中心がモニター２１上のY
軸ライン２３（半導体レーザチップ１１の発光点位置）
直下に来るようステージのX軸を微調整してサブマウン
ト１３の位置を微調整する。次に、サブマウント１３の
長辺端部をX軸電子ライン２２に一致させるようにサブ
マウント１３の姿勢を調整する。

【００２３】第一のステージで姿勢修正の終了した半導
体レーザチップ１１、１２は図１（ｂ）に示すようにコ
レットで真空吸着してサブマウント１３の鏡面部１９、
２０上方に移動させる。次に、鏡面部１９直上に移動し
た半導体レーザチップ１１をサブマウント１３の上に徐
々に降下させると、鏡面部１９に半導体レーザチップ１
１の電流狭窄層の線１１ｃが反射・投影されてくる。

【００２４】図１（ｆ）に示すようにモニター２１上で
観測された半導体レーザチップ１１の電流狭窄層の線１
１ｃを、コレットを移動させることによりモニター２１
のY軸電子ライン２３に合わせる。次に、半導体レーザ
チップ１１の出射端面をモニター２１のX軸方向の基準
線（X軸電子ライン）２２に合わせ、さらに５μｍ程度
モニター２１のX軸から移動させ、サブマウント１３の
端部から半導体レーザ１１の端部が突き出るようにす
る。この状態で、半導体レーザチップ１１はサブマウン
ト１３の所定の位置に位置合わせしたことになる。次
に、位置合わせの終了した半導体レーザチップ１１を更
に降下させて図１（ｃ）に示すようにサブマウント１３
の表面に配置する。

【００２５】同様の工程で図１（ｄ）に示すように半導
体レーザチップ１２をサブマウント１３の所定の位置に
配置する。すなわち、鏡面部２０の直上に移動している
半導体レーザチップ１２をサブマウント１３の上に徐々
に降下させると、鏡面部２０に半導体レーザチップ１２
の電流狭窄層の線が反射・投影されてくる。モニター２
１上で観測された半導体レーザチップ１２の電流狭窄層
の線を、コレットを移動させることによりモニター２１
のY軸電子ライン３６に合わせる。次に、半導体レーザ
チップ１２の出射端面をモニター２１のX軸方向の基準
線（X軸電子ライン）２２に合わせ、さらに５μｍ程度
モニター２１のX軸から移動させ、サブマウント１３の
端部から半導体レーザ１２の端部が突き出るようにす
る。この状態で、半導体レーザチップ１２はサブマウン
ト１３の所定の位置に位置合わせしたことになる。次
に、位置合わせの終了した半導体レーザチップ１２を更
に降下させて図１（ｄ）に示すようにサブマウント１３
の表面に配置する。

【００２６】しかる後、半導体レーザチップ１１、１２
をサブマウント１３上にダイボンディングすることで２
つの半導体レーザチップ１１、１２を搭載した光源ユニ
ットを完成する。本実施例１のサブマウント構造は、サ
ブマウント１３の表面に半導体レーザチップ１１、１２
裏面を映す鏡面部１９、２０を配置したことにより、半
導体レーザチップ１１、１２を発光させること無く、そ
の発光点位置を計測することが出来るので、従来のよう
な半導体レーザチップを発光させる装置が不要である利
点がある。また、ボンディング位置で半導体レーザチッ
プ１１、１２の発光点を確認できるので、従来よりボン
ディング精度が向上する利点もある。

【００２７】このように、実施例１によれば、サブマウ
ント１３に形成された電気信号取出し用金属電極１４、
１５と、この金属電極１４、１５の一部に形成された、
半導体発光素子１１、１２をダイボンディングするため
のハンダ領域１６、１７と、サブマウント１３の一部に
形成され各半導体発光素子１１、１２を位置合わせする
ためのマーカを兼ねた鏡面部１９、２０とを有するの
で、従来よりも高精度に半導体発光素子を実装すること
ができ、従来半導体発光素子を発光させるために必要で
あった発光電源及びプローブが不要で低コスト化でき
る。

【００２８】また、実施例１によれば、鏡面部１９、２
０がハンダ領域１６、１７の一部を開口させて金属電極
１４、１５を露出させて形成されているので、同一視野
内でサブマウントや半導体発光素子の位置合わせを行う
ことができ、高い実装精度が期待できて歩留まりを向上
させることができる。

【００２９】また、実施例１によれば、サブマウント１
３は主材料がシリコンで、その表面が鏡面処理されてい
るので、安価で表面性に優れたサブマント構造を提供す
ることができる。

【００３０】図２、図３および図４は、本発明の他の実
施例２〜４をそれぞれ示す。これらの実施例２〜４のサ
ブマント構造は、上記実施例１において、ハンダ領域１
６、１７の複数の部分を開口して下地の金属電極１４、
１５を露出させることで形成した複数の開口部からなる
鏡面部２４〜２７、２８〜３１、３２〜３５を有するサ
ブマウント構造である。鏡面部２４〜２７はハンダ領域
１６、１７の内部に設けられた矩形状の鏡面部であり、
鏡面部２８〜３１はハンダ領域１６、１７の端に達する
方形状の鏡面部であり、鏡面部３２〜３５はハンダ領域
１６、１７と金属電極１４、１５との境界まで達する矩
形状の鏡面部である。

【００３１】これらの実施例２〜４のサブマント構造で
は、半導体レーザチップ１１、１２の裏面にもサブマウ
ント１３の鏡面部２４〜２７、２８〜３１、３２〜３５
に対応する複数のマーカを形成してあり、実装時には半
導体レーザチップ１１、１２の電流狭窄層の線をモニタ
ー２１のY軸方向電子ライン２３に合わせる代りに、半
導体レーザチップ１１、１２を真空吸着したコレットを
移動させてサブマウント１３の鏡面部２４〜２７、２８
〜３１、３２〜３５と半導体レーザチップ１１、１２裏
面のマーカとを対応するもの同士で一致させて半導体レ
ーザチップ１１、１２の位置を微調整するとともに、サ
ブマウント１３自身の回転ずれ（角度ずれ）を補正す
る。

【００３２】これらの実施例２〜４のサブマント構造
は、実装時にサブマウント１３および半導体レーザチッ
プ１１、１２の各複数個のマーカ（マーカとしての鏡面
部２４〜２７、２８〜３１、３２〜３５と半導体レーザ
チップ１１、１２裏面のマーカ）を一致させることで、
各半導体レーザチップ１１、１２の発光点位置はもちろ
ん各半導体レーザチップ１１、１２の回転方向のずれも
正確に補正することができる利点がある。また、半導体
レーザチップ１１、１２の発光点直下にハンダ層領域１
６、１７があるので、放熱性の心配がない。

【００３３】これらの実施例２〜４によれば、鏡面部２
４〜２７、２８〜３１、３２〜３５が、各半導体発光素
子１１、１２に対して複数個ずつ形成されているので、
サブマウント自身の回転ずれを修正することができ、高
精度の実装が可能になり、歩留まり向上の効果がある。

【００３４】また、上記実施例１〜４のサブマウント構
造を有する光源ユニットを製造する光源ユニット製造方
法は、半導体発光素子１１、１２の裏面マーカをサブマ
ウント１３表面の鏡面部１９、２０、２４〜２７、２８
〜３１、３２〜３５に反射投影してサブマウント１３と
半導体発光素子１１、１２の位置合わせを行うので、実
装精度を高くでき、従来より高い歩留まりで光源ユニッ
トを製造することができる。

【００３５】図５はサブマウント１３表面の金属電極１
４、１５に長方形の鏡面部１９、２０を形成した本発明
の実施例５を示す。ハンダ領域に鏡面部を形成した場合
には、ハンダが数μｍと厚く、鏡面部をリフトオフ法で
形成するため、そのエッジが不明瞭になる場合がある。
実施例５は、上記実施例１において、より鮮明な鏡面部
１９、２０のエッジを形成し、実装精度を上げる構造と
して、ハンダ領域１６、１７のハンダ層よりは薄い金属
電極膜で鏡面部１９、２０を形成したものである。

【００３６】長方形の鏡面部１９、２０は０．５μｍ程
度の厚さの金属電極１４、１５と一緒に半導体プロセス
技術を用いて高精度で作られるので、二つの鏡面部１
９、２０の相対位置精度は極めて良い。長方形の鏡面部
１９、２０の中心位置はサブマウント１３上の仮想発光
点位置と所定の距離離れて形成されており、位置合わせ
用のマーカを兼ねている。

【００３７】このサブマウント１３における半導体レー
ザチップ１１、１２の実装工程は以下の様になる。二つ
の半導体レーザチップ１１、１２は幅３００μｍで、そ
の発光点位置は半導体レーザチップ１１、１２の中心か
ら偏って外形の端から３５μｍ程度離れて形成されてい
る。サブマウント１３上には３０μｍのギャップ１８を
隔てて幅３００μｍのＡｕ−Ｓｎからなるハンダ領域１
６、１７が形成され、その外側には金属電極１４、１５
が形成されており、長方形の鏡面部１９、２０が金属電
極１４、１５と同一プロセスで所定の位置に孤立して形
成されている。二つの鏡面部１９、２０の中心間隔は９
３０μｍである。

【００３８】半導体レーザチップ１１、１２の位置合わ
せは、まず、サブマウント１３の姿勢補正を行い、図５
（ａ）に示すようにＹ軸の電子ライン２３直下に鏡面部
１９の中心が来るようにステージを移動して調整する。
次に、同じように姿勢補正された半導体レーザチップ１
１をコレットで吸着してサブマウント１３上の鏡面部１
９の直上に搬送する。鏡面部１９上の半導体レーザチッ
プ１１を徐々に降下させ、鏡面部１９に半導体レーザチ
ップ１１裏面の電流狭窄層の線１１ｃを反射投影して半
導体レーザチップ１１の発光点の位置を観測し、図５
（ｂ）に示すように半導体レーザチップ１１裏面の電流
狭窄層の線１１ｃがモニタ２１上のＹ軸電子ライン２３
に一致する様にコレットを移動させて半導体レーザチッ
プ１１の位置を調整する。

【００３９】その後、図５（ｃ）に示すようにステージ
をX軸方向（図中右方向）に４１５μｍ移動させ、ハン
ダ領域１６の仮想発光点位置がＹ軸基準線２３の直下に
来るようにサブマウント１３の位置を調整する。Ｙ軸電
子ライン２３と半導体レーザチップ１１の発光点が一致
したならば、図５（ｄ）に示すように半導体レーザチッ
プ１１をさらに降下させてハンダ領域１６上に配置す
る。

【００４０】次に、半導体レーザチップ１２も鏡面部２
０を用いて同様な工程でサブマウント１３上に配置させ
る。即ち、Ｙ軸電子ライン２３直下に鏡面部２０の中心
が来るようにステージを移動して調整する。次に、同じ
ように姿勢補正された半導体レーザチップ１２をコレッ
トで吸着してサブマウント１３上の鏡面部２０の直上に
搬送する。鏡面部２０上の半導体レーザチップ１２を徐
々に降下させ、鏡面部２０に半導体レーザチップ１２裏
面の電流狭窄層の線を反射投影して半導体レーザチップ
１２の発光点の位置を観測し、半導体レーザチップ１２
裏面の電流狭窄層の線がモニタ２１上のＹ軸電子ライン
２３に一致する様にコレットを移動させて半導体レーザ
チップ１２の位置を調整する。

【００４１】その後、ステージをX軸方向（図中左方
向）に４１５μｍ移動させ、ハンダ領域１７の仮想発光
点位置がＹ軸基準線２３の直下に来るようにサブマウン
ト１３の位置を調整する。Ｙ軸電子ライン２３と半導体
レーザチップ１２の発光点が一致したならば、半導体レ
ーザチップ１２をさらに降下させてハンダ領域１７上に
配置する。

【００４２】しかる後、二つの半導体レーザチップ１
１、１２を加圧しながら熱処理してサブマウント１３に
ハンダ付けを行う。本実施例５では金属電極１４、１５
の側の鏡面部１９、２０を長方形として説明したが、鏡
面部１９、２０は他の形状でも何なら問題はなく、凹
型、凸型などの電極パターンでも同様の効果が期待でき
る。

【００４３】この様に、金属電極１４、１５側に位置合
わせ用マーカを兼ねる鏡面部１９、２０を所定に位置に
設置した本実施例５のサブマウント構造は、半導体レー
ザチップ１１、１２を発光させることなく、高精度の実
装を実現できる利点がある。

【００４４】この実施例５によれば、上記実施例１にお
いて、鏡面部１９、２０を金属電極１４、１５の所定の
位置に形成したので、従来よりも高精度に半導体発光素
子を実装することができ、従来半導体発光素子を発光さ
せるために必要であった発光電源及びプローブが不要で
低コスト化できる。

【００４５】

【発明の効果】以上のように請求項１に係る発明によれ
ば、従来よりも高精度に半導体発光素子を実装すること
ができ、従来半導体発光素子を発光させるために必要で
あった発光電源及びプローブが不要で低コスト化でき
る。請求項２に係る発明によれば、同一視野内でサブマ
ウントや半導体発光素子の位置合わせを行うことがで
き、高い実装精度が期待できて歩留まりを向上させるこ
とができる。

【００４６】請求項３に係る発明によれば、従来よりも
高精度に半導体発光素子を実装することができ、従来半
導体発光素子を発光させるために必要であった発光電源
及びプローブが不要で低コスト化できる。請求項４に係
る発明によれば、サブマウント自身の回転ずれを修正す
ることができ、高精度の実装が可能になり、歩留まり向
上の効果がある。

【００４７】請求項５に係る発明によれば、安価で表面
性に優れたサブマント構造を提供することができる。請
求項６に係る発明によれば、実装精度を高くでき、従来
より高い歩留まりで光源ユニットを製造することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１のサブマウント構造と実装工
程を示す図である。

【図２】本発明の実施例２を示す平面図である。

【図３】本発明の実施例３を示す平面図である。

【図４】本発明の実施例４を示す平面図である。

【図５】本発明の実施例５のサブマウント構造と実装工
程を示す平面図である。

【図６】従来例の実装工程を示す図である。

【図７】他の従来例を示す斜視図である。

【符号の説明】

１１、１２ 半導体レーザチップ １１ａ 半導体レーザチップ１１の表面 １１ｂ 半導体レーザチップ１１の裏面 １１ｃ 半導体レーザチップ１１の裏面１１ｂの電
流狭窄層を反映した線 １３ サブマウント １４、１５ 金属電極 １６、１７ ハンダ領域 １８ ギャップ １９、２０、２４〜２７、２８〜３１、３２〜３５
鏡面部

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】発光点位置を特定するマーカを有する１個
   または複数個の半導体発光素子をサブマウントに実装す
   るサブマウント構造において、前記サブマウントに形成
   された電気信号取出し用金属電極と、この金属電極の一
   部に形成された、半導体発光素子をダイボンディングす
   るためのハンダ領域と、前記サブマウントの一部に形成
   され各半導体発光素子を位置合わせするためのマーカを
   兼ねた鏡面部とを有することを特徴とするサブマウント
   構造。
2. 【請求項２】請求項１記載のサブマウント構造におい
   て、前記鏡面部が前記ハンダ領域の一部を開口させて前
   記金属電極を露出させて形成されていることを特徴とす
   るサブマウント構造。
3. 【請求項３】請求項１記載のサブマウント構造におい
   て、前記鏡面部を前記金属電極の所定の位置に形成した
   ことを特徴とするサブマウント構造。
4. 【請求項４】請求項１記載のサブマウント構造におい
   て、前記鏡面部が、一個の半導体発光素子に対して複数
   個形成されていることを特徴とするサブマウント構造。
5. 【請求項５】請求項１記載のサブマウント構造におい
   て、前記サブマウントは、主材料がシリコンで、表面が
   鏡面処理されていることを特徴とするサブマウント構
   造。
6. 【請求項６】請求項１〜４のいずれか１つに記載のサブ
   マウント構造を有する光源ユニットを製造する光源ユニ
   ット製造方法において、前記半導体発光素子の裏面マー
   カを前記サブマウント表面の前記鏡面部に反射投影して
   位置合わせを行うことを特徴とする光源ユニット製造方
   法。