JP2012123128A - 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 - Google Patents

露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】複数の光ビーム照射装置からの複数の光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する際、空間的光変調器のミラーの動作角度のばらつきによる光ビームの回折光の強度分布のばらつきを補正して、描画品質を向上させる。
【解決手段】チャックと、光ビームを供給する照明光学系20c、二方向に配列した複数のミラーの角度を変更して光ビームを変調する空間的光変調器25、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路27、及び空間的光変調器25により変調された光ビームを照射する照射光学系20bを有する複数の光ビーム照射装置20とを、相対的に移動し、複数の光ビーム照射装置からの複数の光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する。各光ビーム照射装置の空間的光変調器のミラーの動作角度のばらつきに応じて、各光ビーム照射装置の空間的光変調器へ供給する光ビームの入射角度を調節する。
【選択図】図4

Description

本発明は、液晶ディスプレイ装置等の表示用パネル基板の製造において、フォトレジストが塗布された基板へ光ビームを照射し、光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置、露光方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に係り、特に複数の光ビーム照射装置を用い、複数の光ビームにより基板の走査を行う露光装置、露光方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に関する。
表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のTFT(Thin Film Transistor)基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機EL(Electroluminescence)表示パネル用基板等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術により基板上にパターンを形成して行われる。露光装置としては、従来、レンズ又は鏡を用いてマスクのパターンを基板上に投影するプロジェクション方式と、マスクと基板との間に微小な間隙(プロキシミティギャップ)を設けてマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ方式とがあった。
近年、フォトレジストが塗布された基板へ光ビームを照射し、光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置が開発されている。光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを直接描画するため、高価なマスクが不要となる。また、描画データ及び走査のプログラムを変更することにより、様々な種類の表示用パネル基板に対応することができる。この様な露光装置として、例えば、特許文献1、特許文献2、及び特許文献3に記載のものがある。
特開2010−44318号公報 特開2010−60990号公報 特開2010−102084号公報
光ビームにより基板にパターンを描画する際、光ビームの変調には、DMD(Digital Micromirror Device)等の空間的光変調器が用いられる。DMDは、光ビームを反射する複数の微小なミラーを直交する二方向に配列して構成され、駆動回路が描画データに基づいて各ミラーの角度を変更することにより、照明光学系から供給された光ビームを変調する。空間的光変調器により変調された光ビームは、光ビーム照射装置の投影レンズを含む照射光学系から基板へ照射される。
液晶ディスプレイ装置等の表示用パネル基板の製造においては、露光領域が広いため、1つの光ビーム照射装置を用い、一本の光ビームにより基板全体を走査すると、基板全体の走査に時間が掛かり、タクトタイムが長くなる。タクトタイムを短縮するためには、複数の光ビーム照射装置を用い、複数の光ビームにより基板の走査を並行して行う必要がある。
DMDのミラーの動作角度には、DMD毎に公差によるばらつきがある。DMDのミラーの動作角度が異なると、DMDのミラーで反射されて投影レンズ等の照射光学系を透過する光ビームの光路がずれ、光ビームの回折光の強度分布が変化する。複数の光ビーム照射装置を用い、複数の光ビームにより基板の走査を行う場合、各光ビーム照射装置から基板へ照射される光ビームの回折光の強度分布にばらつきがあると、解像性能のばらつきとなり、パターンの描画が均一に行われず、描画品質が低下するという問題がある。
本発明の課題は、複数の光ビーム照射装置からの複数の光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する際、空間的光変調器のミラーの動作角度のばらつきによる光ビームの回折光の強度分布のばらつきを補正して、描画品質を向上させることである。また、本発明の課題は、高品質な表示用パネル基板を製造することである。
本発明の露光装置は、フォトレジストが塗布された基板を支持するチャックと、光ビームを供給する照明光学系、二方向に配列した複数のミラーの角度を変更して光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を有する複数の光ビーム照射装置と、チャックと複数の光ビーム照射装置とを相対的に移動する移動手段とを備え、移動手段によりチャックと複数の光ビーム照射装置とを相対的に移動し、複数の光ビーム照射装置からの複数の光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置であって、各光ビーム照射装置が、各光ビーム照射装置の空間的光変調器のミラーの動作角度のばらつきに応じて、各光ビーム照射装置の空間的光変調器へ供給される光ビームの入射角度を調節する調節手段を有するものである。
また、本発明の露光方法は、フォトレジストが塗布された基板をチャックで支持し、チャックと、光ビームを供給する照明光学系、二方向に配列した複数のミラーの角度を変更して光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を有する複数の光ビーム照射装置とを、相対的に移動し、複数の光ビーム照射装置からの複数の光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光方法であって、各光ビーム照射装置の空間的光変調器のミラーの動作角度のばらつきに応じて、各光ビーム照射装置の空間的光変調器へ供給する光ビームの入射角度を調節するものである。
各光ビーム照射装置の空間的光変調器のミラーの動作角度のばらつきに応じて、各光ビーム照射装置の空間的光変調器へ供給する光ビームの入射角度を調節するので、空間的光変調器のミラーの動作角度にばらつきがあっても、空間的光変調器のミラーで反射されて照射光学系へ供給される光ビームの光路が同じになる。従って、空間的光変調器のミラーの動作角度のばらつきによる光ビームの回折光の強度分布のばらつきが補正され、描画品質が向上する。
さらに、本発明の露光装置は、各光ビーム照射装置の照明光学系が、光ビームを反射して、反射光を各光ビーム照射装置の空間的光変調器へ供給するミラーを有し、各光ビーム照射装置の調節手段が、各光ビーム照射装置の空間的光変調器のミラーの動作角度のばらつきに応じて、各光ビーム照射装置の照明光学系のミラーの角度を変更する第1の手段と、当該ミラーの角度に応じて、当該ミラーの位置を変更する第2の手段とを有するものである。
また、本発明の露光方法は、各光ビーム照射装置の照明光学系において、光ビームをミラーで反射して、反射光を各光ビーム照射装置の空間的光変調器へ供給し、各光ビーム照射装置の空間的光変調器のミラーの動作角度のばらつきに応じて、各光ビーム照射装置の照明光学系のミラーの角度を変更し、当該ミラーの角度に応じて、当該ミラーの位置を変更して、各光ビーム照射装置の空間的光変調器へ供給する光ビームの入射角度を調節するものである。
各光ビーム照射装置の照明光学系において、光ビームをミラーで反射して、反射光を各光ビーム照射装置の空間的光変調器へ供給し、各光ビーム照射装置の空間的光変調器のミラーの動作角度のばらつきに応じて、各光ビーム照射装置の照明光学系のミラーの角度を変更し、当該ミラーの角度に応じて、当該ミラーの位置を変更するので、照明光学系全体を傾斜させる必要がなく、簡単な構成で、入射角度の異なる光ビームが空間的光変調器へ供給される。
さらに、本発明の露光装置は、各光ビーム照射装置の照明光学系が、光ビームを集光して各光ビーム照射装置の照明光学系のミラーへ供給する光学部品を有し、第2の手段が、各光ビーム照射装置の照明光学系のミラーの角度に応じて、各光ビーム照射装置の照明光学系全体を移動して、当該ミラーの位置を変更するものである。
また、本発明の露光方法は、各光ビーム照射装置の照明光学系において、光ビームを光学部品で集光して各光ビーム照射装置の照明光学系のミラーへ供給し、各光ビーム照射装置の照明光学系のミラーの角度に応じて、各光ビーム照射装置の照明光学系全体を移動して、当該ミラーの位置を変更するものである。
各光ビーム照射装置の照明光学系において、光ビームをレンズ等の光学部品で集光して各光ビーム照射装置の照明光学系のミラーへ供給する場合、照明光学系のミラーの位置を単独で変更すると、照明光学系内で光ビームの光路長が変わり、レンズ等の光学部品で集光された光ビームの焦点がずれる。各光ビーム照射装置の照明光学系のミラーの角度に応じて、各光ビーム照射装置の照明光学系全体を移動して、当該ミラーの位置を変更するので、レンズ等の光学部品で集光された光ビームの焦点がずれることなく、入射角度の異なる光ビームが空間的光変調器へ供給される。
本発明の表示用パネル基板の製造方法は、上記のいずれかの露光装置又は露光方法を用いて基板の露光を行うものである。上記の露光装置又は露光方法を用いることにより、空間的光変調器のミラーの動作角度のばらつきによる光ビームの回折光の強度分布のばらつきが補正され、描画品質が向上するので、高品質な表示用パネル基板が製造される。
本発明の露光装置及び露光方法によれば、各光ビーム照射装置の空間的光変調器のミラーの動作角度のばらつきに応じて、各光ビーム照射装置の空間的光変調器へ供給する光ビームの入射角度を調節することにより、空間的光変調器のミラーの動作角度のばらつきによる光ビームの回折光の強度分布のばらつきを補正して、描画品質を向上させることができる。
さらに、本発明の露光装置及び露光方法によれば、各光ビーム照射装置の照明光学系において、光ビームをミラーで反射して、反射光を各光ビーム照射装置の空間的光変調器へ供給し、各光ビーム照射装置の空間的光変調器のミラーの動作角度のばらつきに応じて、各光ビーム照射装置の照明光学系のミラーの角度を変更し、当該ミラーの角度に応じて、当該ミラーの位置を変更することにより、簡単な構成で、入射角度の異なる光ビームを空間的光変調器へ供給することができる。
さらに、本発明の露光装置及び露光方法によれば、各光ビーム照射装置の照明光学系において、光ビームを光学部品で集光して各光ビーム照射装置の照明光学系のミラーへ供給し、各光ビーム照射装置の照明光学系のミラーの角度に応じて、各光ビーム照射装置の照明光学系全体を移動して、当該ミラーの位置を変更することにより、光学部品で集光された光ビームの焦点をずらすことなく、入射角度の異なる光ビームを空間的光変調器へ供給することができる。
本発明の表示用パネル基板の製造方法によれば、空間的光変調器のミラーの動作角度のばらつきによる光ビームの回折光の強度分布のばらつきを補正して、描画品質を向上させることができるので、高品質な表示用パネル基板を製造することができる。
本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。 本発明の一実施の形態による露光装置の側面図である。 本発明の一実施の形態による露光装置の正面図である。 本発明の一実施の形態による露光装置の光ビーム照射装置の概略構成を示す図である。 DMDのミラー部の一例を示す図である。 レーザー測長系の動作を説明する図である。 描画制御部の概略構成を示す図である。 図8(a)はミラーホルダの側面図、図8(b)はミラーホルダの背面図である。 XYステージの斜視図である。 本発明の一実施の形態による露光方法を説明する図である。 本発明の一実施の形態による露光方法を説明する図である。 本発明の一実施の形態による露光方法を説明する図である。 光ビームによる基板の走査を説明する図である。 光ビームによる基板の走査を説明する図である。 光ビームによる基板の走査を説明する図である。 光ビームによる基板の走査を説明する図である。 液晶ディスプレイ装置のTFT基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。 液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。
図1は、本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。また、図2は本発明の一実施の形態による露光装置の側面図、図3は本発明の一実施の形態による露光装置の正面図である。露光装置は、ベース3、Xガイド4、Xステージ5、Yガイド6、Yステージ7、θステージ8、チャック10、ゲート11、光ビーム照射装置20、リニアスケール31,33、エンコーダ32,34、レーザー測長系、レーザー測長系制御装置40、ステージ駆動回路60、及び主制御装置70を含んで構成されている。なお、図2及び図3では、レーザー測長系のレーザー光源41、レーザー測長系制御装置40、ステージ駆動回路60、及び主制御装置70が省略されている。露光装置は、これらの他に、基板1をチャック10へ搬入し、また基板1をチャック10から搬出する基板搬送ロボット、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えている。
なお、以下に説明する実施の形態におけるXY方向は例示であって、X方向とY方向とを入れ替えてもよい。
図1及び図2において、チャック10は、基板1の受け渡しを行う受け渡し位置にある。受け渡し位置において、図示しない基板搬送ロボットにより基板1がチャック10へ搬入され、また図示しない基板搬送ロボットにより基板1がチャック10から搬出される。チャック10は、基板1の裏面を真空吸着して支持する。基板1の表面には、フォトレジストが塗布されている。
基板1の露光を行う露光位置の上空に、ベース3をまたいでゲート11が設けられている。ゲート11には、複数の光ビーム照射装置20が搭載されている。なお、本実施の形態は、8つの光ビーム照射装置20を用いた露光装置の例を示しているが、光ビーム照射装置の数はこれに限らず、本発明は2つ以上の光ビーム照射装置を用いた露光装置に適用される。
図4は、本発明の一実施の形態による露光装置の光ビーム照射装置の概略構成を示す図である。光ビーム照射装置20は、照射光学系20b、照明光学系20c、光ファイバー22、DMD(Digital Micromirror Device)25、DMD駆動回路27、第1プリズム51、第2プリズム52、ミラーホルダ54、及びXYステージ55を含んで構成されている。照射光学系20bは、投影レンズ26を含んで構成されている。また、照明光学系20cは、コリメーションレンズ23a、フライアイレンズ23b、コンデンサレンズ23c、及びミラー24a,24bを含んで構成されている。
光ファイバー22は、レーザー光源ユニット21から発生された紫外光の光ビームを、照明光学系20c内へ導入する。光ファイバー22から射出された光ビームは、コリメーションレンズ23aへ入射し、コリメーションレンズ23aを透過して平行光線束と成る。コリメーションレンズ23aを透過した光は、フライアイレンズ23bへ入射する。なお、フライアイレンズ23bの代わりにロッドレンズ等を用いてもよい。フライアイレンズ23bを透過した光ビームは、コンデンサレンズ23cにより集光され、ミラー24a,24bで反射されて、照明光学系20cから第1プリズム51へ入射する。なお、コンデンサレンズ23cの代わりに、凹面鏡等の他の光学部品を用いてもよい。
第1プリズム51には、第2プリズム52の斜面に平行な斜面と、反射膜をコーティングした反射面51aとが設けられている。第1プリズム51へ入射した光は、第1プリズム51の斜面で反射されて反射面51aへ照射され、反射面51aで反射されて、第1プリズム51の斜面から第2プリズム52の斜面へ入射する。第2プリズム52の斜面へ入射した光は、第2プリズム52を透過して、DMD25へ照射される。
DMD25は、光ビームを反射する複数の微小なミラーを直交する二方向に配列して構成された空間的光変調器であり、各ミラーの角度を変更して光ビームを変調する。DMD駆動回路27は、主制御装置70から供給された描画データに基づいて、DMD25の各ミラーの角度を変更する。DMD25により変調された光ビームは、再び第2プリズム52へ入射し、第2プリズム52の斜面で反射されて、第2プリズム52から投影レンズ26を含む照射光学系20bへ入射する。照射光学系20bへ入射した光ビームは、照射光学系20bから基板1へ照射される。
図2及び図3において、チャック10は、θステージ8に搭載されており、θステージ8の下にはYステージ7及びXステージ5が設けられている。Xステージ5は、ベース3に設けられたXガイド4に搭載され、Xガイド4に沿ってX方向へ移動する。Yステージ7は、Xステージ5に設けられたYガイド6に搭載され、Yガイド6に沿ってY方向へ移動する。θステージ8は、Yステージ7に搭載され、θ方向へ回転する。Xステージ5、Yステージ7、及びθステージ8には、ボールねじ及びモータや、リニアモータ等の図示しない駆動機構が設けられており、各駆動機構は、図1のステージ駆動回路60により駆動される。
θステージ8のθ方向への回転により、チャック10に搭載された基板1は、直交する二辺がX方向及びY方向へ向く様に回転される。Xステージ5のX方向への移動により、チャック10は、受け渡し位置と露光位置との間を移動される。露光位置において、Xステージ5のX方向への移動により、各光ビーム照射装置20の照射光学系20bから照射された光ビームが、基板1をX方向へ走査する。また、Yステージ7のY方向への移動により、各光ビーム照射装置20の照射光学系20bから照射された光ビームによる基板1の走査領域が、Y方向へ移動される。図1において、主制御装置70は、ステージ駆動回路60を制御して、θステージ8のθ方向へ回転、Xステージ5のX方向への移動、及びYステージ7のY方向への移動を行う。
図5は、DMDのミラー部の一例を示す図である。光ビーム照射装置20のDMD25は、光ビーム照射装置20からの光ビームによる基板1の走査方向(X方向(図5の図面奥行き方向))と垂直なZ方向に対して、所定の角度θだけ傾いて配置されている。DMD25を、Z方向に対して傾けて配置すると、直交する二方向に配列された複数のミラー25aのいずれかが、隣接するミラー25a間の隙間に対応する箇所をカバーするので、パターンの描画を隙間無く行うことができる。
なお、本実施の形態では、Xステージ5によりチャック10をX方向へ移動することによって、光ビーム照射装置20からの光ビームによる基板1の走査を行っているが、光ビーム照射装置20を移動することにより、光ビーム照射装置20からの光ビームによる基板1の走査を行ってもよい。また、本実施の形態では、Yステージ7によりチャック10をY方向へ移動することによって、光ビーム照射装置20からの光ビームによる基板1の走査領域を変更しているが、光ビーム照射装置20を移動することにより、光ビーム照射装置20からの光ビームによる基板1の走査領域を変更してもよい。
図1及び図2において、ベース3には、X方向へ伸びるリニアスケール31が設置されている。リニアスケール31には、Xステージ5のX方向への移動量を検出するための目盛が付けられている。また、Xステージ5には、Y方向へ伸びるリニアスケール33が設置されている。リニアスケール33には、Yステージ7のY方向への移動量を検出するための目盛が付けられている。
図1及び図3において、Xステージ5の一側面には、リニアスケール31に対向して、エンコーダ32が取り付けられている。エンコーダ32は、リニアスケール31の目盛を検出して、パルス信号を主制御装置70へ出力する。また、図1及び図2において、Yステージ7の一側面には、リニアスケール33に対向して、エンコーダ34が取り付けられている。エンコーダ34は、リニアスケール33の目盛を検出して、パルス信号を主制御装置70へ出力する。主制御装置70は、エンコーダ32のパルス信号をカウントして、Xステージ5のX方向への移動量を検出し、エンコーダ34のパルス信号をカウントして、Yステージ7のY方向への移動量を検出する。
図6は、レーザー測長系の動作を説明する図である。なお、図6においては、図1に示したゲート11、及び光ビーム照射装置20が省略されている。レーザー測長系は、公知のレーザー干渉式の測長系であって、レーザー光源41、レーザー干渉計42,44、及びバーミラー43,45を含んで構成されている。バーミラー43は、チャック10のY方向へ伸びる一側面に取り付けられている。また、バーミラー45は、チャック10のX方向へ伸びる一側面に取り付けられている。
レーザー干渉計42は、レーザー光源41からのレーザー光をバーミラー43へ照射し、バーミラー43により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源41からのレーザー光とバーミラー43により反射されたレーザー光との干渉を測定する。この測定は、Y方向の2箇所で行う。レーザー測長系制御装置40は、主制御装置70の制御により、レーザー干渉計42の測定結果から、チャック10のX方向の位置及び回転を検出する。
一方、レーザー干渉計44は、レーザー光源41からのレーザー光をバーミラー45へ照射し、バーミラー45により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源41からのレーザー光とバーミラー45により反射されたレーザー光との干渉を測定する。レーザー測長系制御装置40は、主制御装置70の制御により、レーザー干渉計44の測定結果から、チャック10のY方向の位置を検出する。
図4において、主制御装置70は、光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ描画データを供給する描画制御部を有する。図7は、描画制御部の概略構成を示す図である。描画制御部71は、メモリ72、バンド幅設定部73、中心点座標決定部74、及び座標決定部75を含んで構成されている。メモリ72は、各光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ供給する描画データを、そのXY座標をアドレスとして記憶している。
バンド幅設定部73は、メモリ72から読み出す描画データのY座標の範囲を決定することにより、光ビーム照射装置20の照射光学系20bから照射される光ビームのY方向のバンド幅を設定する。
レーザー測長系制御装置40は、露光位置における基板1の露光を開始する前のチャック10のXY方向の位置を検出する。中心点座標決定部74は、レーザー測長系制御装置40が検出したチャック10のXY方向の位置から、基板1の露光を開始する前のチャック10の中心点のXY座標を決定する。図1において、光ビーム照射装置20からの光ビームにより基板1の走査を行う際、主制御装置70は、ステージ駆動回路60を制御して、Xステージ5によりチャック10をX方向へ移動させる。基板1の走査領域を移動する際、主制御装置70は、ステージ駆動回路60を制御して、Yステージ7によりチャック10をY方向へ移動させる。図7において、中心点座標決定部74は、エンコーダ32,34からのパルス信号をカウントして、Xステージ5のX方向への移動量及びYステージ7のY方向への移動量を検出し、チャック10の中心点のXY座標を決定する。
座標決定部75は、中心点座標決定部74が決定したチャック10の中心点のXY座標に基づき、各光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ供給する描画データのXY座標を決定する。メモリ72は、座標決定部75が決定したXY座標をアドレスとして入力し、入力したXY座標のアドレスに記憶された描画データを、各光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ出力する。
以下、本発明の一実施の形態による露光方法について説明する。図5において、DMD25の各ミラー25aは、正方形で、その対角線の1つを軸として回転することにより、各ミラー25aの角度が変更される。DMD25のミラー25aの動作角度は、例えば±12度であっても、DMD毎に公差によるばらつきがある。DMD25のミラー25aの動作角度が異なると、図4において、DMD25のミラー25aで反射されて投影レンズ26を含む照射光学系20bを透過する光ビームの光路がずれ、光ビームの回折光の強度分布が変化する。複数の光ビーム照射装置20を用い、複数の光ビームにより基板1の走査を行う場合、各光ビーム照射装置20から基板1へ照射される光ビームの回折光の強度分布にばらつきがあると、パターンの描画が均一に行われず、描画品質が低下する。
図4において、照明光学系20cのミラー24bは、ミラーホルダ54により保持されている。また、照明光学系20c及びミラーホルダ54は、XYステージ55に搭載されている。本実施の形態では、各光ビーム照射装置20のDMD25のミラー25aの動作角度のばらつきに応じて、ミラーホルダ54及びXYステージ55により、各光ビーム照射装置20のDMD25へ供給される光ビームの入射角度を調節する。
図8(a)はミラーホルダの側面図、図8(b)はミラーホルダの背面図である。ミラーホルダ54は、支持板54a、本体54b、引張コイルバネ54c、及び調節ねじ54dを含んで構成されている。図8(a)に示す様に、照明光学系20cのミラー24bは、裏面が支持板54aに取り付けられて、支持板54aにより支持されている。支持板54aは、2本の引張コイルバネ54cにより、本体54bの方向へ付勢されている。図8(b)に示す様に、本体54bには、3つの調節ねじ54dがねじ込まれており、図8(a)に示す様に、各調節ねじ54dの先端が支持板54aに接触して、支持板54aと本体54bとの間隔を保っている。3つの調節ねじ54dの内、図8(b)に一点鎖線で示した軸を挟んで対称に配置された2つの調節ねじ54dのいずれかを回して、調節ねじ54dのねじ込み量を変えることにより、支持板54aが一点鎖線で示した軸と直交する方向において傾いて、ミラー24bの角度が調節される。なお、調節ねじ54dは、モータ等により回転させる構造としてもよい。
図9は、XYステージの斜視図である。XYステージ55は、ステージベース55a、Xステージ55b、Yステージ55c、及び調節つまみ55d,55eを含んで構成されている。Xステージ55bは、ステージベース55aに搭載され、ウォームギヤやラック及び小歯車等の機構により、ステージベース55aに設けられた調節つまみ55dに連結されている。調節つまみ55dを回すことによって、Xステージ55bは、ステージベース55a上をX方向へ移動する。Yステージ55cは、Xステージ55bに搭載され、ウォームギヤやラック及び小歯車等の機構により、Xステージ55bに設けられた調節つまみ55eに連結されている。調節つまみ55eを回すことによって、Yステージ55cは、Xステージ55b上をY方向へ移動する。なお、調節つまみ55d,55eは、モータ等により回転させる構造としてもよい。
図10〜図12は、本発明の一実施の形態による露光方法を説明する図である。図10〜図12は、光ビーム照射装置20内の光ビームの光路を示しており、図10はDMD25のミラー25aの動作角度が12度の場合、図11はDMD25のミラー25aの動作角度が12度より小さい場合、図12はDMD25のミラー25aの動作角度が12度より大きい場合である。なお、図10〜図12では、理解を容易にするため、DMD25のミラー25aを拡大して1つだけ示している。
図10〜図12において、光ファイバー22から射出された光ビームは、照明光学系20cのコリメーションレンズ23a、フライアイレンズ23b、及びコンデンサレンズ23cを透過し、ミラー24a,24bで反射されて、照明光学系20cから第1プリズム51へ入射する。第1プリズム51へ入射した光は、第1プリズム51の斜面で反射されて反射面51aへ照射され、反射面51aで反射されて、第1プリズム51の斜面から第2プリズム52の斜面へ入射する。第2プリズム52の斜面へ入射した光は、第2プリズム52を透過して、DMD25のミラー25aへ照射される。DMD25のミラー25aがオン状態であるとき、ミラー25aで反射された光ビームは、再び第2プリズム52へ入射し、第2プリズム52の斜面で反射されて、第2プリズム52から投影レンズ26を含む照射光学系20bへ入射する。
図10において、ミラー24bは、第2プリズム52を透過した光ビームが所定の角度でDMD25の方向へ射出される様に、ミラーホルダ54によりその角度が調節されている。また、ミラー24bは、第2プリズム52を透過した光ビームがDMD25へ照射される様に、XYステージ55により照明光学系20c及びミラーホルダ54をXY方向へ移動して、その位置が調節されている。
図11及び図12において、DMD25のミラー25aの動作角度が12度より小さい場合又は12度より大きい場合、DMD25のミラー25aの動作角度のばらつきに応じて、DMD25のオン状態のミラー25aで反射された光ビームが、DMD25のミラー25aの動作角度が12度の場合(図10)と同じ角度で第2プリズム52へ入射する様に、ミラーホルダ54によりミラー24bの角度を変更して、第2プリズム52を透過した光ビームがDMD25の方向へ射出される角度を変更する。そして、変更したミラー24bの角度に応じ、第2プリズム52を透過した光ビームがDMD25へ照射される様に、XYステージ55により照明光学系20c及びミラーホルダ54をXY方向へ移動して、ミラー24bの位置を変更する。これにより、DMD25のミラー25aの動作角度のばらつきに応じて、DMD25のミラー25aへ照射される光ビームの入射角度が調節される。なお、図11及び図12では、DMD25のミラー25aの動作角度が12度の場合(図10)における、照明光学系20cからDMD25のミラー25aまでの光ビームの光路が、一点鎖線で示されている。
各光ビーム照射装置20のDMD25のミラー25aの動作角度のばらつきに応じて、各光ビーム照射装置20のDMD25へ供給する光ビームの入射角度を調節するので、DMD25のミラー25aの動作角度にばらつきがあっても、DMD25のミラー25aで反射されて照射光学系20bへ供給される光ビームの光路が同じになる。従って、DMD25のミラー25aの動作角度のばらつきによる光ビームの回折光の強度分布のばらつきが補正され、描画品質が向上する。
また、各光ビーム照射装置20の照明光学系20cにおいて、光ビームをミラー24bで反射して、反射光を各光ビーム照射装置20のDMD25へ供給し、各光ビーム照射装置20のDMD25のミラー25aの動作角度のばらつきに応じて、各光ビーム照射装置20の照明光学系20cのミラー24bの角度を変更し、ミラー24bの角度に応じて、ミラー24bの位置を変更するので、照明光学系20c全体を傾斜させる必要がなく、簡単な構成で、入射角度の異なる光ビームがDMD25へ供給される。
また、各光ビーム照射装置20の照明光学系20cにおいて、光ビームをコンデンサレンズ23c等の光学部品で集光して各光ビーム照射装置20の照明光学系20cのミラー24bへ供給する場合、照明光学系20cのミラー24bの位置を単独で変更すると、照明光学系20c内で光ビームの光路長が変わり、コンデンサレンズ23c等の光学部品で集光された光ビームの焦点がずれる。各光ビーム照射装置20の照明光学系20cのミラー24bの角度に応じて、各光ビーム照射装置20の照明光学系20c全体を移動して、ミラー24bの位置を変更するので、コンデンサレンズ23c等の光学部品で集光された光ビームの焦点がずれることなく、入射角度の異なる光ビームがDMD25へ供給される。
図13〜図16は、光ビームによる基板の走査を説明する図である。図13〜図16は、8つの光ビーム照射装置20からの8本の光ビームにより、基板1のX方向の走査を4回行って、基板1全体を走査する例を示している。図13〜図16においては、各光ビーム照射装置20の照射光学系20bを含むヘッド部20aが破線で示されている。各光ビーム照射装置20のヘッド部20aから照射された光ビームは、Y方向にバンド幅Wを有し、Xステージ5のX方向への移動によって、基板1を矢印で示す方向へ走査する。
図13は、1回目の走査を示し、X方向への1回目の走査により、図13に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。1回目の走査が終了すると、Yステージ7のY方向への移動により、基板1がY方向へバンド幅Wと同じ距離だけ移動される。図14は、2回目の走査を示し、X方向への2回目の走査により、図14に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。2回目の走査が終了すると、Yステージ7のY方向への移動により、基板1がY方向へバンド幅Wと同じ距離だけ移動される。図15は、3回目の走査を示し、X方向への3回目の走査により、図15に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。3回目の走査が終了すると、Yステージ7のY方向への移動により、基板1がY方向へバンド幅Wと同じ距離だけ移動される。図16は、4回目の走査を示し、X方向への4回目の走査により、図16に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われ、基板1全体の走査が終了する。
なお、図13〜図16では、基板1のX方向の走査を4回行って、基板1全体を走査する例を示したが、走査の回数はこれに限らず、基板1のX方向の走査を3回以下又は5回以上行って、基板1全体を走査してもよい。
以上説明した実施の形態によれば、各光ビーム照射装置20のDMD25のミラー25aの動作角度のばらつきに応じて、各光ビーム照射装置20のDMD25へ供給する光ビームの入射角度を調節することにより、DMD25のミラー25aの動作角度のばらつきによる光ビームの回折光の強度分布のばらつきを補正して、描画品質を向上させることができる。
さらに、各光ビーム照射装置20の照明光学系20cにおいて、光ビームをミラー24bで反射して、反射光を各光ビーム照射装置20のDMD25へ供給し、各光ビーム照射装置20のDMD25のミラー25aの動作角度のばらつきに応じて、各光ビーム照射装置20の照明光学系20cのミラー24bの角度を変更し、ミラー24bの角度に応じて、ミラー24bの位置を変更することにより、簡単な構成で、入射角度の異なる光ビームをDMD25へ供給することができる。
さらに、各光ビーム照射装置20の照明光学系20cにおいて、光ビームをコンデンサレンズ23c等の光学部品で集光して各光ビーム照射装置20の照明光学系20cのミラー24bへ供給し、各光ビーム照射装置20の照明光学系20cのミラー24bの角度に応じて、各光ビーム照射装置20の照明光学系20c全体を移動して、ミラー24bの位置を変更することにより、コンデンサレンズ23c等の光学部品で集光された光ビームの焦点をずらすことなく、入射角度の異なる光ビームをDMD25へ供給することができる。
本発明の露光装置又は露光方法を用いて基板の露光を行うことにより、空間的光変調器のミラーの動作角度のばらつきによる光ビームの回折光の強度分布のばらつきを補正して、描画品質を向上させることができるので、高品質な表示用パネル基板を製造することができる。
例えば、図17は、液晶ディスプレイ装置のTFT基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程(ステップ101)では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長(CVD)法等により、基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程(ステップ102)では、ロール塗布法等によりフォトレジストを塗布して、薄膜形成工程(ステップ101)で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。露光工程(ステップ103)では、露光装置を用いて、フォトレジスト膜にパターンを形成する。現像工程(ステップ104)では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程(ステップ105)では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程(ステップ101)で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程(ステップ106)では、エッチング工程(ステップ105)でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、基板上にTFTアレイが形成される。
また、図18は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程(ステップ201)では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程(ステップ202)では、染色法や顔料分散法等により、基板上に着色パターンを形成する。この工程を、R、G、Bの着色パターンについて繰り返す。保護膜形成工程(ステップ203)では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程(ステップ204)では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。
図17に示したTFT基板の製造工程では、露光工程(ステップ103)において、図18に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程(ステップ201)及び着色パターン形成工程(ステップ202)の露光処理において、本発明の露光装置又は露光方法を適用することができる。
1 基板
3 ベース
4 Xガイド
5 Xステージ
6 Yガイド
7 Yステージ
8 θステージ
10 チャック
11 ゲート
20 光ビーム照射装置
20a ヘッド部
20b 照射光学系
20c 照明光学系
21 レーザー光源ユニット
22 光ファイバー
23a コリメーションレンズ
23b フライアイレンズ
23c コンデンサレンズ
24 a,24b ミラー
25 DMD(Digital Micromirror Device)
25a ミラー
26 投影レンズ
27 DMD駆動回路
31,33 リニアスケール
32,34 エンコーダ
40 レーザー測長系制御装置
41 レーザー光源
42,44 レーザー干渉計
43,45 バーミラー
51 第1プリズム
52 第2プリズム
54 ミラーホルダ
54a 支持板
54b 本体
54c 引張コイルバネ
54d 調節ねじ
55 XYステージ
55a ステージベース
55b Xステージ
55c Yステージ
55d,55e 調節つまみ
60 ステージ駆動回路
70 主制御装置
71 描画制御部
72 メモリ
73 バンド幅設定部
74 中心点座標決定部
75 座標決定部

Claims (8)

  1. フォトレジストが塗布された基板を支持するチャックと、
    光ビームを供給する照明光学系、二方向に配列した複数のミラーの角度を変更して光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を有する複数の光ビーム照射装置と、
    前記チャックと前記複数の光ビーム照射装置とを相対的に移動する移動手段とを備え、
    前記移動手段により前記チャックと前記複数の光ビーム照射装置とを相対的に移動し、前記複数の光ビーム照射装置からの複数の光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置であって、
    各光ビーム照射装置は、各光ビーム照射装置の空間的光変調器のミラーの動作角度のばらつきに応じて、各光ビーム照射装置の空間的光変調器へ供給される光ビームの入射角度を調節する調節手段を有することを特徴とする露光装置。
  2. 各光ビーム照射装置の照明光学系は、光ビームを反射して、反射光を各光ビーム照射装置の空間的光変調器へ供給するミラーを有し、
    各光ビーム照射装置の調節手段は、各光ビーム照射装置の空間的光変調器のミラーの動作角度のばらつきに応じて、各光ビーム照射装置の照明光学系のミラーの角度を変更する第1の手段と、当該ミラーの角度に応じて、当該ミラーの位置を変更する第2の手段とを有することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  3. 各光ビーム照射装置の照明光学系は、光ビームを集光して各光ビーム照射装置の照明光学系のミラーへ供給する光学部品を有し、
    前記第2の手段は、各光ビーム照射装置の照明光学系のミラーの角度に応じて、各光ビーム照射装置の照明光学系全体を移動して、当該ミラーの位置を変更することを特徴とする請求項2に記載の露光装置。
  4. フォトレジストが塗布された基板をチャックで支持し、
    チャックと、光ビームを供給する照明光学系、二方向に配列した複数のミラーの角度を変更して光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を有する複数の光ビーム照射装置とを、相対的に移動し、
    複数の光ビーム照射装置からの複数の光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光方法であって、
    各光ビーム照射装置の空間的光変調器のミラーの動作角度のばらつきに応じて、各光ビーム照射装置の空間的光変調器へ供給する光ビームの入射角度を調節することを特徴とする露光方法。
  5. 各光ビーム照射装置の照明光学系において、光ビームをミラーで反射して、反射光を各光ビーム照射装置の空間的光変調器へ供給し、
    各光ビーム照射装置の空間的光変調器のミラーの動作角度のばらつきに応じて、各光ビーム照射装置の照明光学系のミラーの角度を変更し、当該ミラーの角度に応じて、当該ミラーの位置を変更して、各光ビーム照射装置の空間的光変調器へ供給する光ビームの入射角度を調節することを特徴とする請求項4に記載の露光方法。
  6. 各光ビーム照射装置の照明光学系において、光ビームを光学部品で集光して各光ビーム照射装置の照明光学系のミラーへ供給し、
    各光ビーム照射装置の照明光学系のミラーの角度に応じて、各光ビーム照射装置の照明光学系全体を移動して、当該ミラーの位置を変更することを特徴とする請求項5に記載の露光方法。
  7. 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
  8. 請求項4乃至請求項6のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014146012A (ja) * 2013-01-30 2014-08-14 Hitachi High-Technologies Corp パターン形成方法及び装置
WO2021216991A1 (en) * 2020-04-23 2021-10-28 Dolby Laboratories Licensing Corporation Projection system and method with adjustable angle illumination
WO2022087098A1 (en) * 2020-10-23 2022-04-28 Dolby Laboratories Licensing Corporation Projection system and method with fold mirror and integrating rod adjustment

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105739184B (zh) * 2014-12-07 2019-01-29 上海微电子装备(集团)股份有限公司 配向装置、配向系统及配向方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1184098A (ja) * 1997-07-11 1999-03-26 Canon Inc X線照明装置およびx線照明方法、x線露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2000206703A (ja) * 1998-12-16 2000-07-28 Micronic Laser Syst Ab 感光性基板上に高精度のパタ―ンをマイクロリソグラフィック書き込みする装置
JP2005183736A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2007199532A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Fujifilm Corp パターン形成方法
JP2008233112A (ja) * 2005-06-22 2008-10-02 Fujifilm Holdings Corp カラーフィルタの製造方法、及びカラーフィルタ並びに表示装置
JP2009105378A (ja) * 2007-08-17 2009-05-14 Asml Holding Nv テレセントリック性のリアルタイム測定
JP2010093044A (ja) * 2008-10-08 2010-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画装置、空間光変調ユニットおよび描画方法
JP2010182933A (ja) * 2009-02-06 2010-08-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画装置および描画方法
JP2010191127A (ja) * 2009-02-18 2010-09-02 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2012118375A (ja) * 2010-12-02 2012-06-21 Olympus Corp パターン投影装置およびレーザ加工装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003262781A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Konica Corp 画像記録装置におけるミラー角度調整機構
JP3837356B2 (ja) * 2002-04-01 2006-10-25 株式会社小松製作所 狭帯域レーザ装置
JP2005266779A (ja) * 2004-02-18 2005-09-29 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置及び方法
JP4863948B2 (ja) * 2007-07-30 2012-01-25 株式会社日立ハイテクノロジーズ 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
WO2009078223A1 (ja) * 2007-12-17 2009-06-25 Nikon Corporation 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1184098A (ja) * 1997-07-11 1999-03-26 Canon Inc X線照明装置およびx線照明方法、x線露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2000206703A (ja) * 1998-12-16 2000-07-28 Micronic Laser Syst Ab 感光性基板上に高精度のパタ―ンをマイクロリソグラフィック書き込みする装置
JP2005183736A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2008233112A (ja) * 2005-06-22 2008-10-02 Fujifilm Holdings Corp カラーフィルタの製造方法、及びカラーフィルタ並びに表示装置
JP2007199532A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Fujifilm Corp パターン形成方法
JP2009105378A (ja) * 2007-08-17 2009-05-14 Asml Holding Nv テレセントリック性のリアルタイム測定
JP2010093044A (ja) * 2008-10-08 2010-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画装置、空間光変調ユニットおよび描画方法
JP2010182933A (ja) * 2009-02-06 2010-08-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画装置および描画方法
JP2010191127A (ja) * 2009-02-18 2010-09-02 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2012118375A (ja) * 2010-12-02 2012-06-21 Olympus Corp パターン投影装置およびレーザ加工装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014146012A (ja) * 2013-01-30 2014-08-14 Hitachi High-Technologies Corp パターン形成方法及び装置
WO2021216991A1 (en) * 2020-04-23 2021-10-28 Dolby Laboratories Licensing Corporation Projection system and method with adjustable angle illumination
WO2022087098A1 (en) * 2020-10-23 2022-04-28 Dolby Laboratories Licensing Corporation Projection system and method with fold mirror and integrating rod adjustment

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