TWI816773B - 耦接光子積體電路的光電電路板 - Google Patents

耦接光子積體電路的光電電路板 Download PDF

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Abstract

本發明係基於實現光子積體電路(901)之簡單且可靠耦接之目的。這係透過使用可提供探針卡功能的光電電路板(300)成為可能。該光電電路板(300)包含至少一導電體線路(381、385、386、387)及至少一光束路徑(371)。

Description

耦接光子積體電路的光電電路板
本案各種範例係關於耦接光子積體電路(Photonic integrated circuit，PIC)的技術，例如測試PIC的技術。
以類似電子積體電路之情況的方式，在PIC中，將多個被動及/或主動光學和光電子(optoelectronic)組件組裝在共用基材(如半導體晶圓)上以形成複雜電路。在這種情況下，舉例來說，濾波器或耦合器等傳統光學組件可置換為更小型的積體光學組件。透過PIC表面附近的光學波導將PIC之各種組件彼此連接。
舉例來說，近年來，隨著網際網路上的資料流量大量成長，由於需求具有足夠頻寬且有效運行的信號處理電路，因此此PIC變得更加有趣。除了電信和資料傳輸應用之外，其他應用(如感測器技術)及生命科學領域的應用也對PIC感興趣。
產生此PIC的程序是類似產生慣用電子積體電路或微機電系統(Microelectromechanical system，MEMS)或微光機電系統(Microoptoelectromechanical system，MOEMS)的程序。然而，相較於這些慣用技術，對於PIC僅存在少數可用於在生產程序期間或之後的有效檢查此電路的測試方法。
為了測試PIC(特別是其中的該等波導結構)，通常有必要將 光耦合到PIC之該等波導結構中，及/或偵測來自PIC(特別是來自該等波導結構)的光。為此目的，PIC具有構成接收及/或發射光的光學介面。
對於光導纖維(例如玻璃纖維)，為此目的之慣用做法係使其相對於待測試的PIC對齊並因此定位。由於這需要小於1μm範圍內的高準確度，因此需求相對較長的時間，如此使得該測試非常耗時。因此，由於該定位必須在每次測試之前且個別對於每個電路執行，因此此測試對於數量大的狀況時僅能在有限程度內適用，或對於數量大時的狀況就非常需要花費時間和成本。
由於這些原因，現今PIC的測試主要限於成品組件的佈局分析和功能檢查。
除了光學組件之外，PIC經常也包含電子組件。在此混合具體實施例中，測試是甚至更複雜。那麼，慣用技術無法進行功能性測試，或只能有限度完成其測試。
因此，本案目的之一係提供經改良的耦接此PIC(特別是有關功能測試)的可能性。
透過獨立專利諸申請專利範圍之該等特徵達成此目的。從屬專利諸申請專利範圍之該等特徵界定具體實施例。
光電電路板(Electro-optical circuit board，EOCB)構成耦接一PIC。該光電電路板包含至少一導電體線路。該至少一導電體線路延伸於該光電電路板之前側與該光電電路板之後側之間。該光電電路板構成耦接緊鄰該後側的PIC之電介面。該光電電路板也包含至少一光束路徑。該光束路徑也延伸於該光電電路板之前側與該光電電路板之後側之間。該光束路徑構成耦接緊鄰該後側的PIC之光學介面。
該光電電路板(EOCB)實施電耦接功能和光學耦接功能兩者。 例如在專利案US 2004/0037512 A1中說明EOCB之一示例性實作。
該光束路徑可因此引導光束。
在這種情況下，該EOCB之後側在於所需在使用期間面向PIC；而該EOCB之前側係相對於該後側的另一側，因此背對PIC。
該電耦接可使電信號傳輸到PIC及/或接收來自PIC的電信號成。該光學耦接(有時也指稱為光學定址(addressing))可使傳輸光學信號及/或接收來自PIC的光學信號成為可能。
藉助該至少一導電體線路，該EOCB可傳輸電信號來及/或回於PIC。藉助該至少一光束路徑，該EOCB也可傳輸光學信號(即光束)來及/或回於PIC。該等電信號及/或光學信號可提供有關PIC的測試功能。舉例來說，可讀出或寫入PIC之系統狀態。
舉例來說，該EOCB可具有層結構。該層結構可具有延伸於該光電電路板之橫向平面中的複數個層。該等層的某些者可為導電，並例如由金屬形成(金屬層)。這些金屬層隨後有助於提供該電耦接功能，並可用於實施該至少一導電體線路。舉例來說，橫向導體線路可形成於該等金屬層中。舉例來說，可透過橫向結構化蝕刻界定導體線路之網路。也可能在複數個垂直間隔開的金屬層之間產生垂直連接，有時指稱為「通孔」(via)。因此，導電體線路可在該EOCB之前側與後側之間產生電連接。特別是，導電體線路可延伸於該EOCB之前側處的電耦合點與該EOCB之後側處的電耦合點之間。該EOCB之後側處的電耦合點可構成電耦接PIC之對應電介面產生。該EOCB之前側處的電耦合點可構成產生電耦接外部電測試裝置，例如使用一端頭(tip)探測台等。
該EOCB之層結構也可具有一或多個透明層。舉例來說，可產生由玻璃或聚合物製成的透明層。在透明層內，可例如透過該對應材料之折射率之橫向變化界定光波導。也可界定在幾何光學方面產生作用的元件，例如透鏡或偏轉元件(如反射鏡或稜鏡)。可達成的結果是，光束路徑 延伸於該EOCB之前側處的光學耦合點與該EOCB之後側處的光學耦合點之間。在這種情況下，可經由波導及/或光學元件達成該光束路徑之垂直程度及/或橫向程度。
經由使用EOCB，可進行PIC之特別簡單的耦接。這是因為例如該EOCB之後側之佈局(topography)可適應於PIC之佈局。這意指透過該至少一導電體線路及/或透過該至少一光束路徑形成的耦合點之橫向設置係調適於PIC之該等電介面及/或光學介面之佈局。在PIC之高積體密度之情況下，這可意指該EOCB之後側處的相鄰耦合點之間的平均距離相對較小，例如在數微米範圍內。特別是，該後側處的該等耦合點之間的平均距離可小於該EOCB之前側處的耦合點之間的平均距離。這由於僅需求相對較低的定位準確度，因此可以自動化方式使其可特別可靠透過該EOCB之前側上的該等耦合點，產生電耦接及/或光學耦接PIC。舉例來說，可使用電端頭(tip)測試裝置，其中電耦接端頭自動定位於在該EOCB之前側上實施該等電耦合點的耦接墊或耦接插座上。舉例來說，經由光學測試裝置之合適掃描裝置，光束可透過該EOCB之前側上的光學耦合點接收或傳輸到該光學耦合點。由於該EOCB之前側上的該等耦合點之間的平均距離相對較大，對應電測試端頭之定位及光束經由光學掃描器之定位可較不複雜。總結來說，因此，從該前側上的高定位容差到該後側上的高定位解析度，該EOCB提供該電耦接和光學耦接的傳輸功能。
可使用各種技術實施該至少一導電體線路。舉例來說，該至少一導電體線路可在該EOCB之前側處具有電耦接。該電耦接可實施該電耦合點。舉例來說，該電耦接可體現為耦接墊或耦接插座。也可實施為插頭。或者或此外，該導電體線路可在該EOCB之後側處包含一電測試端頭。在這種情況下，該測試端頭可在該後側處提供該電耦合點。
也可想像該至少一光束路徑之各種實作。可透過透鏡及/或偏轉(deflection)元件例如至少部分界定該至少一光束路徑。這意指該透鏡及 /或該偏轉元件(例如稜鏡或反射鏡)可設置於該光束路徑中。該透鏡及/或該偏轉元件可引導該光束路徑。舉例來說，該透鏡及/或該偏轉元件可體現為微光學單元。可例如藉助多光子聚合(multi-photon polymerization)程序形成微光學單元。
在該多光子聚合程序中，舉例來說，可在該EOCB上施加起始材料。透過電磁輻射曝光，可變化該起始材料之該等性質。然後，藉助空間解析曝光，可寫入三維起始結構，並可將該起始材料移開該起始結構。該起始結構可成型為待產生的微光學單元欲包含有的目標材料。相對的技術是例如在：專利案US 2012/0325775 A1中說明。
在這種情況下，原則上，該透鏡及/或該偏轉元件可嵌入該EOCB之層結構中。為此目的，舉例來說，藉助蝕刻程序可在該層結構中提供凹陷，然後該透鏡及/或該偏轉元件可設置於該凹陷中。這可特別節省空間的積體，例如若PIC本身具有需要薄EOCB的表面佈局。
然而，在一進一步範例中，該透鏡及/或該偏轉元件也可安裝於該層結構之外表面上，並延伸離開該層結構。舉例來說，該透鏡及/或該偏轉元件可安裝於形成該後側的EOCB之外表面上。因此，可在該EOCB之至少一光束路徑與PIC之間實施特別靈活的耦合。舉例來說，特別是，也可實施在PIC之垂直邊緣處的鏡面(facet)介面的橫向耦合。
原則上，該至少一光束路徑可構成向PIC提供垂直光學耦合，及/或PIC提供橫向光學耦合。舉例來說，在該垂直光學耦合之情況下，該至少一光束路徑之取向可相對於界定該後側的EOCB之層結構之外表面的垂直定向。橫向光學耦合可使用該至少一光束路徑相對於該外表面之橫向取向。
透過光學波導，可至少部分界定該至少一光束路徑。可在該EOCB之層結構之至少一光學透明層中形成該波導。這可例如藉助形成該光學透明層的材料之折射率之變化執行。
再者，可使用窗結構(window structure)界定該光束路徑。舉例來說，該EOCB可在該層結構之至少一金屬層中包含一切口(cutout)。該切口可設置於該光束路徑中。如此，該光束路徑可垂直穿過金屬層。
在一些範例中，可使用光束分離器。然後，該至少一光束路徑可具有分支接合點。因此，可實施更複雜的光學測試功能，其中藉助同調光同時定址例如PIC的不同區域。分支接合點使得可達成將該EOCB之後側上的複數個光學耦合點指定給該EOCB之前側上的共用光學耦合點。
一系統包含該EOCB及PIC。該系統可視需要也包含至少一測試裝置(例如一電測試裝置及/或一光學測試裝置)。該至少一測試裝置可構成透過該EOCB傳輸電信號及/或光學信號往及/或返PIC。舉例來說，該至少一測試裝置可構成藉助沿著該EOCB之至少一光束路徑傳輸的光束，以光學耦接PIC。該至少一測試裝置可也構成藉助沿著該EOCB之至少一導電體線路傳輸的電信號，以電耦接PIC。
該光學測試裝置可包含一光源及一掃描裝置。該光學測試裝置可驅動該光源和該掃描裝置，以發射光束到該EOCB。因此，可藉助該掃描裝置移動用於該光束的傳輸孔徑。
該光學測試裝置也可包含一偵測器。該光學測試裝置可驅動該偵測器和該掃描裝置，以接收來自該EOCB的光束。在該情況下，因此可藉助該掃描裝置移動用於該光束的偵測器孔徑。
該掃描裝置可移動/傾斜該光學測試裝置之傳輸孔徑及/或偵測器孔徑。
在一些範例中，該光學測試裝置構成驅動該掃描裝置，以相對於該EOCB之前側上的複數個光學耦合點以定位該光束。更精確而言，可驅動該掃描裝置，以相對於該等複數個光學耦合點以定位用於該光束的傳輸孔徑及/或偵測器孔徑。這意指例如可掃描該光束，以使該光束入射於例如該等複數個光學耦合點之特定一者上；或透過該等複數個光學耦合點 之一者以選擇性接收光束。
在一些範例中，該測試裝置可構成驅動該掃描裝置，以將該光束交替和重複定位於該等複數個光學耦合點上。這意指可使用指定掃描頻率在該等不同的光學耦合點之間來回改變。因此，可藉助分時多工(time division multiplexing)耦接許多光學耦合點，而不必提供例如對應的許多實體光學耦接，例如玻璃纖維。
有時也可驅動該掃描裝置，以將該光束定位於該EOCB之前側上的(單個)光學耦合點內。更精確而言，可驅動該掃描裝置，以將用於該光束的傳輸孔徑及/或偵測器孔徑定位於該光學耦合點內。可以此方式執行精細定位。
該電測試裝置可構成透過該EOCB傳輸電信號來及/或回於PIC。該光學測試裝置可構成透過該EOCB傳輸光學信號或光束來及/或回於PIC。
耦接PIC的方法包含透過至少一導電體線路以電耦接PIC。該至少一導電體線路延伸於EOCB之前側與該EOCB之後側之間。該方法也包含透過至少一光束路徑以光學耦接PIC。該至少一光束路徑延伸於該EOCB之前側與該EOCB之後側之間。
光學耦接可包含例如發射一光束到該EOCB。或者或此外，以光學耦接可也包含接收來自該EOCB的光束。
舉例來說，可透過至少一測試裝置執行該方法。舉例來說，可透過用於至少一測試裝置的控制器執行該方法。舉例來說，可使用光學測試裝置和電測試裝置。
對於此方法，可達成的效果係相當於根據進一步態樣達成有關EOCB的效果。
產生配置耦接PIC的EOCB的方法包含形成至少一導電體線路。該至少一導電體線路延伸於該EOCB之前側與該EOCB之後側之間。 該至少一導電體線路也構成耦接緊鄰該後側的PIC之電介面。該方法更包含形成延伸於該EOCB之前側與後側之間的至少一光束路徑。該至少一光束路徑構成耦接緊鄰該後側的PIC之光學介面。對於此方法，可達成的效果係相當於根據進一步態樣達成有關EOCB的效果。
該方法更包含藉助多光子聚合程序在該EOCB處形成微光學單元。
舉例來說，該微光學單元可包含一透鏡及/或一偏轉元件。該透鏡及/或該偏轉元件可嵌入該EOCB之層結構中。然而，該微光學單元也可安裝於該層結構之外表面上，並延伸離開該層結構。
光學耦接PIC的方法可包含：藉助光學電路板或光電電路板相對於PIC之相對移動的粗略定位(coarse positioning)。該方法可更包含：藉助光束經由掃描裝置在該光學電路板之光學耦合點內之移動的精細定位。
不僅可在明確闡述的該等對應組合中，而且可在更多組合中或單獨使用以上闡述的該等特徵和以下說明的特徵，而不悖離本發明之保護範疇。
90:系統
300:光電電路板(EOCB)
321:接物透鏡
322:稜鏡
330:層結構
331、332:金屬層
335:透明層
370:光學耦合點
370A:橫向直徑
371:光束路徑
371A:分支接合點
380:電耦合點
381:導電體線路
385:接點
386:電測試端頭
387:電通孔
391:較大距離
392:較小距離
398:前側
399:後側
600:光電子元件
801:光學測試裝置
802:光源
803:掃描裝置
811A:照明光束
811B:偵測光束
813:偵測器
851:電測試裝置
871:光束
871A:橫向直徑
871B:定位
881:電信號
901:光子積體電路(PIC)
921:輸入耦合光柵
922:輸出耦合光柵
923:末端面部
925:波導結構
931:電耦接墊
971:光學介面
972:電介面
1001、1002、1011、1012、1013:區塊
圖1示意性例示根據各種範例之包含一EOCB的系統。
圖2示意性例示根據各種範例的PIC及PIC之光學耦接。
圖3示意性例示PIC。
圖4示意性例示PIC。
圖5示意性例示根據各種範例的EOCB，其中圖5中的插件例示光束在該EOCB之光學耦合點內之定位。
圖6示意性例示根據各種範例的EOCB。
圖7示意性例示根據各種範例的EOCB。
圖8示意性例示根據各種範例的EOCB。
圖9示意性例示根據各種範例的EOCB。
圖10示意性例示根據各種範例的EOCB。
圖11示意性例示根據各種範例的EOCB。
圖12係一示例性方法之流程圖。
圖13係一示例性方法之流程圖。
以下基於參考附圖的較佳具體實施例更詳細解說本發明。在圖式中，相同參考標記代表相同或類似元件。附圖係本發明之不同具體實施例之示意圖。附圖中例示的元件不必然以實際比例表示。而是，圖式中例示的該等不同元件以熟習該項技藝者理解的功能和一般目的之方式再現。
以下說明提升PIC之測試的技術。在這種情況下，可測試PIC之電功能和光學功能。為此目的，PIC可電耦接和光學耦接兩者。電信號及/或光學信號或光束可傳輸到PIC或從PIC接收。
以下說明的各種技術使用耦接PIC的EOCB。該EOCB可提供該電耦接和該光學耦接兩者。該EOCB可傳輸電信號及/或光學信號。該EOCB可因此提供探針卡功能。
根據各種範例，此包含在該EOCB中及/或上整合一光學透明窗，及/或整合例如透鏡或稜鏡之聚焦光學元件或光學偏轉元件。或者或此外，也可使經由整合於該EOCB中的波導的光引導成為可能。對於對應光束路徑，使複雜佈局成為可能。
此技術使得可沿著該EOCB內的一或多個光束路徑分佈和收集光束。
可使用此概念測試個別PIC。然後，該EOCB之佈局可適應 於該各自PIC之佈局。舉例來說，可以相對或對應於PIC之電介面及/或光學介面的方式，將電耦合點及/或光學耦合點設置於該EOCB之後側處。
也可藉助PIC之基材材料之面部的橫向耦合。為此目的，可整合例如朝向PIC之平面內波導偏轉光的光學元件(例如稜鏡或反射鏡)。此光學偏轉元件可通常組合附加聚焦元件，以達成調適PIC中之波導的數值孔徑。
如一般規則，微光學產生之技術可用於本說明書中說明的該等光學元件。舉例來說，可使用多光子聚合程序，例如雙光子聚合程序。
經由使用該EOCB，可能特別快速且有效同時測試PIC之電功能及PIC之光學功能。特別是，可不必要例如使用設備之分開件實施兩連續的測試程序(一用於該電測試，且一用於該光學測試)。而是，可以時間上至少部分重疊的方式測試該光學功能和該電功能。如此減少該測試時間，從而提高測試試件之處理量。
圖1例示關於一示例性系統90的態樣。系統90包含一光學測試裝置801及一電測試裝置851。所述裝置構成測試PIC 901之功能。
光學測試裝置801包含一光源802，其用於產生一光束871(在本說明書使用該指定光束以更容易指定，但亦可包括複數部分光束及/或射束叢)。光束871可實施為光學信號。在一範例中，光源802為一雷射光源。在一些變化例中，光源802可例如藉助偏振器產生偏振光(polarized light)，以使用偏振光照明PIC 901。
在圖1的範例中，光學測試裝置801也包含一掃描裝置803，藉助其可改變光束871在EOCB 300上之位置。為此目的，掃描裝置803可具有特別是一或多個可動式掃描器反射鏡(如Galvano反射鏡或MEMS反射鏡)及/或空間光調變器。因此，可藉助掃描裝置803精確設定光束871在EOCB 300之橫向表面上之位置。特別是，光束871可定位於EOCB 300之前側398上的不同光學耦合點370上。透過對應光束路徑371，前側398上 的不同光學耦合點370可連接到EOCB 300之後側399上的不同光學耦合點370。作為替代或除了光束871在EOCB 300之前側398上的不同光學耦合點370上之此定位之外，光學測試裝置801也可構成將光束871橫向定位於前側398上的光學耦合點370內。舉例來說，可根據例如以螺旋方式形成的搜尋圖案實施此定位。通常，可以二維方式形成該搜尋圖案。一不同示例性搜尋圖案可掃描線條，或以星形方式掃描。可透過藉助掃描裝置803的二維掃描實施該搜尋圖案。
可監控藉助該搜尋圖案的定位：藉助該搜尋圖案的定位可例如與透過光學測試裝置801及/或電測試裝置851實施的反饋迴路耦合：在(如電或光學上獲得的)測量信號超過或下降低於指定預定臨界值之前，可針對定位目的而沿著該搜尋圖案掃描光束871。然後，此臨界值比較可指示光束871在PIC 901上之正確定位，即例如在PIC 901之光學介面971中心。為此目的，可使用透過光束871之正確定位啟動的PIC 901之電功能及/或光學功能。舉例來說，光束871在PIC 901上之正確定位可藉助光電子換能器(transducer)元件(例如光電子元件600)以電信號之形式透過EOCB 300傳遞回電測試裝置851。然後，可依該臨界值比較而定以結束沿著該搜尋圖案的掃描。若首先執行該電耦合(以便獲得該測量信號)，然後基於該測量信號以監控方式執行該光學耦合，則此技術具有優勢。在不同的範例中，可檢查光束871本身之背向反射或吸收：若該背向反射減小(即若更多光耦合到PIC 901中)，則可假設光學耦接成功。
在此變化例中，光學耦合點370之橫向尺寸度量可大於光束871之橫截面，結果光束871在前側398上的光學耦合點370內之此橫向定位也造成光束871在後側399上或在PIC 901上之橫向定位。因此，可造成光束871在PIC 901上之精細定位，由此使得PIC帶有低插入損耗之有效光學耦接成為可能。一般來說，EOCB 300之光學孔徑可實現該光束之此定位，即該孔徑可尺寸化成使其大於光束871之橫截面。
在其他範例中，也可使用多個玻璃纖維或其他光導纖維代替掃描裝置803。可透過可拆解式連接將所述纖維連接到前側398上的不同光學耦合點370，例如透過插頭連接。那麼不必要掃描裝置803。
前側398上的不同光學耦合點370可與EOCB 300內的不同光束路徑371相關聯，這在EOCB 300之後側399處導致不同耦合點370。進而可將後側399處的不同光學耦合點370指定給PIC 901之不同光學介面971。
如圖1所示，從PIC 901發射的光束871也可沿著EOCB 300中的光束路徑371傳遞，然後傳送到偵測器813。舉例來說，偵測器813可包含一相機或一些其他2D感測器。
因此，EOCB 300使其可藉助在該等光學耦合點370之間以及沿著該等光束路徑371轉送光學信號或光束871，以測試PIC 901之光學功能。
在圖1的範例中，系統90也包含用於測試PIC 901的電功能之電測試裝置851。
為此目的，EOCB 300構成沿著導電體線路381，在EOCB 300之前側398處的電耦合點380與EOCB 300之後側399處的電耦合點380之間轉送電信號881。
然後，將該等電信號881從EOCB 300之後側399處的電耦合點380傳送到PIC 901之電介面972。從圖1也顯而易見，可在兩方向上傳輸該等電信號881，即從電測試裝置851到PIC 901且反之亦然。
原則上，可使用各種技術藉助EOCB 300電耦接PIC 901。舉例來說，可透過電測試端頭形成EOCB 300之後側399處的該等電耦合點380。可透過電耦接(例如用於端頭測試站的耦接墊)或透過插座及/或插頭形成前側398處的該等電耦合點380。
也可使用各種技術進行該光學耦接。與圖2相關聯例示光學 耦接PIC 901的示例性技術。
在圖1的範例中，電測試裝置851和光學測試裝置801顯示為分開單元。可透過共用單元形成電測試裝置851和光學測試裝置801兩者。也可提供共用的中央控制單元(圖1中未例示)。該中央控制單元可構成驅動光學測試裝置801和電測試裝置851兩者。因此，可使該等測試裝置801、851之同步操作成為可能。舉例來說，可以互連方式執行該光學測試，及PIC 901之光學功能測試和PIC 901之電功能測試。舉例來說，可想像到其中PIC 901之光學功能對PIC 901之電功能具有影響PIC 901之電功能及/或其中PIC 901之光學功能具有影響影響PIC 901之光學功能的情境。然後，也可在該等測試裝置801、851之同步操作期間，測試PIC 901之該等光學功能與電功能之間此交互作用。在一範例中，可透過EOCB 300將光學信號傳輸到PIC 901，其中該光學信號造成PIC 901之電回應。然後，藉助該同步操作，可透過EOCB 300接收對應於前述PIC 901對該光學信號之電回應的電信號。然後，可檢查前述電回應是否對應於PIC 901之故障操作或無故障操作。透過藉助EOCB 300的同時電耦接和光學耦接，可使PIC 901之光學功能與電功能之間交互作用之此測試成為可能。
在一些範例中，作為替代或除了該以上所說明該等測試裝置801、851之同步操作之外，也可藉助EOCB 300之合適具體實施例實現該光學功能與該電功能之間交互作用之測試。舉例來說，EOCB 300可具有至少一光電子元件600。光電子元件之範例包含：一相機；一光電二極體；一光源，例如一雷射或一雷射二極體；一光學調變器；一光電子或光電換能器；一位置敏感偵測裝置(Position-sensitive detection device，PSD)；等。然後，此光電子元件可構成在一或多個導電體線路381與一或多個光束路徑371之間提供耦合(透過圖1中的水平虛線箭頭例示)。如此，換言之，光電子元件600可使光學信號能夠轉換為電信號(或反之亦然)。如此，舉例來說，進而可測試PIC 901對電信號之光學系統回應，或PIC對光學信號之電系統 回應。舉例來說，可以此方式特別測試PIC 901之快速系統回應，其例如比電測試裝置851與光學測試裝置801之間可能的同步之系統時脈更快速。
圖2顯示PIC 901之剖面圖，及EOCB 300之接物透鏡321、照明光束811A及偵測光束811B；圖3顯示PIC 901之平面圖。圖2和圖3的範例中的PIC 901具有耦合到PIC之更多光學組件(未例示)的波導結構925。提供輸入耦合光柵921和輸出耦合光柵922，以使照明光束811A和偵測光束811B能夠分別耦合進出該等波導結構925。該等耦合光柵921、922實施光學介面971。由於在EOCB後側399處供應光學耦合點370之結果而藉助該EOCB，可精確入射該等各種輸入耦合光柵921以及必要時還有該等各種輸出耦合光柵922，以便因此實現測試測量。該等耦合光柵921、922大致垂直PIC 901之表面耦合光進出該等波導925之平面。此類型之耦合光柵具有可用於該晶圓層級(在切割該晶圓之前)及分佈之後兩者的不同組件的優勢。替代例係在該晶片邊緣附近包含有斜面波導的邊緣耦合器。然而，若這些晶片邊界(末端面部)可觸及，則這只能用於已切割的晶圓和單晶片。藉助EOCB 300，透過末端面部實施為PIC 901的光學介面971之耦接也可能。
圖4例示一進一步PIC 901。圖4的PIC 901原則上對應於圖3的PIC 901，但更包含電耦接墊931，其實施PIC 901之電介面972。從圖4應明白，該等耦合光柵921、922和該等電耦接墊931處於小橫向距離(通常在微米範圍內)。因此，EOCB 300之後側399上的該等電耦合點380和該等光學耦合點370也處於特別小的距離，其特別是小於前側398上的該等對應耦合點370、380之間的距離。這對應於實現PIC 901之簡單耦接的EOCB 300之傳輸功能。一般來說，前側398上的該等電耦合點與光學耦合點370、380之間的平均距離可大於EOCB 300之後側399上的該等電耦合點與光學耦合點370、380之間的平均距離。這也在圖5中例示。
圖5例示有關EOCB 300的態樣。EOCB 300包含複數個金 屬層331、332、和透明層335，因此實施一層結構。該等金屬層331、332、和透明層335橫向延伸。垂直該等層定義成垂直方向(圖5中的上下)。
圖5例示前側398上的耦合點370、380之間的該等較大距離391；及此外後側399上的耦合點370、380之間的該等較小距離392。
舉例來說，EOCB 300包含金屬層331、332、及一光學透明層335。
圖5例示有關導電體線路381的態樣。導電體線路381包含一接點385，其在形成前側398的EOCB 300之側表面處。在圖5的範例中，透過具有大橫向尺寸的耦接墊385形成接點385，使得可將例如作為電測試裝置851的端頭探測台之端頭可靠定位於該等耦接墊385上。該等耦接墊385因此在前側398上形成該等電耦合點380。透過圖5的範例中的導電體線路381之電測試端頭386形成後側399上的該等電耦合點380。在該等測試端頭386與該等耦接墊385之間設置電通孔387。
圖5也例示有關光束路徑371的態樣。在圖5的範例中，藉助於該EOCB之透明光學層335實施所述光束路徑。此外，在該等金屬層331、332中提供切口。因此，光束871可沿著光束路徑371垂直傳遞穿越EOCB 300，朝向輸入耦合光柵921。
圖5例示EOCB 300之前側398上的光學耦合點370之橫向直徑370A大於EOCB 300之區域中的光束871之橫向直徑871A。這使得能夠例如藉助掃描裝置803(參見圖1)透過橫向偏移微調光束871。這使得可確保產生與PIC 901的光學耦接，亦即將光束871耦合到帶有低插入損耗的輸入耦合光柵921中。這是因為藉助光束871相對於EOCB 300之移動，光束871也可相對於PIC 901移動。透過圖5的箭頭識別光束871在光學耦合點370內之此定位871B(也參見圖5中的插件，其例示EOCB 300之前側398之平面圖，且其中可辨別出界定光束871在光學耦合點370內之移動的螺旋搜尋圖案)。
若光束871之定位871B存在於輸入耦合光柵921內，例如對應測量信號可超過或下降低於臨界值。這可藉助反饋迴路進行檢查。在一範例中，若光束871之定位871B存在於光學介面971或輸入耦合光柵921內(即若該插入損耗減小)，則可減小光束871之背向反射。
關於圖5，可討論其中透過前側398上的光學耦合點370之該等橫向尺寸370A實質上定界光束路徑371之孔徑的情境。通常，光束路徑371之孔徑可能值得容許對於光束871在PIC 901上之精細定位的此橫向定位871B，即對於沿著光束路徑371之整個長度的光束路徑371之孔徑定尺寸，以使其大於光束871之橫截面871A。如以上所說明，這可藉助掃描裝置803進行。
在圖5的情境中，光束871已聚焦，以使光束871之直徑與輸入耦合光柵921之孔徑協調。在圖6的範例中，提供進行從準直光束871前進的此聚焦的透鏡321。透鏡321與EOCB 300係整合在一起。
一般來說，作為替代或除了透鏡321之外，EOCB 300可也包含其他光學元件，例如一稜鏡或一反射鏡的偏轉元件(圖6中未例示)。
在圖6中，透鏡321嵌入EOCB 300之層結構330中。這可例如透過在該等金屬層331、332、和透明層335中蝕刻切口及後續引入透鏡321執行。舉例來說，可在由於該蝕刻之結果而獲得的凸出部中，例如藉助多光子聚合程序將透鏡321形成為微光學單元。
相較之下，在圖7的範例中，透鏡321和稜鏡322未嵌入層結構330中。而是，透鏡321和稜鏡322安裝於層結構330之外表面上，並延伸離開層結構330。在這種情況下，該等光學元件321、322原則上可部分嵌入層結構330中且部分安裝於層結構330上，並延伸離開層結構330。舉例來說，在圖8例示此一情境。
在圖7和圖8的情境中，例示透過PIC 901之末端面部923對PIC 901的橫向光學耦合。此透過稜鏡322成為可能。相較之外，圖5 和圖6例示使用該等輸入耦合光柵921對PIC 901的垂直光學耦合。
圖5至圖8分別例示實質上垂直延伸於層結構330之區域中的光束路徑371。在此光束路徑371之橫向引導也可能，如例如在圖9中所例示。在這種情況下，藉助稜鏡322達成光束路徑371之橫向引導。或者或此外，也可藉助形成於光學透明層335中的波導實施橫向引導。
圖10例示光束路徑371之橫向引導結合一聚焦透鏡321的情境。
圖11例示光束路徑371具有分支接合點371A的變化例。特別是，該等稜鏡322之一者實施光束分離器功能。因此，可藉助EOCB 300之前側398處的一光學耦合點370，在後側399處定址兩光學耦合點370。
圖12例示一示例性方法。首先，在步驟1001執行PIC(例如先前圖式中的PIC 901)之電耦接。為此目的，使用EOCB(例如來自先前圖式中的EOCB 300)。
圖12中的步驟之順序為舉例說明。
該EOCB界定延伸於該EOCB之前側與後側之間的一或多個導電體線路。因此，透過設置於該EOCB之前側處的電耦合點，可與設置於該EOCB之後側處的耦合點及進一步與PIC之電介面交換電信號。
然後，在步驟1002執行PIC之光學耦接。為此目的，使用延伸於該EOCB之前側與後側之間的一或多個光束路徑。因此，可進而在該EOCB之前側處的光學耦合點與該後側處的光學耦合點之間及進一步與PIC之光學介面交換光學信號或光束。
然後，可透過該等電信號和該等光束之交換，使PIC之測試功能之實作成為可能。
通常，為了實施步驟1001、1002，可想像到各種技術。舉例來說，為了實施步驟1001，首先可執行該EOCB相對於PIC之粗略相對定位。舉例來說，使用位置標記(例如光學位置標記)的自動化技術可用於此 目的。該EOCB及/或PIC可相對於彼此移動，例如透過平移移動及/或旋轉及/或傾斜。藉助位置標記的此相對定位之準確度通常在約5-50μm之範圍內。此定位準確度通常足以藉助該EOCB之測試端頭耦接PIC之電介面。這是因為在PIC上形成該電介面的對應耦接墊經常具有對應橫向尺寸。
同時，在一些情境中，在5-50μm之範圍內的此定位準確度可能不足以在步驟1002可靠產生該光學耦接。這實際上可能係由於PIC之光學介面之該等對應橫向尺寸(例如耦合光柵(參見圖2)或面部耦合器(參見圖8))需要大致對應於所使用光之波長(即在於例如500nm至1.5μm之範圍內)的定位準確度。在1μm之範圍內的此定位準確度通常無法達成，或僅能透過該EOCB相對於PIC之相對定位以複雜方式達成。因此，在一些具體實施例中，掃描裝置(參見圖1的掃描裝置803)與該EOCB之組合可能有用。這是因為可藉助該掃描裝置執行光束在該EOCB之前側上之橫向位置之精細設定或精細定位，例如具有在500nm至1.5μm之範圍內的該光束之定位準確度。該光束在該前側上之橫向位置之此精細設定或精細定位也可造成該光束在PIC 901上之位置之精細設定或精細定位。此使其可確保該光束入射PIC之光學介面。具體而言，特別是可供應使得PIC之前側上的光學耦合點之尺寸大於用於該光學耦接的光束之射束直徑，使可藉助該精細設定或精細定位將該光束相對於該EOCB之該等光束路徑移動。換言之，該EOCB之該等光束路徑之孔徑可尺寸化成足夠大，以使所述精細設定成為可能；即特別是該EOCB之孔徑可能大於該光束之直徑。
因此，從以上所說明程序應明白，在一些範例中，該光學耦接(i)首先藉助EOCB相對於PIC之相對移動(例如透過平移移動及/或旋轉及/或傾斜)進行該粗略定位；及(ii)包含該精細定位，其藉助該光束透過掃描裝置803之移動。(i)中的粗略定位已可促成該電耦接。然後，可藉助透過(i)中的電定位獲得的電測量信號，以監控方式執行(ii)。
如圖12所示，因此可藉助該EOCB執行PIC之電耦接和光 學耦接。因此，可達成各種效果。根據一第一效果，由於可能不必然先要為了測試該電功能而執行該電耦接點，然後其後為了測試該光學功能而執行該光學耦接，因此可減少該測試時間。根據一第二效果，此外可測試PIC之光學功能與電功能之間的交互作用。在這種情況下，舉例來說，可測試透過PIC將光學信號轉換為電信號，及/或透過PIC將電信號轉換為光學信號。
圖13例示有關一示例性方法的態樣。藉助圖13所示的方法，可形成EOCB，例如以上所說明的EOCB 300。所述EOCB構成用於測試PIC。
首先，在步驟1011執行在該EOCB中形成一或多個導電體線路。該等導體線路從該EOCB之前側延伸到後側，並可在該前側和該後側處的電耦合點之間產生電耦接。可例如藉助合適的微影與蝕刻程序產生該等導體線路。舉例來說，可為此目的橫向結構化該EOCB之層結構之金屬層。可也提供用於垂直連接的通孔。提供該等導體線路使其可與緊鄰該EOCB之後側設置的PIC之電介面產生電耦接。
然後，在步驟1012執行形成一或多個光束路徑。所述光束路徑也延伸於該EOCB之前側與後側之間。藉助該等一或多個光束路徑，或許也可耦接PIC，亦即透過PIC之一或多個光學介面。
在選擇性的步驟1013，可在該EOCB上形成一或多個微光學元件(例如稜鏡等透鏡或偏轉元件)。這可例如藉助多光子聚合程序執行。可例如在該EOCB之外表面上及/或在該EOCB之蝕刻切口中，施加對應起始材料。因此，可獲得嵌入該EOCB之層結構中的微光學元件，或延伸離開該層結構之外表面的微光學元件。
圖12和圖13所示步驟之次序為可變。舉例來說，參考圖13可先想像步驟1012，且若適當則實施步驟1013，即形成該光束路徑；並且僅在之後實施步驟1011，即形成該導電體線路。舉例來說，可透過後續 層疊以及該EOCB之層結構之金屬層之結構化實施該導電體線路。
總結來說，以上已說明特別是下列範例：
範例1. 一光電電路板(300)，其構成耦接一光子積體電路(901)並包含：- 至少一導電體線路(381、385、386、387)，其延伸於光電電路板(300)之前側(398)與該光電電路板(300)之後側(399)之間，該光電電路板(300)構成耦接光子積體電路(901)之一電介面(972)，該電介面(972)緊鄰該後側(399)，及- 至少一光束路徑(371)，其延伸於該光電電路板(300)之前側(398)與該光電電路板(300)之後側(399)之間，該光電電路板(300)構成耦接光子積體電路(901)之一光學介面(971)，該光學介面(971)緊鄰該後側(399)。
範例2. 根據範例1的光電電路板(300)，其更包含：- 一透鏡(321)，及/或- 一偏轉元件，其中該透鏡(321)及/或該偏轉元件設置於該至少一光束路徑(371)中。
範例3. 根據範例2的光電電路板(300)，其中該光電電路板(300)具有一層結構(330)，其中該透鏡(321)及/或該偏轉元件嵌入該層結構(330)中。
範例4. 根據範例2或範例3的光電電路板(300)，其中該光電電路板(300)具有一層結構(330)，其中該透鏡(321)及/或該偏轉元件安裝於該層結構(330)之一外表面上，並延伸離開該層結構(330)。
範例5. 根據前述諸範例任一者的光電電路板(300)，其中該光電電路板(300)具有一層結構(330)，其具有至少一金屬層(331、332)及具有至少一光學透明層(335)，其中該至少一光學透明層(335)形成設置於該至少一光束路徑(371)中 的一波導(925)。
範例6. 根據前述諸範例任一者的光電電路板(300)，其中該光電電路板(300)具有一層結構(330)，該層結構具有至少一金屬層(331、332)及具有至少一光學透明層(335)，其中該光電電路板(300)更包含：- 該至少一金屬層(331、332)之一切口，其中該切口設置於該至少一光束路徑(371)中。
範例7. 根據前述諸範例任一者的光電電路板(300)，其中該至少一光束路徑(371)具有一分支接合點(371A)。
範例8. 根據前述諸範例任一者的光電電路板(300)，其中該至少一光束路徑(371)構成對該光子積體電路(901)提供一垂直光學耦合，或對該光子積體電路(901)提供一橫向光學耦合。
範例9. 根據前述諸範例任一者的光電電路板(300)，其更包含：- 至少一光電子元件(600)，其構成對該至少一光束路徑(371)提供該至少一導電體線路(381、385、386、387)之耦合。
範例10. 根據前述諸範例任一者的光電電路板(300)，其中該至少一導電體線路(381、385、386、387)包含：- 一電耦接點，其在該光電電路板(300)之前側(398)處，- 一電測試端頭，其在該光電電路板(300)之後側(399)處。
範例11. 根據前述諸範例任一者的光電電路板(300)，其中該光電電路板(300)之前側(398)上的電耦合點(380)與光學耦合點(370)之間的平均距離(391)大於該光電電路板(300)之後側(399)上的電耦合點(380)與光學耦合點(370)之間的平均距離(392)。
範例12. 一種系統(90)，其包含：- 該光電電路板(300)，其係根據前述諸範例任一者， - 一光學測試裝置(801)，其具有一光源(802)和一掃描裝置(803)，其中該光學測試裝置(801)構成驅動該光源(802)和該掃描裝置(803)，以發射一光束(871)到該光電電路板(300)。
範例13. 根據範例12的系統(90)，其中該光學測試裝置(801)構成驅動該掃描裝置(803)，以對於該光電電路板(300)之前側(398)上的複數個光學耦合點(370)定位該光束(871)，及/或其中該光學測試裝置(801)構成驅動該掃描裝置(803)，以選擇性地使用一搜尋圖案將該光束(871)定位於該光電電路板(300)之前側(398)上的一光學耦合點(370)內。
範例14. 根據範例12或範例13的系統(90)，其中該光電電路板(300)之至少一光束路徑(371)之一孔徑(370A)係尺寸大於該光束(871)之一橫截面(871A)。
範例15. 一種系統(90)，其包含：- 該光電電路板(300)，其係根據範例1至範例11任一者，- 該光子積體電路(901)，- 至少一測試裝置(801、851)，其構成藉助沿著該光電電路板(300)之至少一光束路徑(371)傳輸的光束，以光學耦接該光子積體電路(901)，並更構成藉助沿著該光電電路板(300)之至少一導電體線路(381、385、386、387)傳輸的電信號，以電耦接該光子積體電路(901)。
範例16. 根據範例15的系統(90)，其中該至少一測試裝置(801、851)構成基於該光束和該等電信號，測試該光子積體電路(901)之一電功能、該光子積體電路(901)之一光學功能以及該光子積體電路(901)之光學功能與電功能之間的交互作用之至少一者。
範例17. 一種耦接光子積體電路(901)之方法，該方法包含：- 透過延伸於一光電電路板(300)之一前側(398)與該光電電路板(300) 之一後側(399)之間的至少一導電體線路(381、385、386、387)以電耦接該光子積體電路(901)，及- 透過延伸於該光電電路板(300)之前側(398)與該光電電路板(300)之後側(399)之間的至少一光束路徑(371)以光學耦接該光子積體電路(901)。
範例18. 根據範例17的方法，其中該方法更包含：- 基於電耦接和光學耦接：測試該光子積體電路(901)之一電功能、該光子積體電路(901)之一光學功能及該光子積體電路(901)之光學功能與電功能之間的交互作用之至少一者。
範例19. 根據範例17或範例18的方法，其中該方法使用根據範例1至範例10任一者的光電電路板(300)。
範例20. 一種產生配置耦接光子積體電路(901)的光電電路板(300)之方法，其中該方法包含：
- 形成延伸於光電電路板(300)之前側(398)與該光電電路板(300)之後側(399)之間的至少一導電體線路(381、385、386、387)，該光電電路板(300)構成耦接光子積體電路(901)之一電介面，該電介面緊鄰該後側(399)。
- 形成延伸於該光電電路板(300)之前側(398)與該光電電路板(300)之後側(399)之間的至少一光束路徑(371)，該光電電路板(300)構成耦接光子積體電路(901)之一光學介面，該光學介面緊鄰該後側(399)。
範例21. 根據範例20的方法，其更包含：- 藉助一多光子聚合程序在該光電電路板(300)處形成一微光學元件。
不言而喻，以上所說明本發明之該等具體實施例和態樣之該等特徵可彼此組合。特別是，該等特徵可用於所說明該等組合，而且可用於其他組合或單獨使用，而不悖離本發明之範疇。
舉例來說，以上已說明各種範例，其中光學測試裝置801構成藉助掃描裝置803發射光束871到EOCB 300(也參見圖2：照明光束 811A)。這意指移動傳輸孔徑。然而，在各種範例中，同樣可能使用光學測試裝置，其作為替代或除了藉助該掃描裝置發射該光束之外，構成藉助該掃描裝置接收來自該EOCB的光束(也參見圖2：偵測光束811B)。概括而言，這意指也可藉助該掃描裝置移動偵測器孔徑。
300‧‧‧光電電路板(EOCB)
330‧‧‧層結構
331、332‧‧‧金屬層
335‧‧‧透明層
370‧‧‧光學耦合點
370A‧‧‧橫向直徑
371‧‧‧光束路徑
380‧‧‧電耦合點
381‧‧‧導電體線路
385‧‧‧接點
386‧‧‧電測試端頭
387‧‧‧電通孔
391‧‧‧較大距離
392‧‧‧較小距離
398‧‧‧前側
399‧‧‧後側
871‧‧‧光束
871A‧‧‧橫向直徑
871B‧‧‧定位
901‧‧‧光子積體電路(PIC)
921‧‧‧輸入耦合光柵
971‧‧‧光學介面
972‧‧‧電介面

Claims (23)

  1. 一種測試系統(90)，其包含：- 一光電電路板(300)，其構成用於耦接一光子積體電路(901)，- 一光學測試裝置(801)，其具有一光源(802)和一掃描裝置(803)，其中該光學測試裝置(801)構成驅動該光源(802)和該掃描裝置(803)，以發射一光束(871、811A)到該光電電路板(300)，其中該光電電路板(300)包含：-至少一導電體線路(381、385、386、387)，其延伸於該光電電路板(300)之前側(398)與該光電電路板(300)之後側(399)之間，該光電電路板(300)構成耦接該光子積體電路(901)之一電介面(972、)，該電介面(972)緊鄰該光電電路板(300)之該後側(399)，及-至少一光束路徑(371)，其延伸於該光電電路板(300)之前側(398)與該光電電路板(300)之後側(399)之間，該光電電路板(300)構成耦接該光子積體電路(901)之一光學介面(971)，該光學介面(971、921、922)緊鄰該光電電路板(300)之該後側(399)。
  2. 如申請專利範圍第1項之測試系統(90)，其中該光學測試裝置(801)構成驅動該掃描裝置(803)，以相對於該光電電路板(300)之前側(398)上的複數個光學耦合點(370)定位該光束(871)。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之測試系統(90)，其中該光學測試裝置(801)構成驅動該掃描裝置(803)，以將該光束(871)定位於該光電電路板(300)之前側(398)上的一光學耦合點(370)內。
  4. 如申請專利範圍第3項之測試系統(90)，其中該光學測試裝置(801)構成驅動該掃描裝置(803)，以使用一搜尋圖案將該光束(871)定位於該光學耦合點(370)內。
  5. 如前述諸申請專利範圍第1項或第2項之測試系統(90)，其中該光電電路板(300)之至少一光束路徑(371)之一孔徑(370A)係尺寸大於該光束(871)之一橫截面(871A)。
  6. 如前述諸申請專利範圍第1項或第2項之測試系統(90)，其中該掃描裝置(803)更包含：- 一或多個可動式掃描鏡及/或空間光調變器。
  7. 如前述諸申請專利範圍第1項或第2項之測試系統(90)，其中該光電電路板(300)更包含：- 一透鏡(321)，及/或- 一偏轉元件，其中該透鏡(321)及/或該偏轉元件設置於該至少一光束路徑(371)中。
  8. 如申請專利範圍第7項之測試系統(90)，其中該光電電路板(300)具有一層結構(330)，其中該透鏡(321)及/或該偏轉元件嵌入該層結構(330)中。
  9. 如申請專利範圍第7項之測試系統(90)，其中該光電電路板(300)具有一層結構(330)， 其中該透鏡(321)及/或該偏轉元件安裝於該層結構(330)之一外表面上，並延伸離開該層結構(330)。
  10. 如前述諸申請專利範圍第1項或第2項之測試系統(90)，其中該光電電路板(300)具有一層結構(330)，該層結構具有至少一金屬層(331、332)及具有至少一光學透明層(335)，其中該至少一光學透明層(335)形成設置於該至少一光束路徑(371)中的一波導(925)。
  11. 如前述諸申請專利範圍第1項或第2項之測試系統(90)，其中該光電電路板(300)具有一層結構(330)，該層結構具有至少一金屬層(331、332)及具有至少一光學透明層(335)，其中該光電電路板(300)更包含：- 該至少一金屬層(331、332)之一切口，其中該切口設置於該至少一光束路徑(371)中。
  12. 如前述諸申請專利範圍第1項或第2項之測試系統(90)，其中該至少一光束路徑(371)具有一分支接合點(371A)。
  13. 如前述諸申請專利範圍第1項或第2項之測試系統(90)，其中該至少一光束路徑(371)構成提供一垂直光學耦合該光子積體電路(901)，或提供一橫向光學耦合該光子積體電路(901)。
  14. 如前述諸申請專利範圍第1項或第2項之測試系統(90)，其中該光電電路板(300)更包含：- 至少一光電子(optoelectronic)元件(600)，其構成提供該至少一導 電體線路(381、385、386、387)與該至少一光束路徑(371)之耦合。
  15. 如前述諸申請專利範圍第1項或第2項之測試系統(90)，其中該至少一導電體線路(381、385、386、387)包含：- 一電耦接點，其位在該光電電路板(300)之前側(398)處，- 一電測試端頭，其位在該光電電路板(300)之後側(399)處。
  16. 如前述諸申請專利範圍第1項或第2項之測試系統(90)，其中該光電電路板(300)之前側(398)上的電耦合點(380)與光學耦合點(370)之間的平均距離(391)大於該光電電路板(300)之後側(399)上的該電耦合點(380)與該光學耦合點(370)之間的平均距離(392)。
  17. 如前述諸申請專利範圍第1項或第2項之測試系統(90)，其中該光學測試裝置(801)及/或一電測試裝置(851)構成藉助沿著該光電電路板(300)之至少一光束路徑(371)傳輸的光束，以光學耦接該光子積體電路(901)，並更構成藉助沿著該光電電路板(300)之至少一導電體線路(381、385、386、387)傳輸的電信號，以電耦接該光子積體電路(901)。
  18. 如申請專利範圍第17項之測試系統(90)，其中該光學測試裝置(801)及/或該電測試裝置(851)構成基於該光束和該等電信號，測試該光子積體電路(901)之一電功能、該光子積體電路(901)之一光學功能及該光子積體電路(901)之光學功能與電功能之間的交互作用之至少一者。
  19. 一種耦接光子積體電路(901)之方法，該方法包含： - 透過延伸於一光電電路板(300)之一前側(398)與該光電電路板(300)之一後側(399)之間的至少一導電體線路(381、385、386、387)以電耦接該光子積體電路(901)，及- 透過延伸於該光電電路板(300)之前側(398)與該光電電路板(300)之後側(399)之間的至少一光束路徑(371)以光學耦接該光子積體電路(901)，其中該光學耦接包含發射一光束(871、811A)到該光電電路板(300)及藉助一掃描裝置(803)接收來自該光電電路板(300)的光束(871、811B)之至少一者。
  20. 如申請專利範圍第19項之方法，其更包含：- 驅動該掃描裝置(803)，以相對於該光電電路板(300)之前側(398)上的複數個光學耦合點(370)定位用於該光束(871)的一光學孔徑。
  21. 如申請專利範圍第19項或第20項之方法，其更包含：- 驅動該掃描裝置(803)，以選擇性地使用一搜尋圖案將用於該光束(871)的一光學孔徑定位於該光電電路板(300)之前側(398)上的一光學耦合點(370)內。
  22. 如申請專利範圍第19項或第20項之方法，其中該方法更包含：- 基於電耦接和光學耦接：測試該光子積體電路(901)之一電功能、該光子積體電路(901)之一光學功能及該光子積體電路(901)之光學功能與電功能之間的交互作用之至少一者。
  23. 如申請專利範圍第19項或第20項之方法， 其中該方法使用如申請專利範圍第1項之一系統(90)之一光電電路板(300)。
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