JP2011154771A - メモリシステム及び半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】データ入力端子とデータ出力端子を分離し、スループットを向上させるとともに、端子数の増加を抑制できる半導体記憶装置及びメモリシステムを提供する。
【解決手段】少なくとも一つのライトデータ入力端子と、ライトデータ入力端子のN倍の数のリードデータ出力端子と、データ記憶部と、第1の周波数の信号に同期してデータ記憶部から読み出したリードデータをリードデータ出力端子から出力するデータ出力回路と、ライトデータ入力端子から入力したライトデータを第1の周波数のN倍の周波数のライトストローブ信号に同期して取り込み、前記データ記憶部へ送るデータ入力回路と、を備える。
【選択図】図1
【解決手段】少なくとも一つのライトデータ入力端子と、ライトデータ入力端子のN倍の数のリードデータ出力端子と、データ記憶部と、第1の周波数の信号に同期してデータ記憶部から読み出したリードデータをリードデータ出力端子から出力するデータ出力回路と、ライトデータ入力端子から入力したライトデータを第1の周波数のN倍の周波数のライトストローブ信号に同期して取り込み、前記データ記憶部へ送るデータ入力回路と、を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、メモリシステム及び半導体記憶装置に関する。特に、半導体記憶装置と半導体記憶装置を制御するコントローラとを接続するデータバスをリードデータバスとライトバスに分離したメモリシステム及び半導体記憶装置に関する。
近年、DRAM(Dynamic Random Access Memory)を初めとする半導体記憶装置は大容量化が進むと共に、半導体記憶装置を制御するコントローラとの間のデータ転送速度の向上が進んでいる。
たとえば、DRAMの規格であるDDRSDRAM(Double Data Rate Synchronous DRAM)では、メモリコントローラと半導体記憶装置のとの間で、書き込みデータ、読出しデータに同期してシステムクロックと同一周波数のデータストローブ信号をデータの送信側から受信側へ送り、そのデータストローブ信号の立ち上がりと立下りに同期してシステムクロックの1周期の間に2ビットのデータを直列に転送することにより、データ転送速度の向上を図っている。また、DDRSDRAMでは、半導体記憶装置の内部にDLL(Delay Locked Loop)回路を設けることにより、システムコントローラから供給される外部クロックに半導体記憶装置の内部クロックを精度よく位相を合わせることにより高速なデータ転送を実現している。
また、メモリコントローラと半導体記憶装置との間の書込みデータと読出しデータのデータ転送において、リードデータバスとライトデータバスを分離することによっても、データ転送速度の向上を図ることができる。たとえば、読出しデータの出力端子と、書込みデータの入力端子を分離したDRAMは、特許文献1にも記載されている。
以下の分析は本発明により与えられる。半導体記憶装置の用途によっては、システムクロックの周波数を高くするとシステム設計が難しくなる。たとえば、DLLは常時動作させておく必要があり、消費電力が大きくなる。したがって、携帯電話等の低消費電力を要求される用途には、DLLを用いないでシステムが構築できることが好ましい。そのような場合、システムクロック周波数を高くすることは難しい。システムクロックの周波数を抑えてデータ転送速度を確保するためには、リードデータ出力端子と、ライトデータ入力端子を分離して、かつ、リードデータ入力端子及びライトデータ出力端子の数を増やして直列に入出力していたデータを並列に入出力することが考えられる。しかし、出力端子と入力端子を同じように並列化しただけでは、半導体記憶装置や半導体記憶装置に接続されるコントローラの外部端子の数が増え、メモリシステムにおける実装が困難になる。
本発明の1つの側面によるメモリシステムは、半導体記憶装置と、前記半導体記憶装置を制御するコントローラと、前記コントローラから前記半導体記憶装置に第1のクロック信号を供給する第1のクロック信号線と、前記コントローラと前記半導体記憶装置とに接続されたライトデータバスと、前記コントローラと前記半導体記憶装置とに接続され前記ライトデータバスのN倍(Nは2以上の整数)のビット幅のリードデータバスと、を備え、前記半導体記憶装置から読み出したリードデータは、前記リードデータバスを介して前記半導体記憶装置から前記コントローラへ前記第1のクロック信号と同一周波数のクロックに同期して転送し、前記半導体記憶装置へ書込むライトデータは、前記ライトデータバスを介して前記コントローラから前記半導体記憶装置へ前記第1のクロック信号のN倍の周波数のクロックに同期して転送する。
また、本発明の他の側面による半導体記憶装置は、第1のクロック信号を入力する第1のクロック信号入力端子と、前記第1のクロック信号のN倍(Nは2以上の整数)の周波数のクロック信号である第2のクロック信号を入力する第2のクロック信号入力端子と、少なくとも一つのライトデータ入力端子と、前記ライトデータ入力端子のN倍の数のリードデータ出力端子と、データ記憶部と、前記第2のクロック信号が供給され、前記ライトデータ入力端子から入力されたライトデータを前記第2のクロック信号と同一周波数の外部から供給されるライトストローブ信号に同期して取り込み、前記データ記憶部へ送るデータ入力回路と、前記第1のクロック信号が供給され、前記第1のクロック信号と同一周期の信号に同期して前記データ記憶部から読み出したリードデータを前記リードデータ出力端子から出力するデータ出力回路と、を備える。
さらに、本発明の別の側面によるコントローラは、半導体記憶装置を制御するコントローラであって、第1のクロック端子と、第2のクロック端子と、少なくとも一つのライトデータ出力端子と、前記ライトデータ出力端子のN倍(Nは2以上の整数)の数のリードデータ入力端子と、ライトストローブ信号を出力するライトストローブ信号出力端子と、
リードストローブ信号を入力するリードストローブ信号入力端子と、前記第1のクロック端子から出力する第1のクロック信号と、前記第2のクロック端子から出力するクロック信号であって、前記第1のクロック信号と位相が揃い、かつ、周波数が前記第1のクロック信号のN倍である第2のクロック信号と、を生成するクロックジェネレータと、前記半導体記憶装置を制御するコマンドを前記第1のクロックに同期して外部へ出力する制御部と、前記コマンドがライトコマンドであるときに、前記ライトコマンドの出力に先立って所定期間、前記ライトストローブ信号出力端子からライトプリアンブル信号を出力し、前記ライトコマンドの出力に同期して前記ライトストローブ信号出力端子から前記第2のクロック信号と同一周期のライトデータストローブ信号を出力するとともに、前記ライトデータ出力端子からライトデータを前記ライトデータストローブ信号に同期して出力するライトデータ制御部と、前記リードストローブ端子から入力されるリードストローブ信号に同期してリードデータ入力端子のデータを取り込むリードデータ制御部と、を含む。
リードストローブ信号を入力するリードストローブ信号入力端子と、前記第1のクロック端子から出力する第1のクロック信号と、前記第2のクロック端子から出力するクロック信号であって、前記第1のクロック信号と位相が揃い、かつ、周波数が前記第1のクロック信号のN倍である第2のクロック信号と、を生成するクロックジェネレータと、前記半導体記憶装置を制御するコマンドを前記第1のクロックに同期して外部へ出力する制御部と、前記コマンドがライトコマンドであるときに、前記ライトコマンドの出力に先立って所定期間、前記ライトストローブ信号出力端子からライトプリアンブル信号を出力し、前記ライトコマンドの出力に同期して前記ライトストローブ信号出力端子から前記第2のクロック信号と同一周期のライトデータストローブ信号を出力するとともに、前記ライトデータ出力端子からライトデータを前記ライトデータストローブ信号に同期して出力するライトデータ制御部と、前記リードストローブ端子から入力されるリードストローブ信号に同期してリードデータ入力端子のデータを取り込むリードデータ制御部と、を含む。
本発明によれば、低消費電力であっても外部端子数の増加を抑え、かつ、半導体記憶装置と半導体記憶装置を制御するコントローラとの間で高速にデータの転送を行うことができる。
本発明による実施例について詳細に説明する前に本発明の実施形態の概要について説明しておく。一般に半導体記憶装置と、半導体記憶装置を制御するマイクロコンピュータ等のコントローラとを比較すると、半導体記憶装置の周辺回路のトランジスタより、コントローラの内部回路に用いられるトランジスタの方がトランジスタの駆動能力が高く(例えば2倍)、半導体記憶装置の周辺回路より、コントローラの内部回路の方が速く動作させることが可能な場合が多い。その観点から半導体記憶装置からコントローラへのリードデータの転送速度と、コントローラから半導体記憶装置へのライトデータの転送速度を比較すると、コントローラから半導体記憶装置へのライトデータの転送速度の方が速くすることが可能であることが判った。そこで、本発明においては、ライトデータの転送速度をリードデータの転送速度よりN倍(Nは2以上の整数)早くする。
ただし、コントローラから高速に転送されてくるライトデータを漏れなく半導体記憶装置が受けられるようにするために、以下に述べる種々の対策を行うことが効果的である。
また、1つのリードコマンドで出力するビット数と、1つのライトコマンドで入力するビット数の数は同一であることが好ましい。さらに、半導体記憶装置の内部の構成を、ライトデータをライトデータ入力端子から入力するデータ入力部と、リードデータをリードデータ出力端子から出力するデータ出力部と、データ入力部から入力したデータをメモリセルアレイに書込み、また、メモリセルアレイから読み出したデータをデータ出力部に送るデータ記憶部と、に分けたときに、データ入力部、データ出力部、データ記憶部のリードライト動作がいずれも同じサイクル期間内に並行して実行できるようにすることが半導体記憶装置、メモリシステムのスループット向上の観点から好ましい。そのようにできれば、リードコマンド及びライトコマンドがどのような順番で連続して入力されても、間断なく連続してコマンドを実行することが可能である(図10参照)。すなわち、データ入力部がデータの入力に要する時間、データ出力部がデータの出力に要する時間をデータ記憶部がデータのライトまたはデータのリードに要する時間と揃えるため、リードデータ出力端子の数をライトデータ入力端子の数のN倍にする。
また、リードコマンド、またはライトコマンドがどの様な順番で連続して入力されても、コマンドの連続実行が途切れないようにするためには、リードコマンドまたはライトコマンドが入力されてから、データ記憶部にリードアクセスまたはライトアクセスするまでのサイクル数を同一にすることが好ましい。また、スループットを上げるためには、コマンドを与えてから、データ記憶部にアクセスするまでのサイクル数はできるだけ短いことが好ましい。本発明の一実施形態では、リードコマンド、ライトコマンドの入力サイクルの次のサイクルでデータ記憶部に対するリードアクセスまたは、ライトアクセスを実現している(図11、図12参照)。特にリードコマンドとライトコマンドとを比較すると、ライトコマンドの方が、データ記憶部へのアクセス前にライトデータを外部から入力しなければならないのでタイミング的には厳しくなる。本発明の一実施形態では、ライトコマンドの入力と同一サイクルでライトデータをコントローラから半導体記憶装置に転送することにより、ライトコマンドの入力サイクルの次のサイクルでテータ記憶部へのデータライトを実現している(図11参照)。さらに、ライトコマンド入力の1サイクル前からコントローラは、ライトストローブ信号をライトプリアンブル状態(例えばロウレベル固定、図10、図11参照)にしている。例えば、半導体記憶装置は、ライトコマンドを実行しないときは、データ入力部を消費電流が流れないスタンバイ状態に設定しておき、このライトプリアンブル信号を検出してデータ入力部のスタンバイ状態を解除して活性化することができる。データ入力部は、ライトコマンド実行に伴うデータの入力が完了すれば、再び消費電流が流れないスタンバイ状態に戻すこともできる。このようにライトストローブ信号がライトプリアンブルになることをライトコマンドが入力される前に検出しスタンバイを解除することにより、ライトコマンド入力と同時に入力されるライトデータを処理し、かつ、ライトコマンド実行以外のときの入力部の消費電力を低減することもできる。
また、コントローラはライトデータをシステムクロックのN倍の周波数でトグルするライトストローブ信号の立ち上がりエッジと立下りエッジに同期して半導体記憶装置に送る。半導体記憶装置は、このライトストローブ信号の立ち上がりエッジと立ち下がりエッジを直接用いて、ライトデータ入力端子から入力されるライトデータをラッチすれば、たとえ、半導体記憶装置の内部クロックを精度よくライトデータバスから送られてくるデータに同期させることができなくとも、ライトデータをラッチすることができる。さらに、コントローラは、システムクロック(第1のクロック信号)のN倍の周波数の第2のクロック信号を半導体記憶装置に供給している。半導体記憶装置は、このシステムクロックのN倍の周波数(ライトストローブ信号と同一周波数)の第2のクロック信号を用いて内部クロック(多相ライトクロック信号、一例として図5、図11のCKW0〜CKW7参照)を生成する。さらにその内部クロックを用いてライトデータ入力端子から直列に入力したライトデータを並列データに変換することができる。
なお、コントローラから半導体記憶装置に供給する第1のクロック信号(システムクロック信号)、第1のクロック信号のN倍の周波数の第2のクロック信号は位相が揃っていることが好ましい。また、ライトデータストローブ信号も第1のクロック信号、第2のクロック信号と位相が揃っていることが好ましい。
以上で、概要の説明を終わり、以下、より詳細に本発明の実施例について、図面を参照して説明する。
図1は、本発明の一実施例によるメモリシステム全体のブロック図である。メモリシステム500は、半導体記憶装置100と、半導体記憶装置100を制御するコントローララ600と、半導体記憶装置100とコントローラ600とを接続するバス及び信号配線を含んでいる。コントローラ600は、例えば、マイクロコンピュータ、または、半導体記憶装置100を制御する機能を含んでいるシステムLSIの一部の機能であってもよい。また、コントローラ600は、複数の半導体装置を含んでいてもよい。コントローラ600から半導体記憶装置100へ第1のクロック信号であるCK及びその反転クロック信号である/CK、クロックイネーブル信号CKEが供給されている。なお、/CKの信号名の冒頭に付された「/」は、その信号の位相が反転していることを示している。第1のクロック信号は、半導体記憶装置100にシステムクロックとして供給され、半導体記憶装置100は、このシステムクロックCKに同期して動作する。
また、コントローラ600から半導体記憶装置100へ第2のクロック信号であるCKW、CKWBが接続されている。CKW、CKWBは、第1のクロック信号CKのN倍(Nは2以上の整数)の周波数のクロック信号であり、CKと位相の揃ったクロック信号である。この実施例では、Nの値は4であり、第2のクロック信号CKWは、第1のクロック信号CKの4倍の周波数のクロック信号である。
半導体記憶装置100からコントローラ600へのリードデータの転送バスであるリードデータバスQjは、128ビットのバスである(j=0−127)。また、ライトデータバスDkは、コントローラ600から半導体記憶装置100へのライトデータの転送に用いる32ビットのバス(k=0−31)である。さらに、ライトデータをマスクするために用いられるライトデータマスク信号DMnは、4ビットの信号(n=0−3)であり、コントローラ600から半導体記憶装置100へ供給される。また、リードストローブ信号QSが半導体記憶装置100からコントローラ600に接続される。リードストローブ信号QSは、半導体記憶装置100からコントローラ600へリードデータバスQjを介して送られるリードデータをコントローラ600側でラッチするために用いるリードデータのストローブ信号である。同様に、ライトストローブ信号DSがコントローラ600から半導体記憶装置100に接続され、半導体記憶装置100は、ライトデータバスQjを介してコントローラから送られるライトデータをライトストローブ信号DSに同期して受け取ることができる。
半導体記憶装置100の内部は、データ入力部21、データ記憶部23、データ出力部22を含んで構成される。メモリセルアレイ部233は、メモリセルアレイを含んでいる。半導体記憶装置100内部の構成については、後で詳しく説明する。
コントローラ600は、全体を制御する制御部601、半導体記憶装置100へ供給するクロック信号CK、/CK、CKE、CKW、CKWBを生成するクロック生成部604と、ライトデータ及びライトデータの制御に用いる制御信号を生成するライトデータ制御部603と、半導体記憶装置100から送られてくるリードデータを受けて処理するリードデータ制御部602とを備えている。リードデータ制御部602には、リードストローブ信号QSが供給され、リードデータ制御部602は、リードデータQjの変化点と位相の揃った信号として半導体記憶装置100から送られてくるリードストローブ信号QSを遅延回路605により、リードデータQjのデータの取り込みに適した位相にずらす。リードデータ制御部602は、その位相をずらしたリードストローブ信号QSを用いてリードデータQjをラッチすることができる(図12参照)。なお、半導体記憶装置100は、リードデータをコントローラ600に送るとき以外は、リードストローブ信号QSを出力ハイインピーダンスに設定し、リードデータ出力の1サイクル(システムクロックCKの1周期)前にリードストローブ信号QSをリードプリアンブル状態(ロウレベル固定)に設定するので、リードデータ制御部602は、そのリードプリアンブル信号を受けてリードデータバスQjから送られてくるデータの入力回路を活性状態にする。
図2は、半導体記憶装置100全体のブロック図である。図2において、10はメモリセルアレイ、11はロウアドレスをデコードし選択されたワード線(図示せず)を駆動するロウデコーダ、12はメモリセルアレイの中から選択したメモリセル(図示せず)のデータをセンシングするセンスアンプ、13はセンスアンプ12がセンシングした複数のデータのうちカラムアドレスに基づいて選択したデータをメモリセルアレイ10の外へ出力するカラムセレクタである。半導体記憶装置100には、Bank0〜Bank3の4つのバンクのメモリセルアレイ10が設けられており、ロウデコーダ11、センスアンプ12、カラムセレクタ13、データアンプ部231、ライト制御部232も各バンクのメモリセルアレイ毎に設けられている。
クロック生成器20は、外部から与えられる非反転クロック信号CK、反転クロック信号/CK、クロックイネーブル信号CKEから内部動作クロックを生成する。コマンドデコーダ14は、外部から与えられたチップセレクト信号/CS、ロウアドレスストローブ信号/RAS、カラムアドレスストローブ信号/CAS、ライトイネーブル信号/WEをデコードして外部のコントローラ600等から半導体装置100に与えられたリード、ライト等のコマンドを解読する。コントロールロジック15は、コマンドデコーダ14が解読したコマンド、モードレジスタ17の状態に基づいて、クロック生成器20から与えられたクロックに同期して半導体装置100の各部へコマンドを実行するために必要な信号を出力する。モードレジスタ17、カラムアドレスバッファ・バーストカウンタ16、ロウアドレスバッファ・リフレッシュカウンタ18には、それぞれ外部アドレス入力端子A0〜A13、バンクアドレス入力端子BA0、BA1が内部アドレスバスを介して接続される。モードレジスタ17は、モードレジスタ設定コマンドが与えられたとき、内部アドレスバスから与えられたデータをレジスタに設定する。ロウアドレスバッファ・リフレツシュカウンタ18は、バンクアクティブACTコマンドが与えられたとき、ロウアドレスをラッチしロウデコーダ11へ出力する。ロウアドレスバッファ・リフレツシュカウンタ18は、リフレッシュアドレスのカウントアップも行う。カラムアドレスバッファ・バーストカウンタ16は、リードコマンド、ライトコマンドが与えられたとき、カラムアドレスをラッチし、デコードしてカラムセレクタ13を選択する。また、バーストリード、バーストライトコマンドが与えられたときは、指定されたバースト長に基づいてカラムアドレスをカウントする。
データアンプ部231は、バンク毎に設けられる。各データアンプ部231は、複数のデータアンプDAを備えており、リードコマンドに応答して、メモリセルアレイ10からセンスアンプ12、カラムセレクタ13を介して読み出したデータを増幅し、リードライトバスRWBSへ出力する。ライト制御部232は、バンク毎に設けられる。各ライト制御部232は、複数のライト制御回路WAを備えており、ライトコマンドに応答してリードライトバスRWBSから入力したデータをカラムセレクタ13、センスアンプ12を介してメモリセルアレイ10の選択されたアドレスのメモリセルへ書き込む。なお、データ記憶部23には、メモリセルアレイ10、ロウデコーダ11、センスアンプ12、カラムセレクタ13、データアンプ部231、ライト制御部232が含まれる。
リードライトバスRWBSは、256ビットの内部データバスで、データ記憶部23と、データ入力部21及びデータ出力部22とを接続する。データ書き込み時(ライトコマンド実行時)には、データ入力部から入力した256ビットのデータを並列にデータ記憶部23に伝達する。また、データ読み出し時(リードコマンド実行時)には、データ記憶部23から読みだした256ビットのデータを並列にデータ出力部23に伝達する。
データ入力部21は、入力バッファ211と直並列変換器212とを備えている。入力バッファは、データ入力端子を介して外部のライトデータバスDk(k=0〜31)と接続される。ライトコマンド実行時には、32ビットの並列バスであるライトデータバスDkからライトストローブ信号DSの立ち上がりと立下りに同期してそれぞれ8ビットを一つの単位とする直列データを取り込む。すなわち、32ビットの並列バスからそれぞれ8ビットの直列データが入力されるので、データ入力部全体21としては、32*8=256ビットのライトデータを取り込む。ライトストローブ信号DSはライトストローブ端子を介して半導体記憶装置100の外部から入力バッファ211に接続される。また、入力バッファ211には、データマスク端子を介して外部からデータマスク信号DMn(n=0〜3)が入力される。データマスク信号は、ライトデータバスDkから入力されるライトデータと同期して入力される信号で、ライトデータバスDkの8ビットごとに1ビット設けられる。すなわち、ライトデータバスDkは全体で32ビットあるので、データマスク信号DMnは4ビットである。データマスク信号は、各ライトデータバスDkから直列に入力されるデータについて、直列に入力される1ビット毎に入力されるデータをマスクするか否かを制御する信号である。
直並列変換器212は、入力バッファ211にライトストローブ信号DSに同期して入力された直列データを並列データに変換する。入力バッファ211には、32ビットのライトデータバスDkにそれぞれ接続された32端子のライトデータ入力端子からそれぞれ8ビットずつライトストローブ信号に同期して直列に入力されたライトデータを256ビットの並列データに変換する。なお、直並列変換器212には、直並列変換に用いるクロックとして外部から第2のクロック信号CKW、CKWBが供給される。
データ出力部22は、出力バッファ221と並直列変換器222とを備えている。並直列変換器222は、リードコマンドの実行に伴い、リードライトバスRWBSから送られて来る256ビット並列のリードデータをリードストローブ信号QSの立ち上がりエッジと立下りエッジの両エッジに同期した2ビットずつ直列にした128ビットのデータに変換する。出力バッファ221はその128ビットに変換したリードデータを128端子のリードデータ出力端子からそれぞれ2ビットずつの直列データとして外部のリードデータバスQj(j=0〜127)に出力する。なお、データ出力部22には、システムクロック(第1のクロック)CKが供給され、システムクロックCKからリードストローブ信号QSが生成され、リードストローブ信号QSはリードストローブ信号出力端子から外部に出力される。
図3は、実施例1によるデータ入力部21周辺の回路ブロック図である。図3には、32端子のライトデータ入力端子のうち1端子分の回路のみ示す。実際のデータ入力部21には、図3の回路が32端子分並列に存在する。ライトデータバスDkに接続されるライトデータ入力端子から入力されるライトデータは入力バッファ211に接続される。入力バッファ211の内部回路を図8(a)に示す。入力バッファ211には、非反転ライトストローブ信号DSPと、反転ライトストローブ信号DSPがクロックとして接続される。非反転ライトストローブ信号SDPと反転ライトストローブ信号は、それぞれ外部からライトストローブ信号入力端子に入力したライトストローブ信号を内部で波形整形した信号である。図8(a)に示すとおり、入力バッファ211の内部は、非反転ライトストローブ信号DSPがクロックとして接続され、非反転ライトストローブ信号DSPがロウレベルのときにデータを取り込み、非反転ライトストローブ信号DSPがハイレベルに立ち上がるとその取り込んだデータを出力する第1のラッチ回路と、反転ライトストローブ信号DSPBがクロックとして接続され、反転ライトストローブ信号DSPBがロウレベルのときにデータを取り込み、反転ライトストローブ信号DSPBがハイレベルに立ち上がるとその取り込んだデータを出力する第2のラッチ回路とを含んで構成される。
図3の直並列変換器212は、データ入力端子がそれぞれ入力バッファ211のデータ出力端子に並列に接続された8個のデータフリップフロップ回路301〜308を備えている。8個のデータフリップフロップ回路301〜308にはそれぞれ異なる位相のライトクロック信号CKW0〜CKW7がクロックとして接続される。データフリップフロップ回路の内部回路を図9(a)に示す。8個のデータフリップフロップ回路301〜308のそれぞれのデータ出力端子には、データフリップフロップ回路311〜318が接続される。データフリップフロップ回路311〜318のクロック端子には共通のクロック信号CKWDが接続される。データフリップフロップ回路311〜318のデータ出力端子には、それぞれトライステートバッファ321〜328が接続される。トライステートバッファ321〜328の出力はリードライトバスRWBSに接続される。トライステートバッファ321〜328には、クロックとして制御信号WDBUFが接続される。さらにリードライトバスRWBSは、データ記憶部23のライト制御回路WA1〜WA8に接続される。ライト制御回路(ライトアンプ)WA1〜WA8には、共通にメイン入出力線のプリチャージ信号であるPMIOとライトアンプイネーブル信号WAEが接続される。また、各ライト制御回路に個別に内部ライトマスク反転信号DMBn0〜DMBn7が接続される。ライト制御回路WA1〜WA8の内部回路を図9(b)に示す。
図4は、実施例1によるデータ出力部22周辺の回路ブロック図である。図4では、リードデータ出力端子1端子分の回路を示すが、実際には、リードデータ出力端子は、128端子存在するので、図4の128倍の回路が存在する。メモリセルアレイから読み出されたデータは、それぞれ対となるメインIO線MIOT_8*k+0とメインIO線MIOT_8*k+0、MIOT_8*k+4とメインIO線MIOT_8*k+4を介してデータアンプDA1、DA2のデータ入力端子に入力する。データアンプDA1、DA2には、共通にデータアンプイネーブル信号DAEと制御信号RDBUFが接続される。データアンプDA1、DA2は、リードコマンド実行時に対となるメインIO線の電位差を増幅してリードライトバスRWBSに出力する。データ出力部22の並直列変換部222は、リードコマンド実行時にリードライトバスRWBSのデータを取り込むデータフリップフロップ回路341、342と、並直列変換を行うリードデータバッファ回路RDBufを含んで構成される。データフリップフロップ回路341、342の内部回路には共通のクロック信号RDLTが接続される。データフリップフロップ回路341、342の内部回路を図9(a)に示す。また、リードデータバッファ回路RDBufには、システムクロックCkから生成した非反転内部クロック信号CKPと反転内部クロック信号CKPBが供給される。リードデータバッファ回路RDBufは、リードライトバスRWBSからデータフリップフロップ341、342に取り込んだデータをシステムクロック信号CKの立ち上がりエッジと立下りエッジに同期して直列データに変換する。出力バッファ回路221は、半導体記憶装置100の内部でシステムクロック信号CKから生成したリードストローブ信号QSの立ち上がりと立下りに同期してリードデータをリードデータ出力端子から外部のリードデータバスQiに出力する。
図5は、実施例1のライトクロック生成回路213の回路ブロック図である。ライトクロック生成回路213は、図3の直並列変換部212が用いるライトストローブ信号と同一周期の8相のクロック信号(1ショットパルス信号)CKW0〜CKW7を生成する。ライトクロック生成回路213は、ライトコマンドデコード信号WCMDをシステムクロックCKの立ち上がりで取り込む。この信号をデータフリップフロップ361により第2のクロック信号CKW 1周期分の長さのワンショットパルス信号に成型し、そのワンショットパルス信号を第2のクロックの非反転信号CKWが供給されるデータフリップフロップ回路362〜364からなる第1のシフトレジスタと、第2のクロックの反転信号CKWBが供給されるデータフリップフロップ回路365〜367からなる第2のシフトレジスタによりそれぞれ、第2のクロック信号の立ち上がりと立下りに同期してシフトさせる。さらにそのシフトさせたパルスから第2のクロック信号CKWの半周期分の8相のワンショットパルスを生成している。すなわち、第1のシフトレジスタの各段の出力は第2のクロックの非反転信号CKWとそれぞれ論理ANDを取り、第2のシフトレジスタの各段の出力は第2のクロックの反転信号CKWBとそれぞれ論理ANDを取ることにより、第2のクロック信号CKWの立ち上がりと立下がりにそれぞれ同期した1ショットの8相クロック信号CKW0〜CKW7を生成している。
図6は、データマスク信号生成回路214の回路ブロック図である。データマスク信号入力端子は、4端子存在するが、図6に記載しているのは、そのうちの1端子分の回路である。データマスク信号入力端子から入力されるデータマスク信号DMnは、データマスク信号入力バッファ回路380に接続される。データマスク信号入力バッファ回路380の内部の構成は、入力バッファ回路211と同一であり、その内部の構成を図8(a)に示す。データマスク信号入力バッファ回路380は入力されるクロック信号も入力バッファ回路211と同一である(図3参照)。また、その後段の構成、クロック信号もライトデータ信号が接続される直並列変換回路212と同一である。ただし、直並列変換回路212と異なり、データフリップフロップ回路391〜398の出力信号は、リードライトバスRWBSには接続されず、直接ライト制御回路WAに接続される。
図7は、データ記憶部23の一部の回路ブロック図である。メモリセルアレイ10には、ワード線SWLとビット線対BLT、BLNとの交点に対応してメモリセルが配置される。図7には、一本の(サブ)ワード線SWL、一対のビット線BLT、BLNと1個のメモリセルのみを代表して示すが、実際には、複数のワード線と複数のビット線との交点に対応して複数のメモリセルがマトリクス状に配置される。ビット線対BLT、BLNには、センスアンプSAが接続され、複数のワード線の中から選択されたワード線SWLに接続されたメモリセルからビット線対に読み出したデータをセンスアンプSAは増幅する。センスアンプSAは、カラム選択信号CSLにより導通、非導通が制御されるカラム選択ゲートを介してローカル入出力線対LIOT、LIONに接続される。なお、導通、非導通は電気的な作用を示し、以後の説明において同様とする。センスアンプSAとカラム選択ゲートの間及びローカル入出力線対LIOT、LIONには、プリチャージ信号PDLにより導通、非導通が制御されるプリチャージ及びイコライズゲートが接続されている。なお、図7において、センスアンプSAには、データアンプDA、ライト制御回路WAの電源電圧VDDより低い電源電圧VCCが供給され、プリチャージレベルは、メイン入出力線MIOT、MIONがVDDレベルにプリチャージさせるのに対して、ローカル入出力線LIOT、LIONのプリチャージレベルは、1/2VCC=HVCCレベルにプリチャージされる。また、ローカル入出力線対LIOT、LIONはさらに、ローカル入出力線選択信号IOSWがゲートに接続されたローカル入出力線選択ゲートを介してメイン入出力線対MIOT_8*k+8、MION_8*k+0に接続され、メイン入出力線対は、データアンプDA及びライト制御回路(ライトアンプ)WAに接続される。データアンプDA、ライト制御回路WAがリードライトバスRWBSに接続されているのは図3、図4を用いてすでに説明したとおりである。
次に、実施例1の動作について説明する。図10は、半導体記憶装置100の基本的な動作タイミング図である。図10には、半導体記憶装置100へ外部から入力される信号、及び半導体記憶装置100から外部に出力される信号を示している。図10において、CK、/CKは外部から供給されるシステムクロック信号(第1のクロック信号)である。CKを実線で、/CKを破線で示す。同様に、CKW、CKWBは、外部から供給される第2のクロック信号であり、第1のクロック信号の4倍の周波数のクロック信号である。また、第2のクロック信号は、第1のクロック信号と位相の揃ったクロック信号として外部から半導体装置100に供給される。第2のクロック信号の1周期の長さは、1.25nsである。CMDは、外部から半導体記憶装置100に入力されるコマンドで、システムクロックCKの立ち上がりに同期してコマンドが入力される。ここでは、システムクロックCKを基準とする0サイクルの立ち上がりでリードコマンド、1サイクルの立ち上がりでライトコマンド、2サイクルの立ち上がりでリードコマンド、3サイクルの立ち上がりでライトコマンドが入力されている。カラムアドレスが同一であれば、バースストリード、バーストライトを除いて、リードコマンド、ライトコマンドは、どの順番で入力しても、1サイクル毎にリードコマンド、ライトコマンドを入力し、実行させることができる。
QSiはリードストローブ信号出力端子から出力されるリードストローブ信号である。ここでは、16端子のリードデータ出力端子毎に1つのリードストローブ信号出力端子が設けられているが、どのリードデータ出力端子から出力されるリードストローブ信号も基本的なタイミングは同一である。リードストローブ信号QSiは、半導体記憶装置100から外部へ出力するリードデータに同期して出力され、外部から供給されるシステムクロック信号CKの立ち上がりに同期してシステムクロックCKと同一周期のパルスが出力される。ただし、半導体記憶装置100の内部の遅延のため、リードストローブ信号QSiの位相は外部から供給されるシステムクロックCKより遅れている。また、リードストローブ信号QSiは、リードコマンドが入力されたシステムクロックCKのサイクルの1周期後にリードプリアンブルとしてロウレベルを出力し、そのさらに1周期後にリードデータ出力端子からリードデータを出力する。コントローラ600は、データリード以外のときは、リードデータ制御部602(図1参照)のクロックを止めて、低消費電力で待機させ、リードプリアンブルを検出することにより、リードデータ制御部602を活性化することができる。リードストローブ信号は、リードデータの出力時以外は、出力ハイインピーダンスの状態になる。
Qjは、リードデータ出力端子から出力されるリードデータであり、リードストローブ信号QSiの立ち上がりと立ち下がりに同期して出力される。なお、リードコマンドが入力されてからリードデータが出力を開始するまでのシステムクロックCKのサイクル数、すなわちリードレイテンシRLの値は2である。
DSは、外部から半導体記憶装置100に入力されるライトストローブ信号である。ライトストローブ信号DSは、ライトコマンドが入力される1周期前からライトプリアンブル状態になり、ロウレベルとなる。さらに、ライトコマンドが入力されると同時に、ライトストローブ信号DSは、第2のクロック信号CKWと同一周波数でトグルを開始する。ライトストローブ信号DSは、ライトデータが入力されないときは、ハイインピーダンスの状態になる。半導体記憶装置100は、ライトストローブ信号DSがライトプリアンブル状態(ロウレベル)になったことを検出して、ライトコマンド入力に先立ってデータ入力部21を活性化させることもできる。なお、ライトデータストローブ信号は、ライトデータと同期しているが、半導体記憶装置100がライトデータのラッチにそのまま使用できるように、コントローラ側でライトデータのラッチに適したタイミングに位相をずらして送られる。
Dkは、ライトデータ入力端子から入力されるライトデータである。kの値は0〜31であり、ライトデータ入力端子は32端子存在するが、どの端子から入力されるデータも基本的なタイミングは同一である。ライトデータは、ライトコマンドが入力されるのと同じサイクルにおいて、ライトデータストローブ信号DSの立ち上がりと立下りの両エッジに同期して各ライトデータ入力端子から8ビットのデータが直列に入力される。この8ビットの直列データの入力は、ライトコマンドが入力されたそのサイクル内に終了する。ライトコマンドが入力されるサイクルと同一サイクルでライトデータが入力されるので、ライトレイテンシWLは0である。
DMnは、データマスク信号入力端子から入力されるデータマスク信号である。データマスク信号入力端子は4端子設けられ(n=0〜3)、ライトデータ入力端子8端子毎に1端子のデータマスク信号入力端子が設けられる。各データマスク信号入力端子から、ライトデータストローブ信号に同期してライトデータと同一タイミングで直列に8ビットのデータマスク信号が入力される。直列に入力した各ビットのデータマスク信号は、それぞれ同時にライトデータ入力端子から入力されたデータをマスクするか否かの制御に用いられる。
図11は、半導体記憶装置100内部におけるライト動作の動作タイミング図である。CK、/CKは第1のクロック信号、CMDはコマンド、CKW、CKWBは、第2のクロック信号、DSはライトストローブ信号、Dk/DMnは、ライトデータ信号及びデータマスク信号であり、図10の信号と同一名称の信号は同一の信号である。DSP、DSPBは、それぞれデータストローブ信号入力端子に入力されるデータストローブ信号DSを半導体記憶装置100の内部で非反転信号、反転信号として波形整形した信号であり、ライトデータが送られてこないときは、ロウレベルに固定される信号である。このDSP信号、DSPB信号の立ち上がりに同期して、入力バッファ211、データマスク信号入力バッファ回路380は外部から入力されるライトデータ及びデータマスク信号を取り込む(図3、図6、図8(a)参照)。
CKAは、ライトコマンドのデコード時に出力される1ショットパルスで第1のクロック信号CKの立ち上がりに同期して出力される。ライトコマンドのデコードとそのCKAパルスをトリガとして、図5に示すライトクロック生成回路213によりCKW0〜CKW7の8相のクロック信号が生成される。この8相のクロックCKW0〜CKW7は第2のクロック信号CKWの立ち上がりまたは、立下りに同期して第2のクロック信号の半周期分ハイレベルが出力されるワンショットパルスである。データ入力部21はこの8相のクロックを用いて入力バッファ211、データマスク信号入力バッファ回路380に直列に取り込んだ入力データをデータフリップフロップ回路301〜308、381〜388に並列にそれぞれ取り込む。さらに、データフリップフロップ回路301〜308、381〜388の後段に設けられたデータフリップフロップ回路311〜318、391〜398によってライトコマンド入力サイクルの最後に位相の揃った並列データに変換する。データフリップフロップ回路311〜318、391〜398には、クロック信号としてCKW7と同一タイミングのクロック信号であるCKWDが接続されている。
さらに、ライトデータ入力端子から入力されたライトデータは、ライトコマンド入力サイクルの次のサイクルのシステムクロック信号(第1のクロック信号)CKの立ち上がりで出力される1ショットパルスWDBUFに同期してリードライトバスRWBSに出力され、ライト制御回路WAまでライトデータが並列に伝送される。
ライト制御回路WAは、メイン入出力線プリチャージ信号PMIOがハイレベルになることによりプリチャージ状態が解除される(図9(b)参照)。さらにライトアンプイネーブル信号WAEがメイン入出力線プリチャージ信号PMIOより遅れてハイレベルに立ち上がると、ライト制御回路WAは、ライトアンプイネーブル信号WAEの立ち上がりエッジでリードライトデータバスRWBSから入力されたデータをラッチし、ラッチしたデータによりメイン入出力線対MIOT、MIONを駆動する。さらに、ライトアンプイネーブル信号WAEの立ち上がりにやや遅れてカラム選択信号CSLがハイレベルとなると、入出力線対MIOT、MIONからさらにメモリセルアレイ10への書込みが開始される(図7参照)。なお、データマスク信号の反転信号であるDMBがロウレベルである場合は、データマスクが行われ、ライト制御回路WAは活性化されず、メモリセルアレイ10へのデータ書込みも行われない。データ記憶部23は、ライトコマンドが入力された次のサイクルにおいてメモリセルアレイにライトデータの書込みを行い、1サイクルで書込みを終了させる。
図12は、半導体記憶装置100内部におけるリード動作の動作タイミング図である。CK、/CKは第1のクロック信号、CMDはコマンド、CKW、CKWBは、第2のクロック信号であり、図10の同一の信号名の信号と同じ信号である。図10において、リードコマンドが入力された次のサイクルでデータ記憶部23は、メモリセルアレイ10からデータの読出しを行う。CSLは、カラム選択信号であり(図7参照)、センスアンプSAで増幅されたビット線のデータのうち、カラム選択信号により選択されたビット線対BLT、BLNのデータがローカル入出力線対LIOT、LIONに出力される。さらに、メイン入出力線のプリチャージ信号であるPIOMがハイレベルに立ち上がるとセンスアンプSAの出力データがローカル入出力線対LIOT、LIONを介してメイン入出力線対MIOT/Nまで読み出される。さらにデータアンプイネーブル信号DAEがハイレベルになるとデータアンプDAが活性化され、メイン入出力線対MIOT/Nのデータを増幅する。データアンプDAが増幅したデータは、制御信号RDBUFに同期してリードライトバスRWBSに出力される。データ出力部22の並直列変換回路222は、データ読みだしサイクルの末尾で出力される制御信号RDLTに同期してリードライトバスRWBSのデータの取り込みを行う(図4参照)。
さらに、次のサイクルで、データ出力部22は、システムクロックCKの立ち上がりに同期して生成したワンショットパルスCKPに同期して1ビット目のリードデータをリードデータ出力端子から出力する(図4参照)。さらに、システムクロックCKの立ち下がりに同期して生成したワンショットパルスCKPBに同期して2ビット目のリードデータをリードデータ出力端子から出力する。また、リードストローブ信号出力端子からは、すでに図10で説明したように、リードストローブ信号がリードデータに同期して出力される。
図13は、データ記憶部23内部の動作波形図である。ライトコマンド、リードコマンドのどちらのコマンドを実行する際も、実際にメモリセルアレイ10にアクセスが行われるのは、ライトコマンド、リードコマンドが入力された次のサイクルである。さらに、ライトコマンド、リードコマンドのどちらのコマンドに対してもデータ記憶部23のメモリセルアレイ10へのアクセスは1サイクルで終了する。したがって、すでに述べたように、リードコマンド、ライトコマンドのどちらのコマンドを実行する場合もデータ入力部からのライトデータの入力、データ出力部からのリードデータの出力も1サイクルで動作が完了するので、カラムアドレスに変更がなく、かつ、バーストリード、バーストライトが行われない限り、ライトコマンド、リードコマンドがどの順番で入力されても間段なく、連続してライトコマンド、リードコマンドを入力して実行させることが可能である。
ライトコマンド、またはリードコマンドが入力されると、その次のサイクルの立ち上がりでメイン入出力線プリチャージ信号PMIOがロウレベルからハイレベルに立ち上がり、メイン入力線対MIOT、MIONのプリチャージが解除される(図7、図9(b)参照)。ライト制御回路WAの制御信号WAEがハイレベルとなるとライト制御回路WAからメイン入出力線MIOT、MIONを介してローカル入出力線LIOT、LIONが駆動される。なお、センスアンプSAの電源系がVDDより低いVCC系なので、ローカル入出力線LIOT、LIONのハイレベルはVDDより低い電圧レベルとなる。
次に、リードコマンドが実行される場合には、VDDにプリチャージした一対のメイン入出力線MIOT、MIONの電圧レベルは、センスアンプSAの出力するロウレベルにより、一対のメイン入出力線MIOT、MIONのうち、一方のメイン入出力線は、徐々に電源電圧VSSに向けて電圧が低下する。データアンプDAは、データアンプイネーブル信号DAEがハイレベルになって活性化する(図12参照)と、一対のメイン入出力線MIOT、MION間に生じた電位差を増幅し、リードライトバスRWBSへ出力する。
以上、実施例について図面を引用して説明したとおり、本発明には、様々なモード(形態)が考えられる。そのうち、好ましいモード(形態)をいくつか列挙すると以下の通りである。
(モード1)外部から与えられたシステムクロックに同期して動作する半導体記憶装置であって、
前記システムクロックの1サイクルでリード動作、ライト動作が完了するように構成されたデータ記憶部と、
リードストローブ信号出力端子と、第1の数のデータ出力端子と、を備え、前記データ記憶部から読み出したデータを前記リードストローブ端子から出力する第1の周波数のリードストローブ信号に同期して前記第1の数のデータ出力端子から前記1サイクルでデータの出力が完了するように構成されたデータ出力部と、
ライトストローブ信号入力端子と、前記第1の数の1/N(Nは2以上の整数)の数のデータ入力端子と、を備え、前記データ記憶部に書き込むデータを前記ライトストローブ信号入力端子から与えられる前記リードストローブ信号の周波数のN倍の周波数のライトストローブ信号に同期して前記データ入力端子から前記1サイクルでライトするデータの入力が完了するように構成されたデータ入力部と、
を有することを特徴とする半導体記憶装置。
前記システムクロックの1サイクルでリード動作、ライト動作が完了するように構成されたデータ記憶部と、
リードストローブ信号出力端子と、第1の数のデータ出力端子と、を備え、前記データ記憶部から読み出したデータを前記リードストローブ端子から出力する第1の周波数のリードストローブ信号に同期して前記第1の数のデータ出力端子から前記1サイクルでデータの出力が完了するように構成されたデータ出力部と、
ライトストローブ信号入力端子と、前記第1の数の1/N(Nは2以上の整数)の数のデータ入力端子と、を備え、前記データ記憶部に書き込むデータを前記ライトストローブ信号入力端子から与えられる前記リードストローブ信号の周波数のN倍の周波数のライトストローブ信号に同期して前記データ入力端子から前記1サイクルでライトするデータの入力が完了するように構成されたデータ入力部と、
を有することを特徴とする半導体記憶装置。
モード1によれば、1サイクルでデータ記憶部へのアクセス、データの出力、データの入力がいずれも終了するように構成されている。また、データ出力端子とデータ入力端子が分離されている。したがって、外部からリード、ライトがどのような順番で要求されても、以前に与えられた要求の実行のために、データ記憶部、データ出力部、データ入力部の動作に待ちが生じることがなく、スループットが上げられる。
(モード2)前記半導体記憶装置は、前記システムクロックに同期して与えられるリードコマンド、ライトコマンドに基づいて、読出し動作、書込み動作を実行し、前記データ入力部は、前記ライトコマンドを与えるサイクルにおいて、そのライトコマンド実行に伴うデータの入力が完了するように構成され、
前記データ記憶部は、前記リードコマンド、ライトコマンドが与えられた次のサイクルで、当該リードコマンド、ライトコマンドに伴うリード動作、ライト動作を完了するように構成されていることを特徴とするモード1記載の半導体記憶装置。
前記データ記憶部は、前記リードコマンド、ライトコマンドが与えられた次のサイクルで、当該リードコマンド、ライトコマンドに伴うリード動作、ライト動作を完了するように構成されていることを特徴とするモード1記載の半導体記憶装置。
モード2によれば、リードコマンド、ライトコマンド共にコマンドが与えられた次のサイクルでデータ記憶部の動作が完了するので、コマンドがどの様な順番で与えられても、データ記憶部の処理に待ちが生じることがなく、スループットが向上する。
(モード3)前記データ入力部は、ライトコマンドが入力される前に前記ライトストローブ信号入力端子からライトプリアンブル信号が検出されたときスタンバイ状態を解除し、前記ライトコマンドに伴う前記ライトストローブ信号のトグルに応じてデータ入力端子からデータを入力し、ライトストローブ信号のトグルが終了するとスタンバイ状態に戻ることを特徴とするモード2記載の半導体記憶装置。
モード3によれば、ライトプリアンブル信号によりライトコマンドが与えられる前にスタンバイが解除できるので、ライトコマンド実行以外のときは、データストローブ信号の入力回路を除いて、データ入力回路を低消費電力の状態で待機させることができる。
以上、実施例について説明したが、本発明は上記実施例の構成にのみ制限されるものでなく、本発明の範囲内で当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。
10:メモリセルアレイ
11:ロウデコーダ
12:センスアンプ
13:カラムセレクタ
14:コマンドデコーダ
15:制御ロジック
16:カラムアドレスバッファ・バーストカウンタ
17:モードレジスタ
18:カラムアドレスバッファ・リフレッシュカウンタ
20:クロック生成器
21:データ入力部(データ入力回路)
22:データ出力部(データ出力回路)
23:データ記憶部
100:半導体記憶装置
211:入力バッファ
212:直並列変換器
213:ライトクロック生成回路
214:データマスク信号生成回路
221:出力バッファ
222:並直列変換器
231:データアンプ部
232:ライト制御部
233:メモリセルアレイ部
301〜308、311〜318、341〜342、361〜367、381〜388、391〜398:データフリップフロップ回路
321〜328:トライステートバッファ
371〜379:NAND回路
380:データマスク信号入力バッファ回路
500:メモリシステム
600:コントローラ
601:制御部
602:リードデータ制御部
603:ライトデータ制御部
604:クロック生成部
DA:データアンプ
WA:ライト制御回路(ライトアンプ)
Qj:リードデータバス(j=0−127)
QS:リードストローブ信号
CK:第1のクロック信号(システムクロック信号)
/CK:第1のクロック信号の反転信号
CKE:クロックイネープル信号
CKW:第2のクロック信号
CKWB:第2のクロック信号の反転信号
Dk:ライトデータバス(k=0−31)
DMn:データマスク信号(n=0−3)
DS:ライトストローブ信号
11:ロウデコーダ
12:センスアンプ
13:カラムセレクタ
14:コマンドデコーダ
15:制御ロジック
16:カラムアドレスバッファ・バーストカウンタ
17:モードレジスタ
18:カラムアドレスバッファ・リフレッシュカウンタ
20:クロック生成器
21:データ入力部(データ入力回路)
22:データ出力部(データ出力回路)
23:データ記憶部
100:半導体記憶装置
211:入力バッファ
212:直並列変換器
213:ライトクロック生成回路
214:データマスク信号生成回路
221:出力バッファ
222:並直列変換器
231:データアンプ部
232:ライト制御部
233:メモリセルアレイ部
301〜308、311〜318、341〜342、361〜367、381〜388、391〜398:データフリップフロップ回路
321〜328:トライステートバッファ
371〜379:NAND回路
380:データマスク信号入力バッファ回路
500:メモリシステム
600:コントローラ
601:制御部
602:リードデータ制御部
603:ライトデータ制御部
604:クロック生成部
DA:データアンプ
WA:ライト制御回路(ライトアンプ)
Qj:リードデータバス(j=0−127)
QS:リードストローブ信号
CK:第1のクロック信号(システムクロック信号)
/CK:第1のクロック信号の反転信号
CKE:クロックイネープル信号
CKW:第2のクロック信号
CKWB:第2のクロック信号の反転信号
Dk:ライトデータバス(k=0−31)
DMn:データマスク信号(n=0−3)
DS:ライトストローブ信号
Claims (17)
- 半導体記憶装置と、
前記半導体記憶装置を制御するコントローラと、
前記コントローラから前記半導体記憶装置に第1のクロック信号を供給する第1のクロック信号線と、
前記コントローラと前記半導体記憶装置とに接続されたライトデータバスと、
前記コントローラと前記半導体記憶装置とに接続され前記ライトデータバスのN倍(Nは2以上の整数)のビット幅のリードデータバスと、
を備え、
前記半導体記憶装置から読み出したリードデータは、前記リードデータバスを介して前記半導体記憶装置から前記コントローラへ前記第1のクロック信号と同一周波数のクロックに同期して転送し、
前記半導体記憶装置へ書込むライトデータは、前記ライトデータバスを介して前記コントローラから前記半導体記憶装置へ前記第1のクロック信号のN倍の周波数のクロックに同期して転送することを特徴とするメモリシステム。 - 前記コントローラから前記半導体記憶装置に前記第1のクロック信号のN倍の周波数の第2のクロック信号を供給する第2のクロック信号線と、
前記第2のクロック信号と同一周期の信号であって、前記ライトデータバスを介して転送される前記ライトデータに同期して前記コントローラから出力されるライトストローブ信号を前記半導体記憶装置へ伝送するライトストローブ信号線と、
をさらに備えることを特徴とする請求項1記載のメモリシステム。 - 前記半導体記憶装置は、データ入力部と、データ記憶部と、データ出力部と、
を備え、
前記第1のクロック信号に同期して前記コントローラから与えられるリードコマンド、ライトコマンドを含むコマンドに応答して、前記コマンドを前記コントローラが前記半導体記憶装置に与える最小間隔である1サイクルの期間内において、
前記データ入力部が前記ライトコマンドに応答して前記ライトデータバスから前記ライトストローブ信号に同期して直列に入力されるデータを前記第1のクロック信号に同期して並列データに変換する処理と、
前記データ記憶部が、前記データ並列データを書き込む処理、または、前記ライトコマンドに応答して記憶されているデータを読み出す処理と、
前記データ出力部が、前記データ記憶部から読み出されたデータを前記リードデータバスから出力する処理と、
を並行して実行可能であり、かつ、前記各処理が前記1サイクルの間に完了するように構成されていることを特徴とする請求項1または2記載のメモリシステム。 - 前記半導体記憶装置は、前記ライトコマンドを与えたそのサイクルにおいて、前記データ入力部は、そのライトコマンドに伴うデータの並列データへの変換を完了させ、
前記データ記憶部は、ライトコマンドに伴うデータの書込み、リードコマンドに伴うデータの読出しを当該コマンドが与えられたサイクルの次のサイクルにおいて実行するように構成されていることを特徴とする請求項3記載のメモリシステム。 - 前記コントローラは、前記ライトコマンドを前記半導体記憶装置に与えるのに先立つ一定期間前から前記ライトストローブ信号をライトプリアンブル状態に設定することを特徴とする請求項4記載のメモリシステム。
- 前記半導体記憶装置は、前記ライトストローブ信号がライトプリアンブル状態になったことを検出して前記入力部を活性状態に設定し、前記データの入力が完了すると前記入力部を待機状態に設定することを特徴とする請求項5記載のメモリシステム。
- 前記コントローラは、前記ライトデータ伝送バスへの前記ライトデータの出力に並行して、前記ライトストローブ信号に同期してライトデータマスク信号を出力し、前記半導体記憶装置は、前記ライトデータマスク信号を受け、前記ライトストローブ信号に同期してライトデータ伝送バスから入力されるライトデータをマスクするか否かを制御することを特徴とする請求項2乃至6いずれか1項記載のメモリシステム。
- 前記第1のクロック信号と同一周期の信号であって、前記リードデータバスを介して前記半導体記憶装置から前記コントローラに送られるリードデータに同期して前記半導体記憶装置から出力されるリードストローブ信号を前記コントローラへ伝送するリードストローブ信号線をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至7いずれか1項記載のメモリシステム。
- 前記コントローラは、前記ライトコマンドまたはリードコマンドと同時にアドレス信号を前記半導体記憶装置へ与え、前記データ記憶部は、前記データ記憶部に含まれるメモリセルアレイの前記アドレス信号により指定される場所へデータの書込み、指定される場所からのデータの読出しを行うことを特徴とする請求項1乃至8いずれか1項記載のメモリシステム。
- 第1のクロック信号を入力する第1のクロック信号入力端子と、
前記第1のクロック信号のN倍(Nは2以上の整数)の周波数のクロック信号である第2のクロック信号を入力する第2のクロック信号入力端子と、
少なくとも一つのライトデータ入力端子と、
前記ライトデータ入力端子のN倍の数のリードデータ出力端子と、
データ記憶部と、
前記第2のクロック信号が供給され、前記ライトデータ入力端子から入力されたライトデータを前記第2のクロック信号と同一周波数の外部から供給されるライトストローブ信号に同期して取り込み、前記データ記憶部へ送るデータ入力回路と、
前記第1のクロック信号が供給され、前記第1のクロック信号と同一周期の信号に同期して前記データ記憶部から読み出したリードデータを前記リードデータ出力端子から出力するデータ出力回路と、
を備えることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記データ入力回路は、
前記データ入力端子に対応して設けられ、前記ライトストローブ信号に同期して前記データ入力端子から入力される前記ライトデータを順次取り込む入力バッファ回路と、
前記入力バッファ回路に対応して設けられ、前記対応する入力バッファ回路が前記ライトストローブ信号に同期して順次取り込んだライトデータを前記第2のクロック信号に同期して並列データに変換し、さらに前記第1のクロック信号に同期して前記データ記憶部へ出力する直並列変換回路と、
を備えることを特徴とする請求項10記載の半導体記憶装置。 - 前記ライトストローブ信号の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジにそれぞれ対応する2N相の多相ライトクロック信号を前記第2のクロック信号から生成するライトクロック生成回路を、さらに備え、
前記入力バッファ回路は、前記ライトデータを前記ライトストローブ信号の立ち下がりに同期して取りこむ第1のラッチ回路と、前記ライトデータを前記ライトストローブ信号の立ち上がりに同期して取り込む第2のラッチ回路と、を備え、
前記直並列変換回路は、前記2N相の多相ライトクロック信号がそれぞれ供給され、前記第1のラッチ回路及び第2のラッチ回路に取り込まれたライトデータを対応する多相ライトクロック信号に同期して取り込む2N個のデータフリップフロップ回路を備え、前記ライトストローブ信号の立ち上がりと立ち下がりの両エッジに同期して入力される2Nビットの直列データを2Nビットの並列データに変換することを特徴とする請求項11記載の半導体記憶装置。 - 外部から与えられるコマンド信号をデコードするデコード回路を、さらに備え、
前記ライトクロック生成回路は、前記コマンド信号がライトコマンドであるときに前記デコード回路が出力するライトコマンド信号を前記第2のクロックに同期して順次遅延させる縦続接続された複数のシフトレジスタを含み、前記シフトレジスタの各段の出力信号と前記第2のクロックの反転信号または非反転信号との論理ANDをそれぞれ取って前記2N相の多相内部ライトクロック信号を生成することを特徴とする請求項12記載の半導体記憶装置。 - データマスク信号を入力するデータマスク信号入力端子と、
前記データマスク信号入力端子に接続され、前記データマスク信号を前記ライトストローブ信号の立ち下がりに同期して取りこむ第1のデータマスクラッチ回路と、前記ライトデータを前記ライトストローブ信号の立ち上がりに同期して取り込む第2のデータマスクラッチ回路と、を備えるデータマスク入力バッファ回路と、
前記2N相の多相ライトクロック信号がそれぞれ接続され、前記第1のデータマスクラッチ回路及び第2のデータマスクラッチ回路に取り込まれたデータマスク信号を対応する多相ライトクロック信号に同期して取り込む2N個のデータフリップフロップ回路と、
前記各データフリップフロップ回路の出力信号を前記第1のクロック信号に同期して2Nビットの内部データマスク信号として生成するデータフリップフロップ回路とを有するデータマスク信号生成回路と、を備え、
前記データ記憶部は、2Nビットの前記内部データマスク信号を入力し、データ入力端子から前記ライトストローブ信号に同期して直列に入力された2Nビットのライトデータをビット毎に、記憶するか、マスクするかを制御することを特徴とする請求項12または13記載の半導体記憶装置。 - リードストローブ信号出力端子をさらに備え、
前記データ出力回路は、前記第1のクロック信号と同一周期のリードストローブ信号を生成し、前記リードデータに同期して前記リードストローブ信号を前記リードストローブ信号出力端子から出力することを特徴とする請求項10乃至14いずれか1項記載の半導体記憶装置。 - 前記データ記憶部は、
少なくとも一つのメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイにそれぞれ対応して設けられたライト制御回路と、
前記メモリセルアレイにそれぞれ対応して設けられ当該メモリセルアレイから読み出したデータを増幅するデータアンプと、
前記データ入力回路及び前記データ出力回路と、前記データ記憶部とは、内部リードライトバスにより接続されていることを特徴とする請求項10乃至15いずれか1項記載の半導体記憶装置。 - 半導体記憶装置を制御するコントローラであって、
第1のクロック端子と、
第2のクロック端子と、
少なくとも一つのライトデータ出力端子と、
前記ライトデータ出力端子のN倍(Nは2以上の整数)の数のリードデータ入力端子と、
ライトストローブ信号を出力するライトストローブ信号出力端子と、
リードストローブ信号を入力するリードストローブ信号入力端子と、
前記第1のクロック端子から出力する第1のクロック信号と、前記第2のクロック端子から出力するクロック信号であって、前記第1のクロック信号と位相が揃い、かつ、周波数が前記第1のクロック信号のN倍である第2のクロック信号と、を生成するクロックジェネレータと、
前記半導体記憶装置を制御するコマンドを前記第1のクロックに同期して外部へ出力する制御部と、
前記コマンドがライトコマンドであるときに、前記ライトコマンドの出力に先立って所定期間、前記ライトストローブ信号出力端子からライトプリアンブル信号を出力し、前記ライトコマンドの出力に同期して前記ライトストローブ信号出力端子から前記第2のクロック信号と同一周期のライトデータストローブ信号を出力するとともに、前記ライトデータ出力端子からライトデータを前記ライトデータストローブ信号に同期して出力するライトデータ制御部と、
前記リードストローブ端子から入力されるリードストローブ信号に同期してリードデータ入力端子のデータを取り込むリードデータ制御部と、
を含むことを特徴とするコントローラ。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101452593B1 (ko) * | 2011-12-14 | 2014-10-22 | 피에스4 뤽스코 에스.에이.알.엘. | 반도체 소자 |
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2010
- 2010-01-28 JP JP2010017067A patent/JP2011154771A/ja not_active Withdrawn
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