JP2009211797A - 半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】高速で動作する半導体素子において、データ伝達の信頼性を高め、動作モードに応じて誤り検出符号EDCを出力するパッドを介して巡回冗長検査CRC用データだけでなく、読み出し命令に対応して出力されるデータのためのデータストローブ信号を出力することにより、入出力の過程で歪み得るデータの信頼性を高めることができるようにする半導体素子を提供すること。
【解決手段】誤り検出のための巡回冗長検査用データを出力するパッドを備えており、該パッドを介し動作モードに応じて前記巡回冗長検査用データを出力するか、又は読み出し命令に対応して出力されるデータとともに出力されるデータストローブ信号を出力することを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】誤り検出のための巡回冗長検査用データを出力するパッドを備えており、該パッドを介し動作モードに応じて前記巡回冗長検査用データを出力するか、又は読み出し命令に対応して出力されるデータとともに出力されるデータストローブ信号を出力することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、高速で動作できる半導体素子に関し、特に、高速で動作する半導体素子において、誤り検出符号EDC(Error Detection Code)の出力を制御する素子に関する。
複数の半導体素子で構成されたシステムにおいて、半導体素子はデータを格納するためのものである。データ処理装置、例えば、中央処理装置(CPU)などでデータを要求すると、半導体素子は、データを要求する装置から入力されたアドレスに対応するデータを出力したり、そのアドレスに対応する位置にデータ要求装置から提供されるデータを格納する。
半導体素子で構成されたシステムの動作速度が速くなり、半導体集積回路に係る技術が発達するにつれて、半導体素子は、より速い速度でデータを出力したり格納するように要求されてきた。半導体素子がより速い速度で安全に動作するためには、半導体素子内の複数の回路が高速で動作できることはもちろん、複数の回路間の信号又はデータを速い速度で伝達できなければならない。
半導体素子の動作を速くするために、内部で起きる種々の内部動作をより速く実行させたり、信号及びデータの入出力速度を高めることができる。一例として、DDR(Double Data Rate)半導体素子は、データの出力をより速くするために、データをシステムクロックの立上がりエッジだけでなく、立下がりクロックにも同期化して出力していた。半導体素子の1つの入出力端からシステムクロックの1周期に2個のデータを入出力することができることで、従来の半導体素子よりデータの入出力速度が速くなってきた。また、現在は、最も速い動作のために、システムクロックの1周期に4個のデータを入出力することができる半導体素子まで提案されている。
データを高速で出力するために、DDR半導体素子から内部でプリフェッチ(prefetch)動作が利用された。ここで、プリフェッチ動作とは、データ又は命令が処理される前に、データ又は命令を高速で動作する格納手段に予め持ってくることをいう。例えば、DDR半導体素子(DDR SDRAM)は、1回のクロックサイクルごとにメモリセルから2ビットのデータをアクセスしてデータパッドに出力する動作を採用したが、このような動作を2ビットプリフェッチ動作という。また、DDR2半導体素子(DDR2 SDRAM)は、1回のクロックサイクルごとにメモリセルから4ビットのデータをアクセスしてデータパッドに出力する方式の4ビットプリフェッチ動作を採用した。同様に、DDR3半導体素子(DDR3 SDRAM)は、1回のクロックサイクルごとにメモリセルから8ビットのデータをアクセスしてデータパッドに出力する8ビットプリフェッチ動作を採用した。このように、半導体素子が高い周波数を有するクロック信号に対応して高速動作を可能にするために、データの入出力速度を増加させなければならず、このため、1回の読み出し(read)又は書き込み(write)命令によって各データ入出力パッド(DQ)で最小バースト長(minimum burst length)に該当するデータを一度に読み出したり書き込んだりする動作方式を採用したが、このような方式をNビットプリフェッチ(N bits prefetch)動作という。このときのNは、最小バースト長と同じである。
前述したように、近年提案された半導体素子は、システムクロックの1周期に4個のデータが入出力できるように要求されており、このようなデータの高速入出力のために、8ビットプリフェッチ動作を採用する。単位セルから1つの読み出し命令に対応して出力される8個のデータは、それぞれ該当するセンスアンプ及びデータ入出力ラインを介して並列に伝達される。並列に伝達されたデータを1つのデータパッドを介して出力するために、これを直列化させなければならないが、このような動作を制御するために、半導体素子は複数のデータ入出力パッドのそれぞれに接続された複数のデータ出力回路を備える。
システム内の物理的損傷による場合でなければ、データ伝達のエラーは、普通、データを送信する側と受信する側との動作タイミングが合わないために発生する。低周波システムクロックに対応して動作する一般的な半導体素子とデータ処理装置との間のデータ伝達においては、動作マージンが十分であるため、信頼性が特に疑われなかったが、4Gbpsのような高い周波数を有するシステムクロックに対応して半導体素子及びデータ処理装置が動作する場合は、データ伝達のための動作マージンに余裕がなく、伝達されるデータの信頼性が大きく低下する可能性がある。また、半導体素子の動作速度が速くなり、データの入出力がシステムクロックの1周期に4個ずつ行われ、かつ、データの伝達が正確になされるかに対する信頼性を保障するための別途の装置及び方法が更に要求されている。このための具体的な方案のうちの1つとして、近年提案された半導体素子は、誤り検出符号EDC(Error Detection Code)(エラー検査符号)を出力するための別途のパッドを備える。誤り検出符号EDCを出力する目的は、読み出し又は書き込み動作において伝達されるデータのエラーを検査するためである。
データの伝達の信頼性を保障するために、近年提案されている半導体素子は、誤り検出符号EDCパッドを介して巡回冗長検査CRC(Cyclic Redundancy Check)(循環重複検査)用データを出力する。半導体素子が巡回冗長検査CRC用データを出力すると、データ処理装置がこれを受信してエラーがあるか否かを判別する。しかし、半導体素子の内部でどのような方法で巡回冗長検査CRC用データを出力するかと、読み出し及び書き込み動作において伝達されるデータにエラーが発生した場合、これをどのような方法で補正するかについては具体的に提示されていない。
本発明は、上記した従来の技術の問題を解決するためになされたものであって、その目的は、高速で動作する半導体素子において、データ伝達の信頼性を高め、動作モードに応じて誤り検出符号EDCを出力するパッドを介して巡回冗長検査CRC用データだけでなく、読み出し命令に対応して出力されるデータのためのデータストローブ信号を出力することにより、入出力の過程で歪み得るデータの信頼性を高めることができるようにする半導体素子を提供することにある。
そこで、上記の目的を達成するための本発明による半導体素子は、誤り検出のための巡回冗長検査CRC用データを出力するパッドを備えており、パッドを介して動作モードに応じて巡回冗長検査用データを出力するか、又は、読み出し命令に対応して出力されるデータとともに出力されるデータストローブ信号を出力することを特徴とする。
また、本発明による半導体素子は、入出力データ及び信号を伝達する複数のパッドと、該複数のパッドのうち、1つのパッドを介して誤り検出動作のための巡回冗長検査CRC用データを出力する第1の手段と、前記1つのパッドを介して読み出し命令に対応して出力されるデータとともに出力されるデータストローブ信号を出力する第2の手段とを備えることを特徴とする。
なお、本発明による半導体素子は、並列に入力される巡回冗長検査CRC用の8個のデータを受信して直列化した8個のデータの各ウィンドウの4倍のデータウィンドウを有する4個の連続するデータを出力したり、動作モードに応じてストローブ信号のための第1のパターン及び待機状態で出力する第2のパターンを出力する第1の直列化手段と、第1の直列化手段の出力を受信し、前記直列化した8個のデータの各ウィンドウの2倍のデータウィンドウを有する2個の連続する4個のデータを出力する第2の直列化手段と、該第2の直列化手段の出力を受信し、前記直列化したデータを出力する第3の直列化手段とを備えることを特徴とする。
以下、本発明の属する技術分野における通常の知識を有した者が、本発明の技術的思想を容易に実施できる程度に詳細に説明するために、本発明の最も好ましい実施形態を添付された図面を参照して説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体素子を説明するためのブロック図である。
同図に示すように、半導体素子は、誤り検出のための巡回冗長検査CRC用データを出力するパッドを備えており、パッドを介して動作モードに応じて、巡回冗長検査用データを出力するか、又は、読み出し命令に対応して出力されるデータとともに出力されるデータストローブ信号DQSを出力する。半導体素子は、上記パッドを介し、CRC用データまたはデータストローブ信号DQSを動作モードに応じて選択的に出力する。
一般的に、半導体素子は、入出力データ及び信号を伝達する複数のパッドを備えており、近年新たに提案される半導体素子は、高速で動作を行なうことにおいて、データ伝達の信頼性を高めるために、誤り検出符号EDCを出力するパッドを備えることが求められている。ここで、誤り検出符号EDCとしては、読み出し動作及び書き込み動作におけるエラーを検査する巡回冗長検査CRC用データが備えられており、巡回冗長検査CRC用データは、グローバルデータバスGI0を介して、前述したパッドに接続された出力回路に伝達される。
本発明の一実施形態に係る半導体素子は、誤り検出モード(error detection mode)(エラー検査モード)で動作する場合、誤り検出符号EDCを出力するパッドを介して巡回冗長検査CRC用データを出力し、ストローブモードで動作する場合、前述した誤り検出符号EDCを出力するパッドを介してデータストローブ信号DQSを出力する。ここで、データストローブ信号DQSは、クロック信号と同様に、読み出し命令に対応して出力されるデータとともにCAS遅延時間CLに対応して外部に出力されるトグル(toggling)信号である。
したがって、半導体素子は、誤り検出モードで誤り検出符号EDCを出力するパッドを介して読み出し動作及び書き込み動作の巡回冗長検査CRC用データを出力するデータパスと、待機状態の場合、既に設定されたパターン(EDC hold pattern)を出力するデータパスとを備える。一般的に、データを入出力するパッドを説明すると、データ入出力パッドでは読み出し動作の際、CAS遅延時間CLに対応してバースト長BL(Burst Length)に該当するデータを連続的に出力する。また、データを出力する前後の待機状態ではターミネーション回路によって決定されるが、新たに提案される本発明の半導体素子の場合、電源電圧レベルでターミネーション回路が構成されており、待機状態では論理ハイレベルを出力する。それに対し、誤り検出符号EDCパッドは、書き込み動作では書き込み巡回検査遅延時間CRCWL(Write CRC Latency)に対応して巡回冗長検査CRC用データを出力し、読み出し動作では読み出し巡回検査遅延時間CRCRL(Read CRC Latency )に対応してバースト長BLの分巡回冗長検査CRC用データを出力する。また、巡回冗長検査CRC用データを出力する前後の待機(standby)状態では、半導体素子内のモードレジスタに既に設定された4−bitのパターン(EDC hold pattern)が出力される。
ここで、書き込み巡回検査遅延時間CRCWLは、書き込み命令が印加された後、データが入力される書き込み遅延時間WL(Write Latency)後から巡回冗長検査CRC用データが出力されるまでに掛かる時間を定義したものであり、読み出し巡回検査遅延時間CRCRLは、読み出し命令が印加された後、データが出力されるCAS遅延時間CL後から巡回冗長検査CRC用データが出力されるまでに掛かる時間を定義したものである。例えば、CAS遅延時間CLが17であり、読み出し巡回検査遅延時間CRCRLが3であれば、読み出し動作の巡回冗長検査CRC用データは、読み出し命令が印加された後、20×tCK(17+3=20)が経た時点で出力される。
更に、本発明の一実施形態に係る半導体素子は、ストローブモードの際、誤り検出符号EDCパッドを介してデータストローブ信号DQSを出力する。ストローブモード信号RDQS_MODEが活性化されると、出力回路は、巡回冗長検査CRC用データを出力する代わりに、読み出し命令が印加された後、CAS遅延時間CLに対応して「1010」データパターンを出力する。このとき、「1010」データパターンに「1010」パターンのプリアンブルを加えて出力する。これにより、外部では半導体素子が誤り検出符号EDCパッドを介して「10101010」のようにトグルする信号であるデータストローブ信号DQSを出力するものと認識することができる。また、ストローブモードの場合、データストローブ信号DQSが出力される前には、モードレジスタに既に設定されたパターンと関係なく、ターミネーション(終端)回路に対応して論理ハイレベルを出力する。
図1に示すように、出力回路は、並列に入力される巡回冗長検査CRC用の8個のデータを直列化して4個の連続するデータを出力する第1の直列化部100Aと、第1の直列化部100Aの出力を受信して2個の連続するデータを出力する第2の直列化部100Bと、第2の直列化部100Bの出力を受信して直列化した8個のデータを出力する第3の直列化部100Cとを備える。ここで、第1の直列化部100Aは、半導体素子の動作モードに応じて互いに異なる信号を出力する。まず、誤り検出モードを実行した場合、第1の直列化部100Aは、並列に入力される巡回冗長検査CRC用の8個のデータを直列化して4個の連続するデータを出力し、巡回冗長検査CRC用の8個のデータを出力する前後の待機状態ではモードレジスタに既に設定されたパターンを第2の直列化部100Bに出力する。それに対し、ストローブモードを実行した場合、第1の直列化部100Aは、トグルするデータストローブ信号DQSを生成するための一定のパターンを出力し、データストローブ信号DQSの出力の前後の待機状態では、論理ハイレベルの信号を出力するようにする。
具体的に説明すると、第1の直列化部100Aは、ストローブモードではない誤り検出モードの場合、巡回冗長検査CRC用の8個のデータD0〜D7のうち、4個のデータD4〜D7の位相をパッドを介して出力される8個のデータの各データウィンドウUIの4倍4UIの分移動させる第1の位相移動部及び第2の位相移動部110A、110Bと、8個のデータのうち、別の4個のデータD0〜D3と第1の位相移動部及び第2の位相移動部110A、110Bの出力をマルチプレクスして4個の連続する2個のデータを出力する第1のマルチプレクサ及び第2のマルチプレクサ120A、120Bと、第1のマルチプレクサ及び第2のマルチプレクサ120A、120Bの出力をラッチする第1のラッチ部及び第2のラッチ部130A、130Bとを備える。ストローブモード信号RDQS_MODEが活性化されると、第1の位相移動部110Aは、論理ハイレベルの一定のパターンを出力し、第2の位相移動部110Bは、論理ローレベルの一定のパターンを出力する。
まず、誤り検出モードの場合、並列に入力される巡回冗長検査CRC用の8個のデータD0〜D7を第1の直列化部〜第3の直列化部100A〜100Cを介して直列化し、誤り検出符号EDCを出力するパッドを介して出力する過程を説明する。並列で伝達される8個のデータD0〜D7のうち、奇数番目のデータD0、D2、D4、D6は、第1のマルチプレクサ120Aにより2個ずつ組み合わされて直列化される。このために、まず、第1の位相移動部110Aは、奇数番目のデータのうち、2個のデータD4、D6を第1のマルチプレクサ及び第2のマルチプレクサ120A、120Bにより整列されるデータのウィンドウ4UIの分遅延して位相を移動させる。同様に、偶数番目のデータD1、D3、D5、D7に対しても第2の位相移動部110B及び第2のマルチプレクサ120Bを用いてデータを直列化して整列する。第1のマルチプレクサ及び第2のマルチプレクサ120A、120Bにより2個ずつ組み合わせられた4個のデータは、第1のラッチ部及び第2のラッチ部130A、130Bによりそれぞれラッチされる。ここで、第1の直列化部100A内の第1のラッチ部及び第2のラッチ部130A、130Bから出力される連続する2個のデータを含む4個のデータの各データウィンドウは、第3の直列化部100Cから出力される直列化した8個のデータの各ウィンドウの4倍4UIである。
また、第1のラッチ部及び第2のラッチ部130A、130Bから出力される4個のデータを受信する第2の直列化部100Bは、4個のデータのうち、2個のデータD2−D6、D3−D7を直列化した8個のデータの各データウィンドウの2倍2UIの分位相を移動させるための第3の位相移動部及び第4の位相移動部140A、140Bと、4個のデータのうち、他の2個のデータD0−D4、D1−D5と第3の位相移動部及び第4の位相移動部140A、140Bとの出力をマルチプレクスして2個の連続する4個のデータD0−D2−D4−D6、D1−D3−D5−D7を出力する第3のマルチプレクサ及び第4のマルチプレクサ150A、150Bと、第3のマルチプレクサ及び第4のマルチプレクサ150A、150Bの出力をラッチする第3のラッチ部及び第4のラッチ部160A、160Bとを備える。
具体的に説明すると、第3の位相移動部及び第4の位相移動部140A、140Bは、第1の直列化部100A内の第1のラッチ部及び第2のラッチ部130A、130Bから出力された4個のデータのうち、2個のデータD2−D6、D3−D7を、データクロックWCK、WCKBを1/2分周した分周クロックWCK/2、WCKB/2を用いて遅延する。ここで、データクロックWCK、WCKBは、直列化した8個のデータが出力されるのに基準として用いられるクロックであって、データクロックWCK、WCKBの1周期間、2個のデータが出力される。すなわち、直列化した巡回冗長検査CRC用の8個のデータのそれぞれのデータウィンドウU1は、データクロックWCK、WCKBの周期の半分に該当する。第3の位相移動部及び第4の位相移動部140A、140Bのそれぞれは周期が直列化した8個のデータのそれぞれのデータウィンドウUIの4倍になる分周クロックWCK/2、WCKB/2を用いて2個のデータD2−D6、D3−D7のそれぞれの位相を直列化した8個のデータのそれぞれのデータウィンドウUIの2倍の分遅延する。以後、第3のマルチプレクサ及び第4のマルチプレクサ150A、150Bのそれぞれは、第1のラッチ部及び第2のラッチ部130A、130Bから出力された4個のデータのうち、第3の位相移動部及び第4の位相移動部140A、140Bにより位相が遅延された2個のデータD2−D6、D3−D7を、他の2個のデータD0−D4、D1−D5をそれぞれ整列して2個の連続する4個のデータD0−D2−D4−D6、D1−D3−D5−D7を出力する。また、第3のラッチ部及び第4のラッチ部160A、160Bは、第3のマルチプレクサ及び第4のマルチプレクサ150A、150Bの出力をラッチし、第3の直列化部100Cに伝達する。
最後に、第3の直列化部100Cは、2個の連続する4個のデータD0−D2−D4−D6、D1−D3−D5−D7のうち、1個のデータD1−D3−D5−D7を直列化した8個のデータの各データウィンドウUIの分位相を移動させる第5の位相移動部170と、2個の連続する4個のデータD0−D2−D4−D6、D1−D3−D5−D7のうち、他の1個D0−D2−D4−D6と第5の位相移動部170の出力をマルチプレクスして直列化した巡回冗長検査CRC用の8個のデータD0−D1−D2−D3−D4−D5−D6−D7を出力する第5のマルチプレクサ180とを備える。
図1に示すように、データ出力回路は、読み出し命令に対応してデータ出力を活性化する読み出しデータ出力信号RDOUTENと、ストローブモード信号RDQS_MODEと、データ出力の基準になるデータクロックWCKの分周クロックWCK/2に対応して第1の直列化部100A内の第1の位相移動部及び第2の位相移動部110A、110Bを制御する第1の制御パルスPOUT_CL15Pと、第1のマルチプレクサ及び第2のマルチプレクサ120A、120Bを制御する第2の制御パルスPOUT_CL15と、第1のラッチ部及び第2のラッチ部130A、130Bを制御するデータ伝達信号DOFFBを出力する直列化制御部190とを更に備える。
一方、以下では、データストローブ信号DQSを誤り検出符号EDCパッドを介して外部に出力する場合の出力回路の動作を説明する。ストローブモード信号RDQS_MODEが活性化されると、直列化制御部190から出力される第1の制御パルスPOUT_CL15Pと関係なく、第1の位相移動部110Aは論理ハイレベル信号を出力し、第2の位相移動部110Bは論理ローレベル信号を出力する。このとき、直列化制御部190は、第1のマルチプレクサ及び第2のマルチプレクサ120A、120Bが、第1の位相移動部及び第2の位相移動部110A、110Bが出力する固定論理レベルの信号を伝達できるように第2の制御パルスPOUT_CL15が論理ローレベルを維持する。また、ストローブモード信号RDQS_MODEが活性化されると、直列化制御部190は読み出しデータ出力信号RDOUTENに対応してデータ伝達信号DOFFBを活性化し、これにより、データ伝達信号DOFFBは、誤り検出モードの場合より1tCK(システムクロックの1周期)だけ先に3tCK間、第1のラッチ部及び第2のラッチ部130A、130Bを活性化する。
以後、第1のラッチ部及び第2のラッチ部130A、130Bから出力された信号は、第2の直列化部100B内の第3の位相移動部及び第4の位相移動部140A、140Bと第3のマルチプレクサ及び第4のマルチプレクサ150A、150Bとを介して位相調整後直列化する。論理ハイレベル信号を受信する第3のマルチプレクサ150A及び論理ローレベル信号を受信する第4のマルチプレクサ150Bから出力された各信号は、直列化した巡回冗長検査CRC用の8個のデータD0-D1-D2−D3−D4−D5−D6−D7と同様に、第5のマルチプレクサ180を介して外部に出力される。このとき、第5のマルチプレクサ180は、論理ハイレベル信号と論理ローレベル信号とを交互に出力するようになり、このようにトグルされる出力信号はデータストローブ信号DQSとして用いることができる。
図2は、図1に示された半導体素子の動作を説明するタイミングチャートである。特に、誤り検出モードを実行する半導体素子内の出力回路の動作を、データクロックWCKと分周クロックWCK/2とを基準として説明する。また、図2は、分周クロックWCK/2の周波数がシステムクロックの周波数と同じであり、システムクロックの1周期tCK間、4個のデータを出力する本発明の半導体素子の場合を例に挙げている。
図示しているように、半導体素子は、読み出し命令が印加された後、CAS遅延時間CL及び読み出し巡回検査遅延時間CRCRLが経過した時点から直列化した巡回冗長検査CRC用の8個の連続するデータD0−D1−D2−D3−D4−D5−D6−D7を出力する。このとき、出力回路は、巡回冗長検査CRC用の8個のデータD0−D1−D2−D3−D4−D5−D6−D7の出力前後にモードレジスタに既に設定された4−bitのパターン(EDC hold pattern)を出力する。
具体的に説明すると、半導体素子の内部において、読み出し巡回検査遅延時間CRCRLより4tCK(システムクロックの4周期)の分早い時点で読み出し命令に対応する読み出しデータ出力信号RDOUTENが活性化される。以後、データ出力回路内の直列化制御部190は、読み出しデータ出力信号RDOUTENに対応して第1の直列化部100Aを制御する複数の信号を生成する。また、内部の単位セルから出力された巡回冗長検査CRC用の複数のデータD0〜D7は、CAS遅延時間CLより2.5tCKの分早い時点で出力回路に伝達される。
複数のデータD0〜D7は、並列にデータ出力回路に伝達される。出力回路は、並列に入力された巡回冗長検査CRC用の複数のデータD0〜D7を直列化して8個の連続するデータD0−D1−D2−D3−D4−D5−D6−D7を出力する。まず、直列化制御部190は、読み出しデータ出力信号RDOUTENに対応してCAS遅延時間CLより1.5tCKの分早い時点で第1の制御パルスPOUT_CL15Pを活性化する。第1の直列化部100A内の第1の位相移動部及び第2の位相移動部110A、110Bは、活性化された第1の制御パルスPOUT_CL15Pに対応して複数のデータD0〜D7のうち、4個のデータD4〜D7の位相を1tCK(4UI)の分遅延させる。
また、直列化制御部190は、第1の制御パルスPOUT_CL15Pのように、CAS遅延時間CLより1.5tCKの分早い時点で第2の制御パルスPOUT_CL15が論理ハイレベルに活性化する。このとき、第2の制御パルスPOUT_CL15の反転信号POUT_CL5Bは論理ローレベルを有する。第1のマルチプレクサ及び第2のマルチプレクサ120A、120Bは、第2の制御パルスPOUT_CL15及び第2の制御パルスPOUT_CL15の反転信号POUT_CL15Bに対応して並列に入力された4個のデータD0〜D3と、第1の位相移動部及び第2の位相移動部310A、310Bを介して位相が移動した別の4個のデータD4〜D7とを直列化する。第1のマルチプレクサ及び第2のマルチプレクサ120A、120Bを介して4個の連続する2個のデータD0−D4、D2−D6、D1−D5、D3−D7が生成された後、第1のラッチ部及び第2のラッチ部130A、130Bは、直列化制御部190から出力されたデータ伝達信号DOFFBに対応して4個のデータをそれぞれ第2の直列化部100Bに伝達する。
第2の直列化部100Bに伝達された4個のデータのうち、2個のデータD2−D6、D3−D7は、第3の位相移動部及び第4の位相移動部140A、140Bに入力されて0.5tCK(2UI)の分遅延される。その後、第3のマルチプレクサ及び第4のマルチプレクサ150A、150Bは、4個のデータ、すなわち、第3の位相移動部及び第4の位相移動部140A、140Bにより遅延された2個のデータと、第1のラッチ部及び第2のラッチ部130A、230Bから出力された遅延されていない2個のデータとを受信して2個のデータに直列化する。直列化した2個のデータは、それぞれ第3のラッチ部及び第4のラッチ部160A、160Bを介して第3の直列化部100Cに伝達される。特に、第3のラッチ部及び第4のラッチ部160A、160Bのそれぞれは、データクロックWCKの立下がりエッジに対応してCAS遅延時間CLの0.25tCK以前にデータを伝達する。図4に示すように、第3のマルチプレクサ及び第4のマルチプレクサ150A、150Bの入力端D0、D1、D2、D3に伝達された4個のデータD0−D4、D2−D6、D1−D5、D3−D7と第3のマルチプレクサ及び第4マルチプレクサ150A、150Bの出力端D4、D5における2個のデータD0−D2−D4−D6、D1−D3−D5−D7とを介して第2の直列化部100Bの動作を確認することができる。
第4のラッチ部160Bを介して第3の直列化部100Cに伝達されたデータD1−D3−D5−D7は、第5の位相移動部170に対応してUIだけ位相が遅延される。第3のラッチ部160Aを介して読み出し巡回検査遅延時間CRCRLより0.25tCK(データクロックWCKの半周期)の分前に、すなわち、データクロックWCKの立下がりエッジに同期して第5のマルチプレクサ180に伝達されると、伝達される1つのデータD0−D2−D4−D6、RDOは、第5のマルチプレクサ180によりデータクロックWCKの立上がりエッジに同期して出力され始める。それに対し、第5の位相移動部170を介して遅延された別の1つのデータD1−D3−D5−D7、FD0は、データクロックWCKの立上がりエッジに同期して第5のマルチプレクサ180に伝達された後、第5のマルチプレクサ190によりデータクロックWCKの立下がりエッジに同期して出力され始める。前述した過程によって、読み出し命令が印加された後、読み出し巡回検査遅延時間CRCRLが経過した時点から並列に伝達された巡回冗長検査CRC用の8個のデータD0〜D7がデータ出力回路によって直列化して連続的に出力される直列化した巡回冗長検査CRC用の8個のデータD0−D1−D2−D3−D4−D5−D6−D7に変換される。
図3は、図1に示された直列化制御部190を説明するブロック図である。
同図に示すように、直列化制御部190は、読み出しデータ出力信号RDOUTEN及び分周クロックWCK/2に対応して第1の制御パルスPOUT_CL15P、第2の制御パルスPOUT_CL15、POUT_CL15B、及びデータ伝達信号を出力する複数のフリップフロップ391、392、393と、第1のラッチ部ないし第3のラッチ部396、397、398とを備える。特に、第1のラッチ部396は、読み出しデータ出力信号RDOUTENに対応して第1の位相移動部及び第2の位相移動部110A、110Bを制御する第1の制御パルスPOUT_CL15Pを出力し、第2のラッチ部397は、第1のマルチプレクサ及び第2のマルチプレクサ120A、120Bを制御するデータクロックWCKの周期に2倍(1tCK)分の活性化期間を有する第2の制御パルスPOUT_CL15、POUT_CL15Bを出力する。最後に、データ伝達信号DOFFBは、データクロックの周期に4倍(2tCK)分の活性化期間を有し、第3のラッチ部398を介して出力される。
具体的に説明すると、読み出し命令が印加された後、読み出し巡回検査遅延時間CRCRLよりシステムクロックの4周期分早い時点(CL−4)で読み出しデータ出力信号RDOUTENが論理ハイレベルに活性化されると、複数のフリップフロップ391、392、393は、分周クロックWCK/2に対応して読み出しデータ出力信号RDOUTENを位相移動させる。読み出し巡回検査遅延時間CRCRLよりシステムクロックの2周期分早い時点CL−2で第2のフリップフロップ392の出力端N2は論理ハイレベルに遷移する。このとき、分周クロックWCK/2の第1のインバータ399_1により反転された時点(すなわち、分周クロックWCK/2の立下がりエッジ)で第1の論理積ゲート395_1は、第1の制御パルスPOUT_CL15Pを活性化する。このとき、第1の制御パルスPOUT_CL15Pは、データクロックWCKの周期分活性化期間を有する。
第2のフリップフロップ392の出力端(N2)が論理ハイレベルに遷移した後、第1のラッチ部396は、分周クロックWCK/2の立下がりエッジに対応して第2の制御パルスPOUT_CL15を生成する。それに対し、第2のフリップフロップ392の出力端N2を反転した第2のインバータ399_2の出力を受信した第2のラッチ部397は、分周クロックWCK/2の立下がりエッジに対応して第2の制御パルスPOUT_CL15の反転信号POUT_CL15Bを生成する。ここで、第2の制御パルスPOUT_CL15及び第2の制御パルスPOUT_CL15の反転信号POUT_CL15Bは、分周クロックWCK/2の立下がりエッジに対応して動作する第1のラッチ部及び第2のラッチ部396、397によって1tCK分の活性化期間を有することができる。
第2の制御パルスPOUT_CL15の活性化とともに、データ伝達信号DOFFBも分周クロックWCK/2の立下がりエッジに対応して動作する第3のラッチ部398により生成される。しかし、第3のラッチ部398は、第2のフリップフロップ及び第3のフリップフロップ392、393の出力を論理和ゲート394を介して受信することにより、第2の制御パルスPOUT_CL15より2倍の活性化期間を有するデータ伝達信号DOFFBを出力することができる。
それに対し、ストローブモード信号RDQS_MODEが活性化になり、読み出し巡回検査遅延時間CRCRLより3tCK分早い時点で第1のフリップフロップ391の出力が論理ハイレベルになると、第2の論理積ゲート395_2は論理ハイレベル信号を出力し、これに対応して第3のラッチ部398は誤り検出モードの場合より1tCK分更に早くデータ伝達信号DOFFBを活性化する。また、ストローブモード信号RDQS_MODEが活性化されると、第2のフリップフロップ392の出力に関係なく、否定論理和ゲート395_3は論理ローレベルを出力し、これにより、第1の制御パルスPOUT_CL15は論理ローレベルに非活性化になり、第1の制御パルスPOUT_CL15の反転信号POUT_CL15Bは論理ハイレベルに非活性化される。したがって、並列に伝達される巡回冗長検査CRC用データの伝達が遮断され、それぞれ第1の位相移動部及び第2の位相移動部110A、110Bで生成された論理ハイレベル及び論理ローレベル信号のみが第1のマルチプレクサ及び第2のマルチプレクサ120A、120Bを介して第1のラッチ部及び第2のラッチ部130A、130Bに伝達される。
図4は、ストローブモードが非活性化される場合、図3に示された直列化制御部190の動作を説明するタイミングチャートである。すなわち、ストローブモード信号RDQS_MODEが非活性化された場合、直列化制御部190から出力される信号の位相を説明する。
同図に示すように、直列化制御部190は、読み出しデータ出力信号RDOUTENに対応して分周クロックWCK/2を基準として複数の信号を生成している。まず、読み出しデータ出力信号RDOUTENが活性化されると、複数のフリップフロップ391、392、393を介して分周クロックWCK/2の周期の分位相を遅延させる(複数のフリップフロップ391、392、393の出力端N1、N2、N3を参照)。その後、分周クロックWCK/2の立下がりエッジに対応して直列化制御部190内の第1のラッチ部及び第2のラッチ部396、397は第1の制御パルス及び第2の制御パルスPOUT_CL15P、POUT_CL15/POUT_CL15Bを生成する。これとともに、論理和(OR)ゲート394は、第2のフリップフロップ及び第3のフリップフロップ391、392の出力に論理和演算を行って活性化期間が2倍である出力パルスを出力端N4を介して第3のラッチ部398に伝達し、第3のラッチ部398は、分周クロックWCK/2の立下がりエッジに対応して2tCK間、活性化されるデータ伝達信号DOFFBを出力する。
図5は、ストローブモードが活性化される場合、図3に示された直列化制御部190の動作を説明するタイミングチャートである。すなわち、ストローブモード信号RDQS_MODEが活性化された場合、直列化制御部190から出力される信号を説明する。
同図に示すように、読み出しデータ出力信号RDOUTENの活性化に対応して分周クロックWCK/2を基準として直列化制御部190内の第1のフリップフロップないし第3のフリップフロップ391〜393の出力が生成される。しかし、ストローブモード信号RDQS_MODEが論理ハイレベルに活性化された場合、第1のラッチ部396で生成される第1の制御パルスPOUT_CL15は論理ローレベルに非活性化され、第2のラッチ部397で生成される第1の制御パルスPOUT_CL15の反転信号POUT_CL15Bは論理ハイレベルに非活性化される。それに対し、読み出しデータ出力信号RDOUTENの活性化に対応して第1のフリップフロップ391が活性化される時点から3tCK間、第3のラッチ部398から出力されるデータ伝達信号DOFFBは活性化される。図5では、読み出しデータ出力信号RDOUTENが繰り返し的に活性化され、データ伝達信号DOFFBの活性化期間も連続的に続いていることを示している。
図6は、図1に示された第1の位相移動部及び第2の位相移動部110A、110Bを説明する回路図である。
同図に示すように、第1の位相移動部110Aは並列に入力される複数のデータD4、D6をそれぞれ位相移動させる複数の単位移動部110A_1を備え、単位移動部110A_1は、入力されるデータDを反転する第5のインバータ112A、第1の制御パルスPOUT_CL15Pに対応して第5のインバータ112Aの出力を伝達する伝送ゲート114A、伝送ゲート114Aの出力をラッチし、反転して出力するインバータラッチ118A、及びインバータラッチ118Aの出力をストローブモード信号RDQS_MODEに対応して伝達するマルチプレクサ119Aを備える。また、単位ラッチ部は、伝送ゲート114Aを制御するために、第1の制御パルスPOUT_CL15Pを反転する第6のインバータ116Aを更に備える。マルチプレクサ119Aは、ストローブモード信号RDQS_MODEが論理ローレベルに非活性化された場合、インバータラッチ118Aの出力(すなわち、位相が移動したデータ)を第1のマルチプレクサ120Aに出力するが、ストローブモード信号RDQS_MODEが論理ハイレベルに活性化された場合、論理ハイレベルVDD信号を第1のマルチプレクサ120Aに出力する。
また、図6を参照すると、第2の位相移動部110Bも第1の位相移動部110Aと類似した構成を備えている。ただし、並列に入力される複数のデータD5、D7を受信する第2の位相移動部110B内の複数の単位移動部110B_1に備えられたマルチプレクサ119Bが、ストローブモード信号RDQS_MODEが論理ローレベルに非活性化された場合、インバータラッチ118Bの出力(すなわち、位相が移動したデータ)を第2のマルチプレクサ120Bに出力するが、ストローブモード信号RDQS_MODEが論理ハイレベルに活性化になった場合、論理ローレベルVSS信号を第2のマルチプレクサ120Bに出力する点において相違がある。
図7は、図1に示された第1のラッチ部130Aを説明する回路図である。
同図に示すように、第1のラッチ部130Aは、第1のマルチプレクサ120Aから出力された複数の連続する2個のデータをラッチする複数の単位ラッチ部120A_1を備え、単位ラッチ部120A_1は、データ伝達信号DOFFBに対応して入力されるデータDを伝達するか、又は、ストローブモード信号RDQS_MODE及びモードレジスタから伝達された既に設定されたパターンHOLD_PATTERNを出力するマルチプレクサ132、マルチプレクサ132の出力を直列化した8個のデータの各データウィンドウの4倍分の間隔で伝達する伝送ゲート134、及び伝送ゲート134の出力をラッチし、出力するインバータラッチ136を備える。入力されるストローブモード信号RDQS_MODE及びモードレジスタから伝達された既に設定されたパターンHOLD_PATTERNは、論理和ゲート131を介してマルチプレクサ132に伝達される。
ここで、マルチプレクサ132は、データ伝達信号DOFFBが論理ハイレベルである場合、第1のマルチプレクサ120Aを介して入力されるデータDを伝送ゲート134に伝達するが、データ伝達信号DOFFBが論理ローレベルである場合(すなわち、誤り検出モード及びストローブモードのそれぞれの待機状態)、入力されるデータDのレベルに関係なく、ストローブモードである場合、論理ハイレベルを伝送ゲート134に伝達し、誤り検出モードである場合、モードレジスタから伝達された既に設定されたパターンHOLD_PATTERNを出力する。また、インバータラッチ136もセット信号SETBによりリセットされる。セット信号SETBが論理ローレベルに活性化されると、インバータラッチ136は、伝送ゲート134の出力と関係なく、論理ハイレベルの値を受信して出力する。
図8は、図1に示された第5の位相移動部170を説明する回路図である。
同図に示すように、第5の位相移動部170は、データクロックWCKに対応して第4のラッチ部160Bから出力されるデータD6の位相を移動させたり、テスト動作時又はトレーニング動作時に、システムクロック又はデータクロックWCKと同期しない任意のデータを出力する。
具体的に説明すると、第5の位相移動部170は、データクロックWCKに同期してデータを反転するデータ反転部172と、テスト動作時又は前記トレーニング動作時に、任意のデータを出力する非同期データ生成部174と、データ反転部172及び非同期データ生成部174の出力をラッチし、反転信号を出力するインバータラッチ176とを備える。データ反転部172は、データクロックWCKの立上がりエッジに同期して入力されるデータD6を反転して伝達し、インバータラッチ176は、データ反転部172から伝達されたデータを反転して第5のマルチプレクサ180に出力する。第5の位相移動部170からデータクロックWCKの立上がりエッジに同期して出力され始めるデータを受信して第5のマルチプレクサ180は、データクロックWCKの立下がりエッジに対応して外部に出力する。
それに対し、内部から伝達されたデータを出力しないテスト動作又はトレーニング動作の場合、非同期可能信号ASYNC_EN及び非同期開始信号ASYNC_DOを活性化して第5の位相移動部170が任意のデータを出力できるようにする。このとき、データクロックWCKは、論理ローレベルに非活性化する。
本発明の一実施形態に係る半導体素子の動作方法は、誤り検出のための巡回冗長検査CRC用データを出力するパッドを介して前記巡回冗長検査用データを出力する第1のステップと、動作モードに応じて前記パッドを介して読み出し命令に対応して出力されるデータとともに出力されるデータストローブ信号を出力する第2のステップとを含む。ここで、第1のステップは、半導体素子が誤り検出モードを実行することを意味し、第2のステップは、ストローブモードを実行することを意味する。
具体的に説明すると、第1のステップは、並列に入力される巡回冗長検査CRC用の8個のデータを4個の連続するデータとして出力したり、待機状態の場合、モードレジスタに既に設定されたパターンHOLD_PATTERNを出力する第1の直列化ステップと、4個の連続するデータを2個の連続するデータとして出力する第2の直列化ステップと、2個の連続するデータを直列化して、前記巡回冗長検査用データとして出力する第3の直列化ステップとを含む。それに対し、第2のステップは、ストローブモード信号RDQS_MODEに対応して一定のパターンを直列化して出力する第1の直列化ステップと、第1の直列化ステップの出力を2個の連続するデータとして出力する第2の直列化ステップと、2個の連続するデータを直列化してトグルする前記データストローブ信号を出力する第3の直列化ステップとを含む。ここで、第1の直列化ステップの出力は、巡回冗長検査用データの各ウィンドウの4倍の有効ウィンドウを有し、第2の直列化ステップの出力は、巡回冗長検査用データの各ウィンドウの2倍の有効ウィンドウを有する。
特に、第1の直列化ステップは、半導体素子が誤り検出モードを実行する場合、並列に入力される8個のデータD0〜D7のうち、4個のデータの位相を巡回冗長検査用データの各データウィンドウの4倍分移動させるか、又は待機状態の場合、既に設定されたパターンHOLD_PATTERNを生成するステップと、8個のデータのうち、別の4個のデータと前記位相移動した4個のデータとをマルチプレクスして前記4個の連続するデータを出力するステップと、4個の連続するデータをラッチするステップとを含む。しかし、半導体素子が誤り検出モードではない、ストローブモードを実行する場合、巡回冗長検査用データ及び既に設定されたパターンの代わりに、自体生成した論理ハイレベル及び論理ローレベルの一定のパターン信号を出力してトグルリングするデータストローブ信号DQSを生成し、待機状態の場合、論理ハイレベルを出力する。また、テスト動作時又はトレーニング動作時、第3の直列化ステップは、システムクロックと同期しない任意のデータを外部に出力するステップを含む。
前述したように、本発明の一実施形態に係る半導体素子内の出力回路は、書き込み動作及び読み出し動作に用いられるデータにエラーがあるか否かを外部のデータ処理装置が判断できるように、巡回冗長検査CRC用データを誤り検出符号EDCパッドを介して出力することができる。また、半導体素子は、必要に応じて、読み出し動作時に出力されるデータとともに出力されるデータストローブ信号DQSを、前述した誤り検出符号EDCパッドを介して出力することができるため、データ伝達の信頼性を高めることができる。このような動作を介して高い周波数のシステムクロック及びデータクロックに対応するデータ出力が可能になった。特に、データの入出力の速さがを重要視されるグラフィック用半導体素子の場合、高い周波数のシステムクロックに対応する動作が可能になるにしたがって製品の競争力が向上する。
また、本発明は、半導体素子内の出力回路を一例に挙げて説明したが、複数の並列に入力されるデータを直列化して出力するための通信及びネットワーク装備にも活用が可能である。出力回路は、データ伝達のためのネットワーク装置でも特定ポートを介して誤り検出のための巡回冗長検査CRC用データを伝達するだけでなく、データとともにストローブ信号を出力することができ、伝達される有効なデータが歪みなく伝達され得るように保障することができる。
本発明は、新たに提案された半導体素子において、誤り検出符号EDCを出力するパッドを介して巡回冗長検査CRC用データを出力できるようにして、高速でなされるデータの入出力過程におけるデータ伝達の信頼性を高めることができるという長所がある。
また、本発明は、動作モードに応じて誤り検出符号EDCを出力するパッドを介して従来のデータストローブ信号のように、読み出し動作に対応して出力されるデータとともに出力されるデータストローブ信号を出力するようにし、伝達されるデータの信頼性を高めることができるという長所がある。また、本発明は、動作モードに応じて1つのパッドを介して巡回冗長検査CRC用データとデータストローブ信号とを備える様々な信号を出力できるようにして、パッド数及び全体面積を減らすことができるという長所がある。
以上で説明した本発明は、上記の実施形態及び添付された図面によって限定されるものではなく、本発明に係る技術的思想から逸脱しない範囲内で様々な置換、変形、及び変更が可能であるということが、本発明の属する技術分野における通常の知識を有した者において明白であろう。
Claims (18)
- 誤り検出のための巡回冗長検査用データを出力するパッドを備え、
該パッドを介し、動作モードに応じて、前記巡回冗長検査用データを出力するか、又は読み出し命令に対応して出力されるデータとともに出力されるデータストローブ信号を出力することを特徴とする半導体素子。 - 前記動作モードのうちの誤り検出モードを実行する場合、前記パッドを介して、書き込み誤り検出モード時に書き込み動作のための巡回冗長検査用データを出力し、前記パッドを介して、読み出し誤り検出モード時に読み出し動作のための巡回冗長検査用データを出力し、前記誤り検出モードのうち待機状態では、前記パッドを介して、モードレジスタに設定されたパターンデータを出力することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記動作モードのうちのストローブ出力モードを実行する場合、前記パッドを介して、前記読み出し命令に対応して出力されるデータとともに出力されるデータストローブ信号を出力し、前記ストローブ出力モードのうち待機状態では、前記パッドを介して、論理ハイレベルの信号を出力することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記書き込み動作のための巡回冗長検査用データと、前記読み出し動作のための巡回冗長検査用データと、前記モードレジスタに設定されたパターンデータとが、グローバルデータラインを介して前記パッドに接続された出力回路に並列に伝達されることを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体素子。
- 前記出力回路が、
前記誤り検出モードの際に並列に伝達される8個のデータを直列化して4個の連続するデータを出力するか、又は前記パターンデータを出力し、前記ストローブ出力モードの際に、前記4個のデータの代わりに前記データストローブ信号を生成するための一定のパターンを出力する第1の直列化手段と、
該第1の直列化手段の出力を受信し、2個の連続するデータを出力する第2の直列化手段と、
前記第2の直列化手段の出力を受信し、直列化したデータを出力する第3の直列化手段と
を備えることを特徴とする請求項4に記載の半導体素子。 - 前記第1の直列化手段の出力のそれぞれが、前記直列化したデータの各ウィンドウの4倍の有効ウィンドウを有することを特徴とする請求項5に記載の半導体素子。
- 前記第1の直列化手段が、
前記誤り検出モード時に、並列に伝達される8個のデータのうち、4個のデータを位相移動し、前記ストローブ出力モード時に、前記4個のデータの代わりに前記一定のパターンを出力する位相移動部と、
前記8個のデータのうち、別の4個のデータと前記位相移動部との出力をマルチプレクスして、前記4個の連続するデータを出力するマルチプレクサと、
該マルチプレクサの出力をラッチするか、又は前記誤り検出モードのうち、待機状態では前記パターンデータを出力するラッチ部と
を備えることを特徴とする請求項6に記載の半導体素子。 - 前記読み出し命令又は前記ストローブ出力モードに対応して、前記位相移動部、前記マルチプレクサ、及び前記ラッチ部を制御する直列化制御部を更に備えることを特徴とする請求項7に記載の半導体素子。
- 前記第2の直列化手段の出力が、前記直列化したデータの各ウィンドウの2倍の有効ウィンドウを有することを特徴とする請求項5に記載の半導体素子。
- 入出力データ及び信号を伝達する複数のパッドと、
該複数のパッドのうち、1つのパッドを介して誤り検出動作のための巡回冗長検査用データを出力する第1の手段と、
前記1つのパッドを介して読み出し命令に対応して出力されるデータとともに出力されるデータストローブ信号を出力する第2の手段と
を備えることを特徴とする半導体素子。 - 前記第1の手段が、複数のグローバルデータラインを介して並列に伝達された前記巡回冗長検査用データを直列化した後、前記データを前記1つのパッドを介して出力することを特徴とする請求項10に記載の半導体素子。
- 前記第1の手段が、待機状態の際、前記巡回冗長検査用データの代わりにモードレジスタに既に設定された誤り検出用パターンデータを前記1つのパッドを介して出力することを特徴とする請求項11に記載の半導体素子。
- 前記第2手段が、ストローブモード時に、前記巡回冗長検査用データの代わりにCAS遅延時間に対応してトグルする前記データストローブ信号を内部で自体生成する位相移動部を備え、位相移動部は前記1つのパッドを介して出力することを特徴とする請求項10に記載の半導体素子。
- 並列に入力される巡回冗長検査用の8個のデータを受信して直列化した8個のデータの各ウィンドウの4倍のデータウィンドウを有する4個の連続するデータを出力したり、動作モードに応じてストローブ信号のための第1のパターン及び待機状態で出力する第2のパターンを出力する第1の直列化手段と、
該第1の直列化手段の出力を受信し、前記直列化した8個のデータの各ウィンドウの2倍のデータウィンドウを有する2個の連続する4個のデータを出力する第2の直列化手段と、
該第2の直列化手段の出力を受信し、前記直列化したデータを出力する第3の直列化手段と
を備えることを特徴とする半導体素子。 - 前記第1の直列化手段が、
前記動作モードに応じて前記プリアンブルデータを出力した後、前記8個のデータのうち、4個のデータの位相を前記直列化したデータの各データウィンドウの4倍分移動させたり、前記第1のパターンの一部を出力する位相移動部と、
前記8個のデータのうち、別の4個のデータと前記位相移動部との出力をマルチプレクスして前記4個の連続するデータを出力するマルチプレクサと、
該マルチプレクサの出力をラッチして伝達したり、モードレジスタから伝達された前記第2のパターンを出力するラッチ部と
を備えることを特徴とする請求項14に記載の半導体素子。 - データ出力の基準となるデータクロックを基に、データ伝達を活性化するデータイネーブル信号及び前記動作モードを決定するための信号に対応して前記第1の直列化手段を制御する直列化制御部を更に備えることを特徴とする請求項15に記載の半導体素子。
- 前記直列化制御部が、
前記読み出しデータ出力信号に対応して前記位相移動部を制御するための第1の制御パルスを生成する第1のラッチと、
前記マルチプレクサを制御するために、前記データクロックの周期に2倍分の活性化期間を有するか、又は前記動作モードによる活性化期間を有する第2の制御パルスを生成する第2のラッチと、
前記ラッチ部を制御するために、前記データクロックの周期に4倍分の活性化期間を有するか、又は前記動作モードによる活性化期間を有するデータ伝達信号を出力する第3のラッチと
を備えることを特徴とする請求項16に記載の半導体素子。 - テスト動作時又はトレーニング動作時、前記第3の直列化手段がシステムクロックと同期しない任意のデータを外部に出力することを特徴とする請求項14に記載の半導体素子。
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