JP2011238654A - 窒化物半導体素子 - Google Patents
窒化物半導体素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011238654A JP2011238654A JP2010106399A JP2010106399A JP2011238654A JP 2011238654 A JP2011238654 A JP 2011238654A JP 2010106399 A JP2010106399 A JP 2010106399A JP 2010106399 A JP2010106399 A JP 2010106399A JP 2011238654 A JP2011238654 A JP 2011238654A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor layer
- type gan
- semiconductor
- gan layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 201
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 19
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 214
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 212
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7782—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET
- H01L29/7783—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET using III-V semiconductor material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28264—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being a III-V compound
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/74—Making of localized buried regions, e.g. buried collector layers, internal connections substrate contacts
- H01L21/743—Making of internal connections, substrate contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
- H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41766—Source or drain electrodes for field effect devices with at least part of the source or drain electrode having contact below the semiconductor surface, e.g. the source or drain electrode formed at least partially in a groove or with inclusions of conductor inside the semiconductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
- H01L29/4236—Disposition, e.g. buried gate electrode within a trench, e.g. trench gate electrode, groove gate electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
- H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】基板上に設けられた第1導電型の窒化物半導体からなる第1半導体層5と、前記第1半導体層の上に設けられ、前記第1半導体層のシートキャリア濃度と同量のシートキャリア濃度を有する第2導電型の窒化物半導体からなる第2半導体層6と、を備える。前記第2半導体層の上には、前記第2半導体層よりも禁制帯幅が広い窒化物半導体からなる第3半導体層7が設けられる。前記第2半導体層に電気的に接続された第1主電極10と、前記第1主電極と離間して設けられ、前記第2半導体層に電気的に接続された第2主電極20と、をさらに備え、前記第1主電極と前記第2主電極との間において、前記第3半導体層および前記第2半導体層を貫通して前記第1半導体層に達する第1のトレンチの内部に絶縁膜33を介して設けられた制御電極30を備える。
【選択図】図1
Description
図1は、第1実施形態に係る窒化物半導体素子100の断面を模式的に示している。
窒化物半導体素子100は、基板2の上に設けられた第1半導体層であるp形GaN層5と、p形GaN層5の上に設けられた第2半導体層であるn形GaN層6と、n形GaN層6の上に設けられた第3半導体層であるn形AlGaN層7と、を備えている。
ここで、シートキャリア濃度が同量とは、厳密に等しいことを意味するのではなく、例えば、p形GaN層5とn形GaN層6とが空乏化した時、p形GaN層5のマイナスチャージとn形GaN層6のプラスチャージとが相殺して、擬似的に低濃度層と見なせる状態をいう。
第1のトレンチは、図1中に示すトレンチ31であり、トレンチ31の内部には、制御電極であるゲート電極30がゲート絶縁膜33を介して設けられている。
図1に示す窒化物半導体素子100では、サファイア基板である基板2の上に、窒化物半導体層からなるバッファー層3、アンドープGaN層4、p形GaN層5、n形GaN層6、およびアンドープAlGaN層7を、例えば、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法を用いて順に積層することができる。
基板2として、サファイア基板以外にSiC基板、Si基板、GaN基板等を用いることができる。
アンドープとは、意識的にn形不純物またはp形不純物をドープしないことを意味する。MOCVD法を用いて成長するGaNの場合、アンドープであってもn形の導電性を示すが、電子濃度が低く高抵抗となる。また、GaN層に代えて、互いに組成の異なるアンドープの窒化物半導体を積層した多層構造を用いることもできる。
第2半導体層であるn形GaN層6の厚さも、約0.5μmとし、n形不純物としてSiをドープすることができる。
p形GaN層5およびn形GaN層6のシートキャリア濃度を、ほぼ等しくする。例えば、厚さが同じであれば、p形GaN層5のホール濃度と、n形GaN層6の電子濃度とを、それぞれ約1×1016cm−3とすることができる。
ゲート絶縁膜33とアンドープAlGaN層7の表面に設けられる表面保護膜32とは、同時に形成することができ、例えば、ALD(Atomic Layer Deposition)法により形成される厚さ約30nmのシリコン窒化膜(SiN膜)を用いることができる。
窒化物半導体素子100では、ソースゲート間およびゲートドレイン間において、AlGaN/GaN界面に2DEGが生じ、この2DEGを介してドレイン電流が流れることにより低いオン抵抗が得られる。
さらに、窒化物半導体素子100では、チャネル層であるn形GaN層6にn形不純物がドープされ低抵抗化されている。これにより、トランジスタがオン状態のとき、AlGaN/GaN界面の2DEGに加えてn形GaN層6もキャリアの導通に寄与するため、アンドープGaNを用いる場合と比較して、さらにオン抵抗を低減することが可能である。
本変形例に係る窒化物半導体素子では、第2半導体層は、n形不純物がドープされた第4半導体層と、第3半導体層に接し第4半導体層よりもn形不純物の濃度が低い第5半導体層と、を含む点において、窒化物半導体素子100と相違する。
図3は、第2実施形態に係る窒化物半導体素子200の断面を示す模式図である。
本実施形態に係る窒化物半導体素子では、第1主電極は、第3半導体層および第2半導体層を貫通して第1半導体層に達する第2のトレンチの内部に延在して設けられ、第2のトレンチの内面において、第1半導体層に接している。
さらに、第3半導体層は互いに組成の異なる複数の半導体層を含み、第2半導体層に接する半導体層は、第2半導体層よりも禁制帯幅が広い。
本実施形態に係る窒化物半導体素子200では、基板2の上に、バッファー層3、アンドープAlGaN層41、p形AlGaN層42およびp形GaN層43、n形GaN層6が積層され、さらに、アンドープAlN層44、n形AlGaN層45およびn形GaN層46が順に積層されている。
第1半導体層は、p形AlGaN層42およびp形GaN層43で構成されている。p形AlGaN層42は、厚さを約0.1μmとしp形不純物であるMgをドープすることができる。p形GaN層43は、厚さを約0.4μmとしMgをドープすることができる。
例えば、p形AlGaN層42およびp形GaN層43のキャリア濃度を約1×1016cm−3とし、n形GaN層6のキャリア濃度を約5×1015cm−3とすることにより、第1半導体層のシートキャリア濃度と、第2半導体層のシートキャリア濃度と、をほぼ同じにすることができる。
アンドープAlN層44は、n形GaN層6の上に設けられ、n形GaN層6よりも禁制帯幅が広い。
アンドープAlN層44の厚さを約2nmとし、n形AlGaN層45の厚さを約30nm、n形GaN層46の厚さを約5nmとすることができる。
図3中に示すように、ソース電極11は、2つのオーミック電極13および14により構成されている。これは、p形GaN層43、p形AlGaN層42およびn形GaN層6のそれぞれに対して低抵抗のオーミックコンタクトを形成するためである。
さらに、トレンチ12の周縁部には、Al/Tiの積層構造を有するオーミック電極13が設けられている。オーミック電極13は、Ti層がn形GaN層46に接するように設けられる。
さらに、ソース電極11において、p形AlGaN42およびp形GaN層43に直接コンタクトするオーミック電極14が設けられていることにより、p形AlGaN層42およびp形GaN層43の電位を固定することができる。これにより、閾値電圧の変動などを抑えることができるので、スイッチング動作時の安定性を向上させることができる。
図4は、第3の実施形態に係る窒化物半導体素子300の断面を示す模式図である。
本実施形態に係る窒化物半導体素子は、第1主電極の直下において、第3半導体層および第2半導体層を貫通して第1半導体層に達するp形半導体領域を備えている。
本実施形態に係る窒化物半導体素子300では、基板2の上に、窒化物半導体層からなるバッファー層3、アンドープGaN層4、p形GaN層5、n形InGaN層51、アンドープAlGaN層7が順に積層されている。
第1半導体層であるp形GaN層5は、厚さを約0.5μmとし、p形不純物であるMgをドープしてキャリア濃度を約1×1016cm−3とすることができる。
第3半導体層であるアンドープAlGaN層7は、Al組成を約25%とし、厚さを約30nmとすることができる。
トレンチ31は、アンドープAlGaN層7の表面からp形GaN層5に至る深さ、約0.75μmとすることができる。さらに、ソース電極11からドレイン電極20の向かうゲート長方向の幅を約1μmとすることができる。
ゲート電極35は、Au/Niの層構造を有し、ゲート絶縁膜33を介してトレンチ31の内部を埋めるように設けることができる。
p形GaN領域19のキャリア濃度はp形GaN層5よりも高く、例えば、1×1017〜1×1019cm−3とすることができる。
なお、p形GaN領域19は、アンドープGaN層4に達しなくても、p形GaN層5達する深さであれば良い。
図4中に示すように、ソース電極15は、2つのオーミック電極16および17により構成することができる。オーミック電極17は、p形GaN領域19の上に設けられ、例えば、Ni層をp形GaN領域19に接触させたNi/Agの積層構造を含むことができる。一方、オーミック電極16は、トレンチ18の周縁部に設けられ、アンドープAlGaN層7にTi層を接触させたTi/Alの積層構造を含むことができる。
本変形例に係る窒化物半導体素子は、第2主電極の直下において、第3半導体層および第2半導体層を貫通して第1半導体層に達するn形半導体領域を備えている。
窒化物半導体素子350では、Si基板61の上に、複数層の窒化物半導体層からなる積層バッファー層62、アンドープGaN層4、p形GaN層5、n形GaN層6、アンドープAlGaN層7が順に積層されている。
Si基板61に変えて、例えば、サファイア基板、SiC基板、GaN基板等を使用することもできる。
第1半導体層であるp形GaN層5は、厚さを約0.5μmとし、p形不純物であるMgをドープしてキャリア濃度を1×1016cm−3とすることができる。
第2半導体層であるn形GaN層は、厚さを0.5μmとし、n形不純物であるSiをドープして、p形GaN層5と同じキャリア濃度1×1016cm−3とすることができる。
第3半導体層であるアンドープAlGaN層7は、Al組成を約25%とし、厚さを30nmとすることができる。
さらに、ソース電極15の直下には、アンドープAlGaN層7の表面からアンドープGaN層4に達するp形GaN領域19が設けられている。また、ソース電極15は、p形GaN領域19にコンタクトするオーミック電極17と、アンドープAlGaN層7にコンタクトするオーミック電極16と、により構成されている。
ドレイン電極21は、n形GaN領域23に接するTi層を含むTi/Alの積層構造を有している。
Claims (6)
- 基板上に設けられた第1導電型の窒化物半導体からなる第1半導体層と、
前記第1半導体層上に設けられ、前記第1半導体層のシートキャリア濃度と同量のシートキャリア濃度を有する第2導電型の窒化物半導体からなる第2半導体層と、
前記第2半導体層上に設けられ、前記第2半導体層よりも禁制帯幅が広い窒化物半導体からなる第3半導体層と、
前記第2半導体層に電気的に接続された第1主電極と、
前記第1主電極と離間して設けられ、前記第2半導体層に電気的に接続された第2主電極と、
前記第1主電極と前記第2主電極との間において、前記第3半導体層および前記第2半導体層を貫通して前記第1半導体層に達する第1のトレンチの内部に絶縁膜を介して設けられた制御電極と、
を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子。 - 前記第3半導体層は、互いに組成の異なる複数の半導体層を含み、
前記複数の半導体層のうちの前記第2半導体層に接する半導体層は、前記第2半導体層よりも禁制帯幅が広いことを特徴とする請求項1記載の窒化物半導体素子。 - 前記第2半導体層は、前記第2導電型の不純物がドープされた第4半導体層と、前記第3半導体層に接し、前記第4半導体層よりも前記第2導電型の不純物濃度が低い第5半導体層と、を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の窒化物半導体素子。
- 前記第1主電極は、前記第3半導体層および前記第2半導体層を貫通して前記第1半導体層に達する第2のトレンチの内部に延在し、前記第2のトレンチの内面において、前記第1半導体層に接していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の窒化物半導体素子。
- 前記第1主電極の直下に設けられ、前記第3半導体層および前記第2半導体層を貫通して前記第1半導体層に達する前記第1導電型の半導体領域をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の窒化物半導体素子。
- 前記第2主電極の直下に設けられ、前記第3半導体層および前記第2半導体層を貫通して前記第1半導体層に達する前記第2導電型の半導体領域をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の窒化物半導体素子。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010106399A JP5611653B2 (ja) | 2010-05-06 | 2010-05-06 | 窒化物半導体素子 |
CN201110109142.8A CN102237402B (zh) | 2010-05-06 | 2011-03-18 | 氮化物半导体元件 |
US13/052,881 US8664696B2 (en) | 2010-05-06 | 2011-03-21 | Nitride semiconductor device |
US13/872,742 US9006790B2 (en) | 2010-05-06 | 2013-04-29 | Nitride semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010106399A JP5611653B2 (ja) | 2010-05-06 | 2010-05-06 | 窒化物半導体素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011238654A true JP2011238654A (ja) | 2011-11-24 |
JP5611653B2 JP5611653B2 (ja) | 2014-10-22 |
Family
ID=44887869
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010106399A Expired - Fee Related JP5611653B2 (ja) | 2010-05-06 | 2010-05-06 | 窒化物半導体素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8664696B2 (ja) |
JP (1) | JP5611653B2 (ja) |
CN (1) | CN102237402B (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013125913A (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-24 | Advanced Power Device Research Association | 半導体装置 |
JP2013201371A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Toshiba Corp | 窒化物半導体装置 |
JP2014187344A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-10-02 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2015035534A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2015115582A (ja) * | 2013-12-16 | 2015-06-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP2015176991A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US9391142B2 (en) | 2014-03-11 | 2016-07-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
JP2017183703A (ja) * | 2016-02-04 | 2017-10-05 | コミサリア ア レネルジ アトミク エ オウ エネルジ アルタナティヴ | 改良された電子ガス閉込めヘテロ接合トランジスタ |
JP2017201716A (ja) * | 2017-07-18 | 2017-11-09 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
JP2018093239A (ja) * | 2018-03-12 | 2018-06-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP2021097063A (ja) * | 2019-12-13 | 2021-06-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US11444189B2 (en) | 2019-12-13 | 2022-09-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5758132B2 (ja) * | 2011-01-26 | 2015-08-05 | 株式会社東芝 | 半導体素子 |
KR20130008281A (ko) * | 2011-07-12 | 2013-01-22 | 삼성전자주식회사 | 파워소자의 제조방법 |
JP6054621B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2016-12-27 | トランスフォーム・ジャパン株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2014072397A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
US9082748B2 (en) * | 2012-10-05 | 2015-07-14 | Micron Technology, Inc. | Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices |
JP6111821B2 (ja) * | 2013-04-25 | 2017-04-12 | 三菱電機株式会社 | 電界効果トランジスタ |
US8759879B1 (en) * | 2013-05-03 | 2014-06-24 | Texas Instruments Incorporated | RESURF III-nitride HEMTs |
US9443938B2 (en) * | 2013-07-19 | 2016-09-13 | Transphorm Inc. | III-nitride transistor including a p-type depleting layer |
JP6135487B2 (ja) * | 2013-12-09 | 2017-05-31 | 富士通株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP6229501B2 (ja) * | 2014-01-08 | 2017-11-15 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
JP6341679B2 (ja) * | 2014-02-06 | 2018-06-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP2015177016A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US9627530B2 (en) * | 2014-08-05 | 2017-04-18 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor component and method of manufacture |
ITUB20155503A1 (it) * | 2015-11-12 | 2017-05-12 | St Microelectronics Srl | Metodo di fabbricazione di un transistore hemt e transistore hemt con migliorata mobilita' elettronica |
ITUB20155862A1 (it) * | 2015-11-24 | 2017-05-24 | St Microelectronics Srl | Transistore di tipo normalmente spento con ridotta resistenza in stato acceso e relativo metodo di fabbricazione |
FR3047608B1 (fr) * | 2016-02-04 | 2018-04-27 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Transistor a heterojonction a haute mobilite electronique de type normalement bloque ameliore |
FR3050869B1 (fr) | 2016-04-29 | 2018-05-18 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Transistor a heterojonction de type normalement ouvert a tension de seuil elevee |
IT201700064155A1 (it) * | 2017-06-09 | 2018-12-09 | St Microelectronics Srl | Transistore hemt con alta resistenza allo stress in stato spento e relativo metodo di fabbricazione |
FR3083647B1 (fr) | 2018-07-03 | 2021-11-19 | Commissariat Energie Atomique | Transistor a heterojonction de type normalement ouvert a resistance de passage reduite |
CN112368843A (zh) * | 2018-07-06 | 2021-02-12 | 美国亚德诺半导体公司 | 具有后场板的复合器件 |
JP7021034B2 (ja) * | 2018-09-18 | 2022-02-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US11411099B2 (en) | 2019-05-28 | 2022-08-09 | Glc Semiconductor Group (Cq) Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI717745B (zh) * | 2019-05-28 | 2021-02-01 | 大陸商聚力成半導體(重慶)有限公司 | 半導體裝置 |
JP7374795B2 (ja) * | 2020-02-05 | 2023-11-07 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
CN113257912B (zh) * | 2020-02-12 | 2024-04-26 | 苏州晶界半导体有限公司 | 一种增强型氮化物场效应晶体管 |
JP7198236B2 (ja) * | 2020-03-13 | 2022-12-28 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US11942560B2 (en) * | 2020-08-13 | 2024-03-26 | Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd. | Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6100549A (en) * | 1998-08-12 | 2000-08-08 | Motorola, Inc. | High breakdown voltage resurf HFET |
JP2001358075A (ja) * | 2000-06-16 | 2001-12-26 | Univ Meijo | 半導体素子の製造方法及び半導体素子 |
JP2003068762A (ja) * | 2001-06-14 | 2003-03-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 横型接合型電界効果トランジスタ |
JP2007250955A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 電界効果トランジスタ |
JP2008258419A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Toshiba Corp | 窒化物半導体素子 |
JP2009054685A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Sharp Corp | 窒化物半導体装置とそれを含む電力変換装置 |
JP2009170546A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | GaN系電界効果トランジスタ |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4636823A (en) * | 1984-06-05 | 1987-01-13 | California Institute Of Technology | Vertical Schottky barrier gate field-effect transistor in GaAs/GaAlAs |
US5506421A (en) * | 1992-11-24 | 1996-04-09 | Cree Research, Inc. | Power MOSFET in silicon carbide |
JP4041075B2 (ja) | 2004-02-27 | 2008-01-30 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2008078604A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-04-03 | Rohm Co Ltd | Mis型電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
US7838904B2 (en) * | 2007-01-31 | 2010-11-23 | Panasonic Corporation | Nitride based semiconductor device with concave gate region |
JP5416399B2 (ja) | 2008-02-13 | 2014-02-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US8519438B2 (en) * | 2008-04-23 | 2013-08-27 | Transphorm Inc. | Enhancement mode III-N HEMTs |
JP5323527B2 (ja) * | 2009-02-18 | 2013-10-23 | 古河電気工業株式会社 | GaN系電界効果トランジスタの製造方法 |
US8269253B2 (en) * | 2009-06-08 | 2012-09-18 | International Rectifier Corporation | Rare earth enhanced high electron mobility transistor and method for fabricating same |
JP5589329B2 (ja) * | 2009-09-24 | 2014-09-17 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体からなる半導体装置、電力変換装置 |
JP2011204717A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Sanken Electric Co Ltd | 化合物半導体装置 |
JP5749580B2 (ja) * | 2011-06-16 | 2015-07-15 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
2010
- 2010-05-06 JP JP2010106399A patent/JP5611653B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-18 CN CN201110109142.8A patent/CN102237402B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-21 US US13/052,881 patent/US8664696B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-04-29 US US13/872,742 patent/US9006790B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6100549A (en) * | 1998-08-12 | 2000-08-08 | Motorola, Inc. | High breakdown voltage resurf HFET |
JP2001358075A (ja) * | 2000-06-16 | 2001-12-26 | Univ Meijo | 半導体素子の製造方法及び半導体素子 |
JP2003068762A (ja) * | 2001-06-14 | 2003-03-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 横型接合型電界効果トランジスタ |
JP2007250955A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 電界効果トランジスタ |
JP2008258419A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Toshiba Corp | 窒化物半導体素子 |
JP2009054685A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Sharp Corp | 窒化物半導体装置とそれを含む電力変換装置 |
JP2009170546A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | GaN系電界効果トランジスタ |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013125913A (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-24 | Advanced Power Device Research Association | 半導体装置 |
JP2013201371A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Toshiba Corp | 窒化物半導体装置 |
JP2014187344A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-10-02 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2015035534A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2015115582A (ja) * | 2013-12-16 | 2015-06-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US10014403B2 (en) | 2013-12-16 | 2018-07-03 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
US9391142B2 (en) | 2014-03-11 | 2016-07-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
US9837488B2 (en) | 2014-03-14 | 2017-12-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
JP2015176991A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2017183703A (ja) * | 2016-02-04 | 2017-10-05 | コミサリア ア レネルジ アトミク エ オウ エネルジ アルタナティヴ | 改良された電子ガス閉込めヘテロ接合トランジスタ |
JP2017201716A (ja) * | 2017-07-18 | 2017-11-09 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
JP2018093239A (ja) * | 2018-03-12 | 2018-06-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP2021097063A (ja) * | 2019-12-13 | 2021-06-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US11444189B2 (en) | 2019-12-13 | 2022-09-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP7258735B2 (ja) | 2019-12-13 | 2023-04-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8664696B2 (en) | 2014-03-04 |
US20130240899A1 (en) | 2013-09-19 |
US9006790B2 (en) | 2015-04-14 |
CN102237402A (zh) | 2011-11-09 |
US20110272708A1 (en) | 2011-11-10 |
CN102237402B (zh) | 2016-02-03 |
JP5611653B2 (ja) | 2014-10-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5611653B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
JP6270572B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US9520489B2 (en) | Semiconductor device | |
US8519439B2 (en) | Nitride semiconductor element with N-face semiconductor crystal layer | |
JP6511645B2 (ja) | 窒化物半導体デバイス | |
US20140110759A1 (en) | Semiconductor device | |
WO2017138505A1 (ja) | 半導体装置 | |
US7728354B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2008034411A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
JP2008258419A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
JP2009231508A (ja) | 半導体装置 | |
JP2008016588A (ja) | GaN系半導体素子 | |
JP5997234B2 (ja) | 半導体装置、電界効果トランジスタおよび電子装置 | |
JPWO2016147541A1 (ja) | 窒化物半導体装置 | |
JP2015173151A (ja) | 半導体装置 | |
US20160211357A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2008263140A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
JP2009278028A (ja) | 半導体装置 | |
JP5721782B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2011204892A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP6314316B2 (ja) | 窒化物半導体デバイス | |
JP2005302861A (ja) | Iii−v族窒化物半導体を用いた半導体装置 | |
JP2015005671A (ja) | ダイオード | |
WO2023112374A1 (ja) | 窒化物半導体デバイス | |
JP2016134563A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120815 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140129 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140331 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140805 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140903 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |