JP2012094757A5 - - Google Patents
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 47
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010242126A JP5647860B2 (ja) | 2010-10-28 | 2010-10-28 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| KR1020137010637A KR20130139950A (ko) | 2010-10-28 | 2011-10-21 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
| PCT/JP2011/074289 WO2012057020A1 (ja) | 2010-10-28 | 2011-10-21 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| KR1020167014266A KR20160075763A (ko) | 2010-10-28 | 2011-10-21 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
| US13/871,305 US20130234135A1 (en) | 2010-10-28 | 2013-04-26 | Thin film transistor and method for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010242126A JP5647860B2 (ja) | 2010-10-28 | 2010-10-28 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012094757A JP2012094757A (ja) | 2012-05-17 |
| JP2012094757A5 true JP2012094757A5 (enExample) | 2012-09-27 |
| JP5647860B2 JP5647860B2 (ja) | 2015-01-07 |
Family
ID=45993730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010242126A Active JP5647860B2 (ja) | 2010-10-28 | 2010-10-28 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130234135A1 (enExample) |
| JP (1) | JP5647860B2 (enExample) |
| KR (2) | KR20130139950A (enExample) |
| WO (1) | WO2012057020A1 (enExample) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102683424B (zh) | 2012-04-28 | 2013-08-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、阵列基板、薄膜晶体管及其制作方法 |
| WO2014002920A1 (en) | 2012-06-29 | 2014-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP5936568B2 (ja) * | 2013-03-08 | 2016-06-22 | 富士フイルム株式会社 | 酸化物半導体薄膜トランジスタ用基板およびその基板を用いた半導体装置 |
| EP2853383A1 (en) * | 2013-09-27 | 2015-04-01 | Bayer MaterialScience AG | System and Method for Continuous Manufacturing of Composite Films |
| JP6322380B2 (ja) * | 2013-10-17 | 2018-05-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR102270823B1 (ko) | 2013-10-22 | 2021-06-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치와 그 제작 방법 |
| JP6178733B2 (ja) * | 2014-01-29 | 2017-08-09 | 出光興産株式会社 | 積層構造、その製造方法及び薄膜トランジスタ |
| JP5828568B1 (ja) * | 2014-08-29 | 2015-12-09 | 株式会社タムラ製作所 | 半導体素子及びその製造方法 |
| WO2019081996A1 (en) * | 2017-10-26 | 2019-05-02 | Sabic Global Technologies B.V. | LOW TEMPERATURE TRANSISTOR PROCESSING |
| JP7640838B2 (ja) * | 2021-03-23 | 2025-03-06 | 日新電機株式会社 | シリコン酸窒化膜の成膜方法及び薄膜トランジスタの製造方法 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002132185A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタとその製造方法、それを用いたtftアレイ、液晶表示装置、el表示装置 |
| JP5105842B2 (ja) * | 2006-12-05 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法 |
| JP5215589B2 (ja) | 2007-05-11 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | 絶縁ゲート型トランジスタ及び表示装置 |
| JP5213422B2 (ja) * | 2007-12-04 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | 絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置 |
| JP5467728B2 (ja) * | 2008-03-14 | 2014-04-09 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよびその製造方法 |
| US9082857B2 (en) * | 2008-09-01 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer |
| JP5627071B2 (ja) * | 2008-09-01 | 2014-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| KR20110084523A (ko) | 2008-11-07 | 2011-07-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US8114720B2 (en) * | 2008-12-25 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP5371467B2 (ja) | 2009-02-12 | 2013-12-18 | 富士フイルム株式会社 | 電界効果型トランジスタ及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
| WO2010098101A1 (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-02 | 株式会社アルバック | トランジスタ、トランジスタの製造方法及びその製造装置 |
| CN102473728B (zh) * | 2009-06-30 | 2014-11-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
| KR102162746B1 (ko) * | 2009-10-21 | 2020-10-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 아날로그 회로 및 반도체 장치 |
| KR101729933B1 (ko) * | 2009-12-18 | 2017-04-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 불휘발성 래치 회로와 논리 회로, 및 이를 사용한 반도체 장치 |
| KR102047354B1 (ko) * | 2010-02-26 | 2019-11-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| JP5727832B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2015-06-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
| JP5656049B2 (ja) * | 2010-05-26 | 2015-01-21 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
-
2010
- 2010-10-28 JP JP2010242126A patent/JP5647860B2/ja active Active
-
2011
- 2011-10-21 WO PCT/JP2011/074289 patent/WO2012057020A1/ja not_active Ceased
- 2011-10-21 KR KR1020137010637A patent/KR20130139950A/ko not_active Ceased
- 2011-10-21 KR KR1020167014266A patent/KR20160075763A/ko not_active Ceased
-
2013
- 2013-04-26 US US13/871,305 patent/US20130234135A1/en not_active Abandoned
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