JP3538602B2 - 半導体レーザー装置の製造方法および半導体レーザー装置の製造装置 - Google Patents
半導体レーザー装置の製造方法および半導体レーザー装置の製造装置Info
- Publication number
- JP3538602B2 JP3538602B2 JP2001148083A JP2001148083A JP3538602B2 JP 3538602 B2 JP3538602 B2 JP 3538602B2 JP 2001148083 A JP2001148083 A JP 2001148083A JP 2001148083 A JP2001148083 A JP 2001148083A JP 3538602 B2 JP3538602 B2 JP 3538602B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- semiconductor laser
- collet
- light emitting
- submount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
- H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、サブマウント上
に２つの半導体レーザーチップを高精度に、狭いピッチ
にてボンディングする装置およびその方法に関するもの
で、２つのレーザーチップ（例えば、赤色チップと赤外
チップとの組合わせなど）を接合するコンビレーザーの
ダイボンダ等の装置に利用されるものである。
に２つの半導体レーザーチップを高精度に、狭いピッチ
にてボンディングする装置およびその方法に関するもの
で、２つのレーザーチップ（例えば、赤色チップと赤外
チップとの組合わせなど）を接合するコンビレーザーの
ダイボンダ等の装置に利用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の１チップボンディング装置の一実
施例を説明する。従来は、図１および図２に示すように、
鉛直に設けられた真空吸着コレット6を用いて半導体レ
ーザーチップ4を真空吸着し、ウエハシート1から剥離し、
中間ステージ2に搬送し、受渡しする。中間ステージ2にお
いて画像処理によりチップ外形認識を行い、続けて発光
軸認識を行い、そのデータを基にチップ位置のＸＹΘ補
正を行う。
施例を説明する。従来は、図１および図２に示すように、
鉛直に設けられた真空吸着コレット6を用いて半導体レ
ーザーチップ4を真空吸着し、ウエハシート1から剥離し、
中間ステージ2に搬送し、受渡しする。中間ステージ2にお
いて画像処理によりチップ外形認識を行い、続けて発光
軸認識を行い、そのデータを基にチップ位置のＸＹΘ補
正を行う。
【０００３】中間ステージ2上でチップ位置をＸＹΘ補
正した後、吸着コレット6を用いて再度チップを吸着し、
ボンディングステージ3に置かれたサブマウント5上に搬
送し、そのままサブマウント5に接着剤または熱圧着によ
り接合を行う。
正した後、吸着コレット6を用いて再度チップを吸着し、
ボンディングステージ3に置かれたサブマウント5上に搬
送し、そのままサブマウント5に接着剤または熱圧着によ
り接合を行う。
【０００４】すなわち、上記の従来の１チップボンディ
ング装置では、中間ステージ上でチップの位置補正をす
るだけなので、中間ステージ上での位置補正後、コレッ
トを用いてチップをサブマウントに受渡しする際および
サブマウントにチップを搭載した時に微少位置ズレが発
生し、仕様のボンディング位置精度（±２μｍ以下）が
確保できず、レーザー方向にバラツキが生じていた。
ング装置では、中間ステージ上でチップの位置補正をす
るだけなので、中間ステージ上での位置補正後、コレッ
トを用いてチップをサブマウントに受渡しする際および
サブマウントにチップを搭載した時に微少位置ズレが発
生し、仕様のボンディング位置精度（±２μｍ以下）が
確保できず、レーザー方向にバラツキが生じていた。
【０００５】半導体レーザーのダイボンディング工程に
おいて、発光方向にバラツキのない半導体レーザーを効
率良く製造する方法が、特開平７−２０２３４７に開示
されている。この方法では、プローブを用いて、中間ス
テージ上でレーザーチップに通電して発光させ、その発
光軸方向を画像処理により計測し、その計測値に基づき
レーザーチップの位置補正を行って、発光軸方向が一定
の誤差範囲内になったら、レーザーチップ供給機構でレ
ーザーチップを吸着し、搬送してダイボンディングし、
それにより、チップの位置精度を向上させている。
おいて、発光方向にバラツキのない半導体レーザーを効
率良く製造する方法が、特開平７−２０２３４７に開示
されている。この方法では、プローブを用いて、中間ス
テージ上でレーザーチップに通電して発光させ、その発
光軸方向を画像処理により計測し、その計測値に基づき
レーザーチップの位置補正を行って、発光軸方向が一定
の誤差範囲内になったら、レーザーチップ供給機構でレ
ーザーチップを吸着し、搬送してダイボンディングし、
それにより、チップの位置精度を向上させている。
【０００６】また、異なる波長を持つ２種類の発光チッ
プが一つのサブマウント上に精度良くボンディングされ
た２チップ半導体レーザー装置を作製する際、図３Ａに
示すようにチップを一つずつボンディングすると、二つ
目のチップをボンディングするとき、既にボンディング
された一つ目のチップの接合部に熱が加わり外れてしま
うため、２チップを同時にボンディングする必要があ
る。
プが一つのサブマウント上に精度良くボンディングされ
た２チップ半導体レーザー装置を作製する際、図３Ａに
示すようにチップを一つずつボンディングすると、二つ
目のチップをボンディングするとき、既にボンディング
された一つ目のチップの接合部に熱が加わり外れてしま
うため、２チップを同時にボンディングする必要があ
る。
【０００７】そこで、２つのレーザーチップを１つのサ
ブマウントにダイボンドする際に、図２の１チップボン
ディング装置を用い、２つの従来コレットを単に勝手違
いに並ベて２チップボンディング用に構成した場合を図
３Ｂに示す。２チップ半導体レーザー装置における発光
点間距離の仕様は１００±２μｍであることから、図４
に示したように、２つのレーザーチップ（12,13）それ
ぞれの発光点14,15間の距離が１００±２μｍになるよ
うにチップをボンディングしなければならない。しかし
ながら、図３Ｂに示した構成では、コレットが鉛直に配
置されているため、コレット同士が干渉して２チップを
近くにボンディングできないことが分る。
ブマウントにダイボンドする際に、図２の１チップボン
ディング装置を用い、２つの従来コレットを単に勝手違
いに並ベて２チップボンディング用に構成した場合を図
３Ｂに示す。２チップ半導体レーザー装置における発光
点間距離の仕様は１００±２μｍであることから、図４
に示したように、２つのレーザーチップ（12,13）それ
ぞれの発光点14,15間の距離が１００±２μｍになるよ
うにチップをボンディングしなければならない。しかし
ながら、図３Ｂに示した構成では、コレットが鉛直に配
置されているため、コレット同士が干渉して２チップを
近くにボンディングできないことが分る。
【０００８】特開平７−２０２３４７に開示された方法
においても、コレットは鉛直に配置されており、コレッ
ト同士が干渉して、２チップを近くにボンディングでき
ないことが分る。
においても、コレットは鉛直に配置されており、コレッ
ト同士が干渉して、２チップを近くにボンディングでき
ないことが分る。
【０００９】コレットが鉛直に配置された構成におい
て、コレット同士の干渉を避けるためには、コレット本
体の直径をチップの外形より細くすることが考えられ
る。しかしながら、コレットには、チップを真空吸着す
る真空穴を設ける必要があること、チップ吸着時および
チップボンディング時に加重がかかるため、一定以上の
剛性が必要であること、およびコレットの取付・交換の
位置精度を確保しやすい形状とする必要があることか
ら、コレット本体の直径をチップ外形より細くすること
はできないのが現状である。
て、コレット同士の干渉を避けるためには、コレット本
体の直径をチップの外形より細くすることが考えられ
る。しかしながら、コレットには、チップを真空吸着す
る真空穴を設ける必要があること、チップ吸着時および
チップボンディング時に加重がかかるため、一定以上の
剛性が必要であること、およびコレットの取付・交換の
位置精度を確保しやすい形状とする必要があることか
ら、コレット本体の直径をチップ外形より細くすること
はできないのが現状である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記のごとく、２つの
レーザーチップを１つのサブマウントにダイボンドされ
た半導体レーザー装置を作製する際に、上記の従来装置
を単に右左勝手違いに２つ並べた構成では、（１）位置
補正は、中間ステージ上でしか行われないので、中間ス
テージにおける補正後、コレットを用いてチップを受渡
しする際や、サブマウントにチップを置いた時に微少位
置ズレが生じ；および（２）２チップを同時にボンディ
ングする際、２つのチップ発光点間の距離（図４のｘ）
に対する要求仕様が１００μｍと狭く、発光点をチップ
のできる限り端に寄せても、通常の鉛直のコレットでは
コレット同士が干渉し同時に２つのチップを所望する位
置にボンディングできないという欠点があった。
レーザーチップを１つのサブマウントにダイボンドされ
た半導体レーザー装置を作製する際に、上記の従来装置
を単に右左勝手違いに２つ並べた構成では、（１）位置
補正は、中間ステージ上でしか行われないので、中間ス
テージにおける補正後、コレットを用いてチップを受渡
しする際や、サブマウントにチップを置いた時に微少位
置ズレが生じ；および（２）２チップを同時にボンディ
ングする際、２つのチップ発光点間の距離（図４のｘ）
に対する要求仕様が１００μｍと狭く、発光点をチップ
のできる限り端に寄せても、通常の鉛直のコレットでは
コレット同士が干渉し同時に２つのチップを所望する位
置にボンディングできないという欠点があった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の欠点に
鑑みてなされたものである。従って、本発明の目的は、
１つのサブマウント上に２つの半導体レーザーチップを
高精度に、狭いピッチにてボンディングする装置および
その方法を提供することにある。すなわち、本発明にお
いては、中間ステージ上での外形認識および発光軸認識
により、半導体レーザーチップの位置を補正し、サブマ
ウントにボンディングを行うボンディングステージ上で
コレットを電極にしてチップに電圧をかけてそれぞれ２
つのチップを発光させ、その発光点位置データを画像処
理し、そのデータを基に、ボンディングヘッドの圧電素
子に駆動される高分解能精密位置移動機構によって、２
チップ位置の最終位置補正を行った後にボンディングを
行う。かくして、本発明の製造方法によれば、２チップ
半導体レーザー装置を高いボンディング精度にて作製す
ることができる。
鑑みてなされたものである。従って、本発明の目的は、
１つのサブマウント上に２つの半導体レーザーチップを
高精度に、狭いピッチにてボンディングする装置および
その方法を提供することにある。すなわち、本発明にお
いては、中間ステージ上での外形認識および発光軸認識
により、半導体レーザーチップの位置を補正し、サブマ
ウントにボンディングを行うボンディングステージ上で
コレットを電極にしてチップに電圧をかけてそれぞれ２
つのチップを発光させ、その発光点位置データを画像処
理し、そのデータを基に、ボンディングヘッドの圧電素
子に駆動される高分解能精密位置移動機構によって、２
チップ位置の最終位置補正を行った後にボンディングを
行う。かくして、本発明の製造方法によれば、２チップ
半導体レーザー装置を高いボンディング精度にて作製す
ることができる。
【００１２】本発明は、２つの半導体レーザーチップが
１つのサブマウントにダイボンドされた半導体レーザー
装置の製造方法であって、中間ステージに半導体レーザ
ーチップを置く工程と、サブマウント上で該半導体レー
ザーチップを発光させ発光点位置を計測する工程と、該
サブマウントの所定の位置に該半導体レーザーチップを
定点搬送する工程とを含む半導体レーザーチップの製造
方法を提供する。
１つのサブマウントにダイボンドされた半導体レーザー
装置の製造方法であって、中間ステージに半導体レーザ
ーチップを置く工程と、サブマウント上で該半導体レー
ザーチップを発光させ発光点位置を計測する工程と、該
サブマウントの所定の位置に該半導体レーザーチップを
定点搬送する工程とを含む半導体レーザーチップの製造
方法を提供する。
【００１３】本発明による半導体レーザー装置の製造方
法は、さらに、中間ステージに置かれた半導体レーザー
チップの発光点位置および発光軸方向を計測する工程を
含むことを特徴とする。
法は、さらに、中間ステージに置かれた半導体レーザー
チップの発光点位置および発光軸方向を計測する工程を
含むことを特徴とする。
【００１４】また、本発明は、中間ステージに置かれた
半導体レーザーチップの発光点位置および発光軸方向の
計測結果に基づいて、該中間ステージの位置および向き
を補正する工程を含むことを特徴とする。
半導体レーザーチップの発光点位置および発光軸方向の
計測結果に基づいて、該中間ステージの位置および向き
を補正する工程を含むことを特徴とする。
【００１５】また、本発明は、２つの半導体レーザーチ
ップを、コレットを用いて、それぞれのウエハシートま
たはチップトレイから吸着する工程と、定点搬送移動機
構により該コレットを定点搬送して、該２つの半導体レ
ーザーチップをそれぞれの中間ステージに置く工程と、
該中間ステージ上で該２つの半導体レーザーチップの位
置をそれぞれ補正する工程と、該２つの半導体レーザー
チップを再吸着し、定点搬送してサブマウント上に搭載
する工程と、該サブマウント上で該２つの半導体レーザ
ーチップに通電して発光させる工程と、該２つのチップ
の発光点間の距離を計測する工程とを含む半導体レーザ
ー装置の製造方法を提供する。
ップを、コレットを用いて、それぞれのウエハシートま
たはチップトレイから吸着する工程と、定点搬送移動機
構により該コレットを定点搬送して、該２つの半導体レ
ーザーチップをそれぞれの中間ステージに置く工程と、
該中間ステージ上で該２つの半導体レーザーチップの位
置をそれぞれ補正する工程と、該２つの半導体レーザー
チップを再吸着し、定点搬送してサブマウント上に搭載
する工程と、該サブマウント上で該２つの半導体レーザ
ーチップに通電して発光させる工程と、該２つのチップ
の発光点間の距離を計測する工程とを含む半導体レーザ
ー装置の製造方法を提供する。
【００１６】さらに、本発明は、上記半導体レーザー装
置の製造方法において、２つの半導体レーザーチップを
サブマウント上に定点搬送した後、計測された発光点間
距離に基づいて、該コレット定点搬送移動機構とは別の
ＸＹ微動用の移動機構によりチップ位置の補正を行う工
程を含む半導体レーザー装置の製造方法を提供する。
置の製造方法において、２つの半導体レーザーチップを
サブマウント上に定点搬送した後、計測された発光点間
距離に基づいて、該コレット定点搬送移動機構とは別の
ＸＹ微動用の移動機構によりチップ位置の補正を行う工
程を含む半導体レーザー装置の製造方法を提供する。
【００１７】従って、本発明によれば、１度それぞれの
中間ステージに２つのそれぞれのチップを置き、チップ
の外形および発光軸をカメラで認識し、画像処理を使っ
てチップの位置補正を行い、それぞれ位置補正されたチ
ップを定点搬送で左右からサブマウント上に搬送するの
で、サブマウント上での位置ズレは外形認識後のチップ
受渡し時に発生する位置ズレだけになり、高倍率のカメ
ラの狭い視野でも２つのチップの発光点を容易に認識で
きる。
中間ステージに２つのそれぞれのチップを置き、チップ
の外形および発光軸をカメラで認識し、画像処理を使っ
てチップの位置補正を行い、それぞれ位置補正されたチ
ップを定点搬送で左右からサブマウント上に搬送するの
で、サブマウント上での位置ズレは外形認識後のチップ
受渡し時に発生する位置ズレだけになり、高倍率のカメ
ラの狭い視野でも２つのチップの発光点を容易に認識で
きる。
【００１８】また、中間ステージ上でチップの位置補正
を行わない場合、チップピックアップの位置ズレが大き
いと、２チップ間隔が狭いため、ぶつかることがあったが
それも防ぐことができる。サブマウント上の２チップの
発光点間距離を測定して所定の位置にチップがあること
を確認した後に熱圧着するので高精度のボンディングが
行える。
を行わない場合、チップピックアップの位置ズレが大き
いと、２チップ間隔が狭いため、ぶつかることがあったが
それも防ぐことができる。サブマウント上の２チップの
発光点間距離を測定して所定の位置にチップがあること
を確認した後に熱圧着するので高精度のボンディングが
行える。
【００１９】すなわち、本発明によれば、中間ステージ
で、画像処理を用いて２つの半導体レーザーチップの位
置補正を行い、さらに、サブマウント上でも、該２つの
半導体レーザーチップの発光点間距離を測定して位置補
正するので、中間ステージでのチップ位置補正しか行わ
ない従来方法と比べて、２チップ間の距離をより高精度
にボンディングすることが可能となる。また、上記した
チップピックアップの際に問題が生じなければ、中間ス
テージ上での位置補正を粗くすることができ、これによ
り、中間ステージ上での工程時間を短縮して、装置タク
トを速くすることができる。
で、画像処理を用いて２つの半導体レーザーチップの位
置補正を行い、さらに、サブマウント上でも、該２つの
半導体レーザーチップの発光点間距離を測定して位置補
正するので、中間ステージでのチップ位置補正しか行わ
ない従来方法と比べて、２チップ間の距離をより高精度
にボンディングすることが可能となる。また、上記した
チップピックアップの際に問題が生じなければ、中間ス
テージ上での位置補正を粗くすることができ、これによ
り、中間ステージ上での工程時間を短縮して、装置タク
トを速くすることができる。
【００２０】さらに、本発明による半導体レーザー装置
の製造方法は、２つの半導体レーザーチップをサブマウ
ント上で同時に発光させて、発光点間距離を計測し、その
計測データを基に片側の発光点を基準として他方のチッ
プを所定の位置に移動させることによって、ボンディン
グを精度良く行うことを特徴とする。
の製造方法は、２つの半導体レーザーチップをサブマウ
ント上で同時に発光させて、発光点間距離を計測し、その
計測データを基に片側の発光点を基準として他方のチッ
プを所定の位置に移動させることによって、ボンディン
グを精度良く行うことを特徴とする。
【００２１】すなわち、片方のチップボンディングヘッ
ドにのみ微調整機構が有ればよいので比較的安価に構成
可能である。
ドにのみ微調整機構が有ればよいので比較的安価に構成
可能である。
【００２２】さらに、本発明による半導体レーザー装置
の製造方法は、２つの半導体レーザーチップをサブマウ
ント上で同時に発光させて、発光点間距離を計測し、その
計測データを基に両方の半導体レーザーチップに対して
予め定めた発光点位置基準として両方のチップを所定の
位置に移動させることによって、ボンディングを精度良
く行うことを特徴とする。
の製造方法は、２つの半導体レーザーチップをサブマウ
ント上で同時に発光させて、発光点間距離を計測し、その
計測データを基に両方の半導体レーザーチップに対して
予め定めた発光点位置基準として両方のチップを所定の
位置に移動させることによって、ボンディングを精度良
く行うことを特徴とする。
【００２３】すなわち、両方のチップボンディングヘッ
ドに微調整機構を設けることにより、２チップ間の相対
的な位置だけでなく、サブマウントに対するそれぞれの
レーザーチップの絶対的な位置も高精度に決定すること
ができる。
ドに微調整機構を設けることにより、２チップ間の相対
的な位置だけでなく、サブマウントに対するそれぞれの
レーザーチップの絶対的な位置も高精度に決定すること
ができる。
【００２４】また、本発明は、２つの半導体レーザーチ
ップを１つのサブマウントにダイボンディングするため
の２チップボンディング装置であって、半導体レーザー
チップの位置および向きの補正をするための中間ステー
ジと、半導体レーザーチップをボンディングするサブマ
ウントを置くためのボンディングステージと、該ボンデ
ィングステージに置かれたサブマウント上で該２つの半
導体レーザーチップを同時に発光させる手段と、該２つ
の半導体レーザーチップの発光点距離を計測する手段
と、該サブマウントの所定の位置に該２つの半導体レー
ザーチップを定点搬送する手段とを有する該２チップボ
ンディング装置を提供する。
ップを１つのサブマウントにダイボンディングするため
の２チップボンディング装置であって、半導体レーザー
チップの位置および向きの補正をするための中間ステー
ジと、半導体レーザーチップをボンディングするサブマ
ウントを置くためのボンディングステージと、該ボンデ
ィングステージに置かれたサブマウント上で該２つの半
導体レーザーチップを同時に発光させる手段と、該２つ
の半導体レーザーチップの発光点距離を計測する手段
と、該サブマウントの所定の位置に該２つの半導体レー
ザーチップを定点搬送する手段とを有する該２チップボ
ンディング装置を提供する。
【００２５】さらに、本発明の２チップボンディング装
置は、半導体レーザーチップを吸着するためのコレット
と、該コレットのコレットヘッドに結合され、該コレッ
トを移動させるための定点搬送移動機構と、該中間ステ
ージ上で半導体レーザーチップの外形認識を行う手段
と、該中間ステージ上で半導体レーザーチップの発光軸
認識を行う手段と、該中間ステージの位置および向きを
補正するための駆動機構と、該ボンディングステージに
置かれたサブマウント上で２つの半導体レーザーチップ
を同時に発光させる手段と、該２つの半導体レーザーチ
ップの発光点間距離を計測する手段とを有し、該サブマ
ウント上の２つの半導体レーザーチップの位置を補正し
た後にボンディングすることを特徴とする。
置は、半導体レーザーチップを吸着するためのコレット
と、該コレットのコレットヘッドに結合され、該コレッ
トを移動させるための定点搬送移動機構と、該中間ステ
ージ上で半導体レーザーチップの外形認識を行う手段
と、該中間ステージ上で半導体レーザーチップの発光軸
認識を行う手段と、該中間ステージの位置および向きを
補正するための駆動機構と、該ボンディングステージに
置かれたサブマウント上で２つの半導体レーザーチップ
を同時に発光させる手段と、該２つの半導体レーザーチ
ップの発光点間距離を計測する手段とを有し、該サブマ
ウント上の２つの半導体レーザーチップの位置を補正し
た後にボンディングすることを特徴とする。
【００２６】従来のコレットは、図１および図２に示す
ように鉛直に配置されるが、本発明においては、２チッ
プダイボンディングの際、コレット同士が干渉すること
なく発光点間隔１００μｍにてダイボンドを精度良く行
うことができるように、図５Ａに示すごとく、コレット
を装置前方および横方向の双方に傾けて配置する。その
ため、本発明において、傾いた状態でチップを吸着でき
るように、その先端がチップ表面と平行になるように研
磨された斜め型コレット16を開発した。図６に本発明の
斜め型コレットの先端部の拡大図を示す。
ように鉛直に配置されるが、本発明においては、２チッ
プダイボンディングの際、コレット同士が干渉すること
なく発光点間隔１００μｍにてダイボンドを精度良く行
うことができるように、図５Ａに示すごとく、コレット
を装置前方および横方向の双方に傾けて配置する。その
ため、本発明において、傾いた状態でチップを吸着でき
るように、その先端がチップ表面と平行になるように研
磨された斜め型コレット16を開発した。図６に本発明の
斜め型コレットの先端部の拡大図を示す。
【００２７】また、図５Ｂのような偏心型コレット17で
も、同様に発光点間隔１００μｍにてダイボンドを精度
良く行うことができる。この偏心型コレット17は、従来
のコレットに偏心したブロックをロウ付けし、コレット
先端を偏心させることによって、コレット同士の干渉を
避けている。
も、同様に発光点間隔１００μｍにてダイボンドを精度
良く行うことができる。この偏心型コレット17は、従来
のコレットに偏心したブロックをロウ付けし、コレット
先端を偏心させることによって、コレット同士の干渉を
避けている。
【００２８】さらに、本発明の２チップボンディング装
置は、図７および８に示すように、真空吸着コレットヘ
ッドに定点搬送移動機構以外に別途ＸＹ微動用の圧電素
子精密駆動機構（123,124）が結合されていることを特
徴とする。すなわち、赤色チップおよび赤外チップ用の
ボンディングヘッドの構成はボールネジ120で駆動され
るブロック上にさらにＸＹ方向に精密位置決め機構（圧
電素子精密駆動機構（123,124））を設け、その先端に
コレットを配置している。また、この圧電素子精密駆動
機構は、上記のごとく測定された発光点距離データに基
づいて駆動される。
置は、図７および８に示すように、真空吸着コレットヘ
ッドに定点搬送移動機構以外に別途ＸＹ微動用の圧電素
子精密駆動機構（123,124）が結合されていることを特
徴とする。すなわち、赤色チップおよび赤外チップ用の
ボンディングヘッドの構成はボールネジ120で駆動され
るブロック上にさらにＸＹ方向に精密位置決め機構（圧
電素子精密駆動機構（123,124））を設け、その先端に
コレットを配置している。また、この圧電素子精密駆動
機構は、上記のごとく測定された発光点距離データに基
づいて駆動される。
【００２９】本発明の２チップボンディング装置は、コ
レットが斜め型コレットであって、２つの斜め型コレッ
トが対向して取りつけられ、該２つの斜め型コレットを
用いて２つの半導体レーザーチップを同時にダイボンデ
ィングすることが可能なので、それぞれ２つの半導体レ
ーザーチップを真空吸着しながら、至近距離まで近付け
ることができ、微少間隔の２チップダイボンディングが
可能である。すなわち、本発明による２チップボンディ
ング装置は、図５Ａに示した対向する斜め型コレット16
を用いてチップをサブマウント上に定点搬送し、サブマ
ウント上でチップを発光させ、その発光点認識データを
基に圧電素子を使って位置補正を行い、２つのコレット
でダイボンディングを精度良く行うことができる。
レットが斜め型コレットであって、２つの斜め型コレッ
トが対向して取りつけられ、該２つの斜め型コレットを
用いて２つの半導体レーザーチップを同時にダイボンデ
ィングすることが可能なので、それぞれ２つの半導体レ
ーザーチップを真空吸着しながら、至近距離まで近付け
ることができ、微少間隔の２チップダイボンディングが
可能である。すなわち、本発明による２チップボンディ
ング装置は、図５Ａに示した対向する斜め型コレット16
を用いてチップをサブマウント上に定点搬送し、サブマ
ウント上でチップを発光させ、その発光点認識データを
基に圧電素子を使って位置補正を行い、２つのコレット
でダイボンディングを精度良く行うことができる。
【００３０】また、上記の２チップボンディング装置
は、コレットを対向する斜め型コレット16にすることに
よって、チップボンディング状態、コレット吸着状態がチ
ップボンディングヘッドの真上から確認できるように、
視野を開放したことを特徴とする。すなわち、本発明の
コレットを使用すれば、真上からボンディング状態を確
認することができ、真上にカメラを配置することによっ
て２つのチップの位置やボンディング状況がモニターで
きる。
は、コレットを対向する斜め型コレット16にすることに
よって、チップボンディング状態、コレット吸着状態がチ
ップボンディングヘッドの真上から確認できるように、
視野を開放したことを特徴とする。すなわち、本発明の
コレットを使用すれば、真上からボンディング状態を確
認することができ、真上にカメラを配置することによっ
て２つのチップの位置やボンディング状況がモニターで
きる。
【００３１】さらに、本発明の２チップボンディング装
置は、コレットが偏心型コレットであって、２つの斜め
型コレットが対向して取り付けられ、該２つの斜め型コ
レットを用いて２つの半導体レーザーチップを同時にダ
イボンディングすることが可能なので、それぞれ２つの
半導体レーザーチップを真空吸着しながら、至近距離ま
で近付けることができ、微少間隔の２チップダイボンデ
ィングが可能である。すなわち、本発明による２チップ
ボンディング装置は、図５Ｂに示した対向する偏心型コ
レット17を用いてチップをサブマウント上に定点搬送
し、サブマウント上でチップを発光させ、その発光点認
識データを基に圧電素子（123,124）を使って位置補正
を行い、２つのコレットでダイボンディングを精度良く
行うことを特徴とする。
置は、コレットが偏心型コレットであって、２つの斜め
型コレットが対向して取り付けられ、該２つの斜め型コ
レットを用いて２つの半導体レーザーチップを同時にダ
イボンディングすることが可能なので、それぞれ２つの
半導体レーザーチップを真空吸着しながら、至近距離ま
で近付けることができ、微少間隔の２チップダイボンデ
ィングが可能である。すなわち、本発明による２チップ
ボンディング装置は、図５Ｂに示した対向する偏心型コ
レット17を用いてチップをサブマウント上に定点搬送
し、サブマウント上でチップを発光させ、その発光点認
識データを基に圧電素子（123,124）を使って位置補正
を行い、２つのコレットでダイボンディングを精度良く
行うことを特徴とする。
【００３２】従って、本発明の上記の構成によれば、定
点搬送位置決め分解能は最終位置補正で必要な分解能よ
りも粗くても良く、定点搬送の際にコレットを高速移動
させることが可能となり、生産効率を向上させることが
できる。そして、サブマウント上における２発光点間の
最終位置補正で位置分解能が必要な所は、圧電素子によ
って高分解能で精密に位置決めすることが可能である。
点搬送位置決め分解能は最終位置補正で必要な分解能よ
りも粗くても良く、定点搬送の際にコレットを高速移動
させることが可能となり、生産効率を向上させることが
できる。そして、サブマウント上における２発光点間の
最終位置補正で位置分解能が必要な所は、圧電素子によ
って高分解能で精密に位置決めすることが可能である。
【００３３】また、本発明の２チップボンディング装置
は、中間ステージ用とボンディングステージ用にそれぞ
れ１対づつコレット対を設けたことを特徴とする。すな
わち、本発明の２チップボンディング装置によれば、中
間ステージ用とボンディングステージ用とに、それぞれ
コレット対が設けられているので、中間ステージにおけ
る位置補正およびボンディングステージにおける位置補
正を同時に行うことが可能となり、装置タクトを速くす
ることができる。
は、中間ステージ用とボンディングステージ用にそれぞ
れ１対づつコレット対を設けたことを特徴とする。すな
わち、本発明の２チップボンディング装置によれば、中
間ステージ用とボンディングステージ用とに、それぞれ
コレット対が設けられているので、中間ステージにおけ
る位置補正およびボンディングステージにおける位置補
正を同時に行うことが可能となり、装置タクトを速くす
ることができる。
【００３４】また、チップを発光させるためには、チッ
プの表面にプローブをコンタクトさせる必要あるが、チ
ップが微小の為、従来の装置では、コレットでチップを
真空吸着したまま他のプローブでレーザーチップの表面
をコンタクトすることが難しかった。しかしながら、コ
レットを通電材料で作成し、コレット自体を通電の電極
にすれば、レーザーチップを真空吸着したまま通電して
発光させることができる。
プの表面にプローブをコンタクトさせる必要あるが、チ
ップが微小の為、従来の装置では、コレットでチップを
真空吸着したまま他のプローブでレーザーチップの表面
をコンタクトすることが難しかった。しかしながら、コ
レットを通電材料で作成し、コレット自体を通電の電極
にすれば、レーザーチップを真空吸着したまま通電して
発光させることができる。
【００３５】従って、本発明の２チップボンディング装
置は、上記コレットを通電材料で作製し、チップ発光の
電極とし、コレットに電圧をかけることによってチップ
を発光させることを特徴とする。
置は、上記コレットを通電材料で作製し、チップ発光の
電極とし、コレットに電圧をかけることによってチップ
を発光させることを特徴とする。
【００３６】本発明によれば、レーザーチップを真空吸
着したままコレットを下降し、サブマウント上に搭載し、
吸着コレットとサブマウント上のグラウンド側を通電
し、チップを発光させることができる。
着したままコレットを下降し、サブマウント上に搭載し、
吸着コレットとサブマウント上のグラウンド側を通電
し、チップを発光させることができる。
【００３７】さらに、本発明の２チップボンディング装
置は、コレットが炭化タングステンコバルト（ＷＣ-Ｃ
ｏ）系超硬金属焼結材で作製され、該コレットをチップ
発光の電極として用い、コレットに電圧をかけることに
よってチップを発光させることを特徴とする。
置は、コレットが炭化タングステンコバルト（ＷＣ-Ｃ
ｏ）系超硬金属焼結材で作製され、該コレットをチップ
発光の電極として用い、コレットに電圧をかけることに
よってチップを発光させることを特徴とする。
【００３８】本発明のコレットは、半導体レーザーチッ
プを熱圧着するためのツールとして、および電極として
使用することから、低い熱伝導率、高い導電率および高
い部品剛性ならびに部品精度を有することが必要とされ
る。そこで、本発明者らは、コレットの材質としてＷＣ
-Ｃｏ系超硬金属焼結材に着目した。ＷＣ-Ｃｏ系超硬金
属焼結材は熱伝導率が低く、レーザーチップ熱圧着時、
熱がコレットを伝わって逃げにくいのでコレットの材質
として有効であり、また、導電性も比較的良いことから
電極として使用可能である。さらに、ＷＣ-Ｃｏ系超硬
金属焼結材は剛性が高く、放電加工によって高精度、高剛
性の微小部品が製作可能である。
プを熱圧着するためのツールとして、および電極として
使用することから、低い熱伝導率、高い導電率および高
い部品剛性ならびに部品精度を有することが必要とされ
る。そこで、本発明者らは、コレットの材質としてＷＣ
-Ｃｏ系超硬金属焼結材に着目した。ＷＣ-Ｃｏ系超硬金
属焼結材は熱伝導率が低く、レーザーチップ熱圧着時、
熱がコレットを伝わって逃げにくいのでコレットの材質
として有効であり、また、導電性も比較的良いことから
電極として使用可能である。さらに、ＷＣ-Ｃｏ系超硬
金属焼結材は剛性が高く、放電加工によって高精度、高剛
性の微小部品が製作可能である。
【００３９】
【発明の実施の形態】図７および８に示す本発明の２チ
ップボンディング装置を用いて、赤色チップおよび赤外
チップをボンディングする動作手順は、以下の： （１）赤色および赤外用のそれぞれのウエハシート（10
1,102）から取出すチップの位置を画像処理にて確認
し、所定の位置にそれらのチップを位置決めする工程； （２）突上げバリでチップを突き上げ、コレット（105,
106）でチップを真空吸着し、ウエハシート（101,102）
からチップを取り出す工程； （３）ウエハシート（101,102）から取り出したチップ
を真空吸着したまま定点搬送して、それぞれの中間ステ
ージ（109,110）に置く工程； （４）外形認識カメラ（111,112）を用いてチップの所
定の位置からのチップ位置ズレ量ｘｙを検出し、また、発
光点認識カメラ（113,114）で角度ズレ量θを検出する
工程； （５）中間ステージ（109,110）をＸＹΘ駆動機構（図
示せず）でズレ量ｘｙθ分だけ移動させて、チップを所
定の位置に位置補正する工程； （６）位置補正されたチップをそれぞれのコレット（10
5,106）で真空吸着し、それぞれ左右から、ボンディング
ステージ 115に置かれたサブマウント116上方位置まで
定点搬送する工程；および （７）左右から赤色チップおよび赤外チップ（103,10
4）それぞれを吸着したコレットを下降させ、サブマウ
ント116上にチップを接触させる工程を含む。
ップボンディング装置を用いて、赤色チップおよび赤外
チップをボンディングする動作手順は、以下の： （１）赤色および赤外用のそれぞれのウエハシート（10
1,102）から取出すチップの位置を画像処理にて確認
し、所定の位置にそれらのチップを位置決めする工程； （２）突上げバリでチップを突き上げ、コレット（105,
106）でチップを真空吸着し、ウエハシート（101,102）
からチップを取り出す工程； （３）ウエハシート（101,102）から取り出したチップ
を真空吸着したまま定点搬送して、それぞれの中間ステ
ージ（109,110）に置く工程； （４）外形認識カメラ（111,112）を用いてチップの所
定の位置からのチップ位置ズレ量ｘｙを検出し、また、発
光点認識カメラ（113,114）で角度ズレ量θを検出する
工程； （５）中間ステージ（109,110）をＸＹΘ駆動機構（図
示せず）でズレ量ｘｙθ分だけ移動させて、チップを所
定の位置に位置補正する工程； （６）位置補正されたチップをそれぞれのコレット（10
5,106）で真空吸着し、それぞれ左右から、ボンディング
ステージ 115に置かれたサブマウント116上方位置まで
定点搬送する工程；および （７）左右から赤色チップおよび赤外チップ（103,10
4）それぞれを吸着したコレットを下降させ、サブマウ
ント116上にチップを接触させる工程を含む。
【００４０】上記（１）〜（６）の工程は、赤色チップ
および赤外チップに対して、同時に行うこともできる
し、それぞれ１つずつ行うこともできる。従来例におい
ては、（７）の工程を同時に行うことができなかった
が、本発明により、この工程を同時に行うことが可能と
なった。
および赤外チップに対して、同時に行うこともできる
し、それぞれ１つずつ行うこともできる。従来例におい
ては、（７）の工程を同時に行うことができなかった
が、本発明により、この工程を同時に行うことが可能と
なった。
【００４１】従来例では、このままボンディングして終
了であるが、本発明は、さらに： （８）チップをコレット（105,106）で真空吸着したま
ま、赤色チップおよび赤外チップ（103,104）をサブマウ
ント116上に仮置きする工程； （９）サブマウント116に形成された赤色チップおよび
赤外チップそれぞれと導通する配線にコンタクトプロー
ブ（図示せず）を接触させ、それぞれのコンタクトプロ
ーブとそれぞれのコレット間とを通電して２つのチップ
を発光させる工程； （１０）この２つのチップの発光点117,118を１つの発
光点間距離認識カメラ119によって認識し、２つのチップ
の発光点間の距離および２つの発光点からの発光軸の傾
きを検出し、所定の位置と比較し、基準からのズレ量を検
出する工程； （１１）ズレがあれば、通電を切り、コレットを上昇さ
せ、赤色チップ用および赤外チップ用それぞれのコレッ
トヘッドに設けた圧電素子にズレ量に見合った電圧をか
けることによって、コレットを駆動して基準の発光点位
置にチップ位置を補正する工程； （１２）位置補正後、再度コレットを下降させ、（９）
〜（１１）の工程を所定回数繰返し、２チップの発光点
間距離が仕様の範囲になるまでズレ補正を行う工程； （１３）位置補正を所定回数繰り返し、仕様の精度が得
られない場合はエラーとして処理する工程； （１４）仕様の精度が得られれば、コンタクトプローブ
を上昇させ、両方のコレット（105,106）を下降させた
ままサブマウント116を加熱し、赤色チップおよび赤外
チップ（103,104）を熱圧着によってサブマウント116に
ボンディングする工程； （１５）ボンディング完了後、再度、（９）および（１
０）の工程を行い、位置精度を確認する工程；および （１６）コレット（105,106）を上昇させ、定点搬送の
スタート位置に戻す工程を含む。
了であるが、本発明は、さらに： （８）チップをコレット（105,106）で真空吸着したま
ま、赤色チップおよび赤外チップ（103,104）をサブマウ
ント116上に仮置きする工程； （９）サブマウント116に形成された赤色チップおよび
赤外チップそれぞれと導通する配線にコンタクトプロー
ブ（図示せず）を接触させ、それぞれのコンタクトプロ
ーブとそれぞれのコレット間とを通電して２つのチップ
を発光させる工程； （１０）この２つのチップの発光点117,118を１つの発
光点間距離認識カメラ119によって認識し、２つのチップ
の発光点間の距離および２つの発光点からの発光軸の傾
きを検出し、所定の位置と比較し、基準からのズレ量を検
出する工程； （１１）ズレがあれば、通電を切り、コレットを上昇さ
せ、赤色チップ用および赤外チップ用それぞれのコレッ
トヘッドに設けた圧電素子にズレ量に見合った電圧をか
けることによって、コレットを駆動して基準の発光点位
置にチップ位置を補正する工程； （１２）位置補正後、再度コレットを下降させ、（９）
〜（１１）の工程を所定回数繰返し、２チップの発光点
間距離が仕様の範囲になるまでズレ補正を行う工程； （１３）位置補正を所定回数繰り返し、仕様の精度が得
られない場合はエラーとして処理する工程； （１４）仕様の精度が得られれば、コンタクトプローブ
を上昇させ、両方のコレット（105,106）を下降させた
ままサブマウント116を加熱し、赤色チップおよび赤外
チップ（103,104）を熱圧着によってサブマウント116に
ボンディングする工程； （１５）ボンディング完了後、再度、（９）および（１
０）の工程を行い、位置精度を確認する工程；および （１６）コレット（105,106）を上昇させ、定点搬送の
スタート位置に戻す工程を含む。
【００４２】上記工程（１１）において、サブマウント1
16と２つのチップとの位置精度がそれほど重要でない場
合には、一方のレーザーチップ位置を基準として他方の
レーザーチップ位置のみを補正することもできる。すな
わち、位置補正するチップのボンディングヘッドにのみ
圧電素子調整機構（123,124）を設けるだけで高精度の
補正が可能である。
16と２つのチップとの位置精度がそれほど重要でない場
合には、一方のレーザーチップ位置を基準として他方の
レーザーチップ位置のみを補正することもできる。すな
わち、位置補正するチップのボンディングヘッドにのみ
圧電素子調整機構（123,124）を設けるだけで高精度の
補正が可能である。
【００４３】上記工程（１２）において、２チップの発
光点間距離は半導体レーザ装置の仕様等に従って任意に
決定することができる。また、繰返し回数も任意に決定
することができる。
光点間距離は半導体レーザ装置の仕様等に従って任意に
決定することができる。また、繰返し回数も任意に決定
することができる。
【００４４】通常、ボンディング中はコレットの真空吸
着を継続させるが、チップに伝わった熱が逃げないよう
にするため、上記工程（１４）の加熱途中で、コレット
の真空吸着を切って、コレットを上昇させておくことも
できる。また、（１６）の工程を省略することもでき
る。
着を継続させるが、チップに伝わった熱が逃げないよう
にするため、上記工程（１４）の加熱途中で、コレット
の真空吸着を切って、コレットを上昇させておくことも
できる。また、（１６）の工程を省略することもでき
る。
【００４５】さらに、中間ステージ用とボンディングス
テージ用とに、それぞれコレット対が設けることによ
り、中間ステージにおける位置補正およびボンディング
ステージにおける位置補正を同時に行うことが可能とな
り、装置タクトを速くすることができる。
テージ用とに、それぞれコレット対が設けることによ
り、中間ステージにおける位置補正およびボンディング
ステージにおける位置補正を同時に行うことが可能とな
り、装置タクトを速くすることができる。
【００４６】
【実施例】本発明の２チップボンディング用装置の構成
図を図７に示し、本発明の一実施形態を図８に示し、こ
れらの図面に基づいて本発明の実施例について説明する
が、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
図を図７に示し、本発明の一実施形態を図８に示し、こ
れらの図面に基づいて本発明の実施例について説明する
が、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４７】実施例１
本発明による斜め型コレットを用いて、発光点間距離の
仕様が１００μｍである２チップ半導体レーザー装置を
作製するための２チップボンディング工程を以下に説明
する。
仕様が１００μｍである２チップ半導体レーザー装置を
作製するための２チップボンディング工程を以下に説明
する。
【００４８】Ａ．中間ステージにおける位置補正
まず、図７のように赤色チップのウエハシート101、赤外
チップのウエハシート102から通常の従来技術のピック
アップ処理によって赤色および赤外の各チップ（103,10
4）を取り出し、それぞれの中間ステージ（109,110）に
置いた。次に、外形認識カメラ（111,112）にてチップ
基準位置からのチップ位置ズレ量ｘｙを検出し、また、発
光点認識カメラ（113,114）で基準方向からの発光軸の
角度ズレ量θを検出した。その検出データを基に、中間
ステージ（109,110）をズレ量ｘｙθ分だけ移動させて、
チップを基準位置に位置補正した（図９）。 ここで、チップから出射されるレーザーの発光軸方向を
Ｙ方向とし、チップの上下方向をＺ方向とし、さらに、
ＹＺ平面に垂直な方向をＸ方向とする。
チップのウエハシート102から通常の従来技術のピック
アップ処理によって赤色および赤外の各チップ（103,10
4）を取り出し、それぞれの中間ステージ（109,110）に
置いた。次に、外形認識カメラ（111,112）にてチップ
基準位置からのチップ位置ズレ量ｘｙを検出し、また、発
光点認識カメラ（113,114）で基準方向からの発光軸の
角度ズレ量θを検出した。その検出データを基に、中間
ステージ（109,110）をズレ量ｘｙθ分だけ移動させて、
チップを基準位置に位置補正した（図９）。 ここで、チップから出射されるレーザーの発光軸方向を
Ｙ方向とし、チップの上下方向をＺ方向とし、さらに、
ＹＺ平面に垂直な方向をＸ方向とする。
【００４９】赤色チップを例として、中間ステージでの
外形認識および発光軸認識によりチップの位置および角
度のズレを補正する工程を詳しく説明する（図１０〜１
２）。
外形認識および発光軸認識によりチップの位置および角
度のズレを補正する工程を詳しく説明する（図１０〜１
２）。
【００５０】Ｉ．チップの外形認識によるズレ補正
まず、上方からチップ外形を認識できるＣＣＤカメラ
（外形認識カメラ111）でチップを外形認識する（図１
０Ａ）。外形認識カメラ111の分解能をできるだけ上げ
るために、チップのレーザー出射端面付近のみ拡大観察
できるよう倍率調整する（図１０Ｂ）。チップの出射端
面128と両サイド部分129の外形位置を検出し（図１０
Ｃ）、基準位置からの位置ズレ量ｘｙと基準方向からの
角度ズレ量θを算出する。算出された基準からのズレ量
をモータ移動量に換算し、基準位置および基準方向に中
間ステージを移動させて、レーザチップ位置のＸＹΘ補
正を行った。
（外形認識カメラ111）でチップを外形認識する（図１
０Ａ）。外形認識カメラ111の分解能をできるだけ上げ
るために、チップのレーザー出射端面付近のみ拡大観察
できるよう倍率調整する（図１０Ｂ）。チップの出射端
面128と両サイド部分129の外形位置を検出し（図１０
Ｃ）、基準位置からの位置ズレ量ｘｙと基準方向からの
角度ズレ量θを算出する。算出された基準からのズレ量
をモータ移動量に換算し、基準位置および基準方向に中
間ステージを移動させて、レーザチップ位置のＸＹΘ補
正を行った。
【００５１】ＩＩ．レーザー発光軸認識による角度補正
チップ形状の外形認識によるズレ補正だけでは、図１０
に示すように、レーザーの射出方向130が基準方向に対
して傾いていることがあるので、さらに発光軸認識によ
る角度補正を行った。
に示すように、レーザーの射出方向130が基準方向に対
して傾いていることがあるので、さらに発光軸認識によ
る角度補正を行った。
【００５２】まず、レーザー出射面側からレーザー発光
点117を観察できるCCDカメラ（発光点認識カメラ113）
でチップ発光点位置を検出し、出射面にピントが合った
状態で出射面上の水平位置（ｘ１,ｚ１）を決定する
（図１１Ａ）。このとき、ＸＺ平面の原点は限定しない
が、ここでは、画像の中央に設定した。この発光点認識
カメラ113は、発光ピント位置検出のためにＹ方向に駆
動可能であるので（図９）、Ｙ方向にステップ駆動させ
ながら、レーザー発光点を観察し、ｙの値を変えてビー
ム径を測定した（図１１ＢおよびＣ）。レーザー出射面
上でのビームは、レーザーチップの活性層に沿って横に
広がるので、ビーム形状は横長となる。そこで、本発明
において、活性層に対して垂直方向、すなわちＺ方向の
ビーム幅を「ビーム径」とした。次いで、上記したごと
く得られた測定値を基にして、最小二乗法を用いてｙの
値とビーム径との関係を２次関数で近似した。この近似
式において最小のビーム径を与えるｙの値をｙ１とした
（図１１Ｃ）。
点117を観察できるCCDカメラ（発光点認識カメラ113）
でチップ発光点位置を検出し、出射面にピントが合った
状態で出射面上の水平位置（ｘ１,ｚ１）を決定する
（図１１Ａ）。このとき、ＸＺ平面の原点は限定しない
が、ここでは、画像の中央に設定した。この発光点認識
カメラ113は、発光ピント位置検出のためにＹ方向に駆
動可能であるので（図９）、Ｙ方向にステップ駆動させ
ながら、レーザー発光点を観察し、ｙの値を変えてビー
ム径を測定した（図１１ＢおよびＣ）。レーザー出射面
上でのビームは、レーザーチップの活性層に沿って横に
広がるので、ビーム形状は横長となる。そこで、本発明
において、活性層に対して垂直方向、すなわちＺ方向の
ビーム幅を「ビーム径」とした。次いで、上記したごと
く得られた測定値を基にして、最小二乗法を用いてｙの
値とビーム径との関係を２次関数で近似した。この近似
式において最小のビーム径を与えるｙの値をｙ１とした
（図１１Ｃ）。
【００５３】検出したｙ１からさらに、発光点カメラを
Ｙ方向にΔｙ分だけ駆動し、発光レベルが飽和しないレ
ベルまで発光レベルコントロールを行い、レーザー発光
点を観察し、出射面上の水平位置ｘ２を検出し、式１を
用いて発光軸の傾きθを算出する（図１１Ｄ）。
Ｙ方向にΔｙ分だけ駆動し、発光レベルが飽和しないレ
ベルまで発光レベルコントロールを行い、レーザー発光
点を観察し、出射面上の水平位置ｘ２を検出し、式１を
用いて発光軸の傾きθを算出する（図１１Ｄ）。
【００５４】
【式１】
【００５５】基準位置と各々検出した位置関係から補正
量を算出し、中間ステージ109をXＹΘ移動させた。この
手順を規定収束値まで繰返した発光認識補正後の状態を
図１２Ａ〜Ｄに示す。赤外チップのズレ補正も上記と同
様に行った。
量を算出し、中間ステージ109をXＹΘ移動させた。この
手順を規定収束値まで繰返した発光認識補正後の状態を
図１２Ａ〜Ｄに示す。赤外チップのズレ補正も上記と同
様に行った。
【００５６】位置および角度が補正された赤色チップお
よび赤外チップをそれぞれのコレット（105,106）で真
空吸着し、それぞれ左右からボンディングステージに置
かれたサブマウント116上に定点搬送した。
よび赤外チップをそれぞれのコレット（105,106）で真
空吸着し、それぞれ左右からボンディングステージに置
かれたサブマウント116上に定点搬送した。
【００５７】Ｂ．ボンディングステージにおける最終位
置補正 次に、ボンディングステージにおける位置補正について
詳しく説明する。この補正には、両方のチップをサブマ
ウントに対する絶対的な位置に移動させる絶対位置補正
および、いずれか一方のチップの発光点を基準として、
他方のチップのみを移動させる相対位置補正の２つの方
法があるが、この実施例では絶対位置補正を行った。
置補正 次に、ボンディングステージにおける位置補正について
詳しく説明する。この補正には、両方のチップをサブマ
ウントに対する絶対的な位置に移動させる絶対位置補正
および、いずれか一方のチップの発光点を基準として、
他方のチップのみを移動させる相対位置補正の２つの方
法があるが、この実施例では絶対位置補正を行った。
【００５８】ボンディングステージまで定点搬送された
赤色チップおよび赤外チップを真空吸着したままコレッ
ト（105,106）を下降させ、赤色チップおよび赤外チップ
（103,104）をサブマウント116上に仮置きし、各コレッ
ト（105,106）とサブマウント116上のグラウンド間を通
電し、２つの半導体レーザーチップ（103,104）を発光
させた。２つの半導体レーザーチップの発光点117,118
を1つのレーザー出射面側から観察できる発光点ＣＣＤ
カメラ（発光点間距離認識カメラ119）によって認識し
た。
赤色チップおよび赤外チップを真空吸着したままコレッ
ト（105,106）を下降させ、赤色チップおよび赤外チップ
（103,104）をサブマウント116上に仮置きし、各コレッ
ト（105,106）とサブマウント116上のグラウンド間を通
電し、２つの半導体レーザーチップ（103,104）を発光
させた。２つの半導体レーザーチップの発光点117,118
を1つのレーザー出射面側から観察できる発光点ＣＣＤ
カメラ（発光点間距離認識カメラ119）によって認識し
た。
【００５９】この発光点ＣＣＤカメラ光学系には、色収
差無しレンズ131を使って、各々のチップの波長の違い
によるＺ位置認識の違いを無くした。また、発光点間距
離認識カメラ119は、発光ピント位置検出のためにＹ駆
動可能な構造となっている（図１３）。
差無しレンズ131を使って、各々のチップの波長の違い
によるＺ位置認識の違いを無くした。また、発光点間距
離認識カメラ119は、発光ピント位置検出のためにＹ駆
動可能な構造となっている（図１３）。
【００６０】発光点間距離認識カメラ119により検出さ
れた２つの発光点間の距離および２つの半導体レーザー
チップからの発光軸の傾きを基準値と比較して、基準値
からのズレ量を測定し、それを基に２チップの位置補正
を行った。発光点間距離認識による位置補正前後の状態
を図１４に示す。
れた２つの発光点間の距離および２つの半導体レーザー
チップからの発光軸の傾きを基準値と比較して、基準値
からのズレ量を測定し、それを基に２チップの位置補正
を行った。発光点間距離認識による位置補正前後の状態
を図１４に示す。
【００６１】まず、発光点間距離認識カメラ119でレー
ザー発光点（117,118）を観察し、出射面に対し水平位
置（ｘ３,ｚ３）および（ｘ４,ｚ４）を検出し、式２を
用いて２点間距離Ｌ’を算出した。
ザー発光点（117,118）を観察し、出射面に対し水平位
置（ｘ３,ｚ３）および（ｘ４,ｚ４）を検出し、式２を
用いて２点間距離Ｌ’を算出した。
【００６２】
【式２】
【００６３】次に、発光点間距離認識カメラ119をＹ方
向にステップ駆動させながら、レーザー発光点（117,11
8）を観察し、ｙの値を変えてビーム径を測定した（図
１４）。次いで、上記したごとく得れらた測定値を基に
して、最小二乗法を用いてｙの値とビーム径との関係を
２次関数で近似した。赤色チップおよび赤外チップそれ
ぞれに対し、この近似式において最小のビーム径を与え
るｙの値をｙ３およびｙ４とした。検出した２点の発光
点からＸ方向およびＹ方向の２軸駆動可能な圧電素子付
きボンディングヘッドにより、２点間距離Ｌ’が基準値
Ｌ（１００±２μｍ）になるまでチップをＸ方向および
Ｙ方向に移動させ、繰返し補正する。あるいは、Ｘを基
準値に対して合わせることも可能である。この手順を規
定収束値まで繰返し、２つのチップ両方につき高分解能
精密位置補正を行った。
向にステップ駆動させながら、レーザー発光点（117,11
8）を観察し、ｙの値を変えてビーム径を測定した（図
１４）。次いで、上記したごとく得れらた測定値を基に
して、最小二乗法を用いてｙの値とビーム径との関係を
２次関数で近似した。赤色チップおよび赤外チップそれ
ぞれに対し、この近似式において最小のビーム径を与え
るｙの値をｙ３およびｙ４とした。検出した２点の発光
点からＸ方向およびＹ方向の２軸駆動可能な圧電素子付
きボンディングヘッドにより、２点間距離Ｌ’が基準値
Ｌ（１００±２μｍ）になるまでチップをＸ方向および
Ｙ方向に移動させ、繰返し補正する。あるいは、Ｘを基
準値に対して合わせることも可能である。この手順を規
定収束値まで繰返し、２つのチップ両方につき高分解能
精密位置補正を行った。
【００６４】この実施例においては、赤色チップおよび
赤外チップの両方の位置補正を行ったが、例えば、赤色
チップ基準で赤外チップのみを補正する相対位置補正も
可能である。
赤外チップの両方の位置補正を行ったが、例えば、赤色
チップ基準で赤外チップのみを補正する相対位置補正も
可能である。
【００６５】その後、コレットを上昇させ、それぞれ赤
色チップ用および赤外チップ用のボンディングヘッドに
設けた圧電素子にズレ量に見合った電圧をかけることに
よってズレ補正を行い、チップをそれぞれの基準の発光
点位置に移動させた。再度、ズレ検出を行い、決められた
精度内にあることを確認しボンディングした。
色チップ用および赤外チップ用のボンディングヘッドに
設けた圧電素子にズレ量に見合った電圧をかけることに
よってズレ補正を行い、チップをそれぞれの基準の発光
点位置に移動させた。再度、ズレ検出を行い、決められた
精度内にあることを確認しボンディングした。
【００６６】発光点間距離が１００±２μｍの精度の２
チップ半導体レーザー装置が得られた。
チップ半導体レーザー装置が得られた。
【００６７】実施例２
コレットを本発明の偏心型コレット17とした以外は実施
例１と同様にして、２チップ半導体レーザー装置を作製
した。
例１と同様にして、２チップ半導体レーザー装置を作製
した。
【００６８】発光点間距離が１００±２μｍの精度の２
チップ半導体レーザー装置が得られた。
チップ半導体レーザー装置が得られた。
【００６９】
【発明の効果】本発明の方法および装置を用いることに
より、中間ステージ上だけで画像処理によるチップ補正
を行う従来のダイボンディング装置と比較して、より高
い位置精度のボンディングが可能となった。
より、中間ステージ上だけで画像処理によるチップ補正
を行う従来のダイボンディング装置と比較して、より高
い位置精度のボンディングが可能となった。
【００７０】すなわち、本発明によれば、２つの半導体
レーザーチップを１つのサブマウントにダイボンドする
際に、２つのチップの発光点間距離を要求仕様である１
００±２μｍの範囲に高精度で実装することが可能とな
る。さらに、サブマウント上で最終位置補正を行うた
め、定点搬送の際にコレットを高速移動できるので、生
産性を向上させることができる。
レーザーチップを１つのサブマウントにダイボンドする
際に、２つのチップの発光点間距離を要求仕様である１
００±２μｍの範囲に高精度で実装することが可能とな
る。さらに、サブマウント上で最終位置補正を行うた
め、定点搬送の際にコレットを高速移動できるので、生
産性を向上させることができる。
【図１】 従来の１チップボンディング装置の構成を示
す概略図。
す概略図。
【図２】 従来の１チップボンディング装置の一実施例
を示す概略図。
を示す概略図。
【図３】 従来のコレットによる２チップボンディング
を示す概略図；（Ａ）１チップづつボンディングする工
程を示す概略図および（Ｂ）２チップを同時にボンディ
ングする工程を示す概略図。
を示す概略図；（Ａ）１チップづつボンディングする工
程を示す概略図および（Ｂ）２チップを同時にボンディ
ングする工程を示す概略図。
【図４】 ２チップ半導体レーザー装置のサブマウン
ト、赤レーザーチップおよび赤外レーザーチップのボン
ディング状況説明図。
ト、赤レーザーチップおよび赤外レーザーチップのボン
ディング状況説明図。
【図５】 （Ａ）本発明の斜め型コレットの概略図およ
び（Ｂ）本発明の偏心型コレットの概略図。
び（Ｂ）本発明の偏心型コレットの概略図。
【図６】 本発明の斜め型コレット先端の拡大図。
【図７】 本発明の２チップボンディング装置の構成を
示す概略図。
示す概略図。
【図８】 本発明の２チップボンディング装置の一実施
例を示す概略図。
例を示す概略図。
【図９】 本発明による中間ステージにおける位置補正
の一実施例を示す概略図。
の一実施例を示す概略図。
【図１０】 本発明による中間ステージにおける位置補
正の一実施例を示す概略図。
正の一実施例を示す概略図。
【図１１】 本発明による中間ステージにおける位置補
正の一実施例を示す概略図。
正の一実施例を示す概略図。
【図１２】 本発明による中間ステージにおける位置補
正の一実施例を示す概略図。
正の一実施例を示す概略図。
【図１３】 本発明によるボンディングステージにおけ
る位置補正の一実施例を示す概略図。
る位置補正の一実施例を示す概略図。
【図１４】 本発明によるボンディングステージにおけ
る位置補正の一実施例を示す概略図。
る位置補正の一実施例を示す概略図。
【図１５】 本発明の偏心型コレットの詳細寸法図。
１・・・ウエハシート、
２・・・中間ステージ、
３・・・ボンディングステージ、
４・・・レーザーチップ、
５・・・サブマウント、
６・・・真空吸着コレット、
７・・・外形認識カメラ、
８・・・発光点認識カメラ、
９・・・Ｘ方向定点移動用定点搬送用ボールネジ、
１０・・・コレット上下機構、
１１・・・モータ、
１２・・・赤色レーザーチップ、
１３・・・赤外レーザーチップ、
１４・・・赤色レーザーチップの発光点、
１５・・・赤外レーザーチップの発光点、
１６・・・斜め型コレット、
１７・・・偏心型コレット、
１０１・・・赤色レーザーチップウエハシート、
１０２・・・赤外レーザーチップウエハシート、
１０３・・・赤色レーザーチップ、
１０４・・・赤外レーザーチップ、
１０５、１０６・・・コレット、
１０７、１０８・・・外形認識カメラ、
１１９、１１０・・・中間ステージ、
１１１、１１２・・・外形認識カメラ、
１１３、１１４・・・発光点認識カメラ、
１１５・・・ボンディングステージ、
１１６・・・サブマウント、
１１７・・・赤色レーザーチップの発光点、
１１８・・・赤外レーザーチップの発光点、
１１９・・・発光点間距離認識カメラ、
１２３・・・圧電素子精密Ｘ駆動機構、
１２４・・・圧電素子精密Ｙ駆動機構、
１２５、１２６、１２７・・・外形基準位置線、
１２８・・・チップ外形の出射端面、
１２９・・・チップ外形の出射面のサイド部、
１３０・・・レーザー出射方向、
１３１・・・色収差無しレンズ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭63−67793（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−335355（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/52
Claims (16)
- 【請求項１】 ２つの半導体レーザーチップが１つのサ
ブマウントにダイボンドされた半導体レーザー装置の製
造方法であって、 ２つの半導体レーザーチップを、コレットを用いて、そ
れぞれのウエハシートまたはチップトレイから吸着する
工程と、 定点搬送移動機構により該コレットを定点搬送して、該
２つの半導体レーザーチップを別々にそれぞれの中間ス
テージに置く工程と、 該２つの半導体レーザーチップを別々にそれぞれの中間
ステージ上で発光させ、発光点を認識する工程と、 それぞれの中間ステージに別々に置かれた２つの半導体
レーザーチップをボンディングステージに置かれた１つ
のサブマウント上に定点搬送する工程と、 該サブマウント上で該２つの半導体レーザーチップに通
電して発光させる工程と、 該２つの半導体レーザーチップの発光点間距離を計測す
る工程と、 を含む半導体レーザー装置の製造方法。 - 【請求項２】 該それぞれの中間ステージに別々に置か
れた２つの半導体レーザーチップの発光点位置および発
光軸方向を同時に計測する工程を含む請求項１記載の半
導体レーザー装置の製造方法。 - 【請求項３】 該それぞれの中間ステージに別々に置か
れた２つの半導体レーザーチップの発光点位置および発
光軸方向の計測結果に基づいて、基準位置と各々検出し
た位置関係からそれぞれの中間ステージの移動量を換算
し、次いで、それぞれの中間ステージを移動して、それ
らの位置および向きを補正した後に、該サブマウント上
に該２つの半導体レーザーチップを定点搬送する工程を
含む請求項２記載の半導体レーザー装置の製造方法。 - 【請求項４】 該２つの半導体レーザーチップをサブマ
ウント上に定点搬送した後、計測された発光点間距離に
基づいて、該コレット定点搬送移動機構とは別のＸＹ微
動用の移動機構によりチップ位置の補正を行う工程を含
む請求項１記載の半導体レーザー装置の製造方法。 - 【請求項５】 該２つの半導体レーザーチップをサブマ
ウント上で同時に発光させて、発光点間距離を計測し、
その計測データを基に片側の発光点を基準として他方の
チップを所定の位置に移動させることを特徴とする請求
項１記載の半導体レーザー装置の製造方法。 - 【請求項６】 該２つの半導体レーザーチップをサブマ
ウント上で同時に発光させて、発光点間距離を計測し、
その計測データを基に両方の半導体レーザーチップに対
して予め定めた発光点位置基準として両方のチップを所
定の位置に移動させることを特徴とする請求項１記載の
半導体レーザー装置の製造方法。 - 【請求項７】 ２つの半導体レーザーチップを１つのサ
ブマウントにダイボンディングするための２チップボン
ディング装置であって、半導体レーザーチップの位置お
よび向きの補正をするための中間ステージと、半導体レ
ーザーチップをボンディングするサブマウントを置くた
めのボンディングステージと、該ボンディングステージ
に置かれたサブマウント上で該２つの半導体レーザーチ
ップを同時に発光させる手段と、該２つの半導体レーザ
ーチップの発光点間距離を計測する手段と、該サブマウ
ントの所定の位置に該２つの半導体レーザーチップを定
点搬送する手段とを有する該２チップボンディング装
置。 - 【請求項８】 半導体レーザーチップを吸着するための
コレットと、該コレットのコレットヘッドに結合され、
該コレットを移動させるための定点搬送移動機構と、該
中間ステージ上で半導体レーザーチップの外形認識を行
う手段と、該中間ステージ上で半導体レーザーチップの
発光軸認識を行う手段と、該中間ステージの位置および
向きを補正するための駆動機構と、該ボンディングステ
ージに置かれたサブマウント上で２つの半導体レーザー
チップを同時に発光させる手段と、該２つの半導体レー
ザーチップの発光点間距離を計測する手段とを有し、該
サブマウント上の２つの半導体レーザーチップの位置を
補正した後にボンディングすることを特徴とする請求項
７記載の２チップボンディング装置。 - 【請求項９】 該コレットヘッドに定点搬送移動機構以
外に別途ＸＹ微動用の圧電素子精密駆動機構が結合され
ていることを特徴とする請求項８記載の２チップボンデ
ィング装置。 - 【請求項１０】 該圧電素子精密駆動機構が該測定され
た発光点距離データに基づいて駆動されることを特徴と
する請求項９記載の２チップボンディング装置。 - 【請求項１１】 該コレットが斜め型コレットであっ
て、２つの斜め型コレットが対向して取付けられ、該２
つの斜め型コレットを用いて２つの半導体レーザーチッ
プを同時にダイボンディングすることが可能な請求項８
ないし１０いずれか１記載の２チップボンディング装
置。 - 【請求項１２】 該コレットを対向する斜め型コレット
にすることによって、チップボンディング状態、コレッ
ト吸着状態がチップボンディングヘッドの真上から確認
できるように、視野を開放したことを特徴とする請求項
８ないし１０いずれか１記載の２チップボンディング装
置。 - 【請求項１３】 該コレットが偏心型コレットであっ
て、２つの偏心型コレットは対向して取付けられ、該２
つの偏心型コレットを用いて２つの半導体レーザーチッ
プを同時にダイボンディングすることが可能な請求項８
ないし１０いずれか１記載の２チップボンディング装
置。 - 【請求項１４】 該中間ステージ用および該ボンディン
グステージ用にそれぞれ１対づつコレット対を設けたこ
とを特徴とする請求項１１ないし１３いずれか１記載の
２チップボンディング装置。 - 【請求項１５】 該コレットが炭化タングステンコバル
ト（ＷＣ-Ｃｏ）系超硬金属焼結材で作製され、該コレ
ットをチップ発光の電極として用い、コレットに電圧を
かけることによってチップを発光させることを特徴とす
る請求項８ないし１４いずれか１記載の２チップボンデ
ィング装置。 - 【請求項１６】 炭化タングステンコバルト（ＷＣ-Ｃ
ｏ）系超硬金属焼結材で作製され、チップ発光の電極と
し、チップを発光できることを特徴とするコレット。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001148083A JP3538602B2 (ja) | 2000-06-28 | 2001-05-17 | 半導体レーザー装置の製造方法および半導体レーザー装置の製造装置 |
| US09/891,459 US6440758B1 (en) | 2000-06-28 | 2001-06-27 | Method for fabricating semiconductor laser device by aligning semiconductor laser chips based on light emission measurements |
| US10/134,534 US6867508B2 (en) | 2000-06-28 | 2002-04-30 | Method and apparatus for fabricating semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-194317 | 2000-06-28 | ||
| JP2000194317 | 2000-06-28 | ||
| JP2001148083A JP3538602B2 (ja) | 2000-06-28 | 2001-05-17 | 半導体レーザー装置の製造方法および半導体レーザー装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002083827A JP2002083827A (ja) | 2002-03-22 |
| JP3538602B2 true JP3538602B2 (ja) | 2004-06-14 |
Family
ID=26594860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001148083A Expired - Lifetime JP3538602B2 (ja) | 2000-06-28 | 2001-05-17 | 半導体レーザー装置の製造方法および半導体レーザー装置の製造装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6440758B1 (ja) |
| JP (1) | JP3538602B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3812827B2 (ja) * | 2001-08-23 | 2006-08-23 | ソニー株式会社 | 発光素子の取り付け方法 |
| JP2003152260A (ja) * | 2001-11-09 | 2003-05-23 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置、ならびに半導体レーザ装置の製造装置および製造方法 |
| JP4991180B2 (ja) * | 2006-04-14 | 2012-08-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電子部品の実装方法および装置 |
| DE102006019671A1 (de) * | 2006-04-27 | 2007-10-18 | Datacon Technology Gmbh | Mehrfach-Bondkopf und Verfahren zum Chipbonden |
| JP5034345B2 (ja) * | 2006-07-07 | 2012-09-26 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ装置の製造方法および製造装置 |
| JP2007184627A (ja) * | 2007-02-22 | 2007-07-19 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置 |
| DE102008010981A1 (de) * | 2008-02-25 | 2009-08-27 | Mtu Aero Engines Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur automatischen Laserfokussierung |
| US8437741B2 (en) * | 2008-12-19 | 2013-05-07 | Tecore | Intelligent network access controller and method |
| JP6166069B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2017-07-19 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンダ及びコレット位置調整方法 |
| JP2015119129A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | 三菱電機株式会社 | 光モジュール接合装置および光モジュールの製造方法 |
| DE102018128616A1 (de) | 2018-06-24 | 2019-12-24 | Besi Switzerland Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Chips von einer Klebefolie |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0746747B2 (ja) * | 1986-09-09 | 1995-05-17 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レーザのボンディング方法 |
| JP3142634B2 (ja) | 1992-05-27 | 2001-03-07 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| JPH0629577A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
| JP3110236B2 (ja) | 1993-12-29 | 2000-11-20 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザーのダイボンディング方法及びダイボンデ ィング装置 |
| US5858806A (en) * | 1995-03-24 | 1999-01-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of bonding IC component to flat panel display |
| US5655041A (en) * | 1995-10-27 | 1997-08-05 | The Trustees Of Princeton University | Method and apparatus for active alignment of semiconductor optical waveguides |
| US5724376A (en) * | 1995-11-30 | 1998-03-03 | Hewlett-Packard Company | Transparent substrate vertical cavity surface emitting lasers fabricated by semiconductor wafer bonding |
| SG54995A1 (en) * | 1996-01-31 | 1998-12-21 | Texas Instr Singapore Pet Ltd | Method and apparatus for aligning the position of die on a wafer table |
| JP3358461B2 (ja) * | 1996-09-27 | 2002-12-16 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品実装方法 |
| US6230393B1 (en) * | 1997-07-07 | 2001-05-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and device for mounting electronic component |
| US6265240B1 (en) * | 1998-03-24 | 2001-07-24 | Lucent Technologies, Inc. | Method and apparatus for passively aligning components on semiconductor dies |
-
2001
- 2001-05-17 JP JP2001148083A patent/JP3538602B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-27 US US09/891,459 patent/US6440758B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-04-30 US US10/134,534 patent/US6867508B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6867508B2 (en) | 2005-03-15 |
| US20020142502A1 (en) | 2002-10-03 |
| US6440758B1 (en) | 2002-08-27 |
| JP2002083827A (ja) | 2002-03-22 |
| US20020022289A1 (en) | 2002-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4596422B2 (ja) | ダイボンダ用撮像装置 | |
| US4817849A (en) | Method for bonding semiconductor laser element and apparatus therefor | |
| JP3538602B2 (ja) | 半導体レーザー装置の製造方法および半導体レーザー装置の製造装置 | |
| CN109906029B (zh) | 电子部件安装装置以及电子部件安装方法 | |
| CN114005778B (zh) | 键合系统和键合补偿方法 | |
| US6956879B2 (en) | Semiconductor laser device, optical pickup using the same, and apparatus and method for manufacturing the same | |
| JP4482598B2 (ja) | ボンディング装置、ボンディング装置の補正量算出方法及びボンディング方法 | |
| US7264980B2 (en) | Method of mounting light emitting element | |
| JP4343989B1 (ja) | ボンディング装置およびボンディング装置に用いられるボンディング領域の位置認識方法及びプログラム | |
| JP3986196B2 (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JP2000183404A (ja) | 発光素子アレイ、そのボンディング方法および装置 | |
| JP5690535B2 (ja) | ダイボンダ及び半導体製造方法 | |
| JP4002431B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置の製造装置 | |
| JP3448960B2 (ja) | 発光デバイスの組立装置及びその組立方法 | |
| JPH06283819A (ja) | 光素子のダイボンディング方法及びそのダイボンディング装置 | |
| KR100312743B1 (ko) | 반도체 다이본다용 위치 인식과 검사장치 및 그 방법 | |
| JP7292463B1 (ja) | 位置合わせ装置、位置合わせ方法、ボンディング装置、ボンディング方法、および半導体装置製造方法 | |
| JP5034345B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法および製造装置 | |
| JPS6386528A (ja) | ダイボンデイング装置 | |
| JP2003133340A (ja) | 半導体デバイスの製造方法及び装置、並びに検査方法 | |
| JP3784739B2 (ja) | ダイボンド装置 | |
| JP2003017794A (ja) | サブマウント構造および光源ユニット製造方法 | |
| JPH11135995A (ja) | 部品搭載装置 | |
| JP2007184627A (ja) | 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031226 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040316 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040322 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3538602 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080326 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090326 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100326 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100326 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110326 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120326 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120326 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140326 Year of fee payment: 10 |