JP2001274499A - 半導体レーザ装置及び半導体レーザチップのマウント方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体レーザチップをヒートシンクにマウント
する際に、平行度、マウント位置が簡易に決められ、高
精度なマウントが可能な半導体レーザ装置及び半導体レ
ーザチップのマウント方法を提供する。 【解決手段】ヒートシンク１１上に半導体レーザチップ
１２がマウントされてなる半導体レーザ装置であって、
半導体レーザチップ１２がマウントされる面に溝１３が
設けられ、この溝１３内に導電層１４が形成されたヒー
トシンク１１と、ヒートシンク１１に設けられた溝１３
内にその外形が収まるように、溝１３内の導電層１４上
にマウントされた半導体レーザチップ１２とを有してい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、光ディスク等に
用いられる半導体レーザ装置及び半導体レーザチップの
マウント方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、１つの発光点を有する半導体
レーザ素子では発生する熱を放熱するために、さらに複
数の発光点を有する半導体レーザアレイでは各素子を独
立に駆動するために、ヒートシンク上の電極パターンに
合わせてこれらをマウントする必要がある。以下、半導
体レーザ素子及び半導体レーザアレイはマウントされる
前の半導体レーザチップをいい、半導体レーザ装置は半
導体レーザチップがヒートシンク上にマウントされた状
態をいうものとする。

【０００３】図１７（ａ）、図１７（ｂ）は、それぞれ
従来の半導体レーザ装置の構造を示す側面図である。

【０００４】図１７（ａ）に示す装置は、１つの発光点
を有する半導体レーザ装置である。ヒートシンク１０１
上には、電極パターン１０２が形成されている。ヒート
シンク１０１の電極パターン１０２上には、半導体レー
ザ素子１０３が接合されている。

【０００５】また、図１７（ｂ）に示す装置は、２つの
発光点を有する半導体レーザ装置である。ヒートシンク
１１１上には、電極パターン１１２が形成されている。
ヒートシンク１１１の電極パターン１１２上には、半導
体レーザアレイ１１３が接合されている。

【０００６】前記半導体レーザ素子及び半導体レーザア
レイをヒートシンクにマウントする際には、その平行度
及びマウント位置精度はマウンター装置の精度によって
決定される。例えば、画像認識装置を用いたマウンタ装
置の場合は、認識精度及び装置の機械的精度によってそ
の平行度及びマウント位置精度が決定される。また、機
械的に素子の平行度及びマウント位置を決めているマウ
ンタ装置では、装置の機械的精度及び使用部品の寸法精
度によってその平行度及びマウント位置精度が決定され
る。

【０００７】また、前記半導体レーザアレイでは、例え
ば同一の半導体基板上に活性領域が光導波路方向に平行
となるように形成される。さらに、電流駆動が独立に行
えるように、各素子間の半導体多層膜の一部を電流防止
層に至るまで除去した分離溝が形成される。このとき、
応用上の必要や低価格な小チップを実現するために、分
離溝の溝幅をできる限り狭くすることが要求される。

【０００８】前記半導体レーザアレイがマウントされる
ヒートシンクには、半導体レーザアレイの各素子を独立
に駆動するために、各素子に合わせて分離された電極パ
ターンが形成される。

【０００９】そして、半導体レーザアレイをヒートシン
クにマウントする際には、図１７（ｂ）に示すように、
半導体レーザアレイ１１３の分離溝をヒートシンク１１
１の電極パターン１１２間の中心に合わせてマウントす
る必要がある。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
レーザアレイをヒートシンクにマウントする際に、半導
体レーザアレイのマウント位置にずれが生じると、各素
子間での電極ショートが発生して独立発光ができなくな
ったり、発光点の位置ずれが生じたりなどにより、製造
歩留まりを低下させてしまう。

【００１１】以下に、図１８〜図２１を参照して従来の
問題点を詳細に説明する。

【００１２】半導体レーザアレイ（あるいは半導体レー
ザ素子）をヒートシンクにマウントする際には、微小プ
ローブやナイフエッジなどによる突き当て調整、または
顕微鏡などを用いての肉眼による相対位置調整、または
自動認識装置などを用いた画像処理による精密調整など
の手法が用いられている。

【００１３】図１８は、微小プローブによる突き当て方
式の一例を示す図である。半導体レーザアレイには、外
形形成上、生じる寸法誤差Ｗや、製法上の光軸のずれな
どの影響を受けているものがある。このような半導体レ
ーザアレイに対し、プローブによる突き当てにて位置合
わせを行った場合、位置ずれを起こし、マウント時にお
いて要求される調整誤差範囲を超えてしまう。

【００１４】すなわち、半導体レーザアレイの外形にず
れがなく矩形状になっている場合はよい。しかし、例え
ば図１８に示すように、半導体レーザアレイ１１３の外
形が矩形状になっていない場合、プローブ１１４を用い
て設計上の寸法で外形から位置合わせを行うと、本来は
中心に存在する半導体レーザアレイ１１３の分離溝とヒ
ートシンク１１１の設計中心とが合わなくなってしま
う。１１５は、半導体レーザアレイ１１３を保持するバ
キュームツールである。

【００１５】また、図１９は、肉眼による調整方式を示
す図である。この図１９に示される肉眼による調整方式
では、調整する人間の熟練度などの影響により、安定し
た位置調整結果が得られない。また、自動機械による精
密な位置決め方式では、費やされる時間が多大となり、
一般量産に向かないものとなってしまう。

【００１６】また、半導体レーザアレイがマウントされ
るヒートシンク上には、独立駆動のための電極パターン
が形成されている。このようなヒートシンク上では、融
着接合材（例えば半田など）の微妙な染み出しが電極パ
ターン間の短絡を引き起こし、致命的な不良となること
がある。

【００１７】また、図２０は、マウント時の半導体レー
ザアレイとヒートシンクを側面から見た図である。図２
０に示すように、半導体レーザアレイ１１３と融着側の
ヒートシンク１１１との相対位置関係が何らかの要因で
平行ではない場合、半導体レーザアレイ１１３をヒート
シンク１１１に接合させたとき、図２１に示すように、
非平行状態の半導体レーザアレイ１１３の端部がヒート
シンク１１１に突き当たり、回転して光軸をずらすこと
になる。

【００１８】このような事態をなくすため、図１９に示
すように、肉眼で観察し修正する方法があるが、作業を
行うものの熟練が要求されるため、一般量産に向かない
ものとなってしまう。

【００１９】そこでこの発明は、前記課題に鑑みてなさ
れたものであり、半導体レーザチップをヒートシンクに
マウントする際に、平行度、マウント位置が簡易に決め
られ、高精度なマウントが可能な半導体レーザ装置及び
半導体レーザチップのマウント方法を提供することを目
的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、この発明に係る半導体レーザ装置は、ヒートシンク
上に半導体レーザチップがマウントされてなる半導体レ
ーザ装置にであって、前記半導体レーザチップがマウン
トされる面に溝が設けられ、この溝内に導電層が形成さ
れたヒートシンクと、前記ヒートシンクに設けられた前
記溝内にその外形が収まるように、前記溝内の導電層上
にマウントされた前記半導体レーザチップとを具備する
ことを特徴とする。

【００２１】また、さらに前記ヒートシンクに設けられ
た前記溝内の一方の側面には前記導電層が形成されてお
らず、この側面に前記半導体レーザチップの側面が接触
するように、前記半導体レーザチップがマウントされて
いることを特徴とする。

【００２２】また、さらに前記半導体レーザチップは、
複数のレーザ素子を有する半導体レーザアレイであるこ
とを特徴とする。

【００２３】また、さらに前記半導体レーザアレイは、
複数のレーザ素子の各々を独立に駆動するために分離さ
れた複数の第１導電層を有し、前記ヒートシンクは前記
溝内に分離された複数の第２導電層を有し、前記複数の
第２導電層の各々に前記複数の第１導電層がそれぞれ接
続されていることを特徴とする。

【００２４】また、さらに前記半導体レーザアレイは、
同一の半導体基板上に活性領域が光導波路方向に平行と
なるように形成され、かつ電流駆動が独立に行えるよう
に、前記レーザ素子間の半導体多層膜の一部を電流防止
層に至るまで除去した分離溝を有することを特徴とす
る。

【００２５】前記目的を達成するために、この発明に係
る半導体レーザ装置は、ヒートシンク上に半導体レーザ
チップがマウントされてなる半導体レーザ装置であっ
て、前記半導体レーザチップがマウントされる面に第１
の溝が設けられたヒートシンクと、前記第１の溝の幅と
ほぼ同じ幅の第２の溝が設けられ、この第２の溝と前記
第１の溝とが一致するように、前記ヒートシンク上にマ
ウントされた半導体レーザチップとを具備することを特
徴とする。

【００２６】前記目的を達成するために、この発明に係
る半導体レーザチップのマウント方法は、ヒートシンク
上に半導体レーザチップをマウントして半導体レーザ装
置を製造する半導体レーザチップのマウント方法におい
て、前記半導体レーザチップがマウントされる面に溝が
設けられ、この溝内に導電層が形成されたヒートシンク
に対し、前記溝内に半導体レーザチップが収まるよう
に、前記溝内の前記導電層上に前記半導体レーザチップ
をマウントすることを特徴とする。

【００２７】前記目的を達成するために、この発明に係
る半導体レーザチップのマウント方法は、ヒートシンク
上に半導体レーザチップをマウントして半導体レーザ装
置を製造する半導体レーザチップのマウント方法におい
て、前記半導体レーザチップがマウントされる面に第１
の溝が設けられたヒートシンクに対し、前記第１の溝の
幅とほぼ同じ幅の第２の溝が設けられた半導体レーザチ
ップを、この第２の溝と前記第１の溝とが一致するよう
にマウントすることを特徴とする。

【００２８】前記目的を達成するために、この発明に係
る半導体レーザチップのマウント方法は、ヒートシンク
上に半導体レーザチップをマウントして半導体レーザ装
置を製造する半導体レーザチップのマウント方法におい
て、第１の溝が形成された前記半導体レーザチップを、
第２の溝が形成された前記ヒートシンクの上方に保持す
る工程と、前記半導体レーザチップの側面に、前記第１
の溝を横切るように前記ヒートシンクのマウント面に平
行な平行光を照射すると共に、前記ヒートシンクの側面
に、前記第２の溝を横切るように前記ヒートシンクのマ
ウント面に平行な平行光を照射する工程と、２つの前記
側面から反射される２つの前記平行光の反射光を受光
し、前記第１の溝による反射光の抜け及び第２の溝によ
る反射光の抜けから、前記第１の溝及び第２の溝の所在
位置を検出する工程と、前記所在位置を検出する工程に
おける検出状況を確認しながら、前記第１の溝及び第２
の溝の所在位置が一致するように、前記半導体レーザチ
ップの位置を調整する工程とを具備することを特徴とす
る。

【００２９】前記目的を達成するために、この発明に係
る半導体レーザチップのマウント方法は、ヒートシンク
上に半導体レーザチップをマウントして半導体レーザ装
置を製造する半導体レーザチップのマウント方法におい
て、第１の溝が形成された前記半導体レーザチップを、
前記ヒートシンクの上方に保持する工程と、前記半導体
レーザチップの側面に、前記分離溝を横切るように前記
ヒートシンクのマウント面に平行な平行光を照射する工
程と、前記半導体レーザチップの前記第１の溝に照射さ
れた平行光のうち、前記第１の溝を通過した光を受光す
る工程と、前記第１の溝を通過した光を受光する工程に
おける受光の有無を確認しながら、受光が有るように前
記ヒートシンクのマウント面に対する前記半導体レーザ
チップの角度を調整する工程とを具備することを特徴と
する。

【００３０】前記目的を達成するために、この発明に係
る半導体レーザチップのマウント方法は、ヒートシンク
上に半導体レーザチップをマウントして半導体レーザ装
置を製造する半導体レーザチップのマウント方法におい
て、第１の溝が形成された前記半導体レーザチップを、
第２の溝が形成された前記ヒートシンクの上方に保持す
る工程と、前記半導体レーザチップの側面に、前記第１
の溝を横切るように前記ヒートシンクのマウント面に平
行な平行光を照射すると共に、前記ヒートシンクの側面
に、前記第２の溝を横切るように前記ヒートシンクのマ
ウント面に平行な平行光を照射する工程と、前記半導体
レーザチップの側面に照射された平行光のうち、前記第
１の溝を通過した光と、前記ヒートシンクの側面に照射
された平行光のうち、前記第２の溝を通過した光とを受
光し、前記第１の溝及び第２の溝の所在位置を検出する
工程と、前記所在位置を検出する工程における検出状況
を確認しながら、前記第１の溝及び第２の溝の所在位置
が一致するように、前記半導体レーザチップの位置を調
整する工程とを具備することを特徴とする。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
実施の形態について説明する。

【００３２】［第１の実施の形態］図１は、この発明の
第１の実施の形態の半導体レーザ装置の構成を示す側面
図である。この図１は、半導体レーザ素子の発光点側か
ら見たものである。図２は、半導体レーザ素子がマウン
トされるヒートシンクの構造を示す斜視図である。ここ
で、前記半導体レーザ素子は、単独の発光点を有する半
導体チップとする。

【００３３】前記ヒートシンクの構造は以下のようにな
っている。図２に示すように、半導体レーザ素子がマウ
ントされるヒートシンク１１のマウント面側には、半導
体レーザ素子１２をマウントするための溝部１３が形成
されている。溝部１３内を含むヒートシンク１１上に
は、電極パターン１４が形成されている。

【００３４】この第１の実施の形態の半導体レーザ装置
の構成は以下のようになっている。図１に示すように、
前記ヒートシンク１１の溝部１３内の電極パターン１４
上には、半導体レーザ素子１２がマウントされている。

【００３５】前記ヒートシンク１１に設けられた溝部１
３の幅は、半導体レーザ素子１２の設計幅にばらつき量
を加え、さらにマウント時の位置合わせのばらつき量を
加えた長さで形成されている。例えば、半導体レーザ素
子１２のばらつき量を加えた幅を２００μｍ〜４００μ
ｍとし、位置合わせのばらつき量を５０μｍとした場
合、溝部１３の幅は２５０μｍ〜４５０μｍとなる。な
お、この溝部１３の形成には、エッチングが用いられ
る。

【００３６】前記ヒートシンク１１は、窒化アルミニウ
ム（ＡｌＮ）、シリコン（Ｓｉ）などの材料からなり、
マウント面及びその裏面には前述した電極パターン１４
が形成されている。

【００３７】この第１の実施の形態では、ヒートシンク
１１に半導体レーザ素子１２をマウントする際に、ヒー
トシンク１１に設けられた溝部１３に合わせて、溝部１
３内に半導体レーザ素子１２をマウントすることによ
り、ヒートシンク１１に対する半導体レーザ素子１２の
平行度、マウント位置が簡易に決定でき、高精度な位置
合わせが可能となる。

【００３８】［第２の実施の形態］図３は、この発明の
第２の実施の形態の半導体レーザ装置の構成を示す側面
図である。この図３は、半導体レーザ素子の発光点側か
ら見たものである。

【００３９】前記ヒートシンクの構造は以下のようにな
っている。図３に示すように、ヒートシンク１１のマウ
ント面側には、半導体レーザ素子１２をマウントするた
めの溝部１３が形成されている。溝部１３を含むヒート
シンク１１上には、電極パターン１４が形成されてい
る。ヒートシンク１１の溝部１３内における片側の側面
１３Ａ上には電極パターン１４が形成されていない。

【００４０】この第２の実施の形態の半導体レーザ装置
の構成は以下のようになっている。図３に示すように、
前記ヒートシンク１１の溝部１３内の電極パターン１４
上には、半導体レーザ素子１２の側面が前記溝部１３内
の側面１３Ａに密着するように、半導体レーザ素子１２
がマウントされている。

【００４１】このマウントでは、ヒートシンク１１に対
する半導体レーザ素子１２の平行度、及びマウント位置
の位置決めがヒートシンク１１の溝部１３の側面１３Ａ
を基準面として行われる。

【００４２】この第２の実施の形態では、ヒートシンク
１１に半導体レーザ素子１２をマウントする際に、ヒー
トシンク１１の溝部１３の側面１３Ａを基準面とし、こ
の基準面に合わせて半導体レーザ素子１２をマウントす
ることにより、ヒートシンク１１に対する半導体レーザ
素子１２の平行度、マウント位置が簡易に決定でき、高
精度な位置合わせが可能となる。

【００４３】［第３の実施の形態］次に、２ビームを有
する半導体レーザアレイがヒートシンクにマウントされ
た半導体レーザ装置について説明する。

【００４４】図４は、半導体レーザアレイの構造を示す
断面図である。この図４に示す半導体レーザアレイ２０
は、異なる２つの発振波長を有する２ビーム半導体レー
ザアレイである。

【００４５】図４において、２１は発振波長λ１のレー
ザ素子、２２は発振波長λ２のレーザ素子である。レー
ザ素子２１、２２では、凸ストライプ状に加工された第
３クラッド層２３と、ＧａＡｓ電流防止層２４の組み合
わせで横方向に屈折率ステップが形成されている。これ
により、レーザ素子２１、２２は、ともに屈折率ガイド
レーザとなっている。ＧａＡｓ電流防止層２４は、電流
をそれぞれのリッジストライプ部分に狭窄する役割も果
たしている。

【００４６】前記レーザ素子２１とレーザ素子２２は、
分離溝２５によって電気的に分離されている。例えば、
分離溝２５の幅は１０μｍ〜５０μｍ程度、その深さは
１０μｍ〜２０μｍ程度とする。ｐ側電極２６、２７
は、外部よりそれぞれ独立に駆動できるようになってい
る。また、ｎ側電極２８は、基板２９から共通にとるこ
とができる。

【００４７】図５は、前記半導体レーザアレイがマウン
トされるヒートシンクの構造を示す斜視図である。

【００４８】半導体レーザアレイ２０がマウントされる
ヒートシンク３１のマウント面側には、半導体レーザア
レイ２０をマウントするための溝部３３が形成されてい
る。溝部３３を含むヒートシンク３１上には、各ビーム
（レーザ素子２１、２２）を独立に駆動するための分離
された電極パターン３２が形成されている。

【００４９】ヒートシンク３１に設けられた溝部３３の
幅は、半導体レーザアレイ３１の設計幅にばらつき量を
加え、さらにマウント時の位置合わせのばらつき量を加
えた長さで形成されている。例えば、半導体レーザアレ
イ３１のばらつき量を加えた幅を２００μｍ〜４００μ
ｍとし、位置合わせのばらつき量を５０μｍとした場
合、溝部３３の幅は２５０μｍ〜４５０μｍとなる。溝
部３３の深さは、数１０μｍ程度で形成されている。な
お、この溝部３３の形成には、エッチングが用いられ
る。

【００５０】前記電極パターン３２には、各レーザ素子
２１、２２を独立して駆動できるように間隙が形成され
ている。電極パターン３２は、この間隙の中心と半導体
レーザアレイ２０に設けられた分離溝２５の中心とを一
致させたときに、ｐ側電極２６、２７と溝部３３内の電
極パターン３２が一致するように、ヒートシンク３１上
にパターン化されている。

【００５１】次に、図４に示す半導体レーザアレイ２０
を図５に示すヒートシンク３１にマウントした半導体レ
ーザ装置について説明する。

【００５２】図６は、この発明の第３の実施の形態の半
導体レーザ装置の構成を示す側面図である。

【００５３】前記ヒートシンク３１の溝部３３内の電極
パターン３２上には、電極パターン３２の間隙の中心と
分離溝２５の中心とが一致するように、半導体レーザア
レイ２０がマウントされている。その後、ヒートシンク
３１と半導体レーザアレイ２０とのマウント部が昇温さ
れ、ヒートシンク３１上に、半導体レーザアレイ２０が
半田などにより融着接合される。

【００５４】この第３の実施の形態では、ヒートシンク
３１に半導体レーザアレイ２０をマウントする際に、ヒ
ートシンク３１に設けられた溝部３３に合わせて、溝部
３３内に半導体レーザアレイ２０をマウントすることに
より、ヒートシンク３１に対する半導体レーザアレイ２
０の平行度、マウント位置が簡易に決定でき、高精度な
位置合わせが可能となる。

【００５５】また、高精度なマウントができることよ
り、電極パターン３２に対する２ビーム半導体レーザア
レイ２０のマウント位置ずれによって、各レーザ素子２
１、２２間にショートが発生するのを抑えることができ
る。

【００５６】［第４の実施の形態］図７は、この発明の
第４の実施の形態の半導体レーザ装置の構成を示す側面
図である。この図７は、半導体レーザ装置の発光点側か
ら見たものである。

【００５７】図７に示すように、ヒートシンク３１のマ
ウント面側には、半導体レーザアレイ２０をマウントす
るための溝部３３が形成されている。溝部３３を含むヒ
ートシンク３１上には、各ビーム（レーザ素子２１、２
２）を独立に駆動するための分離された電極パターン３
２が形成されている。すなわち、前記電極パターン３２
には、各レーザ素子２１、２２を独立して駆動できるよ
うに間隙が形成されている。ヒートシンク３１の溝部３
３内における片側の側面３３Ａ上には、電極パターン３
２が形成されていない。

【００５８】前記ヒートシンク３１の溝部３３内の電極
パターン３２上には、半導体レーザアレイ２０の側面が
前記溝部３３内の側面３３Ａに密着するように、半導体
レーザアレイ２０がマウントされている。

【００５９】溝部３３内の電極パターン３２は、このよ
うな溝部３３内の側面３３Ａを位置合わせの基準面とし
たマウントが行われたとき、半導体レーザアレイ２０の
ｐ側電極２６、２７と溝部３３内の電極パターン３２が
一致するように、ヒートシンク３１上にパターン化され
ている。

【００６０】前述したマウントでは、ヒートシンク３１
の溝部３３の側面３３Ａを基準面とし、この基準面に半
導体レーザアレイ２０の側面を接触させることによっ
て、マウント時の位置決めが行われる。

【００６１】この第４の実施の形態によれば、ヒートシ
ンク３１に半導体レーザアレイ２０をマウントする際
に、ヒートシンク３１の溝部３３の側面３３Ａを基準面
としている。そして、この基準面に合わせて半導体レー
ザアレイ２０をマウントすることにより、ヒートシンク
３１に対する半導体レーザアレイ２０の平行度、マウン
ト位置が簡易に決定でき、高精度な位置合わせが可能と
なる。

【００６２】また、高精度なマウントができることよ
り、電極パターン３２に対する２ビーム半導体レーザア
レイ２０のマウント位置ずれによって、各レーザ素子２
１、２２間にショートが発生するのを抑えることができ
る。

【００６３】なお、前記第３、第４の実施の形態におい
て、２ビーム半導体レーザアレイの発振波長λ１と発振
波長λ２を異なる波長としたが、同一の波長であっても
よい。さらに、発振波長λ１と発振波長λ２を、ＣＤ-
Ｒ、ＤＶＤ-ＲＯＭの両方が読み込み可能な波長にして
もよい。この場合、例えば発振波長λ１を７８０ｎｍ、
発振波長λ２を６５０ｎｍとする。

【００６４】また、前記第３、第４の実施の形態におい
ては、２つのレーザ素子を有する２ビーム半導体レーザ
アレイを用いたが、ｎ個（ｎ＝３、４、５、…）のレー
ザ素子を有するｎビーム半導体レーザアレイを用いても
よい。

【００６５】［第５の実施の形態］次に、図６、図７に
示した２ビームを有する半導体レーザアレイを用いた受
光集積ユニットについて説明する。

【００６６】図８は、この発明の第５の実施の形態の受
光集積ユニットの構成を示す平面図である。

【００６７】まず、この受光集積ユニット４０の製造プ
ロセスの概要を述べる。９°オフアングルのシリコン
（１００）基板４１に、集積回路４２、受光素子４３を
通常の集積回路プロセスで形成する。次に、異方性エッ
チングにより、四角錐台状の凹部斜面の１つが４５°と
なるマイクロミラー４４を形成する。前記４５°のミラ
ー面は、レーザ光の反射ミラーとして使用される。

【００６８】エッチング部を絶縁膜で保護し、２ビーム
半導体レーザアレイ２０のｐ側電極２６あるいは２７と
接続される電極パターン４５を形成する。電極パターン
４５には、各レーザ素子２１、２２を独立して駆動でき
るように間隙が形成されている。

【００６９】前記電極パターン４５は、この間隙の中心
と半導体レーザアレイ２０に設けられた分離溝２５の中
心とを一致させたときに、電極パターン４５の間隙とｐ
側電極２６、２７間の間隙とが一致するように、シリコ
ン基板４１上にパターン化されている。また、シリコン
基板４１上には、光量モニタ用のフォトダイオード４６
が形成されている。

【００７０】次に、受光集積ユニット４０への２ビーム
半導体レーザアレイ２０マウント方法について説明す
る。

【００７１】前記２ビーム半導体レーザアレイ２０を受
光集積ユニット４０にマウントする際、シリコン基板４
１に形成されたエッチング斜面４７を基準面とし、半導
体レーザアレイ２０の側面を前記基準面に合わせてマウ
ントする。すなわち、半導体レーザアレイ２０の側面
を、前記基準面の底辺に沿うようにマウントする。これ
により、受光集積ユニット４０に対する半導体レーザア
レイ２０の平行度、マウント位置が簡易に決定でき、高
精度な位置合わせが可能となる。

【００７２】以上説明したようにこの第５の実施の形態
によれば、２ビーム半導体レーザアレイ２０を受光集積
ユニット４０にマウントする際、シリコン基板４１に形
成されたエッチング斜面４７を基準面として、半導体レ
ーザアレイ２０の側面を前記基準面に合わせてマウント
することにより、受光集積ユニット４０に対する半導体
レーザアレイ２０の平行度、マウント位置が簡易に決定
でき、高精度な位置合わせが可能となる。また、高精度
なマウントができることより、電極パターン４５に対す
る２ビーム半導体レーザアレイ２０のマウント位置ずれ
によって、各レーザ素子２１、２２間にショートが発生
するのを抑えることができる。

【００７３】なお、この第５の実施の形態においては、
２ビーム半導体レーザアレイの発振波長λ１と発振波長
λ２を、ＣＤ-Ｒ、ＤＶＤ-ＲＯＭの両方が読み込み可能
な波長にしてもよい。この場合、例えば発振波長λ１を
７８０ｎｍ、発振波長λ２を６５０ｎｍとする。

【００７４】［第６の実施の形態］図９は、この発明の
第６の実施の形態の半導体レーザ素子のマウント方法を
示すマウント装置、半導体レーザアレイ、及びヒートシ
ンクの斜視図である。

【００７５】マウント装置において、バキュームツール
５１は、半導体レーザアレイ５０を吸引して保持する。
プローブ５３、５４は、半導体レーザアレイ５０の位置
を調整するものである。

【００７６】前記半導体レーザアレイ５０は、２つの発
光点からレーザ光を出力する２ビーム型の半導体チップ
である。２つの発光点の間には、２ビーム半導体レーザ
アレイとして必要な電気的な分離溝５５が形成されてい
る。この分離溝５５には、寸法的な規定は特にないが、
実質運用上、半導体レーザアレイの縦幅、横幅の各々に
対して１割程度の比率の寸法を有するものとする。

【００７７】また、ヒートシンク５６は、前記半導体レ
ーザアレイ５０がマウントされるべきマウント面に合わ
せ溝５８が形成されている。この合わせ溝５８は、前記
分離溝５５と同様の寸法形状を有するものとする。例え
ば、例えば、合わせ溝５８の幅は１０μｍ〜５０μｍ程
度、その深さは１０μｍ〜２０μｍ程度とする。さら
に、ヒートシンク５６のマウント面上には、電気的に分
離された電極パターン５７が形成されている。

【００７８】次に、前記ヒートシンク５６上への半導体
レーザアレイ５０のマウント方法について説明する。こ
こでは、半導体レーザアレイ５０の分離溝５５とヒート
シンク５６の合わせ溝５８とを一致させることにより、
位置合わせを行う。

【００７９】まず、半導体レーザアレイ５０をバキュー
ムツール５１で吸引し、融着接合対象であるヒートシン
ク５６の上方に保持する。そして、プローブ５３、５４
を用いた突き立て方式でおおまかな位置を出す。図１０
に、前記突き当て方式でおおまかな位置を出す工程を示
す。

【００８０】次に、図１１に示すように、半導体レーザ
アレイ５０の分離溝５５が形成された側面、及びヒート
シンク５６の合わせ溝５８が形成された側面に、それぞ
れスリット光６１、６２などの平行光を照射する。この
スリット光６１、６２の照射部は、モニタ顕微鏡などに
同軸で組み込むこんでおく。これにより、前記スリット
光６１、６２の反射光の観察と、前記分離溝５５及び合
わせ溝５８の位置観察とを同時に行う。

【００８１】図１２（ａ）〜図１２（ｆ）は、前記スリ
ット光を用いた位置合わせの手法を示す概略図である。
図１２（ａ）、図１２（ｃ）、図１２（ｅ）はスリット
光６１、６２と分離溝５５及び合わせ溝５８を示し、図
１２（ｂ）、図１２（ｄ）、図１２（ｆ）はそれぞれ図
１２（ａ）、図１２（ｃ）、図１２（ｅ）に対する反射
光のモニタ表示を示している。

【００８２】まず、図１２（ａ）に示すように、スリッ
ト光６１を、半導体レーザアレイ５０の側面に沿って分
離溝５５に向かって走査していく。このとき、図１２
（ｂ）に示すように、スリット光６１の反射光をカメラ
などで捉え、モニタ画面内に表示する。同様に、スリッ
ト光６２の反射光を観察しながら、スリット光６２をヒ
ートシンク５６の側面に沿って合わせ溝５８に向かって
走査していく。

【００８３】そして、スリット光６１が分離溝５５まで
走査されたとき、図１２（ｄ）に示すように、反射光の
抜けを分離溝５５の所在位置として観察することができ
る。同様に、スリット光６２が合わせ溝５８まで走査さ
れたとき、図１２（ｄ）に示すように、反射光の抜けを
合わせ溝５８の所在位置として観察することができる。

【００８４】続いて、図１２（ｆ）に示すように、モニ
タ画面内に表示された分離溝５５及び合わせ溝５８の所
在位置が一致するように、プローブ５３により半導体レ
ーザアレイ５０を移動する。そして、分離溝５５及び合
わせ溝５８の所在位置が一致したところで、バキューム
ツール５１による吸引を停止し、ヒートシンク５６上に
半導体レーザアレイ５０をマウントする。その後、ヒー
トシンク５６と半導体レーザアレイ５０とのマウント部
が昇温され、ヒートシンク５６上に、半導体レーザアレ
イ５０が半田などにより融着接合される。

【００８５】このようなマウント方法により、肉眼であ
れば一瞥して、自動認識装置を用いた場合は複雑な画像
認識技術を用いることなく、二値化変換するだけで、容
易に半導体レーザアレイとヒートシンクの相対的な位置
が精密に把握でき、所望の位置にマウントすることが可
能になる。

【００８６】また、前記ヒートシンク５６に形成された
合わせ溝５８は、前述した光学的位置合わせの基準に用
いられるだけでなく、融着接合時に半田材が溶融して余
分に流出した場合に、流出した半田材が流れ込む溝とし
て用いられる。図１３は、融着接合時に溶融した余分な
半田材が合わせ溝に流れ込む様子を示している。図１３
に示すように、隣接する電極パターン５７間に合わせ溝
５８を設けておけば、溶融した余分な半田材６３が隣接
する電極パターン５７に達することはない。このよう
に、ヒートシンク５６の合わせ溝５８は、流出した半田
材６３が隣接して配線された電極パターン５７間をショ
ートさせるのを防止する役割も果たす。

【００８７】この第６の実施の形態によれば、ヒートシ
ンク５６に半導体レーザアレイ５０をマウントする際
に、反射光の抜けを分離溝５５または合わせ溝５８の所
在位置として捉え、これらの所在位置が一致したところ
で、ヒートシンク５６上に半導体レーザアレイ５０をマ
ウントすることにより、ヒートシンク５６に対する半導
体レーザアレイ５０の平行度、マウント位置が簡易に決
定でき、高精度な位置合わせが可能となる。

【００８８】また、高精度なマウントができることよ
り、電極パターン５７に対する２ビーム半導体レーザア
レイ５０のマウント位置ずれによって、各レーザ素子間
にショートが発生するのを抑えることができる。

【００８９】［第７の実施の形態］図１４は、この発明
の第７の実施の形態の半導体レーザ素子のマウント方法
を示すマウント装置、半導体レーザアレイ、及びヒート
シンクの側面図である。

【００９０】図１４に示すように、このマウント装置
は、バキュームツール７３、２つのプローブ（図示しな
い）、スリット光光源７４、及び受光装置７５を有して
いる。

【００９１】前記バキュームツール７３は、半導体レー
ザアレイ５０を吸引して保持する。２つのプローブは、
半導体レーザアレイ５０の位置を調整するものである。
スリット光光源７４は、スリット光７１、７２などの平
行光を、それぞれ半導体レーザアレイ５０及びヒートシ
ンク５６の側面に照射する。さらに、前記受光装置７５
は、半導体レーザアレイ５０の分離溝５５を通過したス
リット光７１及びヒートシンク５６の合わせ溝５８を通
過したスリット光７２を検出する。

【００９２】この第７の実施の形態で用いられる半導体
レーザアレイ、及びヒートシンクの構成は前記第６の実
施の形態で用いられるものと同様である。

【００９３】図１４に示すマウント装置を用いた、スリ
ット光の光軸方向（あおり方向）対する半導体レーザア
レイの平行位置の設定は下記のように行う。

【００９４】まず、スリット光（平行光）７１を、半導
体レーザアレイ５０の側面に照射する。同様に、スリッ
ト光（平行光）７２を、ヒートシンク５６の側面に照射
する。ここで、前記スリット光７１、７２は、いずれも
ヒートシンク５６の融着接合面と平行になるように設定
されている。

【００９５】また、スリット光７１、７２が入射される
半導体レーザアレイ５０及びヒートシンク５６の入射面
とは反対の出射面側に、スリット光７１、７２と光軸が
平行になるように受光装置７５を配置する。受光装置７
５には、撮像管あるいはＣＣＤ（電荷結合素子）が用い
られる。

【００９６】前記受光装置７５は、スリット光光源７４
から照射されたスリット光７１のうち、半導体レーザア
レイ５０の分離溝５５を通過した光を検出する。また、
同様に受光装置７５は、スリット光光源７４から照射さ
れたスリット光７２のうち、ヒートシンク５６の合わせ
溝５８を通過した光を検出する。

【００９７】図１５（ａ）に示すように、ヒートシンク
５６の融着接合面に平行なスリット光７１に対して、半
導体レーザアレイ５０が平行な位置関係を保っている場
合は、分離溝５５を通過した光が受光装置７５にて検出
される。そして、図１５（ｂ）に示すように、モニタ画
面内に輝点が映し出される。

【００９８】一方、図１５（ｃ）に示すように、ヒート
シンク５６の融着接合面に平行なスリット光７１に対し
て、半導体レーザアレイ５０が平行な位置関係になく、
スリット光７１の光軸方向（あおり方向）にθだけずれ
ている場合、分離溝５５に入射したスリット光７１は進
行方向を曲げられてしまい、受光装置７５に到達できな
い。よって、この場合、図１５（ｄ）に示すように、モ
ニタ画面内には輝点が現れない。

【００９９】この第７の実施の形態では、スリット光光
源７４から照射されたスリット光のうち、半導体レーザ
アレイ５０の分離溝５５及びヒートシンク５６の合わせ
溝５８を通過した光を、背後側に設置された受光装置７
５にて検知している。この検知による画像をモニタする
ことにより、容易に半導体レーザアレイ５０とヒートシ
ンク５６（あるいは外囲器）の融着接合面との平行位置
関係（スリット光軸方向のずれ）を検知することができ
る。

【０１００】同様に、バキュームツール７３を軸とする
回転方向のずれに対しても、スリット光７１の通過光の
有無により、容易に高精度な光軸合わせを行うことがで
きる。

【０１０１】また、前記第１の実施の形態と同様に、図
１４に示すマウント装置で、前記受光装置７５で捉えた
スリット光７１、７２の通過光を用いることにより、ヒ
ートシンク５６の融着接合面に対して水平方向の高精度
な位置合わせを行うことが可能である。

【０１０２】図１４に示すマウント装置を用いた水平方
向の高精度な位置合わせは下記のように行う。

【０１０３】図１６（ａ）〜図１６（ｆ）は、前記スリ
ット光を用いた水平方向の位置合わせの手法を示す概略
図である。図１２（ａ）、図１６（ｃ）、図１６（ｅ）
はスリット光７１、７２と分離溝５５及び合わせ溝５８
を示し、図１６（ｂ）、図１６（ｄ）、図１６（ｆ）は
それぞれ図１６（ａ）、図１６（ｃ）、１６（ｅ）に対
するスリット光７１、７２の通過光のモニタ表示を示し
ている。ここでは、スリット光の光軸方向（あおり方
向）に対しては、半導体レーザアレイ５０とヒートシン
ク５６（あるいは外囲器）の融着接合面との相対位置関
係は一致しているものとして説明する。

【０１０４】まず、図１６（ａ）に示すように、スリッ
ト光７１を、半導体レーザアレイ５０の側面に沿って分
離溝５５に向かって走査していく。このとき、スリット
光７１が分離溝５５を通過した光をカメラなどで捉え、
モニタ画面内に表示する。同様に、図１６（ｂ）に示す
ように、スリット光７２の合わせ溝５８を通過した光が
観察できるまで、スリット光７２をヒートシンク５６の
側面に沿って合わせ溝５８に向かって走査していく。

【０１０５】そして、スリット光７１が分離溝５５まで
走査されたとき、図１６（ｄ）に示すように、スリット
光７１の通過光を分離溝５５の所在位置として観察する
ことができる。同様に、スリット光７２が合わせ溝５８
まで走査されたとき、図１６（ｄ）に示すように、スリ
ット光７２の通過光を合わせ溝５８の所在位置として観
察することができる。

【０１０６】続いて、図１６（ｆ）に示すように、モニ
タ画面内に表示された分離溝５５及び合わせ溝５８の所
在位置が一致するように、プローブ５３により半導体レ
ーザアレイ５０を移動する。そして、分離溝５５及び合
わせ溝５８の所在位置が一致したところで、バキューム
ツール５１による吸引を停止し、ヒートシンク５６上に
半導体レーザアレイ５０をマウントする。その後、ヒー
トシンク５６と半導体レーザアレイ５０とのマウント部
が昇温され、ヒートシンク５６上に、半導体レーザアレ
イ５０が半田などにより融着接合される。

【０１０７】このようなマウント方法により、肉眼であ
れば一瞥して、自動認識装置を用いた場合は複雑な画像
認識技術を用いることなく、二値化変換するだけで、容
易に半導体レーザアレイとヒートシンクの相対的な位置
が精密に把握でき、所望の位置にマウントすることが可
能になる。

【０１０８】この第７の実施の形態によれば、ヒートシ
ンク５６に半導体レーザアレイ５０をマウントする際
に、スリット光の通過光を分離溝５５または合わせ溝５
８の所在位置として捉え、これらの所在位置が一致した
ところで、ヒートシンク５６上に半導体レーザアレイ５
０をマウントすることにより、ヒートシンク５６に対す
る半導体レーザアレイ５０の平行度、マウント位置が簡
易に決定でき、高精度な位置合わせが可能となる。

【０１０９】また、高精度なマウントができることよ
り、電極パターン５７に対する２ビーム半導体レーザア
レイ５０のマウント位置ずれによって、各レーザ素子間
にショートが発生するのを抑えることができる。

【０１１０】なお、前記第６、第７の実施の形態では、
平行光としてスリット光を用いた。しかし、これに限る
わけではなく、レーザ光などを用いてもよい。また、前
記第７の実施の形態では、受光装置に撮像管あるいはＣ
ＣＤ（電荷結合素子）を用いたが、これに限るわけでは
なく、光電変換素子などを用いて電気信号の有無を検出
するようにしてもよい。また、前記実施の形態では、半
導体レーザチップのマウント対象をヒートシンクとした
が、これに限るわけではなく、その他の外囲器であって
もこの発明を適用することができる。

【０１１１】

【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、半
導体レーザチップをヒートシンクにマウントする際に、
平行度、マウント位置が簡易に決められ、高精度なマウ
ントが可能な半導体レーザ装置及び半導体レーザチップ
のマウント方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施の形態の半導体レーザ装
置の構成を示す側面図である。

【図２】前記第１の実施の形態における半導体レーザ素
子がマウントされるヒートシンクの構造を示す斜視図で
ある。

【図３】この発明の第２の実施の形態の半導体レーザ装
置の構成を示す側面図である。

【図４】この発明の第３の実施の形態における半導体レ
ーザアレイの構造を示す断面図である。

【図５】前記第３の実施の形態における半導体レーザア
レイがマウントされるヒートシンクの構造を示す斜視図
である。

【図６】この発明の第３の実施の形態の半導体レーザ装
置の構成を示す側面図である。

【図７】この発明の第４の実施の形態の半導体レーザ装
置の構成を示す側面図である。

【図８】この発明の第５の実施の形態の受光集積ユニッ
トの構成を示す平面図である。

【図９】この発明の第６の実施の形態の半導体レーザ素
子のマウント方法を示すマウント装置、半導体レーザア
レイ、及びヒートシンクの斜視図である。

【図１０】前記マウント方法における突き当て方式によ
る位置出しを示す側面図である。

【図１１】前記マウント方法におけるスリット光の照射
を示す斜視図である。

【図１２】（ａ）〜（ｆ）は、前記スリット光を用いた
位置合わせの手法を示す概略図である。

【図１３】前記第６の実施の形態における融着接合時に
溶融した余分な半田材が合わせ溝に流れ込む様子を示す
斜視図である。

【図１４】この発明の第７の実施の形態の半導体レーザ
素子のマウント方法を示すマウント装置、半導体レーザ
アレイ、及びヒートシンクの側面図である。

【図１５】（ａ）〜（ｄ）は、前記第７の実施の形態に
おけるスリット光を用いた光軸方向の位置合わせの手法
を示す概略図である。

【図１６】（ａ）〜（ｆ）は、前記第７の実施の形態に
おけるスリット光を用いた水平方向の位置合わせの手法
を示す概略図である。

【図１７】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ従来の半導体レ
ーザ装置の構造を示す側面図である。

【図１８】微小プローブを用いた突き当て方式による位
置合わせの一例を示す図である。

【図１９】肉眼を用いた調整方式による位置合わせを示
す図である。

【図２０】マウント工程における半導体レーザアレイと
ヒートシンクの側面図である。

【図２１】非平行状態の半導体レーザアレイの端部がヒ
ートシンクに突き当たり回転する様子を示す斜視図であ
る。

【符号の説明】

１１…ヒートシンク １２…半導体レーザ素子 １３…溝部 １３Ａ…溝部の側面 １４…電極パターン １４が形成されている。 ２０…半導体レーザアレイ ２１…レーザ素子 ２２…レーザ素子 ２３…第３クラッド層 ２４…ＧａＡｓ電流防止層 ２５…分離溝 ２６…ｐ側電極 ２７…ｐ側電極 ２８…ｎ側電極 ２９…基板 ３１…ヒートシンク ３２…電極パターン ３３…溝部 ３３Ａ…溝部内の側面 ４０…受光集積ユニット ４１…シリコン（１００）基板 ４２…集積回路 ４３…受光素子 ４４…マイクロミラー ４５…電極パターン ４６…フォトダイオード ４７…エッチング斜面 ５０…半導体レーザアレイ ５１…バキュームツール ５３、５４…プローブ ５５…分離溝 ５６…ヒートシンク ５７…電極パターン ５８…合わせ溝 ６１、６２…スリット光 ６３…半田材 ７１、７２…スリット光 ７３…バキュームツール ７４…スリット光光源 ７５…受光装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡田 眞琴 神奈川県川崎市川崎区日進町７番地１ 東 芝電子エンジニアリング株式会社内 Ｆターム(参考） 5F047 AA02 AB03 CA08 5F073 AB02 AB12 BA06 DA21 FA15 FA23 5F089 AA02 AB09 AC02 AC08 AC20 AC24 CA14 CA15 CA16

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ヒートシンク上に半導体レーザチップが
   マウントされてなる半導体レーザ装置において、 前記半導体レーザチップがマウントされる面に溝が設け
   られ、この溝内に導電層が形成されたヒートシンクと、 前記ヒートシンクに設けられた前記溝内にその外形が収
   まるように、前記溝内の導電層上にマウントされた前記
   半導体レーザチップと、 を具備することを特徴とする半導体レーザ装置。
2. 【請求項２】 前記ヒートシンクに設けられた前記溝内
   の一方の側面には前記導電層が形成されておらず、この
   側面に前記半導体レーザチップの側面が接触するよう
   に、前記半導体レーザチップがマウントされていること
   を特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
3. 【請求項３】 前記半導体レーザチップは、複数のレー
   ザ素子を有する半導体レーザアレイであることを特徴と
   する請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
4. 【請求項４】 前記半導体レーザアレイは、複数のレー
   ザ素子の各々を独立に駆動するために分離された複数の
   第１導電層を有し、前記ヒートシンクは前記溝内に分離
   された複数の第２導電層を有し、前記複数の第２導電層
   の各々に前記複数の第１導電層がそれぞれ接続されてい
   ることを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ装
   置。
5. 【請求項５】 前記半導体レーザアレイは、同一の半導
   体基板上に活性領域が光導波路方向に平行となるように
   形成され、かつ電流駆動が独立に行えるように、前記レ
   ーザ素子間の半導体多層膜の一部を電流防止層に至るま
   で除去した分離溝を有することを特徴とする請求項４に
   記載の半導体レーザ装置。
6. 【請求項６】 前記レーザ素子は、異なる発振波長を有
   することを特徴とする請求項５に記載の半導体レーザ装
   置。
7. 【請求項７】 前記レーザ素子は、同一の発振波長を有
   することを特徴とする請求項５に記載の半導体レーザ装
   置。
8. 【請求項８】 シリコン基板上に形成された集積回路
   と、 前記シリコン基板上に形成された受光素子と、 前記シリコン基板上に形成された光量モニタ用のフォト
   ダイオードと、 半導体基板上に活性領域が光導波路方向に平行となるよ
   うに形成され、かつ電流駆動が独立に行えるように、各
   々のレーザ素子間の半導体多層膜の一部を電流防止層に
   至るまで除去した分離溝を有する半導体レーザアレイ
   と、 を具備することを特徴とする受光集積ユニット。
9. 【請求項９】 ヒートシンク上に半導体レーザチップが
   マウントされてなる半導体レーザ装置において、 前記半導体レーザチップがマウントされる面に第１の溝
   が設けられたヒートシンクと、 前記第１の溝の幅とほぼ同じ幅の第２の溝が設けられ、
   この第２の溝と前記第１の溝とが一致するように、前記
   ヒートシンク上にマウントされた半導体レーザチップ
   と、 を具備することを特徴とする半導体レーザ装置。
10. 【請求項１０】 前記半導体レーザチップは複数のレー
    ザ素子を有する半導体レーザアレイであり、前記第２の
    溝は前記複数のレーザ素子を電気的に各々のレーザ素子
    に分離する分離溝であることを特徴とする請求項９に記
    載の半導体レーザ装置。
11. 【請求項１１】 前記ヒートシンクに設けられた前記第
    １の溝は、前記ヒートシンク上に分離されて形成された
    複数の導電層間に設けられていることを特徴とする請求
    項１０に記載の半導体レーザ装置。
12. 【請求項１２】 ヒートシンク上に半導体レーザチップ
    をマウントして半導体レーザ装置を製造する半導体レー
    ザチップのマウント方法において、 前記半導体レーザチップがマウントされる面に溝が設け
    られ、この溝内に導電層が形成されたヒートシンクに対
    し、前記溝内に半導体レーザチップが収まるように、前
    記溝内の前記導電層上に前記半導体レーザチップをマウ
    ントすることを特徴とする半導体レーザチップのマウン
    ト方法。
13. 【請求項１３】 前記ヒートシンクに設けられた前記溝
    内の一方の側面には前記導電層が形成されておらず、こ
    の側面に前記半導体レーザチップの側面が接触するよう
    に、前記半導体レーザチップをマウントすることを特徴
    とする請求項１２に記載の半導体レーザチップのマウン
    ト方法。
14. 【請求項１４】 ヒートシンク上に半導体レーザチップ
    をマウントして半導体レーザ装置を製造する半導体レー
    ザチップのマウント方法において、 前記半導体レーザチップがマウントされる面に第１の溝
    が設けられたヒートシンクに対し、前記第１の溝の幅と
    ほぼ同じ幅の第２の溝が設けられた半導体レーザチップ
    を、この第２の溝と前記第１の溝とが一致するようにマ
    ウントすることを特徴とする半導体レーザチップのマウ
    ント方法。
15. 【請求項１５】 前記半導体レーザチップは複数のレー
    ザ素子を有する半導体レーザアレイであり、前記第２の
    溝は前記複数のレーザ素子を電気的に各々のレーザ素子
    に分離する分離溝であることを特徴とする請求項１４に
    記載の半導体レーザチップのマウント方法。
16. 【請求項１６】 前記ヒートシンクに設けられた前記第
    １の溝は、前記ヒートシンク上に分離されて形成された
    複数の導電層間に設けられていることを特徴とする請求
    項１５に記載の半導体レーザチップのマウント方法。
17. 【請求項１７】 前記ヒートシンクに設けられた前記第
    １の溝は、前記半導体レーザチップが前記ヒートシンク
    にマウントされる際、溶融された接合材が流れ込む溝で
    あることを特徴とする請求項１６に記載の半導体レーザ
    チップのマウント方法。
18. 【請求項１８】 ヒートシンク上に半導体レーザチップ
    をマウントして半導体レーザ装置を製造する半導体レー
    ザチップのマウント方法において、 第１の溝が形成された前記半導体レーザチップを、第２
    の溝が形成された前記ヒートシンクの上方に保持する工
    程と、 前記半導体レーザチップの側面に、前記第１の溝を横切
    るように前記ヒートシンクのマウント面に平行な平行光
    を照射すると共に、前記ヒートシンクの側面に、前記第
    ２の溝を横切るように前記ヒートシンクのマウント面に
    平行な平行光を照射する工程と、 ２つの前記側面から反射される２つの前記平行光の反射
    光を受光し、前記第１の溝による反射光の抜け及び第２
    の溝による反射光の抜けから、前記第１の溝及び第２の
    溝の所在位置を検出する工程と、 前記所在位置を検出する工程における検出状況を確認し
    ながら、前記第１の溝及び第２の溝の所在位置が一致す
    るように、前記半導体レーザチップの位置を調整する工
    程と、 を具備することを特徴とする半導体レーザチップのマウ
    ント方法。
19. 【請求項１９】 ヒートシンク上に半導体レーザチップ
    をマウントして半導体レーザ装置を製造する半導体レー
    ザチップのマウント方法において、 第１の溝が形成された前記半導体レーザチップを、前記
    ヒートシンクの上方に保持する工程と、 前記半導体レーザチップの側面に、前記分離溝を横切る
    ように前記ヒートシンクのマウント面に平行な平行光を
    照射する工程と、 前記半導体レーザチップの前記第１の溝に照射された平
    行光のうち、前記第１の溝を通過した光を受光する工程
    と、 前記第１の溝を通過した光を受光する工程における受光
    の有無を確認しながら、受光が有るように前記ヒートシ
    ンクのマウント面に対する前記半導体レーザチップの角
    度を調整する工程と、 を具備することを特徴とする半導体レーザチップのマウ
    ント方法。
20. 【請求項２０】 ヒートシンク上に半導体レーザチップ
    をマウントして半導体レーザ装置を製造する半導体レー
    ザチップのマウント方法において、 第１の溝が形成された前記半導体レーザチップを、第２
    の溝が形成された前記ヒートシンクの上方に保持する工
    程と、 前記半導体レーザチップの側面に、前記第１の溝を横切
    るように前記ヒートシンクのマウント面に平行な平行光
    を照射すると共に、前記ヒートシンクの側面に、前記第
    ２の溝を横切るように前記ヒートシンクのマウント面に
    平行な平行光を照射する工程と、 前記半導体レーザチップの側面に照射された平行光のう
    ち、前記第１の溝を通過した光と、前記ヒートシンクの
    側面に照射された平行光のうち、前記第２の溝を通過し
    た光とを受光し、前記第１の溝及び第２の溝の所在位置
    を検出する工程と、 前記所在位置を検出する工程における検出状況を確認し
    ながら、前記第１の溝及び第２の溝の所在位置が一致す
    るように、前記半導体レーザチップの位置を調整する工
    程と、 を具備することを特徴とする半導体レーザチップのマウ
    ント方法。
21. 【請求項２１】 前記半導体レーザチップは複数のレー
    ザ素子を有する半導体レーザアレイであり、前記第２の
    溝は前記複数のレーザ素子を電気的に各々のレーザ素子
    に分離する分離溝であることを特徴とする請求項１８ま
    たは２０に記載の半導体レーザチップのマウント方法。
22. 【請求項２２】 前記ヒートシンクに設けられた前記第
    １の溝は、前記ヒートシンク上に分離されて形成された
    複数の導電層間に設けられていることを特徴とする請求
    項１８、１９または２０に記載の半導体レーザチップの
    マウント方法。