JP5309387B2 - 半導体層とこの半導体層を用いた半導体装置および表示装置 - Google Patents
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Description
J.Vac.Soc.Jpn.(真空)、Vol.47、No.9、p.702〜711(2004)
また、より低温で高速成膜が容易な高濃度H含有CVD膜を積層条件に用いることにより、基板の昇温や成膜のための時間を短縮することができ、その分スループットを向上できる。また、より低温、高速成膜が可能となるため、その分下層配線膜の熱ダメージを低減でき、これにより、例えば、低抵抗配線材料であるAlを用いた場合においても、ヒロックやボイド等による短絡や断線、熱拡散によるコンタクト不良等の歩留まり低下要因を回避できる。
Claims (11)
- 絶縁性基板上に形成されて、少なくともシリコン、ゲルマニウム、水素を含有する半導体層であって、
前記半導体層は、ゲルマニウムとシリコンを含む厚さ5〜40nmの層と、前記層の上に形成した多結晶シリコン層からなり、
前記半導体層中の水素濃度が、前記絶縁性基板とは反対の表面側で高いことを特徴とする半導体層。 - 請求項1において、
前記半導体層中のゲルマニウム濃度が、前記絶縁性基板とは反対の表面側で低いことを特徴とする半導体層。 - 請求項1において、
前記半導体層中の水素濃度が、前記絶縁性基板側で1×1018cm−3以上、2×1020cm−3以下であることを特徴とする半導体層。 - 請求項1において、
前記半導体層中の水素濃度が、前記表面側で5×1020cm−3以上、1×1022cm−3以下であることを特徴とする半導体層。 - 請求項1において、
前記半導体層が、水素濃度の異なる複数層からなることを特徴とする半導体層。 - 請求項5において、
前記半導体層を構成する水素濃度の異なる前記複数層のうち、少なくとも前記絶縁性基板側の第一層目が、水素を含む化合物とハロゲンを含む化合物を用いた熱CVD法で形成した多結晶膜であることを特徴とする半導体層。 - 請求項6において、
前記半導体層を構成する水素濃度の異なる複数層のうち、前記絶縁性基板とは反対の表面側に位置する上層膜が、容量結合方式、誘導結合方式、高密度プラズマ方式のプラズマCVD法で形成した膜であることを特徴とする半導体層。 - 請求項6において、
前記半導体層を構成する水素濃度の異なる複数層が、前記絶縁性基板側から該絶縁性基板とは反対の表面側に向かって連続するカラム状の結晶粒を有する多結晶膜で構成されていることを特徴とする半導体層。 - 請求項6において、
前記半導体層を構成する水素濃度の異なる複数層のうち、前記絶縁性基板とは反対の表面側に位置する上層膜が、アモルファス膜で構成されていることを特徴とする半導体層。 - 請求項6において、
前記水素を含む化合物が、シラン化合物であることを特徴とする半導体層。 - 請求項6において、
前記ハロゲンを含む化合物が、ハロゲン化ゲルマニウム合物であることを特徴とする半導体層。
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