JP2011500497A - カーボンナノチューブ及びポリマー含有複合膜 - Google Patents
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Abstract
該懸濁液中に基板及び対極を、少なくとも部分的に浸たし、及び
基板上に複合膜を形成するために、基板及び対極間に電圧を印加すること、
からなる基板上の複合膜の形成方法。ポリマー及びナノチューブ上の電荷は同符号を有し、及び電圧は基板上の電荷がポリマー及びナノチューブ上の電荷と異符号を有するように印加される。
【選択図】図1
Description
ボンナノチューブ複合材料及びその製造方法、米国特許出願公開第2003/0158323号明細書)。前に記載した方法と比較すると、この方法を使用したポリマー中へのCNTsの分散はより望ましい。しかしながら、長時間の強力な超音波処理は一般的に、ナノチューブ長さを短くし、及びその整合性を壊し、このことは複合材料の導電性に有害である。また、ゆっくり溶媒を蒸発させている間、ナノチューブは凝集する傾向があり、高分子マトリックス中で不均一な分布をもたらす。溶液混合法に関する他の問題は毒性及び引火性の溶媒の使用である。
溶液の膜キャスティングによって製造される。種々のキャスティング法は、空気噴射、ロール塗布、はけ塗布、及び浸漬塗布を含む。しかしながら、でこぼこした形の物体は、これらの方法によって均一な被膜を容易に提供されない。
NE、Creek T及びPhillips DC、電着によるポリイミドの連続塗布方法)。この方法において、非水性ポリアミック懸濁液浴中で被覆導電体は負に帯電している電極の傍に正に帯電した導電体を連続して通過させることによって製造される。側鎖にオキシカルボニル基を有する感光性ポリイミドが開発され、及びフォトリソグラフィーによってともなわれたEPDを通して、パターン化PI膜を作製するために使用されてきた(Hiroshi I及びShunichi M、ポリイミドの電着のための組成物及びそれを用いたパターン化されたポリイミド膜の形成方法、欧州特許第1,123,954号明細書)。
1種以上の上記の不利点を実質的に克服すること又は少なくとも改善することが本発明の目的である。上記必要性の少なくとも1つを少なくとも部分的に満足させることがさらなる目的である。
本発明の第一の態様では、基板上の複合膜形成方法であって、
(i)溶媒中にイオン化ポリマー及び官能基化カーボンナノチューブを含む懸濁液を準備すること、
(ii)懸濁液中に基板及び対電極を少なくとも部分的に浸漬すること、及び
(iii)基板上に複合膜を形成するために、基板及び対電極間に電圧を印加すること、
を含み、
前記のポリマー及びナノチューブ上の電荷は同符号を有し、及び基板上の電荷はポリマー及びナノチューブ上の電荷と異符号になるように電圧が印加される。
下記の選択肢は、単独かそれともいずれかの適した組み合わせで、第一の態様と併せて使用され得る。
基板及び対電極間に流れるように印加され得る。
ン化ポリマーのコロイド懸濁液を製造する段階を含み得、前記中和剤は、イオン化したポリマーを形成するよう、ポリマーの酸性型を少なくとも部分的に脱プロトン化するには充分な塩基性である。中和剤は液体中に溶解し得る。前記液体はポリマーに対して貧溶媒であり得る。
(i)溶媒中にイオン化ポリマー及び官能基化カーボンナノチューブを含む懸濁液を準備すること、
(ii)懸濁液中に基板及び対電極を少なくとも部分的に浸漬すること、及び
(iii)基板上に複合膜を形成するために、基板及び対電極間にDC電圧を印加すること、を含み、
前記ポリマー及びナノチューブ上の電荷は同符号を有し、及び基板上の電荷はポリマー及びナノチューブ上の電荷と異符号になるように電圧が印加される方法を提供することである。
(i)溶媒中にイオン化ポリマー及び官能基化カーボンナノチューブを含む懸濁液を準備すること、
(ii)懸濁液中に基板及び対電極を少なくとも部分的に浸漬すること、及び
(iii)基板上に複合膜を形成するために基板及び対電極間に電流の流れがおきるように、基板と対電極間に電圧を印加すること、を含み、
前記ポリマー及びナノチューブ上の電荷は同符号を有し、及び基板上の電荷はポリマー及びナノチューブ上の電荷と異符号になるように電圧が印加される方法を提供することである。
(i)溶媒中に負に帯電しているポリマー及び負に帯電している官能基化カーボンナノチューブを含む懸濁液を準備すること、
(ii)懸濁液中に基板及び対電極を少なくとも部分的に浸漬すること、及び
(iii)基板上の電荷が、基板上に複合膜を形成するために正となるように基板及び対電極間に電圧を印加すること、
を含む方法を提供することである。
(i)溶媒中に負に帯電しているポリマー及び負に帯電している官能基化カーボンナノチューブを含む懸濁液を製造すること、
(ii)懸濁液中に基板及び対電極を少なくとも部分的に浸漬すること、及び
(iii)基板長の電荷が、基板上に複合膜を形成するために正となるように基板及び対電極間にDC電圧を印加すること、
を含む方法を提供することである。
(i)カーボンナノチューブの酸化によって負に帯電している官能基化カーボンナノチューブを製造すること、
(ii)溶媒中に負に帯電しているポリマー及び負に帯電している官能基化カーボンナノチューブを含む懸濁液を製造すること、
(iii)懸濁液中に基板及び対電極を少なくとも部分的に浸漬すること、及び
(iv)基板上に複合膜を形成するために基板上の電荷が正となるように基板及び対電極間に電圧を印加すること、
を含む方法を提供することである。
(i)カーボンナノチューブの酸酸化によって負に帯電している官能基化カーボンナノチューブを製造すること、
(ii)溶媒中に負に帯電しているポリマー及び負に帯電しているカーボンナノチューブを含む懸濁液を製造すること、
(iii)懸濁液中に基板及び対電極を少なくとも部分的に浸漬すること、及び
(iv)基板上に複合膜を形成するために、基板上の電荷が正となるように、DC電流が基板及び対電極間に流れるように、DC電圧を印加すること、
を含む、基板上の複合膜の形成方法を提供することである。
(i)溶媒中に少なくとも部分的にイオン化されたポリアミック酸及び負に帯電している官能基化カーボンナノチューブを含む懸濁液を製造すること、
(ii)懸濁液中に基板及び対電極を少なくとも浸漬すること、
(iii)基板上の膜、その膜は、それを通して実質的に均一に分布される官能基化カーボンナノチューブを有するポリアミック酸を含む膜であるが、それを形成するために基板上の電荷が正となるように基板及び対電極間にDC電圧を印加すること、及び
(iv)ポリアミック酸をポリイミドへ変換するために充分な温度で充分な時間、膜を加熱すること、
を含む方法を提供することである。
の表面上の官能基はアニオン性基であり得るか、又はアニオン性基からの誘導され得る。ポリマー上の官能基はアニオン性基であり得るか、又はアニオン性基からの誘導体であり得る。
本発明は、カーボンナノチューブ(CNT)/ポリマー複合薄膜及び電気泳動堆積(EPD)によるそれらの製造を包含する。これらの方法は、金属基板上への高分子薄膜の接着強度の強化、及びそれにより潜在用途範囲を広げる。
くとも部分的にイオン化されたポリアミック酸(PAA)コロイドを含むEPD懸濁液はDC電界にさらされ、それによって、CNTs及びPAAコロイドの両方が陽極に移動する。堆積速度は懸濁液濃度、DC電流及び電極の導電性によって決定され得る。加熱硬化を経たPAAのイミド化後、CNT/ポリイミド(PI)複合膜は調節可能な厚さ及び導電性で製造される。
、3乃至5、1乃至3又は1乃至1.5%、例えば、約0.5、1、1.5、2,2.5、3、3.5、4、4.5若しくは5%であり得る。そのポリマーは約1乃至約5%、又は約1乃至4、1乃至3、1乃至2、2乃至5、3乃至5、4乃至5又は2乃至4%、例えば、約1、1.5、2、2.5、3、3.5、4、4.5若しくは5%の割合(w/w又はw/v)で懸濁液中に存在し得る。そのナノチューブは約0.005乃至0.1%、又は約0.01乃至0.1、0.05乃至0.1、0.005乃至0.05若しくは0.005乃至0.001%、例えば、約0.005、0.01、0.05若しくは0.1%の割合(w/w又はw/v)で懸濁液中に存在し得る。
部分的にカーボンナノチューブを脱凝集する働きをし得る。超音波処理は、約20乃至約50kHz、又は約20乃至40、30乃至50若しくは30乃至40kHz、例えば、約20、25、30、35、40、45若しくは50kHzの振動であり得る。それは、約50乃至約200W、又は約50乃至150、50乃至100、100乃至200、150乃至200又は100乃至150W、例えば、約50、100、150若しくは200Wの仕事率であり得る。それは、実質的に均一な懸濁液を形成するのに充分な仕事率及び振動数であり得る。それは、ナノチューブが実質的に凝集化しないのに充分な仕事率及び振動数であり得る。それは、ナノチューブが先の超音波処理に比べると、より凝集化しなくなるのに充分な仕事率及び振動数であり得る。得られたナノチューブは遠心分離、ろ過、精密ろ過、限外ろ過、デカンテーション、又はそれらの組み合わせによって単離され得る。それは一般的に水(好ましくは、蒸留水又は脱イオン水のような高純水)で洗浄され、そして乾燥され得る。乾燥は、凍結乾燥、ナノチューブの中又は外側に乾燥ガスを通過させること、又は他の適した方法、又はこれらの方法の組み合わせによって成し遂げられ得る。
05乃至約1mol当量を組み合わせることを含み得る。塩基はアミン、例えば、第三級アミン、又は他の適した塩基であり得る。それは、水酸化ナトリム又は水酸化カリウムのような水酸化物であり得る。それは、トリエチルアミン、トリメチルアミン、ピリジン、アニリン、ジメチルアニリン、N−ジメチルエタノール、トリエタノールアミン、N−ジメチルベンジルアミン、及びN−メチルモルホリン又は他のいくらかの適した塩基であり得る。塩基は、ポリマーの酸性型の良溶媒中か、それとも酸性型の貧溶媒若しくは非溶媒中に、そのままの形状で(in neat form)又は溶液として組み合わされ得る。得られたポリマー調製液は、イオン化ポリマーの安定なコロイド懸濁液を形成するために、ポリマーの酸性型の貧溶媒又は非溶媒と組み合わされ得る。それ故に1つの選択肢においては、溶媒中のポリマーの酸性型の溶液は、帯電したポリマーを形成するために、塩基で処理され、その帯電したポリマーは溶媒に溶けにくく、その結果、コロイド懸濁液を生成する。このことは、帯電したポリマーの非溶媒又は貧溶媒である溶媒の添加によって安定化させられ得る。その他の選択肢として、溶媒中のポリマーの酸性型の溶液は、溶液中に残る帯電したポリマーを形成するために、塩基で処理される。得られた溶液は、続いて、コロイド懸濁液が生じる帯電したポリマーの非溶媒又は貧溶媒である、充分量の溶媒と組み合わされる。上記の選択肢のうちどちらかにおいて、良溶媒の貧溶媒に対する比率が、2種の溶媒中の帯電したポリマーの溶解性及び溶液中の帯電したポリマーの濃度によって決定される。明らかに貧溶媒又は非溶媒は使用された比率で良溶媒と混ざることが必要である。その比率は、一般的に、質量又は体積に基づいて、約1:1乃至約1:5、又は約1:1乃至1:3、1:3乃至1:1、1:2.5乃至1.3、1:2乃至1:3.5若しくは1:2乃至1:4,例えば、約1:1、1:1.5、1:2、1:2.5、1:3、1:3.5、1:4、1:4.5若しくは1:5であり得る。
り得る。電圧は、基板上の電荷がポリマー及びナノチューブ上の電荷と異符号を有するように印加される。それゆえに、例えば、ポリマー及びナノチューブが両方とも負に帯電している場合、電圧は基板上の電荷が正であるように(即ち、基板が陽極として機能し得る)ように印加される。この場合、対電極は陰極である。電圧は対電極及び基板を電源に接続することによって印加され得る。電圧は基板上の電荷の符号が被覆方法によって変化しないような電圧である(即ち、それがいつも正であるか、又は負である)。電圧は、それ故、DC電圧であり得るか、又は電源がDC電圧源であり得る。電圧の大きさは一定であり得、又はそれは変化し得る。それは、規則的に又は不規則に変化し得る。それは単調に変化し得るか、非単調、例えば、矩形波、のこぎり波、又は他の様態のような正弦的に変化し得る。電圧(又は平均電圧)は約20乃至約400ボルト、又は約20乃至200、20乃至100、20乃至50、50乃至400、100乃至400、200乃至400、50乃至200、50乃至100若しくは100乃至200ボルト、例えば、約20、30、40、50、60、70、80、90、100、150、200、250、300、350若しくは400ボルトであり得る。電流は、約1乃至100、1乃至50、1乃至20、1乃至10、10乃至200、50乃至200、100乃至200、10乃至100、10乃至50、50乃至100若しくは50乃至150mA、例えば、約1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、15、20、25、30、35、40、45、50、60、70、80、90、100、110、120、130、140、150、160、170、180、190若しくは200mAであり得る。あるいは、ごくわずかな電流しか流れない又は電流が全く流れないことがあり得る。この場合、このシステムは、電極が適した電圧の印加によって電気的に帯電する容量性システムとみなされるが、しかし十分な電流は流れない。このことは、基板、対電極及び懸濁液のいずれか1つ以上(所望により総て)は、電気的に絶縁であるか、又は低い導電性を有している環境の場合であり得る。電圧印加の段階の間、懸濁液は、約10乃至約50℃、又は約10乃至35、10乃至20、15乃至50、15乃至35、25乃至50、35乃至50、25乃至25若しくは25乃至35℃、例えば、約10、15、20、25、30、35、40、45若しくは50℃の温度に維持され得る。電圧は、所望の膜の厚さを達成するために適した時間印加され得る。電圧を印加する時間が長くなるほど、明らかに、膜は厚くなる。標準的な時間は、約30秒乃至約30分、又は約1乃至30、5乃至30、10乃至30、20乃至30、0.5乃至20、0.5乃至10、0.5乃至5、0.5乃至2、0.5乃至1、1乃至20、1乃至10若しくは5乃至10分、例えば、約0.5、1、1.5、2、2.5、3、3.5、4、4.5、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29若しくは30分である。
本願明細書に開示したカーボンナノチューブ(CNTs)/ポリマー複合薄膜は、DC電界中のCNTs及びポリマーコロイド懸濁液の電気泳動堆積(EPD)によって製造され得る。導電性CNT/ポリマー複合薄膜の形成の概略図は図1に示されている。
H)である。CNTsはSWNT又はMWNTであり得る。MWNTは電気的導電性複合薄膜を製造するのに好ましい。
って製造され得る(Peng HQ、Alemany L.B.、Margrave J.L.及びKhabashesku V.N.、単層化カーボンナノチューブの側壁カルボン酸官能基化、J Am Chem Soc、2003年、125巻、15174頁)。
ルホリンを含む。トリエチルアミンは好ましい中和剤である。典型的には、ポリアミック酸のイオン化部分は10乃至50wt%、好ましくは、15乃至33wt%の範囲である。図2はPAAの合成、及びイオン化PAAへ導く塩基化合物によるその中和反応を示している。
約30分間超音波処理すること、陽極基板及び陰極基板をその懸濁液へ浸漬すること、そしてその陽極基板上に複合膜を形成するために、電極間に約10乃至約20mAの電流を流すのに充分なDC電圧を、約1乃至約5分間印加すること。
えられる。MWNTから得られたCOOH基の中にはPIとのイミド化に関与し得るものもある。結果として、MWNT及びPI間の界面相互作用はアミド基の形成によって強化されると考えられ、このことはPI中へのMWNTの分散をさらに促進する。製造されたMWNT/PI複合材料の微細構造はTEMを使用することによって観察され得る。TEM顕微鏡写真の例は図4に示される。TEMの結果は、導電性ネットワークの効果的なMWNT分散がEPD処理の方法によって発展させられたことを示唆する。
5wt%又はそれ以上である場合、EPD処理によって製造されたMWNT/PI膜は導電性である。表1は、4分間、15mAのDC電流でMWNT含有量を変えたEPD処理によるCr被覆シリコンウェハー上へ製造したMWNT/PI複合薄膜の導電性を示す。PAAの0.65wt%から1.2wt%へのMWNT含有量の増加にともない、導電性が1×10-3Sm-1から1.6×102Sm-1へ増加することは、EPD処理が調節可能
な導電性を有する薄膜を製造できることを示唆していると理解し得る。これは、より高いMWNT充填においては、より多くのMWNTが、陽電極に移動し、そしてより高いMWNT含有量を含むMWNT/PI複合薄膜を形成するためにPIコロイドと共に堆積するからである。
未処理のMWNT600mgを硝酸240mL(2.6M)と混合した。この混合物を400rpmの速度でメカニカルスターラーを使用して1時間撹拌した。その後、その混合物を水浴超音波処理機中で超音波処理しながら2時間以上撹拌した。その混合物を続いて、0.22μmのポリカルボネート膜によって真空ろ過し、そして、ろ過される液体のpH値が約7になるまで蒸留水で洗浄した。最後に、その酸処理したMWNTを凍結乾燥し、続いてさらに高真空下で48時間、45℃で乾燥した。
酸処理したMWNT4.2mgを、一晩撹拌することによってNMP5.0g中に懸濁した。続いて、CH3OH15.0gを添加し、そして得られた混合物をEPD処理のた
めのMWNT懸濁液を製造するために、強力超音波処理機で5分間超音波処理した。異なるMWNT含有量を有するMWNT懸濁液は、上記手順においてMWNTの質量を変化させることによって製造した。
250mLの3首丸底フラスコ中で、4,4’−オキシジアニリン10.0g(ODA、0.05モル)及びN−メチルピロリドン(NMP)140mLを混合した。ODAをNMP中に完全に溶解させた後、ピロメリット酸二無水物(PMDA、0.05モル)10.9gを添加し、そして24時間撹拌し続けた。最後に、得られたポリアミック酸(PAA)、PMDA−ODAを−10℃以下の冷凍庫中に青蓋試薬瓶中で保存した。
実施例3に従って製造したPMDA−ODA NMP溶液10g(12.65wt%)をNMP6.5mLで希釈し、そしてトリエチルアミン169μLを添加することによって中和した。イオン化したカルボキシル基は約20%だった。続いて、安定したコロイドのEPD懸濁液は、メタノール58.8mL(メタノールとNMPの質量比は約3)を前
記PMDA−ODA NMP溶液へ滴下することによって製造した。PAAの最終濃度は2wt%であった。製造されたPAA粒子の有効直径及び平均ゼータ電位は、それぞれ、約0.7μm及び−20.5mVであり、ゼータプラスパーティクルサイジング装置(Zetaplus Particle Sizing equipment)によって測定した。
実施例4に従って製造したPAAコロイドを、CH3OH/NMP質量比3の同体積と
混合することによって1wt%に希釈し、そしてビーカーに移し、そして水浴中へビーカーを置くことによってその温度を調節した。陰極として使用したCr被覆シリコンウェハー及び陽極として使用したワークピース(金属被膜シリコンウェハー又は銅板)をEPD懸濁液中に浸漬し、そして1.5cmの長さのスペーサ(即ち、約1.5cmの被覆シリコンウェハー及びワークピース間の間隔を与えるための適した寸法)によって分離した。続いて、EPD処理は、ラムダインベンシスジェネシス(商標)によるDC電源によって生じた定電流下で実施した。EPD処理は異なるDC電流及び堆積時間で行った。
実施例4に従って製造したEPD懸濁液を、20分間の水浴超音波処理下で、同体積の実施例2に従って製造したMWNT懸濁液と混合した。そして、得られた混合懸濁液をビーカーに移し、続いて、さらに水浴中にそのビーカーを置くことによって、その温度を調節した。陰極として使用したCr被覆シリコンウェハー及び陽極として使用したワークピース(金属被覆シリコンウェハー又は銅板)をEPD懸濁液中に浸漬し、そして1.5cmの長さを備えたスペーサによって分離した。続いて、EPD処理は、ラムダインベンシスジェネシス(商標)によるDC電源によって生じた定電流下で実施した。EPD処理は様々なDC電流、堆積時間及びMWNT濃度で行った。
Claims (23)
- 基板上に複合膜を形成する方法であって、
(i)溶液中にイオン化ポリマー及び官能基化カーボンナノチューブを含む懸濁液を準備すること、
(ii)該懸濁液に該基板及び対電極を少なくとも部分的に浸漬すること、及び
(iii)該基板上に該複合膜を形成するように、該基板及び該対電極間に電圧を印加すること、
を含み、
該ポリマー及び該ナノチューブ上の電荷は同符号を有し、及び該基板上の電荷は該ポリマー及び該ナノチューブ上の電荷に対して異符号を有するように、電圧が印加される方法。 - 前記ポリマー及び前記ナノチューブが両方とも負に帯電していて、及び前記基板上の電荷が正であるように電圧が印加される、請求項1に記載の方法。
- 前記ナノチューブが多層ナノチューブ(MWNTs)を含む、請求項1又は請求項2に記載の方法。
- 前記ナノチューブがその表面上にカルボキシレート基を有する、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ポリマーがポリアミック酸である、請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ポリアミック酸をポリイミドに変換するように前記複合膜を加熱する段階をさらに含む、請求項5に記載の方法。
- 前記基板は銅を含む、請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記溶媒は極性有機溶媒を含む、請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記懸濁液中のナノチューブのポリマーに対する比率は、複合膜が電気的に導電性であるような比率である、請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記懸濁液中のナノチューブのポリマーに対する比率は、複合膜が前記基板上に付着するような比率である、請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載の方法。
- 段階(i)が前記ナノチューブの懸濁液と前記ポリマーのコロイド懸濁液を組み合わせることを含む、請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ポリマーの酸性型の溶液を中和剤及び液体の混合物に添加することによってイオン化ポリマーのコロイド懸濁液を製造する段階を含む、請求項11に記載の方法であって、
該液体は前記ポリマーにとって貧溶媒であり、及び該中和剤は少なくとも部分的に前記ポリマーの酸性型を脱プロトン化して該イオン化ポリマーを形成するために充分に塩基性である方法。 - 所定の厚さを有する複合膜を形成するのに十分な時間電圧が印加される、請求項1乃至請求項12のいずれか1項に記載の方法。
- カーボンナノチューブのポリマーに対する比率が所定の導電性を得るように決定される、請求項1乃至請求項13のいずれか1項に記載の方法。
- 請求項1乃至請求項14のいずれか1項に記載の方法で作られる複合膜。
- ポリマー中に分散した官能基化カーボンナノチューブを含む複合膜であって、前記ナノチューブは該ポリマーによって実質的に均一に分布している、複合膜。
- 前記ナノチューブがその表面上にカルボキシレート基又はそれから誘導された基を有する、請求項16に記載の複合膜。
- 前記膜が電気的に導電性である、請求項16又は請求項17に記載の複合膜。
- 前記カーボンナノチューブがMWNTsを含む、請求項16乃至請求項18のいずれか1項に記載の複合膜。
- 前記ポリマーがポリアミック酸又はポリイミドである、請求項16乃至請求項19のいずれか1項に記載の複合膜。
- 前記カーボンナノチューブが前記ポリマーと共有結合している、請求項16乃至請求項20のいずれか1項に記載の複合膜。
- 約100ミクロン未満の厚さを有している、請求項16乃至請求項21のいずれか1項に記載の複合膜。
- ポリマー中に分散したカーボンナノチューブを含有する複合膜であって、
該カーボンナノチューブはその表面に官能基を含み、及び該ポリマーは官能基を含み、該カーボンナノチューブ表面の該官能基はアニオン性基であるか、又はアニオン性基から誘導されており、及び該ポリマー上の官能基はアニオン性基であるか、又はアニオン性基からの誘導体されている複合膜。
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