JP2012164416A - 行および列へのアクセス動作を同期させるための方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ワード線タイミングパルスを第1の所定期間だけ遅延させて第1の遅延ワード線タイミングパルスを生成する第1の遅延回路と、該第1の遅延ワード線タイミングパルスを第2の所定期間だけ遅延させて第2の遅延ワード線タイミングパルスを生成する第2の遅延回路とを有し、該ワード線タイミングパルスと該第1の遅延ワード線タイミングパルスおよび該第2の遅延ワード線タイミングパルスとを組合わせて、ビット線センス動作および列アクセスを順次行うとともに、ワード線タイミングパルスの非活性化に応じてビット線センス動作および列アクセスを完了する。
【選択図】図4
Description
Claims (29)
- ビット線対、複数のワード線、複数のメモリセル、複数のセンスアンプ、および前記複数のセンスアンプに給電するためのセンスアンプ電源回路のアレイを有する半導体メモリにおいて、行および列へのアクセス動作を同期させるための回路であって、
ワード線タイミングパルスを第1の予め定められた期間だけ遅延するための第1の遅延回路と、
前記ワード線タイミングパルスと前記遅延されたワード線タイミングパルスとを論理的に組合せてセンスアンプイネーブル信号を生成し、前記センスアンプ電源回路をイネーブルにするための第1のロジック回路とを備え、前記第1のロジック回路は前記ワード線タイミングパルスの終了に応答して前記センスアンプイネーブル信号をディスエーブルして前記センスアンプ電源回路を非活性化し、
前記ワード線タイミングパルスを第2の予め定められた期間だけ遅延するための第2の遅延回路と、
前記ワード線タイミングパルスと前記第2の遅延されたワード線タイミングパルスとを論理的に組合せて列選択イネーブル信号を生成して、複数の列アクセスデバイスのうちの選択されたデバイスをイネーブルにするための第2のロジック回路を含み、前記第2の予め定められた時間期間は、複数の列アクセスデバイスのうちの選択されたデバイスが、前記センスアンプ電源回路がイネーブルにされた後に活性化されるよう選択され、前記第2のロジック回路は前記ワード線タイミングパルスの前記終了に応答して前記列選択イネーブル信号をディスエーブルして前記複数の列アクセスデバイスのうちの前記選択されたデバイスを非活性化する、回路。 - 前記第1の遅延回路は第1の遅延要素である、請求項1に記載の回路。
- 前記第2の遅延回路は第2の遅延要素である、請求項2に記載の回路。
- 前記第2の遅延要素は、前記第1の遅延要素を介して前記ワード線タイミングパルスに結合される、請求項3に記載の回路。
- 前記列選択イネーブル信号と複数の列アドレス信号とを論理的に組合せて、前記複数の列アクセスデバイスのうちの前記選択されたデバイスをイネーブルにするための複数のロジック回路をさらに含む、請求項4に記載の回路。
- 前記第2の予め定められた時間は、前記第1の予め定められた時間よりも長い、請求項3に記載の回路。
- 前記ワード線タイミングパルスを遅延してから前記ワード線タイミングパルスを前記第1のロジック回路に入力するための第3の遅延要素をさらに含む、請求項6に記載の回路。
- 前記ワード線タイミングパルスを遅延してから前記ワード線タイミングパルスを前記第2のロジック回路に入力するための第3の遅延要素をさらに含む、請求項6に記載の回路。
- 前記第2の遅延回路は、前記センスアンプ電源回路の電源信号に結合された第1の入力と、予め定められたしきい値電圧に結合された第2の入力とを有するコンパレータであり、前記コンパレータは、前記第1の入力と第2の入力との間の比較に依存してアサートされる出力を有する、請求項2に記載の回路。
- 前記第1の入力は、前記センスアンプ電源回路のpチャネル電源信号に結合され、前記コンパレータの前記出力は、前記pチャネル電源信号が前記しきい値よりも大きい場合にアサートされる、請求項9に記載の回路。
- 第3の遅延回路が、前記コンパレータの前記出力と前記第2のロジック回路との間に結合される、請求項10に記載の回路。
- 前記第1の入力は、前記センスアンプ電源回路のnチャネル電源信号に結合され、前記コンパレータの前記出力は、前記nチャネル電源信号が前記しきい値よりも小さい場合にアサートされる、請求項9に記載の回路。
- 第3の遅延回路が、前記コンパレータの前記出力と前記第2のロジック回路との間に結合される、請求項12に記載の回路。
- ビット線の対、ワード線、メモリセル、センスアンプ、および前記センスアンプに給電するためのセンスアンプ電源回路のアレイを有する半導体メモリにおいて、行および列へのアクセス動作を同期させるための方法であって、
ワード線タイミングパルスを生成して、前記ワード線の少なくとも1つを活性化するステップと、
前記ワード線タイミングパルスを第1の予め定められた時間だけ遅延するステップと、
前記ワード線タイミングパルスと前記第1の遅延されたワード線タイミングパルスとを論理的に組合せてセンスアンプイネーブル信号を与えるステップとを含み、前記センスアンプ電源回路をイネーブルしかつ前記ワード線タイミングパルスの終了に応答して前記センスアンプ電源回路をディスエーブルするためのものであり、
前記方法はさらに、
前記ワード線タイミングパルスを第2の予め定められた時間だけ遅延するステップと、
前記ワード線タイミングパルスと前記第2の遅延されたワード線タイミングパルスとを論理的に組合せて列選択イネーブル信号を与えるステップとを含み、前記列選択イネーブル信号は、複数の列アクセスデバイスのうちの選択されたデバイスをイネーブルしかつ前記ワード線タイミングパルスの終了に応答して前記複数の列アクセスデバイスの前記選択されたデバイスをディスエーブルするためのものであり、前記複数の列アクセスデバイスのうちの前記選択されたデバイスは、前記センスアンプ電源回路がイネーブルにされた後に、予め定められた時間期間だけ活性化される、方法。 - 前記列選択イネーブル信号は、複数の列アドレス信号と論理的に組合され、前記複数の列アクセスデバイスのうちの前記選択されたデバイスをイネーブルにする、請求項14に記載の方法。
- 前記第2の予め定められた時間は、前記第1の予め定められた時間よりも長い、請求項14に記載の方法。
- 前記ワード線タイミングパルスは、遅延されてから前記第1の遅延されたワード線タイミングパルスと論理的に組合せられる、請求項14に記載の方法。
- 前記ワード線タイミングパルスは、遅延されてから前記第2の遅延されたワード線タイミングパルスと論理的に組合せられる、請求項14に記載の方法。
- 前記ワード線タイミングパルスは、前記ワード線タイミングパルスを第1の遅延回路に結合することによって前記第1の予め定められた時間だけ遅延される、請求項14に記載の方法。
- 前記ワード線タイミングパルスは、前記ワード線タイミングパルスを第2の遅延回路に結合することによって前記第2の予め定められた時間だけ遅延される、請求項19に記載の方法。
- 前記ワード線タイミングパルスは、前記ワード線タイミングパルスを前記第1および前記第2の遅延回路の両方に結合することによって第2の予め定められた時間だけ遅延される、請求項20に記載の方法。
- 前記第2の遅延回路は、前記センスアンプ電源回路の電源信号に結合された第1の入力と、予め定められたしきい値電圧に結合された第2の入力とを有するコンパレータであり、前記コンパレータは、前記第1の入力と第2の入力との間の比較に依存してアサートされる出力を有する、請求項21に記載の方法。
- 前記コンパレータの前記第1の入力は、前記センスアンプ電源回路のpチャネル電源信号に結合され、前記コンパレータの前記出力は、前記pチャネル電源信号が前記しきい値よりも大きい場合にアサートされる、請求項22に記載の方法。
- 第3の遅延回路が、前記コンパレータの前記出力と前記第2のロジック回路との間に結合される、請求項23に記載の方法。
- 前記コンパレータの前記第1の入力は、前記センスアンプ電源回路のnチャネル電源信号に結合され、前記コンパレータの前記出力は、前記nチャネル電源信号が前記しきい値よりも小さい場合にアサートされる、請求項22に記載の方法。
- 前記第3の遅延回路は、前記コンパレータの前記出力と前記第2のロジック回路との間に結合される、請求項25に記載の方法。
- 複数のビット線対と複数のワード線と複数のメモリセルとを備え、2値データを記憶および検索するための少なくとも1つのメモリアレイと、
前記複数のビット線対間の差動信号を検知拡大するためのビット線センスアップの組と、
ビット線対をデータ線に結合するための列アクセスデバイスの組と、
前記ビット線センスアンプに給電するためのビット線センスアンプ電源回路と、
ワード線タイミング信号を所定の時間遅延するための第1および第2の遅延回路とを備え、前記第1および第2の遅延回路は、直列に結合されて前記第1の遅延回路が前記ワード線タイミング信号を第1の時間遅延し、かつ前記第2の遅延回路が前記第1の時間の遅延を付加して前記ワード線タイミングパルスをさらに遅延して更なる遅延信号を生成し、
前記ワード線タイミングパルスと前記ワード線タイミングパルスの第1の遅延信号とを組合わせてビット線センスアンプイネーブル信号を生成して前記ビット線センスアンプ電源回路をイネーブルするための第1のロジック回路とを備え、前記第1のロジック回路は、前記ワード線タイミングパルスの終了に応答して前記ビット線センスアンプイネーブル信号をディスエーブルして前記ビット線センスアンプ電源回路をディスエーブルし、
前記ワード線タイミングパルスと前記ワード線タイミングパルスの更なる遅延信号とを組合わせて列選択イネーブル信号を生成して前記列アクセスデバイスの少なくとも1つをイネーブルするための第2のロジック回路を備え、前記第2のロジック回路は、前記ワード線タイミングパルスの前記終了に応答して前記列アクセスデバイスの前記少なくとも1つをディスエーブルする、ランダム・アクセス・メモリ。 - 半導体メモリ装置であって、
複数のメモリセル、複数のビット線、および複数のワード線を有するメモリアレイ、
前記ビット線からの信号を検知し増幅するための複数のセンスアンプ、
前記ビット線を前記半導体メモリ装置のデータ線に結合するための複数の列アクセスデバイス、および
ワード線タイミング信号を遅延する第1および第2の回路を備え、前記第1の回路が前記ワード線タイミングパルスを遅延して遅延ワード線タイミングパルスを生成し、前記第2の回路が前記遅延ワード線タイミング信号をさらに遅延して更なる遅延ワード線タイミング信号を生成するように前記第1および第2の回路が互いに結合され、
前記遅延ワード線タイミング信号に対応する第1の時間に前記センスアンプをイネーブルし、かつ前記ワード線タイミングパルスの終了に応答して前記センスアンプをディスエーブルするための第3の回路と、
前記更なる遅延ワード線タイミング信号に対応する第2の時間に前記列アクセスデバイスをイネーブルしかつ前記ワード線タイミング信号の前記終了に応答して前記列アクセスデバイスをディスエーブルするための第4の回路とを備える、半導体メモリ装置。 - 行列状に配列される複数のメモリセルと複数のワード線と複数のビット線とを有する半導体メモリ装置を動作させるための装置であって、
ワード線タイミング信号を遅延するための第1の回路、および
該遅延ワード線タイミング信号に対応する第1の時間にセンスアンプを活性化しかつ前記ワード線タイミング信号の終了に応答して前記センスアンプをディスエーブルするための第2の回路を備え、前記センスアンプは選択メモリセルからのデータを検知し増幅するためのものであり、
前記ワード線タイミング信号をさらに遅延するための第3の回路と、
前記さらに遅延されたワード線タイミング信号に対応する第2の時間に列アクセスデバイスを活性化し、かつ前記ワード線タイミング信号の前記終了に応答して前記列アクセスデバイスをディスエーブルする第4の回路とをさらに備え、前記列アクセスデバイスは前記選択メモリセルを前記半導体メモリ装置のデータ線に接続する、装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US21668200P | 2000-07-07 | 2000-07-07 | |
CA 2313949 CA2313949A1 (en) | 2000-07-07 | 2000-07-07 | A method and apparatus for synchronization of row and column acces s operations |
US60/216,682 | 2000-07-07 | ||
CA2,313,949 | 2000-07-07 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002508801A Division JP5087200B2 (ja) | 2000-07-07 | 2001-07-06 | 行および列へのアクセス動作を同期させるための方法および装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012164416A true JP2012164416A (ja) | 2012-08-30 |
JP5633887B2 JP5633887B2 (ja) | 2014-12-03 |
Family
ID=25681956
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002508801A Expired - Fee Related JP5087200B2 (ja) | 2000-07-07 | 2001-07-06 | 行および列へのアクセス動作を同期させるための方法および装置 |
JP2012090890A Expired - Fee Related JP5633887B2 (ja) | 2000-07-07 | 2012-04-12 | 行および列へのアクセス動作を同期させるための方法および装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002508801A Expired - Fee Related JP5087200B2 (ja) | 2000-07-07 | 2001-07-06 | 行および列へのアクセス動作を同期させるための方法および装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (7) | US6873568B2 (ja) |
EP (1) | EP1301927B1 (ja) |
JP (2) | JP5087200B2 (ja) |
KR (1) | KR100778178B1 (ja) |
CN (1) | CN1303610C (ja) |
AU (1) | AU2001272259A1 (ja) |
WO (1) | WO2002005283A1 (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999019875A2 (en) | 1997-10-10 | 1999-04-22 | Rambus Incorporated | Apparatus and method for pipelined memory operations |
WO2002005283A1 (en) * | 2000-07-07 | 2002-01-17 | Mosaid Technologies Incorporated | Method and apparatus for synchronization of row and column access operations |
WO2002005281A2 (en) | 2000-07-07 | 2002-01-17 | Mosaid Technologies Incorporated | A high speed dram architecture with uniform access latency |
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US7012839B1 (en) * | 2004-08-19 | 2006-03-14 | International Business Machines Corporation | Register file apparatus and method incorporating read-after-write blocking using detection cells |
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KR20120004699A (ko) | 2010-07-07 | 2012-01-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법 |
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- 2001-07-06 WO PCT/CA2001/000990 patent/WO2002005283A1/en active Application Filing
- 2001-07-06 JP JP2002508801A patent/JP5087200B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-07-06 KR KR1020037000244A patent/KR100778178B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-07-06 CN CNB018143474A patent/CN1303610C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-07-06 AU AU2001272259A patent/AU2001272259A1/en not_active Abandoned
- 2001-07-06 EP EP01951275A patent/EP1301927B1/en not_active Expired - Lifetime
-
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- 2003-01-07 US US10/337,972 patent/US6873568B2/en not_active Expired - Lifetime
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- 2004-09-22 US US10/946,016 patent/US7042771B2/en not_active Expired - Lifetime
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- 2010-09-09 US US12/878,601 patent/US7957211B2/en not_active Expired - Fee Related
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US6873568B2 (en) | 2005-03-29 |
JP5633887B2 (ja) | 2014-12-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130514 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140114 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140411 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140909 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141007 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |