JP2012119672A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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- 絶縁表面上に第１の酸化物層を形成し、
前記第１の酸化物層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層の一部と接する、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に第２の酸化物層を形成し、
前記第２の酸化物層上に前記酸化物半導体層の一部と重なるようにゲート電極層を形成する工程において、
前記第１の酸化物層は、ガリウム及び亜鉛を含む金属酸化物をスパッタすることにより形成し、
前記第２の酸化物層は、ガリウム及び亜鉛を含む金属酸化物をスパッタすることにより形成し、
前記酸化物半導体層は、スパッタガスの全流量に対する酸素流量の割合を９０％以上１００％以下として、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む金属酸化物をスパッタすることにより形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁表面上に第１の酸化物層を形成し、
前記第１の酸化物層上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に第２の酸化物層を形成し、
前記第２の酸化物層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層の一部と接する、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に第３の酸化物層を形成する工程において、
前記第２の酸化物層は、ガリウム及び亜鉛を含む金属酸化物をスパッタすることにより形成し、
前記第３の酸化物層は、ガリウム及び亜鉛を含む金属酸化物をスパッタすることにより形成し、
前記酸化物半導体層は、スパッタガスの全流量に対する酸素流量の割合を９０％以上１００％以下として、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む金属酸化物をスパッタすることにより形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１又は請求項２において、
前記ゲート電極層は積層であり、前記第２の酸化物層と接する側の層は、窒素を含むスパッタガスを用いて、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む金属酸化物をスパッタすることにより形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は基板温度２００℃以上４５０℃以下で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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