KR100638615B1 - 전계방출 에미터전극 제조방법 - Google Patents

전계방출 에미터전극 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100638615B1
KR100638615B1 KR1020040073559A KR20040073559A KR100638615B1 KR 100638615 B1 KR100638615 B1 KR 100638615B1 KR 1020040073559 A KR1020040073559 A KR 1020040073559A KR 20040073559 A KR20040073559 A KR 20040073559A KR 100638615 B1 KR100638615 B1 KR 100638615B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive polymer
carbon nanotubes
polymer layer
emitter electrode
field emission
Prior art date
Application number
KR1020040073559A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060024725A (ko
Inventor
강형동
정현철
이상문
이종면
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020040073559A priority Critical patent/KR100638615B1/ko
Priority to JP2005042576A priority patent/JP4229917B2/ja
Priority to US11/064,966 priority patent/US7473153B2/en
Priority to CNB2005100087449A priority patent/CN100472696C/zh
Publication of KR20060024725A publication Critical patent/KR20060024725A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100638615B1 publication Critical patent/KR100638615B1/ko
Priority to US12/178,460 priority patent/US20080293321A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/304—Field emission cathodes
    • H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
    • H01J2201/30453—Carbon types
    • H01J2201/30469—Carbon nanotubes (CNTs)

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

본 발명은 전계방출 에미터전극 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명은 탄소나노튜브가 분산된 전해액에 양극과 음극을 함침하고 소정의 전압을 인가하여 상기 음극에 마련된 기판 상에 탄소나노튜브를 부착시키는 단계와, 상기 기판을 수거하여 상기 탄소나노튜브가 부착된 표면에 전도성 폴리머를 도포하는 단계와, 상기 전도성 폴리머가 경화되도록 열처리하는 단계를 포함하는 전계방출 에미터전극 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 기판 상에 전도성 폴리머를 도포하는 단계와, 상기 도포된 전도성 폴리머가 기판 상에 유지가능한 비유동성 폴리머층이 되도록, 상기 전도성 폴리머를 반경화시키는 단계와, 전기영동방법을 이용하여 상기 비유동성 전도성 폴리머층 상에 탄소나노튜브를 부착시키는 단계와, 상기 탄소나노튜브가 부착된 상기 전도성 폴리머를 열처리하여 완전 경화시키는 단계를 포함한 전계방출 에미터전극 제조방법을 제공한다.
전계방출장치(field emitting device), 전계방출 에미터(field emittere), 탄소나노튜브(carbon nanotube)

Description

전계방출 에미터전극 제조방법{FABRICATION METHOD OF FIELD EMITTER ELECTRODE}
도1은 종래의 전기영동방식을 이용한 전계방출 에미터전극 제조방법에 채용되는 전기화학중합과정을 나타내는 개략도이다.
도2는 본 발명의 일실시형태에 따른 전계방출 에미터전극 제조방법을 설명하기 위한 개략도이다.
도3은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 전계방출 에미터전극 제조방법을 설명하기 위한 개략도이다.
도4a 및 도4b는 각각 본 발명에 따라 제조된 탄소나노튜브 에미터전극을 촬영한 SEM사진과 발광상태를 촬영한 사진이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호설명>
11: 기판 12: 전해조
14: 전해액 16: 음극
17: 양극 18: 전원
21,31: 기판 23,33: 탄소나노튜브
25,35; 전도성 폴리머
본 발명은 전계방출 에미터전극(field emitter electrode)의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 종래의 전기영동방식의 단점인 탄소나노튜브의 낮은 부착강도를 개선한 새로운 전계방출 에미터전극 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 전계방출장치는 진공 속에서 전자의 방출을 기반한 광원으로서, 강한 전기장에 의해 미세입자에서 방출된 전자를 가속시켜 형광물질과 충돌하는 원리로 발광하는 소자를 말한다. 상기 전계방출장치는 백열전구와 같은 일반 조명광원에 비해 발광효율이 우수하고 경박단소화가 가능할 뿐만 아니라, 형광등과 같이 중금속을 사용하지 않으므로, 환경친화적이라는 장점을 갖고 있어 각종의 조명분야 및 디스플레이장치의 차세대 광원으로 각광을 받고 있다.
이러한 전계방출장치의 성능은 전계를 방출할 수 있는 에미터전극에 의해 크게 좌우된다. 최근에 우수한 전자방출특성을 갖는 에미터전극을 위한 전자방출재료로서 탄소나노튜브(carbon nanotube: CNT)가 적극적으로 사용되고 있다.
하지만, 탄소나노튜브는 대면적의 기판에서 균일한 성장이 어려우므로, 일반적으로, 별도의 공정으로 성장된 탄소나노튜브를 정제하여 기판에 부착시키는 공정이 사용된다. 대표적인 탄소나노튜브 에미터전극 제조방법으로는 통상의 프린팅방 법과 전기영동에 의한 방법이 있다.
종래의 프린팅에 의한 에미터전극 제조방법은, 평탄한 표면을 갖는 기판 상에 전극층을 코팅한 후에, 그 전극층 상에 탄소나노튜브와 은 분말로 제조된 페이스트를 인쇄하는 방식을 이용한다. 이어, 소정의 열처리공정을 통해 상기 페이스트 중의 수지와 용매를 제거하고, 테이프법을 이용하여 탄소나노튜브가 부분적으로 표면으로부터 노출시키는 공정을 실시한다.
하지만, 공정이 복잡할 뿐만 아니라, 탄소나노튜브의 균일한 분산을 얻기가 어려우며, 이로 인해 전계방출 에미터전극의 특성이 저하될 수 있다. 또한, 공지된 페이스트의 도포공정으로는 하부의 전극물질과의 충분한 물리적 기계적 결합을 얻기 어렵다는 문제도 있다.
이와 달리, 전기영동(electrophoresis)에 의한 탄소나노튜브 에미터전극 제조방법에서는, 도1에 도시된 바와 같이, 전해액(14)에 미리 정제된 탄소나노튜브(CNT)와 분산제(예를 들어, 양이온 분산제)를 혼합한 후에, 상기 전해액(14)에 침지된 두 전극(16,17) 사이에 전압을 인가하여, 음극(16)에 마련된 기판(11)에 탄소나노튜브(CNT)를 부착시키는 방법이 사용된다.
이러한 전기영동에 의한 방법은 비교적 탄소나노튜브의 균일한 분산을 실현할 수 있으며, 전체 공정을 보다 간소화시킬 수 있으나, 탄소나노튜브의 부착력이 낮아 기계적 충격에 약하므로 긴 수명이 요구되는 장치에 적합하지 않다는 문제가 있다.
본 발명은 상술된 종래기술의 문제를 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 전기영동방식으로 기판에 부착된 탄소나노튜브를 전도성 폴리머로 도포함으로써 탄소나노튜브의 부착강도를 향상시킬 뿐만 아니라, 전기적 특성이 개선된 전계방출 에미터전극의 제조방법을 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 반경화된 전도성 폴리머층을 형성한 후에 상기 전도성 폴리머층에 전기영동방식으로 탄소나노튜브를 부착시킴으로써 탄소나노튜브의 부착강도를 향상시킬 뿐만 아니라, 전기적 특성이 개선된 전계방출 에미터전극의 제조방법을 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위해서, 본 발명은,
탄소나노튜브가 분산된 전해액에 양극과 음극을 함침하고 소정의 전압을 인가하여 상기 두 전극 중 하나의 전극에 마련된 기판 상에 탄소나노튜브를 부착시키는 단계와, 상기 기판을 수거하여 상기 탄소나노튜브가 부착된 표면에 전도성 폴리머를 도포하는 단계와, 상기 전도성 폴리머가 경화되도록 열처리하는 단계를 포함하는 전계방출 에미터전극 제조방법을 제공한다.
바람직하게 상기 탄소나노튜브는 1∼2㎛의 길이를 가지며, 상기 전도성 폴리머층은 약 0.2∼1㎛의 두께를 갖도록 도포하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 전도성 폴리머는 이에 한정되지는 않으나, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리(3,4-에틸렌에디오시티오펜), 폴리아세틸렌, 폴리(p-페닐렌), 폴리티오펜, 폴리(p-페닐렌 비닐렌) 및, 폴리(티에닐렌 비닐렌)로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다.
상기 전도성 폴리머를 도포하는 단계는, 스핀코팅공정, 스프레이공정, 스크린프린팅공정 및 잉크젯 프린팅공정으로 구성된 그룹으로부터 선택된 공정에 의해 실행될 수 있으며, 바람직하게는 스핀코팅공정이 사용될 수 있다.
본 발명의 구체적인 실시형태에서는, 상기 탄소나노튜브가 분산된 전해액에 분산제가 추가적으로 첨가될 수 있다. 이러한 분산제로는, 벤젠 코니움 클로라이드(benzene konium chrolide), 폴리에틸렌이민(polyethylenimine) 및 염화마그네지움(MgCl2)과 같은 양이온 분산제 또는 소디움 도데실 설페이트(sodium dodecyl sulfate)와 같은 음이온 분산제일 수 있다. 상기 분산제는 상기 탄소나노튜브의 양에 대비하여 약 100wt% ∼ 약 500wt%를 첨가하는 것이 바람직하다.
또한, 전해액 중에 탄소나노튜브를 보다 균일하게 분산시키기 위해서, 상기 탄소나노튜브를 부착하는 단계 전에, 상기 탄소나노튜브가 분산된 전해액에 초음파를 적용할 수 있다.
본 발명에 따른 방법은 필요에 따라 상기 탄소나노튜브가 충분히 노출되도록 상기 전도성 폴리머층의 표면을 에칭하는 단계를 더 포함할 수 있다.
나아가, 본 발명은 또 다른 형태의 전계방출 에미터전극 제조방법을 제공한다. 상기 방법은, 기판 상에 전도성 폴리머를 도포하는 단계와,상기 도포된 전도성 폴리머가 기판 상에 유지가능한 비유동성 폴리머층이 되도록, 상기 전도성 폴리머를 반경화시키는 단계와, 전기영동방식에 의해 상기 기판의 전도성 폴리머 상에 탄소나노튜브를 부착시키는 단계와, 상기 탄소나노튜브가 부착된 상기 전도성 폴리머를 열처리하여 완전 경화시키는 단계를 포함한다
.
본 실시형태에서, 상기 전도성 폴리머는 0.5∼2㎛의 두께를 갖도록 도포하는 것이 바람직하다.
바람직하게는, 상기 방법은 반경화단계 후에, 상기 기판으로부터 상기 비유동성 전도성 폴리머층을 분리하는 단계를 더 포함하며, 상기 탄소나노튜브를 부착시키는 단계는, 상기 전도성 폴리머층을 음극에 연결하여(양이온 분산제를 사용할 경우에 한함) 양극과 함께 탄소나노튜브가 분산된 전해액에 함침하고 소정의 전압을 인가하여 상기 전도성 폴리머층 상에 탄소나노튜브를 부착시키는 단계로 구현될 수 있다.
본 실시형태에서, 상기 전도성 폴리머를 반경화시키는 단계는 상기 전도성 폴리머를 50∼100℃의 온도범위에서 5분 내지 30분간 열처리하는 단계로 실시될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
도2a 내지 도2d는 본 발명의 일실시형태에 따른 전계방출 에미터전극 제조방법을 설명하기 위한 개략도이다.
우선, 도2a와 같이, 기판(21)을 마련하는 단계로 시작된다. 상기 기판(21)은 전기영동에 의해 탄소나노튜브가 부착되어야 하므로, 도전성 기판이 사용된다. 바람직하게, 상기 기판(21)은 산세처리와 세척과정을 통해 청결한 표면을 갖도록 한다.
이어, 도2b와 같이, 상기 기판(21)은 도1에 도시된 종래의 전기영동방식에 따라 탄소나노튜브(23)를 부착시킨다. 상기 탄소나노튜브(23)는 CVD법 또는 아크-방전(arc-discharge)법으로 제조된 다중벽(multi wall) 또는 단일벽(single wall) 탄소나노튜브를 분쇄한 후에, 필드 플럭스 플로우 분리법과 같은 공지된 공정을 통해 정제하여 얻어질 수 있다. 바람직하게 본 발명에서 사용되는 탄소나노튜브는 약 1㎛ ∼ 약 2㎛의 길이를 갖는다.
본 공정에서 전기영동방식에 사용되는 전해액에는 상기 탄소나노튜브가 혼합되어 분산되며, 탄소나노튜브의 균일한 분산효과를 향상시키기 위해서, 분산제를 첨가하거나 초음파를 적용할 수 있다. 상기 분산제로는 벤젠 코니움 클로라이드(benzene konium chrolide), 폴리에틸렌이민(polyethylenimine) 및 염화마그네지움(MgCl2)와 같은 양이온 분산제와, 소디움 도데실 설페이트(sodium dodecyl sulfate)과 같은 음이온 분산제일 수 있으며, 상기 분산제의 선택에 따라 탄소나노튜브가 부착되는 전극(양극 또는 음극)이 결정된다. 이러한 분산제는 탄소나노튜브의 중량에 대비하여 100wt% 내지 500wt%를 첨가하는 것이 바람직하다.
본 전기영동방식에 의한 탄소나노튜브(23)의 부착단계에서, 탄소나노튜브는 충분한 강도를 갖도록 부착되지 않을 수 있다. 예를 들어, 전기영동에 의해 일부 탄소나노튜브(23)는 A로 표시된 바와 같이 충분하게 고정되도록 부착되지 않을 수 있으며, 이러한 탄소나노튜브(23)는 기계적 충격에 취약하여 제품의 성능저하를 야기할 수 있다.
이러한 부착불량을 방지하는 동시에 전기적 특성을 향상시키기 위해서, 본 실시형태에서는 도2c와 같은 공정이 적용된다. 즉, 도2c에 도시된 바와 같이, 전기영동에 의해 탄소나노튜브(23)가 부착된 기판(21) 상에 전도성 폴리머(25)를 도포하는 공정을 실시한다.
상기 전도성 폴리머(25)의 도포두께(t1)는 도포된 표면을 통해 탄소나노튜브 가 적절하게 노출될 수 있도록 약 0.2㎛ ∼ 약 1㎛의 범위로 한다. 상기 도포된 전도성 폴리머(25)의 두께(t1)가 0.2㎛미만일 경우에는 부착강도를 강화하는 효과가 미약하며, 1㎛를 초과하는 경우에 탄소노튜브가 적절하게 노출되지 않을 수 있기 때문이다. 이러한 도포공정은 스핀코팅공정, 스프레이공정, 스크린프린팅공정 또는 잉크젯 프린팅공정에 의해 실시될 수 있다. 본 발명에서 사용되는 전도성 폴리머(25)로는 이에 한정되지 않으나, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리(3,4-에틸렌에디오시티오펜), 폴리아세틸렌, 폴리(p-페닐렌), 폴리티오펜, 폴리(p-페닐렌 비닐렌) 및, 폴리(티에닐렌 비닐렌)로 구성된 그룹으로부터 선택하여 사용할 수 있다.
최종적으로, 도2d와 같이, 상기 도포된 전도성 폴리머(25)를 열처리하여 경화된 전도성 폴리머층(25')을 형성한다. 본 공정에서의 열처리온도는 사용된 폴리머종류에 따라 달리 정할 수 있으나, 약 150℃ ∼ 약 200℃의 온도범위에서 실시될 수 있다. 경화된 전도성 폴리머층(25')은 탄소나노튜브(23)의 부착상태를 보다 강화시킬 수 있을 뿐만 아니라, 탄소나노튜브(23)를 전기적으로 연결함으로써 탄소나노튜브(23)와 전계방출장치에서 제공될 전극(미도시) 사이의 충분한 접촉면적을 보장할 수 있다. 본 공정 후에, 상기 탄소나노튜브(23)가 충분히 노출되도록 상기 전도성 폴리머층(25')의 표면을 에칭하는 공정을 추가적으로 실시할 수도 있다.
본 실시형태에서는, 기판에 탄소나노튜브를 부착한 후에 전도성 폴리머를 적용하는 방식으로 구현된 방법을 설명하였으나, 본 발명은 전도성 폴리머를 미리 적 용한 후에 탄소나노튜브를 부착하는 방식으로도 구현될 수 있다. 이와 같은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 전계방출 에미터전극 제조방법은 도3a 내지 도3e에 도시되어 있다.
우선, 도3a와 같이, 기판(31)을 마련하는 단계로 시작된다. 본 실시형태에서는, 탄소나노튜브 부착공정 전에 전도성 폴리머층을 형성하므로, 상기 전도성 폴리머층에 직접 음극을 연결하여 전기영동공정이 가능하다. 따라서, 상기 기판(31)은 앞선 실시형태와 달리 도전성 기판에 한정되지 않는다.
이어, 도3b와 같이, 상기 기판(31) 상에 전도성 폴리머(35)를 도포하는 공정을 실시한다. 본 도포공정은 스핀코팅공정, 스프레이공정, 스크린프린팅공정 또는 잉크젯 프린팅공정에 의해 실시될 수 있다. 상기 전도성 폴리머(35)로는 이에 한정되지 않으나, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리(3,4-에틸렌에디오시티오펜), 폴리아세틸렌, 폴리(p-페닐렌), 폴리티오펜, 폴리(p-페닐렌 비닐렌) 및, 폴리(티에닐렌 비닐렌)로 구성된 그룹으로부터 선택하여 사용할 수 있다.
다만, 상기 전도성 폴리머(35)의 도포두께(t2)는 앞선 실시형태와 달리 후속공정에서 탄소나노튜브가 부착되는 부분이 전도성 폴리머이므로, 다소 큰 두께를 갖도록 형성하는 것이 바람직하다. 바람직한 도포두께(t2)는 0.5㎛ ∼ 약 2㎛일 수 있다.
다음으로, 도3c와 같이, 경화온도보다 낮은 온도범위에서 상기 전도성 폴리머(35)를 열처리하여 상기 비유동성을 갖는 전도성 폴리머층(35')을 형성한다. 본 공정을 통해 상기 전도성 폴리머층(35')은 탄소나노튜브가 효과적으로 부착되는 동시에 이후 전기영동에 의한 탄소나노튜브부착공정에서 변형이 발생되지 않은 적절한 비유동성이 부여된다. 이에 한정되지는 않으나, 반경화를 위한 열처리는 50∼100℃의 온도범위에서 5분 내지 30분간 실시되는 것이 바람직하다.
이어, 도3d와 같이, 종래의 전기영동방식과 유사한 공정을 통해 상기 전도성 폴리머층(35')에 탄소나노튜브(33)를 부착시킨다. 본 실시형태에서는 상기 전도성 폴리머층(35')이 형성된 기판(31)을 도시하였으나, 이와 달리 본 공정에서 앞서, 상기 반경화된 전도성 폴리머층(35')을 기판(31)으로부터 분리시키고 전도성 폴리머층(35')만을 음극과 연결하여 탄소나노튜브부착공정을 실시할 수도 있다. 이 경우에, 최종적으로 완성된 에미터전극은 탄소나노튜브가 부착된 전도성 폴리머층형태로 제공되므로, 다양한 형태로 가공될 수 있다는 잇점이 있다.
최종적으로, 도2d와 같이, 상기 반경화된 전도성 폴리머층(35')를 열처리하여 완전 경화된 전도성 폴리머층(35")을 형성한다. 본 공정에서의 열처리온도는 사용된 폴리머종류에 따라 달리 정할 수 있으나, 상술된 경화조건과 유사하게 약 150℃ ∼ 약 200℃의 온도범위에서 실시될 수 있다.
본 실시형태에서도 경화된 전도성 폴리머층(35")에 의해 탄소나노튜브(33)의 부착상태를 보다 강화시킬 수 있을 뿐만 아니라, 탄소나노튜브(33)와 전극의 접촉면적을 증가시킬 수 있다. 또한, 본 실시형태는 앞서 설명된 바와 같이 기판없이 폴리머층만을 분리하여 탄소나노튜브 에미터전극 제조가 가능하므로, 보다 높은 가공성을 가질 수 있으며, 전기영동에 의한 탄소나노튜브 부착공정시에, 전도성 폴리머가 일반 전극물질인 구리에 비해 매우 낮은 전도도를 가지므로, 저항층으로 작용하여 보다 균일한 탄소나노튜브의 부착을 실현시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 통해, 본 발명에 따른 전계방출 에미터전극 제조방법을 보다 구체적으로 설명한다.
(실시예)
우선, 기판을 황산 10%의 용액으로 10분간 산세처리한 후에, DI워터로 세척하여 청결한 표면을 갖는 기판을 마련하였다.
상기 기판 상에 전도성 폴리머로서 폴리(3,4-에틸렌에디오시티오펜)(Bayer사의 "Baytron P"제품)를 적용한 후에, 600rpm으로 스핀코팅을 실시하여, 약 0.75㎛의 두께로 도포하였다. 도포된 전도성 폴리머를 반경화시키기 위해서, 약 50℃에서 10분간 열처리를 실시하여 비유동성을 갖는 전도성 폴리머층을 형성하였다.
이어, 전기영동에 의한 탄소나노튜브의 부착공정을 실시하기 위해서, CVD법으로 제조된 다중벽 탄소나노튜브 30㎎을 양이온 분산제인 벤젠 코니움 클로라이드 (benzene konium chrolide) 60㎎과 함께 DI워터에 혼합하여 전해액을 마련하였으며, 약 1시간동안 초음파를 이용하여 전해액 중 탄소나노튜브를 보다 균일하게 분산시켰다.
다음으로, 상기 전해액에 전원과 연결된 음극과 양극을 함침하고, 음극상에 상기 전도성 폴리머층이 형성된 기판을 장착한 후에, 소정의 전압을 인가하여 탄소나노튜브를 상기 전도성 폴리머층에 부착시켰다.
끝으로, 상기 기판을 수거하여, 반경화된 전도성 폴리머층이 완전 경화되도록 약 180℃의 온도에서 30분간 추가적으로 열처리하여 원하는 탄소나노튜브 에미터전극을 완성하였다.
도4a 및 도4b는 각각 본 실시예를 통해 제조된 탄소나노튜브 에미터전극을 촬영한 SEM사진과 발광상태를 촬영한 사진이다. 도4a와 같이, 탄소나노튜브가 전도성 폴리머층 내부에 균일하게 분산되어 형성된 상태를 확인할 수 있으며, 도4b와 같이, 이러한 탄소나노튜브 에미터전극을 전계방출장치에 적용할 때에, 우수한 발광상태를 나타내는 것을 확인할 수 있었다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위 에 속한다고 할 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 경화된 전도성 폴리머층에 의해 탄소나노튜브의 부착강도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 탄소나노튜브와 전극의 전기적 접촉면적을 증가시켜 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 전도성 폴리머층을 먼저 형성하는 경우에는, 기판없이 탄소나노튜브가 부착된 전도성 폴리머층을 제조할 수 있으므로, 가공성이 높아 봉형구조와 같은 다양한 형태의 전계방출장치에 유익하게 적용될 수 있으며, 전기영동에 의한 탄소나노튜브 부착공정시에도, 전도성 폴리머층이 일반 전극물질인 구리에 비해 매우 낮은 전도도를 가지므로, 저항층으로서 작용하여 보다 균일하게 탄소나노튜브를 부착시킬 수 있다.

Claims (21)

  1. 탄소나노튜브가 분산된 전해액에 양극과 음극을 함침하고 소정의 전압을 인가하여 상기 두 전극 중 하나의 전극에 마련된 기판 상에 탄소나노튜브를 부착시키는 단계;
    상기 기판을 수거하여 상기 탄소나노튜브가 부착된 표면에 전도성 폴리머를 도포하여 전도성 폴리머층을 형성하는 단계;
    상기 전도성 폴리머층이 경화되도록 상기 전도성 폴리머층을 열처리하는 단계; 및
    상기 탄소나노튜브가 노출되도록 상기 전도성 폴리머층의 표면을 에칭하는 단계를 포함하는 전계방출 에미터전극 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 탄소나노튜브는 1∼2㎛의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 전계방출 에미터 전극 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 도포된 전도성 폴리머층은 약 0.2∼1㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 전계방출 에미터전극 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 전도성 폴리머는 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리(3,4-에틸렌에디오시티오 펜), 폴리아세틸렌, 폴리(p-페닐렌), 폴리티오펜, 폴리(p-페닐렌 비닐렌) 및, 폴리(티에닐렌 비닐렌)로 구성된 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 전계방출 에미터전극 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 전도성 폴리머층을 형성하는 단계는,
    스핀코팅공정, 스프레이공정, 스크린프린팅공정 및 잉크젯 프린팅공정으로 구성된 그룹으로부터 선택된 공정에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 전계방출 에미터전극 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 탄소나노튜브가 분산된 전해액에 분산제가 추가적으로 첨가된 것을 특징으로 하는 전계방출 에미터전극 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 분산제는, 벤젠 코니움 클로라이드(benzene konium chrolide), 폴리에틸렌이민(polyethylenimine) 및 염화마그네지움(MgCl2) 중 선택된 적어도 하나의 양이온 분산제 또는 소디움 도데실 설페이트(sodium dodecyl sulfate)인 음이온 분산제인 것을 특징으로 하는 전계방출 에미터전극 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 분산제는 상기 탄소나노튜브의 양에 대비하여 약 100wt% ∼ 약 500wt%를 첨가하는 것을 특징으로 하는 전계방출 에미터전극 제조방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 탄소나노튜브를 부착하는 단계 전에, 상기 탄소나노튜브가 분산된 전해액은 초음파를 이용하여 보다 균일하게 분산시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출 에미터전극 제조방법.
  10. 삭제
  11. 기판 상에 전도성 폴리머를 도포하여 전도성 폴리머층을 형성하는 단계;
    상기 전도성 폴리머층이 상기 기판 상에 유지가능한 비유동성이 부여되도록, 상기 전도성 폴리머층을 반경화시키는 단계;
    전기영동방법을 이용하여 상기 비유동성 전도성 폴리머층 상에 탄소나노튜브를 부착시키는 단계; 및,
    상기 탄소나노튜브가 부착된 상기 전도성 폴리머층을 열처리하여 완전 경화시키는 단계를 포함하는 전계방출 에미터전극 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 탄소나노튜브는 1∼2㎛의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 전계방출 에미터 전극 제조방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 도포된 전도성 폴리머층은 0.5∼2㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 전계방출 에미터전극 제조방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 전도성 폴리머는 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리(3,4-에틸렌에디오시티오펜), 폴리아세틸렌, 폴리(p-페닐렌), 폴리티오펜, 폴리(p-페닐렌 비닐렌), 폴리(티에닐렌 비닐렌)로 구성된 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 전계방출 에미터전극 제조방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 전도성 폴리머층을 형성하는 단계는,
    스핀코팅공정, 스프레이공정, 스크린프린팅공정 및 잉크젯 프린팅공정으로 구성된 그룹으로부터 선택된 공정에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 전계방출 에미터전극 제조방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 탄소나노튜브가 분산된 전해액에 분산제가 추가적으로 첨가된 것을 특징으로 하는 전계방출 에미터전극 제조방법.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 분산제는, 벤젠 코니움 클로라이드(benzene konium chrolide), 폴리에틸렌이민(polyethylenimine) 및 염화마그네지움(MgCl2) 중 선택된 적어도 하나의 양이온 분산제 또는 소디움 도데실 설페이트(sodium dodecyl sulfate)인 음이온 분산제인 것을 특징으로 하는 전계방출 에미터전극 제조방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 분산제는 상기 탄소나노튜브의 양에 대비하여 약 100wt% ∼ 약 500wt%를 첨가하는 것을 특징으로 하는 전계방출 에미터전극 제조방법.
  19. 제11항에 있어서,
    상기 탄소나노튜브를 부착하는 단계 전에, 상기 탄소나노튜브가 분산된 전해액은 초음파를 이용하여 보다 균일하게 분산시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징 으로 하는 전계방출 에미터전극 제조방법.
  20. 제11항에 있어서,
    상기 반경화단계 후에, 상기 기판으로부터 상기 비유동성 전도성 폴리머층을 분리시키는 단계를 더 포함하며,
    상기 탄소나노튜브를 부착시키는 단계는, 상기 전도성 폴리머층을 두 전극 중 하나의 전극에 연결하여 양극과 함께 탄소나노튜브가 분산된 전해액에 함침하고 소정의 전압을 인가하여 상기 전도성 폴리머층 상에 탄소나노튜브를 부착시키는 단계인 것을 특징으로 하는 전계방출 에미터전극 제조방법.
  21. 제11항에 있어서,
    상기 전도성 폴리머층을 반경화시키는 단계는
    상기 전도성 폴리머층을 50∼100℃의 온도범위에서 5분 내지 30분간 열처리하는 단계인 것을 특징으로 하는 전계방출 에미터전극 제조방법.
KR1020040073559A 2004-09-14 2004-09-14 전계방출 에미터전극 제조방법 KR100638615B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040073559A KR100638615B1 (ko) 2004-09-14 2004-09-14 전계방출 에미터전극 제조방법
JP2005042576A JP4229917B2 (ja) 2004-09-14 2005-02-18 電界放出エミッタ電極の製造方法
US11/064,966 US7473153B2 (en) 2004-09-14 2005-02-25 Process for fabricating a field emitter electrode with carbon nanotubes
CNB2005100087449A CN100472696C (zh) 2004-09-14 2005-02-25 场发射电极的制造方法
US12/178,460 US20080293321A1 (en) 2004-09-14 2008-07-23 Fabrication method of field emitter electrode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040073559A KR100638615B1 (ko) 2004-09-14 2004-09-14 전계방출 에미터전극 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060024725A KR20060024725A (ko) 2006-03-17
KR100638615B1 true KR100638615B1 (ko) 2006-10-26

Family

ID=36074670

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040073559A KR100638615B1 (ko) 2004-09-14 2004-09-14 전계방출 에미터전극 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7473153B2 (ko)
JP (1) JP4229917B2 (ko)
KR (1) KR100638615B1 (ko)
CN (1) CN100472696C (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101208770B1 (ko) 2011-10-20 2012-12-05 경희대학교 산학협력단 전자방출 특성이 향상된 에미터 및 그 제조방법
KR101399064B1 (ko) * 2012-01-11 2014-05-27 주식회사 넥스뷰티엑스 탄소나노튜브를 이용한 엑스선 발생장치의 음극부 모듈 제조방법

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070246689A1 (en) * 2006-04-11 2007-10-25 Jiaxin Ge Transparent thin polythiophene films having improved conduction through use of nanomaterials
US7622314B2 (en) * 2006-05-05 2009-11-24 Brother International Corporation Carbon nanotube structures and methods of manufacture and use
US7868531B2 (en) * 2006-05-05 2011-01-11 Brother International Corporation Carbon nanotube arrays for field electron emission
WO2011035246A2 (en) * 2009-09-18 2011-03-24 The University Of Akron Carbon nanotube based field emission devices and methods
KR20080013366A (ko) * 2006-08-08 2008-02-13 한국과학기술원 나노와이어의 정렬을 통한 전계방출 에미터 전극의제조방법
CN101720305A (zh) * 2007-03-07 2010-06-02 麻省理工学院 包括纳米管和富勒烯的纳米级制品的官能化
KR100926151B1 (ko) * 2007-07-18 2009-11-10 한국원자력연구원 탄소나노튜브-폴리머 복합체를 이용한 탄소나노튜브 대면적 에미터의 제조방법
US8496796B2 (en) * 2007-10-17 2013-07-30 Agency For Science, Technology And Research Composite films comprising carbon nanotubes and polymer
KR100972374B1 (ko) * 2007-12-27 2010-07-27 전자부품연구원 젯 프린팅 방법을 이용한 냉음극 제조방법
WO2009136978A2 (en) * 2008-03-04 2009-11-12 Massachusetts Institute Of Technology Devices and methods for determination of species including chemical warfare agents
US8338897B2 (en) * 2008-04-03 2012-12-25 Snu R&Db Foundation Conductive nanomembrane, and MEMS sensor of using the same
CA2729376C (en) 2008-07-03 2016-06-07 Imperial Innovations Ltd Method for dispersing and separating nanotubes
JP5783900B2 (ja) * 2008-07-03 2015-09-24 ユーシーエル ビジネス パブリック リミテッド カンパニー ナノ材料を分離する方法
CN101659789B (zh) * 2008-08-29 2012-07-18 清华大学 碳纳米管/导电聚合物复合材料的制备方法
US8735313B2 (en) 2008-12-12 2014-05-27 Massachusetts Institute Of Technology High charge density structures, including carbon-based nanostructures and applications thereof
US8414757B2 (en) * 2009-02-27 2013-04-09 E I Du Pont De Nemours And Company Process for improving the oxidation resistance of carbon nanotubes
KR100936167B1 (ko) * 2009-05-29 2010-01-12 한국과학기술원 탄소나노튜브 벌크 소재 및 이의 제조방법
US8456073B2 (en) * 2009-05-29 2013-06-04 Massachusetts Institute Of Technology Field emission devices including nanotubes or other nanoscale articles
WO2011044221A2 (en) 2009-10-06 2011-04-14 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for determining radiation
US20110171629A1 (en) * 2009-11-04 2011-07-14 Massachusetts Institute Of Technology Nanostructured devices including analyte detectors, and related methods
KR100972390B1 (ko) * 2010-01-13 2010-07-27 전자부품연구원 젯 프린팅을 이용한 냉음극 제조방법
CN101880025B (zh) * 2010-06-26 2012-09-19 上海交通大学 一维纳米材料植入金属电极表面的方法
US20120171093A1 (en) 2010-11-03 2012-07-05 Massachusetts Institute Of Technology Compositions comprising functionalized carbon-based nanostructures and related methods
US8398234B2 (en) 2011-05-03 2013-03-19 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Electro-thermal antifog optical devices
CN102605407A (zh) * 2012-03-05 2012-07-25 史建明 一种铝及铝合金阳极氧化膜的封孔方法
CN104718170A (zh) 2012-09-04 2015-06-17 Ocv智识资本有限责任公司 碳强化的增强纤维在含水或非水介质内的分散
CN103073192B (zh) * 2013-01-28 2016-01-13 上海交通大学 碳纳米管/碳纳米纤维植入玻璃表面的方法
KR102023004B1 (ko) * 2013-02-15 2019-09-19 한국전자통신연구원 전계 방출 전자원 및 그 제조 방법
KR101499058B1 (ko) * 2013-10-24 2015-03-06 고려대학교 산학협력단 스트레쳐블 전도성 스티커 및 이의 제조방법
CN103767699B (zh) * 2014-01-23 2016-01-20 南京理工大学 一种基于碳纳米管/导电聚合物的神经元探针及其制备方法
CN106283149A (zh) * 2015-05-29 2017-01-04 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 碳纳米管阵列与导电高分子复合材料的制备方法
US11505467B2 (en) 2017-11-06 2022-11-22 Massachusetts Institute Of Technology High functionalization density graphene
CN111762850B (zh) * 2020-06-27 2023-07-04 宝鸡瑞熙钛业有限公司 一种钛合金复合材料

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990073591A (ko) * 1999-07-27 1999-10-05 이철진 미세구멍을 이용한 탄소나노튜브 3전극 에프이디의 제작.
JP2000277002A (ja) * 1999-03-25 2000-10-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子放出素子の製造方法
KR20010039637A (ko) * 1999-06-18 2001-05-15 이철진 탄소나노튜브를 이용한 백색광원 제조 방법
KR20030033244A (ko) * 2001-10-19 2003-05-01 엘지전자 주식회사 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 그 제조방법
WO2003084865A2 (en) * 2001-06-14 2003-10-16 Hyperion Catalysis International, Inc. Field emission devices using modified carbon nanotubes
KR20030081695A (ko) * 2002-04-12 2003-10-22 나노퍼시픽(주) 액정표시장치용 백라이트
KR20040066270A (ko) * 2003-01-17 2004-07-27 삼성에스디아이 주식회사 카본계 물질로 이루어진 도전층이 형성된 애노드 기판을갖는 평판 디스플레이 장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3569135B2 (ja) 1998-09-09 2004-09-22 株式会社東芝 電界放出陰極の製造方法
JP2001052652A (ja) 1999-06-18 2001-02-23 Cheol Jin Lee 白色光源及びその製造方法
KR100314094B1 (ko) * 1999-08-12 2001-11-15 김순택 전기 영동법을 이용한 카본나노튜브 필드 에미터의 제조 방법
JP2002008517A (ja) 2000-06-19 2002-01-11 Kokusai Kiban Zairyo Kenkyusho:Kk 電子エミッター及びその製造方法
US7125502B2 (en) 2001-07-06 2006-10-24 William Marsh Rice University Fibers of aligned single-wall carbon nanotubes and process for making the same
JP2003257304A (ja) 2002-02-28 2003-09-12 Hitachi Chem Co Ltd カーボンナノチューブの配列方法、カーボンナノチューブ集積体の製造方法及びカーボンナノチューブ集積体並びに電界電子放出素子
US7273661B2 (en) * 2003-07-02 2007-09-25 Dupont Toray Co., Ltd. Electrically conductive polyimide compositions having a carbon nanotube filler component and methods relating thereto
KR100638616B1 (ko) * 2004-09-14 2006-10-26 삼성전기주식회사 전계방출 에미터전극 제조방법
US7373661B2 (en) * 2005-02-14 2008-05-13 Ethome, Inc. Systems and methods for automatically configuring and managing network devices and virtual private networks

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277002A (ja) * 1999-03-25 2000-10-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子放出素子の製造方法
KR20010039637A (ko) * 1999-06-18 2001-05-15 이철진 탄소나노튜브를 이용한 백색광원 제조 방법
KR19990073591A (ko) * 1999-07-27 1999-10-05 이철진 미세구멍을 이용한 탄소나노튜브 3전극 에프이디의 제작.
KR20010029761A (ko) * 1999-07-27 2001-04-16 이철진 탄소 나노튜브를 이용한 전계방출 표시소자 및 그 제조 방법
WO2003084865A2 (en) * 2001-06-14 2003-10-16 Hyperion Catalysis International, Inc. Field emission devices using modified carbon nanotubes
KR20030033244A (ko) * 2001-10-19 2003-05-01 엘지전자 주식회사 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 그 제조방법
KR20030081695A (ko) * 2002-04-12 2003-10-22 나노퍼시픽(주) 액정표시장치용 백라이트
KR20040066270A (ko) * 2003-01-17 2004-07-27 삼성에스디아이 주식회사 카본계 물질로 이루어진 도전층이 형성된 애노드 기판을갖는 평판 디스플레이 장치

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
03084865
1020010039637
1020030033244
1020040066270

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101208770B1 (ko) 2011-10-20 2012-12-05 경희대학교 산학협력단 전자방출 특성이 향상된 에미터 및 그 제조방법
KR101399064B1 (ko) * 2012-01-11 2014-05-27 주식회사 넥스뷰티엑스 탄소나노튜브를 이용한 엑스선 발생장치의 음극부 모듈 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060024725A (ko) 2006-03-17
US7473153B2 (en) 2009-01-06
CN1750210A (zh) 2006-03-22
US20080293321A1 (en) 2008-11-27
JP2006086106A (ja) 2006-03-30
JP4229917B2 (ja) 2009-02-25
CN100472696C (zh) 2009-03-25
US20060063464A1 (en) 2006-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100638615B1 (ko) 전계방출 에미터전극 제조방법
KR100638616B1 (ko) 전계방출 에미터전극 제조방법
US7294248B2 (en) Fabrication and activation processes for nanostructure composite field emission cathodes
KR20060039898A (ko) 나노구조체 물질의 침착법
CA2612337C (en) Method of manufacturing fine patternable carbon nano-tube emitter with high reliability
JP5184856B2 (ja) Ｐ―ｎ接合素子及びその製造方法、ｐ−ｎ接合素子を利用するダイオード
CN1913075B (zh) 电子发射源及其制备方法和采用其的电子发射装置
CN1702805A (zh) 电子发射源和电子发射装置及其制造方法
JP2003203557A (ja) カーボンナノチューブを含むペースト用複合物及びこれを利用した電子放出素子及びその製造方法
CN1466788A (zh) 燃料电池及其制备方法
Wei et al. Cold linear cathodes with carbon nanotube emitters and their application in luminescent tubes
US20090314647A1 (en) Method for the electrochemical deposition of carbon nanotubes
KR100366705B1 (ko) 전기 화학 중합을 이용한 탄소나노튜브 에미터 제조 방법
KR20060117074A (ko) 전계방출 에미터전극 제조방법
JP2022552407A (ja) Ｘ線発生のためのカーボンナノチューブベースの冷陰極
KR100743018B1 (ko) 전계방출 에미터전극의 제조방법 및 이에 의해 제조된전계방출 에미터전극
KR20100006524A (ko) 탄소나노튜브 전계 전자방출원을 제조하는 방법 및 그에 의하여 제조된 전계 전자방출원을 포함하는 전계 전자방출 소자
Arai et al. Field emission properties of Cu/multiwalled carbon nanotube composite films fabricated by an electrodeposition technique
US8252165B2 (en) Method for the electrochemical deposition of carbon nanotubes
Itoh et al. Field emission from conducting polymer/single-walled carbon nanotube composite prepared by AC coupled electrophoresis
JP5760915B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極用分散液、および有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極の製造方法
KR100778991B1 (ko) 접촉저항을 줄인 ｆｅｄ의 전계방출전극 제조방법
KR20060046974A (ko) 전해동박공정을 이용한 전계방출용 탄소나노튜브 에미터,그 제조방법 및 이를 포함하는 전계방출램프
KR20050074283A (ko) 나노구조 복합체 전계 방출 음극에 대한 제조 및 활성화방법
KR101458267B1 (ko) 전계방출용 에미터, 그 제조방법 및 이를 이용한 전계방출장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee