JP2012099847A - 薄膜トランジスタ基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板3上に成膜されたゲート絶縁膜7と、ゲート絶縁膜7上にパターン形成された半導体薄膜9とを備えた薄膜トランジスタ基板1において、ゲート絶縁膜7における半導体薄膜9の外側となる位置には、溝パターン101が設けられている。ゲート絶縁膜7は、窒化シリコン膜7aとその上部の酸化シリコン膜7bとの積層構造からなり、溝パターン101は、窒化シリコン膜7aに形成されている。基板3はガラス材料からなる。
【選択図】図11
Description
図1は、本発明の薄膜トランジスタ基板の一例を示す平面図であり、図2は図1におけるA−A'断面図である。尚、一部の層については、図1の平面図への図示を省略し、図2の断面図のみに図示してある。
次に、図8の断面工程図に基づいて、薄膜トランジスタ基板の製造方法の第1実施形態を説明する。尚、図8の断面工程図は、図1におけるA−A'断面に相当し、本第1実施形態においては、図1および図2を用いて説明した薄膜トランジスタ基板1の製造を説明する。
次に、薄膜トランジスタ基板の製造方法の第2実施形態を説明する。
次に、薄膜トランジスタ基板の製造方法の第3実施形態を説明する。
Claims (7)
- 窒化シリコン膜とその上部の酸化シリコン膜との積層構造からなるゲート絶縁膜を基板上に形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に半導体薄膜を成膜する工程と、
前記半導体薄膜を結晶化するアニール処理工程とを含み、
前記窒化シリコン膜中の水素濃度を低減して、前記アニール処理工程を行う
薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記窒化シリコン膜中の水素濃度を低減することにより、前記アニール処理工程での熱ストレスによる基板の反りを防止する
請求項1記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記窒化シリコン膜の膜厚により、前記アニール処理工程での熱ストレスによる基板の反りを防止する
請求項1または2記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記半導体薄膜を結晶化する工程の前に、前記ゲート絶縁膜に溝パターンを形成する工程を行う
請求項1乃至3のうちいずれか1つに記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記溝パターンは、前記窒化シリコン膜に形成されている
請求項4記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記溝パターンの底部には、前記窒化シリコン膜が残されている
請求項5記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記基板はガラス材料からなる
請求項1乃至6のうちいずれか1つに記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
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