JP2012142072A - モードレジスタセットを備える半導体メモリ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】データバッファ制御信号DQBUF_ENDBを生成する制御部230と、データバッファ制御信号DQBUF_ENDBに応じて、データパッドDQを介して入力される複数のMRSコードA<0:12>,BA<0:2>をバッファリングして出力するデータバッファ部250と、データバッファ部250から出力される複数のMRSコードA,BAをデータラインGIO,LIOを介して受信し、受信した複数のMRSコードA,BAを用いて複数のMRSコマンドNMRS_CMD<0:12>、EMRS_CMD<0:12>、EMRS2_CMD<0:12>、EMRS3_CMD<0:12>、TMRS_CMD<0:12>を生成する複数のMRSコマンド生成部290A〜290Eとを備える。
【選択図】図3
Description
220:遅延部
230:制御部
250:データバッファ部
270:MRS選択信号生成部
280:MRSソース信号生成部
290A〜290E:複数のMRSコマンド生成部
311:アドレス比較部
315:制御信号生成部
Claims (24)
- MRSモードでデータバッファ制御信号を生成する制御部と、
前記データバッファ制御信号に応じて、1つのデータパッドを介して入力される複数のMRSコードをバッファリングして出力するデータバッファ部と、
前記データバッファ部から出力される前記複数のMRSコードをデータラインを介して受信し、受信した前記複数のMRSコードを用いて複数のMRSコマンドを生成する複数のMRSコマンド生成部と、
を備えることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記制御部は、
MRSモードでデータライン駆動信号が印加されると、外部から受信する特定アドレスに応じてデータバッファ制御信号を生成することを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 前記制御部は、
前記受信する特定アドレスが、既に設定された第1のアドレスと同じ場合に、前記データバッファ部を駆動するための第1の信号を生成し、既に設定された第2のアドレスと同じ場合に、前記データバッファ部の駆動を中断するための第2の信号を生成するアドレス比較部と、
前記データライン駆動信号、前記第1の信号、及び第2の信号を論理組み合わせしてデータバッファ制御信号を生成する制御信号生成部と、
を備えることを特徴とする請求項2に記載の半導体メモリ装置。 - 前記データライン駆動信号は、
書き込み活性化信号WEまたはEWL(Early Write Latency)信号を含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体メモリ装置。 - 前記複数のMRSコマンド生成部は、
前記複数のMRSコマンドが各々用いられる該当メモリブロックの内部に各々形成されることを特徴とする請求項2に記載の半導体メモリ装置。 - 前記データラインは、グローバル入出力ライン及びローカル入出力ラインを備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記MRSモードで活性化されるMRSモード信号を、前記データラインのライン遅延量だけ遅延させて、遅延MRSモード信号として出力する遅延部をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記複数のMRSコマンド生成部は、
前記遅延MRSモード信号に応じて、前記複数のMRSコマンドを前記ローカル入出力ラインを介して前記該当メモリブロックに伝送することを特徴とする請求項7に記載の半導体メモリ装置。 - 1つ以上の外部コマンド信号を受信し、前記MRSモードでイネーブルされる前記MRSモード信号を生成するMRSモード信号生成部をさらに備えることを特徴とする請求項7に記載の半導体メモリ装置。
- 前記データバッファ部は、
前記データパッドを介して直列に受信する前記複数のMRSコードを並列化してグローバルラインに伝送することを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 前記MRSモード信号に応じて、前記データバッファ部から受信する第1のMRSコードを受信し、複数のMRSソース信号を生成してこれをグローバルラインに出力するMRSソース信号生成部と、
前記MRSモード信号に応じて、前記データバッファ部から受信する第2のMRSコードを受信し、複数のMRS選択信号を生成してこれをグローバルラインに出力するMRS選択信号生成部と、
をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の半導体メモリ装置。 - 前記複数のMRSソース信号は、半導体メモリ装置のモードを設定するための信号であり、前記MRS選択信号は、前記複数のMRSコマンドのうち、半導体メモリ装置のモードを設定するMRSの種類を選択するための信号であることを特徴とする請求項11に記載の半導体メモリ装置。
- 前記複数のMRSコマンドは、順次生成されることを特徴とする請求項12に記載の半導体メモリ装置。
- 前記複数のMRSコードを受信するために、少なくとも1つ以上のデータパッドが追加されることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記複数のMRSコマンドは、同時に生成されることを特徴とする請求項14に記載の半導体メモリ装置。
- MRSモードでデータバッファ制御信号を生成するステップと、
前記データバッファ制御信号に応じて、データパッドを介して入力される複数のMRSコードをバッファリングして出力するステップと、
前記データバッファ部から出力される前記複数のMRSコードをデータラインを介して受信し、受信した前記複数のMRSコードを用いて複数のMRSコマンドを生成するステップと、
を含むことを特徴とする半導体メモリ装置の駆動方法。 - 前記データバッファ制御信号は、
MRSモードでデータライン駆動信号が印加されると、外部から受信する特定アドレスに応じて生成されることを特徴とする請求項16に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。 - 前記MRSモードでデータバッファ制御信号を生成するステップは、
前記受信する特定アドレスが、既に設定された第1のアドレスと同じ場合に、前記データバッファ部を駆動するための第1の信号を生成し、既に設定された第2のアドレスと同じ場合に、前記データバッファ部の駆動を中断するための第2の信号を生成するアドレスステップと、
前記データライン駆動信号、前記第1の信号、及び第2の信号を論理組み合わせしてデータバッファ制御信号を生成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項17に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。 - 前記複数のMRSコマンドは、
前記複数のMRSコマンドが各々用いられる該当メモリブロックの内部に各々形成されることを特徴とする請求項16に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。 - 前記MRSモード信号に応じて、前記データバッファ部から受信する第1のMRSコードを受信し、複数のMRSソース信号を生成してこれをグローバルラインに出力するステップと、
前記MRSモード信号に応じて、前記データバッファ部から受信する第2のMRSコードを受信し、複数のMRS選択信号を生成してこれをグローバルラインに出力するステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。 - 前記MRSモードでMRSモード信号を生成するステップと、
前記データラインのライン遅延量だけMRSモード信号を遅延させるステップと、
遅延されたMRSモード信号を出力するステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項20に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。 - 前記複数のMRSコマンド信号を生成するステップは、
前記MRSソース信号を受信するステップと、
前記MRS選択信号を受信するステップと、
前記遅延されたMRSモード信号に応じて、受信した前記MRSソース信号及び前記MRS選択信号に基づく前記複数のMRSコマンドを生成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項21に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。 - 前記データパッドを介して直列に受信したMRSコードを並列化するステップと、
並列化した前記MRSコードを前記グローバル入出力ラインに伝送するステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。 - 前記データバッファ制御信号に応じて、前記少なくとも1つ以上の追加されたデータパッドを介して追加されたMRSコードを入力するステップをさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。
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