JP5253990B2 - 薄膜トランジスタ - Google Patents
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Description
次に、上記実施形態とは異なる構造のTFTの一例について説明する。なお、以降の説明において、上記実施形態と同一の要素部材は同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。
2 ゲート電極
3 ゲート絶縁膜
4 絶縁膜
5 ソース電極
6 ドレイン電極
9 導電膜
10 半導体層
11 下層半導体層
12 上層半導体層
12A 第1上層半導体層
12B 第2上層半導体層
17 第1レジストパターン
18 第2レジストパターン
21 ゲート信号線
22 ゲート駆動回路
24 蓄積容量配線
31 ソース信号線
32 ソース駆動回路
33 配線基板
40 画素
45 表示領域
46 額縁領域
50 液晶表示装置
51 薄膜トランジスタアレイ基板
52 TFT
55 マザー基板
Claims (5)
- 半導体層を介してゲート電極と、ソース電極/ドレイン電極の一部が互いに対向配置される薄膜トランジスタであって、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜の上層に下層半導体層が形成され、
前記ソース電極/ドレイン電極の下層に上層半導体層が形成され、
前記下層半導体層と、前記上層半導体層の間には、ソース領域/ドレイン領域に開口部を有する絶縁膜が形成され、
前記開口部を介して、前記下層半導体層と前記上層半導体層が接続され、
前記下層半導体層のうち、少なくとも前記ソース領域/ドレイン領域の間に配置されるチャネル領域、及び前記開口部と対向する領域のうちの前記チャネル領域から延設された少なくとも一部の領域は、多結晶半導体層であり、
前記上層半導体層は、非晶質半導体層であり、
前記下層半導体層の平面視上の形状と、前記ソース電極/ドレイン電極を構成する導電層のパターン、及び前記ソース電極/ドレイン電極の間隙を合わせた平面視上の形状とが、同一である薄膜トランジスタ。 - 前記下層半導体層の全領域が、多結晶半導体層であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記上層半導体層は、非晶質シリコン層であり、前記下層半導体層は、微結晶粒からなる多結晶シリコン層であることを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ゲート絶縁膜は、積層膜であり、
前記下層半導体層と接する層は、膜厚が50nm以上、200nm以下の酸化膜により構成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。 - 前記上層半導体層が、不純物を含まない第1上層半導体層と、当該第1上層半導体層上に形成された不純物を含む第2上層半導体層の積層体からなり、
前記第1上層半導体層が、前記開口部を介して、前記下層半導体層と接続されている請求項1〜4のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
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