JP5184856B2 - P―n接合素子及びその製造方法、p−n接合素子を利用するダイオード - Google Patents

P―n接合素子及びその製造方法、p−n接合素子を利用するダイオード Download PDF

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Description

本発明は、P―N接合素子及びその製造方法に係り、特に有機複合材料を含むP―N接合素子及びその製造方法、該P−N接合を利用する有機ダイオードに関する。
カーボンナノチューブ(Carbon Nanotube,CNT)は1991年に飯島澄男によって発見され、21世紀で重要な新素材の1つであると期待されている。CNTは機械・電気・熱特性に優れていることから、エレクトロニクス、バイオ、エネルギー、複合材料等、広範な分野での応用が期待されている。特に、CNTをフィラーとした高分子複合材料(CNT/Polymer複合材料)の機械、熱、電気特性の向上を目指し研究が盛んに行われている。CNTを含むポリマー複合材料には、電磁波遮蔽・吸収や帯電防止などの特徴がある。
半導体は、現在のテクノロジを牽引していく。有機半導体の研究はその最新のトピックとして注目されている。有機半導体は、半導体の特性を有する有機材料であり、無機材料に比べて、軽量、大面積、フレキシブル、印刷可能などの特徴があるから、電子ペーパーやフレキシブル・ディスプレイなどのユニークな用途が拓けると期待されている。それには、耐久性や寿命など、有機物が本来抱える課題を克服する、高い材料技術が不可欠である。現在、有機半導体を使った有機ダイオードの開発が活発化している。
しかし、有機半導体はシリコン半導体に比べて、電気性能が低下し、キャリア移動度が小さく、キャリア密度が低いという欠点がある。
前記問題を解決するために、本発明は有機複合材料を含むP−N結合素子及びその製造方法、該P−N結合素子を利用する有機ダイオードを提供する。
本発明に係るP−N結合素子は、P型有機複合層と、N型有機複合層と、を備える。前記N型有機複合層は、第一ポリマー及び該第一ポリマーに混合される複数の導電粒子を含む。前記P型有機複合層は、第二ポリマー及び該第二ポリマーに混合される複数のカーボンナノチューブを含む。
前記N型有機複合層の第一ポリマー及び前記P型有機複合層の第二ポリマーは、同じ材料又は異なる材料からなる。
前記第一ポリマー及び前記第二ポリマーは、ポリエチレン・グリコール、ポリエステル、シリカゲル、エポキシ樹脂、嫌気性接着剤、アクリル接着剤のいずれか一種である。
前記導電粒子は、酸化亜鉛であることが好ましい。
前記導電粒子の含有量を30wt%〜50wt%にすることが好ましい。前記カーボンナノチューブの含有量を0.01wt%〜30wt%にすることが好ましい。
本発明のP−N結合素子の製造方法は、基板を提供するステップと、第二ポリマー及び複数のカーボンナノチューブを混合して前記基板に塗布して、P型有機複合層を形成するステップと、第一ポリマー及び複数の導電粒子を混合して前記P型有機複合層に塗布して、N型有機複合層を形成するステップと、前記基板を除去するステップと、を含む。
前記P型有機複合層を形成するステップにおいて、前記カーボンナノチューブを純化する工程を行うことが好ましい。
本発明の有機ダイオードは、陰極電極と、陽極電極と、前記陰極電極及び前記陽極電極の間に設置されたP−N結合素子と、を含む。前記P−N結合素子は、P型有機複合層と、N型有機複合層と、を備える。前記N型有機複合層は、第一ポリマー及び該第一ポリマーに混合される複数の導電粒子を含む。前記P型有機複合層は、第二ポリマー及び該第二ポリマーに混合される複数のカーボンナノチューブを含む。
前記陰極電極及び前記陽極電極は、導電金属である金からなることが好ましい。
従来技術と比べて、本発明のP−N結合素子は、無機材料の特徴である高電子密度及び高電子移動度を有し、且つ、軽型及び柔軟性という有機材料の特性も有する。また、本発明の有機P−N結合素子は、カーボンナノチューブを含むので、その熱伝導、電気伝導及び機械性能が高くなる。また、本発明の有機P−N結合素子は、簡単な塗布又は印刷の工程により製造されるので、大規模の生産ができ、コストが低くなる。さらに、本発明の有機P−N結合素子を利用する有機ダイオードは、良好な整流性能を有する。
以下、図面を参照して、本発明に係るP−N結合素子及びその製造方法について説明する。
(実施例1)
図1を参照すると、本実施例に係るP−N結合素子10は、N型有機複合層(伝導電子が多数キャリアである)12と、P型有機複合層(正孔が多数キャリアである)14と、を含む。前記N型有機複合層12は、第一ポリマー材料122と、該第一ポリマー材料122に均一に分布されている複数の導電粒子124と、を含む。前記P型有機複合層14は、第二ポリマー材料142と、該第二ポリマー材料142に均一に分布されている複数のカーボンナノチューブ144と、を含む。前記N型有機複合層12及び前記P型有機複合層14は、それぞれ厚さが数μm〜0.2mmにされる。前記第一ポリマー材料122及び前記第二ポリマー材料142としては、同じ材料でも異なる材料でも利用されることができる。前記第一ポリマー材料122及び前記第二ポリマー材料142は、ポリエチレン・グリコール、ポリエステル、シリカゲル、エポキシ樹脂、嫌気性接着剤、アクリル接着剤などのいずれか一種である。
前記P型有機複合層14に分布されているカーボンナノチューブ144は、長さが200nm〜20μm、直径が0.5nm〜200nmにすることができる。本実施例において、長さが10μm、直径が10nmであるカーボンナノチューブ144が利用される。また、前記カーボンナノチューブ144に代えて、フラーレン炭素、カーボンブラック粒子、カーボンファイバーなどのいずれか一種が利用されることもできる。
前記P型有機複合層14において、前記カーボンナノチューブ144の含有量を0.01wt%〜30wt%にするか、0.1wt%〜4wt%にすることが好ましい。本実施例においては、前記カーボンナノチューブ144の含有量が1wt%である。前記カーボンナノチューブ144の含有量が0.01wt%以下にされる場合、前記P型有機複合層14はほとんど導電できず、絶縁体のようになる。前記カーボンナノチューブ144の含有量が30wt%以上にされる場合、前記P型有機複合層14は導電体として利用することができる。
前記N型有機複合層12に分布されている前記導電粒子124としては、いずれの電子導電性の材料でも利用することができる。前記導電粒子124の含有量は、該導電粒子の材料特性によって異なる。。本実施例において、前記導電粒子124として酸化亜鉛が利用され、該酸化亜鉛の含有量が30wt%〜50wt%程度に設定されることができる。
前記N型有機複合層12に分布されている前記導電粒子124として、高電子密度及び高電子移動度を有する無機導電材料が利用できるので、前記N型有機複合層12は、無機材料の特徴である高電子密度及び高電子移動度を有する。また、前記N型有機複合層12は、ポリマー材料を含むので、軽型及び柔軟性という有機材料の特性も有する。前記P型有機複合層14に分布されている前記カーボンナノチューブ144は、多くの正孔を提供することができるので、前記P型有機複合層14に正孔が高密度に形成され、該正孔の移動度が高くなることができる。また、カーボンナノチューブが良好な熱伝導性及び機械性能を有するので、前記P型有機複合層14の導電性能が高くなり、前記P−N結合素子10の機械性能が高くなることができる。
次に、図2を参照して、本実施例に係るP−N結合素子10の製造方法について詳しく説明する。
第一ステップでは、基材(図示せず)を提供する。該基材は、ガラス、石英、シリコン、金属又はアルミナのいずれか一種からなる。
第二ステップでは、第二ポリマー材料と複数のカーボンナノチューブとを混合して、前記基材に塗布する。所定の比例で前記第二ポリマー材料及び前記複数のカーボンナノチューブを混合してペースト状の有機混合物が得られ、該ペースト状の有機混合物に少量の硬化剤を添加して前記基材に塗布する。前記ペースト状の有機混合物を硬化させた後、P型有機複合層を形成する。本実施例において、前記第二ポリマーはシリカゲルであり、前記硬化剤はテトラエチルシランである。また、前記複数のカーボンナノチューブの含有量は、0.1wt%〜4wt%に設定することが好ましい。
さらに、前記P型有機複合層の導電性を高めるために、前記複数のカーボンナノチューブ及び前記第二ポリマー材料を混合する前に、金属性のカーボンナノチューブ及び無定形炭素を除去するための純化工程をさらに行うことができる。例えば、カーボンナノチューブと酸化性の酸とを1:5〜1:100の比率で混合して、超音波又は回流の条件で0.5〜100時間処理してから、前記酸化性の酸を除去し、前記カーボンナノチューブを水で洗浄して乾燥させる。または、前記酸化性の酸及び前記カーボンナノチューブを混合して加熱し、1〜10分間沸騰させてから、前記混合物を洗浄して濾過させて、純なカーボンナノチューブを形成することもできる。前記酸化性の酸は、濃硫酸、濃硝酸又はその混合物のいずれか一種である。
ボールミル粉砕方法又は超音波加工方法により、前記複数のカーボンナノチューブ及び前記第二ポリマーを均一に混合させることができる。本実施例において、ボールミル粉砕方法によれば、前記複数のカーボンナノチューブ及びシリカゲルのプレポリマーをボールミル粉砕機に入れて、4時間加工して、ペースト状の混合物を形成する。超音波加工方法によれば、石油エーテルを溶剤としてシリカゲルを混合してなるシリカゲルのプレポリマーを、0.5〜4時間超音波処理を行って、ペースト状の混合物を形成する。ボールミル粉砕方法又は超音波加工方法によるペースト状の混合物に、少量の硬化剤を添加し、硬化剤が混合された前記ペースト状の混合物を前記基材に塗布する。前記ペースト状の混合物の塗布方法は、回転塗布法、散布法、印刷法、圧縮成型法、注入法などのいずれか一種である。前記ペースト状の混合物を硬化させた後、P型有機複合層を形成する。該P型有機複合層の厚さは、数μm〜0.2mmにするか、10μmにすることが好ましい。
第三ステップでは、所定の比例で、複数の導電粒子及び第一ポリマー材料を混合して、前記硬化されたP型有機複合層に塗布して、N型有機複合層を形成する。
前記N型有機複合層の製造方法は、前記P型有機複合層の製造方法と類似する。所定の比率で前記第一ポリマー材料及び前記複数の導電粒子を混合してペースト状の混合物を形成し、且つ該ペースト状の混合物に少量の硬化剤を添加して前記P型有機複合層に均一に塗布する。次に、前記有機複合ペーストを硬化させて、前記P型有機複合層にN型有機複合層を形成する。
前記N型有機複合層の厚さは、数μm〜0.2mmにするか、10μmにすることが好ましい。本実施例において、前記導電粒子は酸化亜鉛であり、該導電粒子の質量比は30wt%〜50wt%にする。前記導電粒子としては、酸化亜鉛の以外に、いずれの導電粒子が利用されることができる。
第四ステップでは、前記基材を前記P型の有機複合層から剥離して、有機材料を含むP−N結合素子を形成する。
本発明に係るP型有機複合層及びN型有機複合層は、塗布工程によって結合されるので、P型有機複合層がN型有機複合層に密着され、P−N結合素子の安定性が高くなる。
なお、前記ステップ2及び前記ステップ3の順序が交換可能であると理解することができる。
(実施例2)
図3を参照すると、本実施例に係るP−N結合素子20を利用する有機ダイオード30は、陰極電極32と、陽極電極34と、該陰極電極32及び該陽極電極34の間に設置されたP−N結合素子20と、を含む。前記P−N結合素子20は、P型有機複合層24と、N型有機複合層22と、を含む。本実施例のP−N結合素子20は、実施例1のP−N結合素子10と同じであるが、前記P−N結合素子20の製造方法も、前記P−N結合素子10の製造方法と同じである。
前記有機ダイオード30の製造方法は、次の工程を備える。まず、前記P−N結合素子20のN型有機複合層22に導電性金属(例えば、金である)をめっきして陰極電極32を形成する。これにより、前記陰極電極32と前記N型有機複合層22との間にオーム接触を形成させることができる。同様に、前記P型の有機複合物22に導電性金属(例えば、金である)をめっきして陽極電極34を形成する。前記陰極電極32及び前記陽極電極34は、導電性の金属又は導電性合金である。前記陰極電極32及び前記陽極電極34の形成方法は、例えば、真空蒸着法などの堆積方法を用いることができる。図4に示したように、本実施例の有機ダイオード30は、1V〜4V電圧の条件で、優れた整流性能がある。
なお、前記有機ダイオード30は、次の工程により製造される。まず、基材(図示せず)に陽極電極34を形成する。次に、前記陽極電極34にP型有機複合層24を塗布し、該P型の有機複合物24にN型有機複合層22を塗布する。次に、該N型有機複合層22に陰極電極32を形成する。最後、前記基材を除去して、有機ダイオード30を形成する。ここで、前記P型有機複合層及び前記N型有機複合層の製造方法及び塗布方法は、実施例1に記述した方法と同じである。前記陰極電極32及び前記陽極電極34は、上述の方法により形成されることができる。
本発明の有機P−N結合素子は、簡単な塗布又は印刷の工程により製造されるので、大規模の生産ができ、コストが低くなる。また、本発明の有機P−N結合素子は、有機材料が基質材料として利用されるので、軽量及び柔軟という優れた点がある。さらに、本発明の有機P−N結合素子はカーボンナノチューブを有するので、その熱伝導、電気伝導及び機械性能が高くなる。従って、本発明の有機P−N結合素子を利用する有機ダイオードは、良好な整流性能がある。
本発明の実施例1のP−N結合素子の模式図である。 本発明の実施例1のP−N結合素子の製造方法のフローチャートである。 本発明の実施例2の有機ダイオードの模式図である。 本発明の実施例2の有機ダイオードのI−V曲線図である。
符号の説明
10 P−N結合素子
12 N型有機複合層
122 第一ポリマー
124 導電粒子
14 P型有機複合層
142 第二ポリマー
144 カーボンナノチューブ
20 P−N結合素子
22 N型有機複合層
24 P型有機複合層
30 有機ダイオード
32 陰極電極
34 陽極電極

Claims (8)

  1. P型有機複合層と、N型有機複合層と、を備えるP−N結合素子において、
    前記N型有機複合層は、第一ポリマー及び該第一ポリマーに混合される複数の導電粒子を含み、
    前記P型有機複合層は、第二ポリマー及び該第二ポリマーに混合される複数のカーボンナノチューブを含み、
    前記第一ポリマー及び前記第二ポリマーは、ポリエチレン・グリコール、ポリエステル、シリカゲル、エポキシ樹脂、嫌気性接着剤、アクリル接着剤のいずれか一種であることを特徴とするP−N結合素子。
  2. 前記N型有機複合層の第一ポリマー及び前記P型有機複合層の第二ポリマーは、同じ材料又は異なる材料からなることを特徴とする、請求項1に記載のP−N結合素子。
  3. 前記導電粒子は、酸化亜鉛であることを特徴とする、請求項1に記載のP−N結合素子。
  4. 前記導電粒子の含有量が30wt%〜50wt%であり、
    前記カーボンナノチューブの含有量が0.01wt%〜30wt%であることを特徴とする、請求項1に記載のP−N結合素子。
  5. 基板を提供するステップと、
    第二ポリマー及び複数のカーボンナノチューブを混合して前記基板に塗布して、P型有機複合層を形成するステップと、
    第一ポリマー及び複数の導電粒子を混合して前記P型有機複合層に塗布して、N型有機複合層を形成するステップと、
    前記基板を除去するステップと、
    を含むP−N結合素子の製造方法であって、前記第一ポリマー及び前記第二ポリマーは、ポリエチレン・グリコール、ポリエステル、シリカゲル、エポキシ樹脂、嫌気性接着剤、アクリル接着剤のいずれか一種であることを特徴とするP−N結合素子の製造方法。
  6. 前記P型有機複合層を形成するステップにおいて、前記カーボンナノチューブを純化する工程を行うことを特徴とする、請求項に記載のP−N結合素子の製造方法。
  7. 陰極電極と、陽極電極と、前記陰極電極及び前記陽極電極の間に設置されるP−N結合素子と、を含む有機ダイオードにおいて、
    前記P−N結合素子は、P型有機複合層と、N型有機複合層と、を備え、
    前記N型有機複合層は、第一ポリマー及び該第一ポリマーに混合される複数の導電粒子を含み、
    前記P型有機複合層は、第二ポリマー及び該第二ポリマーに混合される複数のカーボンナノチューブを含み、
    前記第一ポリマー及び前記第二ポリマーは、ポリエチレン・グリコール、ポリエステル、シリカゲル、エポキシ樹脂、嫌気性接着剤、アクリル接着剤のいずれか一種であることを特徴とする有機ダイオード。
  8. 前記陰極電極及び前記陽極電極は、導電金属である金からなることを特徴とする、請求項に記載の有機ダイオード。
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