JP2016134563A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】高電圧が印加された場合でも、絶縁破壊を抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、基板10上に設けられた第1半導体層11と、第1半導体層11上に設けられ、n型不純物を含む第2半導体層12と、第2半導体層12上に設けられ、第2半導体層12より抵抗が大きい第3半導体層13と、第3半導体層13上に設けられ、窒化物半導体を含む第4半導体層14と、第4半導体層14上に設けられ、第4半導体層14よりバンドギャップが大きい窒化物半導体を含む第5半導体層15とを含む。
【選択図】図1
【解決手段】半導体装置1は、基板10上に設けられた第1半導体層11と、第1半導体層11上に設けられ、n型不純物を含む第2半導体層12と、第2半導体層12上に設けられ、第2半導体層12より抵抗が大きい第3半導体層13と、第3半導体層13上に設けられ、窒化物半導体を含む第4半導体層14と、第4半導体層14上に設けられ、第4半導体層14よりバンドギャップが大きい窒化物半導体を含む第5半導体層15とを含む。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、半導体装置に係り、化合物半導体を用いた半導体装置に関する。
スイッチング電源やインバータなどの回路には、スイッチング素子やダイオードなどのパワー半導体素子が用いられ、そのパワー半導体素子には、高耐圧及び低オン抵抗が求められる。耐圧とオン抵抗との間には、素子材料で決まるトレードオフの関係があるが、窒化物半導体や炭化シリコン(SiC)などのワイドバンドギャップ半導体を素子材料として用いることで、シリコンに比べて、材料で決まるトレードオフ関係を改善でき、高耐圧化及び低オン抵抗化が可能である。
GaNやAlGaNなどの窒化物半導体を用いた素子は優れた材料特性を持っているため、高性能なパワー半導体素子を実現できる。特に、AlGaN/GaNのヘテロ構造を有するHEMT(High Electron Mobility Transistor)では、AlGaN層とGaN層との界面に、分極による高濃度の2次元電子ガスが発生するために、低オン抵抗が実現できる。
実施形態は、高電圧が印加された場合でも、絶縁破壊を抑制することが可能な半導体装置を提供する。
実施形態に係る半導体装置は、基板上に設けられた第1半導体層と、前記第1半導体層上に設けられ、n型不純物を含む第2半導体層と、前記第2半導体層上に設けられ、前記第2半導体層より抵抗が大きい第3半導体層と、前記第3半導体層上に設けられ、窒化物半導体を含む第4半導体層と、前記第4半導体層上に設けられ、前記第4半導体層よりバンドギャップが大きい窒化物半導体を含む第5半導体層とを具備する。
以下、実施形態について図面を参照して説明する。ただし、図面は模式的または概念的なものであり、各図面の寸法および比率などは必ずしも現実のものと同一とは限らない。以下に示す幾つかの実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための装置および方法を例示したものであって、構成部品の形状、構造、配置などによって、本発明の技術思想が特定されるものではない。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。
図1は、実施形態に係る半導体装置1の断面図である。半導体装置1は、化合物としての窒化物半導体を用いた窒化物半導体装置である。また、半導体装置1は、電界効果トランジスタ(FET)であり、具体的には、高電子移動度トランジスタ(HEMT:High Electron Mobility Transistor)である。
基板10は、例えば、(111)面を主面とするシリコン(Si)基板から構成される。基板10としては、炭化シリコン(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、ガリウムリン(GaP)、インジウムリン(InP)、ガリウム砒素(GaAs)、又はサファイア(Al2O3)などを用いても良い。また、基板10として、絶縁層を含む基板を用いることもできる。例えば、基板10としては、SOI(Silicon On Insulator)基板を用いることができる。
バッファ層11は、基板10上に設けられる。バッファ層11は、バッファ層11上に形成される窒化物半導体層の格子定数と、基板10の格子定数との相違によって生じる歪みを緩和するとともに、バッファ層11上に形成される窒化物半導体層の結晶性を制御する機能を有する。バッファ層11は、例えば、AlXGa1−XN(0≦X≦1)から構成される。
バッファ層11は、組成比が異なる複数のAlXGa1−XNを積層して構成しても良い。バッファ層11を積層構造で構成する場合、この積層構造に含まれる複数の層の格子定数が、バッファ層11を挟む上下の層のうち下層の格子定数から上層の格子定数に向かって変化するように、積層構造の組成比を調整する。本実施形態では、図1に示すように、バッファ層11は、例えば、AlGaN層11Aと、アンドープのGaN層11Bとの積層構造から構成される。アンドープとは、意図的に不純物をドープしないことをいい、例えば、製造過程等で入り込む程度の不純物量はアンドープの範疇である。GaN層11Bの厚さは、例えば1μm程度である。
中間層12は、バッファ層11上に設けられる。中間層12は、低抵抗層であり、また、横方向の電流パスとして機能する。中間層12は、例えば、n型不純物がドープされたAlXInYGa1−(X+Y)N(0≦X<1、0≦Y<1、0≦X+Y<1)から構成される。n型不純物としては、シリコン(Si)、又は亜鉛(Zn)などが用いられる。本実施形態では、中間層12は、n型不純物がドープされたGaN(n−GaN)、又はn型不純物がドープされたAlGaN(n−AlGaN)から構成される。中間層12にn型不純物がドープされることで、中間層12の抵抗が小さくなる。これにより、中間層12は、横方向の電流パスとして機能することが可能となる。
なお、中間層12は、p型不純物がドープされたAlXInYGa1−(X+Y)N(0≦X<1、0≦Y<1、0≦X+Y<1)から構成することも可能である。p型不純物としては、マグネシウム(Mg)などが用いられる。しかし、p型不純物としてのマグネシウム(Mg)は、n型不純物としてのシリコン(Si)に比べて、拡散しやすい。このため、後述するチャネル層14までp型不純物が拡散した場合、チャネル層14の結晶性が劣化してしまう。よって、中間層12は、n型不純物をドープして形成することが望ましい。
また、GaN系材料でのp型不純物の活性化率が低いので、p型不純物によるキャリア濃度が約5×1016cm−3程度しかない。一方、n型不純物であれば、キャリア濃度を約1×1019cm−3程度にできる。
中間層12にn型不純物がドープされることで、中間層12の結晶性が劣化する。このため、中間層12は、前述した機能を実現しつつ、より薄い方が望ましい。本実施形態では、中間層12の厚さは、例えば50nm程度である。また、中間層12の厚さは、後述する高抵抗層13の厚さより小さく設定される。
中間層12のキャリア濃度は、1×1016cm−3以上かつ1×1019cm−3未満に設定される。中間層12のキャリア濃度が1×1016cm−3未満であると、中間層12の抵抗が十分に小さくならない。半導体の導電度(抵抗率の逆数)は、キャリア濃度と移動度との積に比例する。これにより、中間層12を流れるリーク電流が小さくなってしまう。また、中間層12のキャリア濃度が1×1019cm−3以上であると、中間層12の結晶性が劣化してしまい、中間層12より上の層の結晶性も劣化してしまう。結果として、半導体装置1の電気特性が劣化してしまう。
さらに、中間層12は、窒化物半導体にインジウム(In)をドープして形成することが望ましい。インジウム(In)をドープすることで、中間層12のバンドギャップを小さくすることができる。これにより、中間層12の抵抗をより小さくすることができる。
高抵抗層13は、中間層12上に設けられる。高抵抗層13は、半導体装置1の耐圧を向上させる機能を有し、主にドレイン電極17及び基板10間の耐圧を向上させる。すなわち、高抵抗層13を設けることで、高抵抗層13の抵抗に応じた電圧が高抵抗層13に印加されるため、この電圧分だけ耐圧を向上できる。高抵抗層13は、炭素(C)がドープされたAlXInYGa1−(X+Y)N(0≦X<1、0≦Y<1、0≦X+Y<1)から構成される。本実施形態では、高抵抗層13は、例えば、炭素(C)がドープされたGaN(C−GaN)から構成される。高抵抗層13の厚さは、例えば2μm程度である。高抵抗層13の抵抗は、半導体装置1に望まれる耐圧に応じて適宜設定される。また、高抵抗層13の抵抗は、中間層12の抵抗より大きく設定される。
なお、中間層12上にチャネル層14を積層すると、中間層12の不純物がチャネル層14に拡散してしまう。中間層12とチャネル層14との間に高抵抗層13を挿入することで、中間層12の不純物がチャネル層14に拡散するのを抑制できる。これにより、チャネル層14の結晶性が劣化するのを抑制できるため、チャネル層14の移動度が低下するのを抑制できる。
チャネル層14は、高抵抗層13上に設けられる。チャネル層14は、トランジスタのチャネル(電流経路)が形成される層である。チャネル層14は、AlXInYGa1−(X+Y)N(0≦X<1、0≦Y<1、0≦X+Y<1)から構成される。チャネル層14は、アンドープ層であり、かつ結晶性が良好な(高品質な)窒化物半導体から構成される。本実施形態では、チャネル層14は、アンドープのGaN(真性GaNともいう)から構成される。チャネル層14の厚さは、例えば1μm程度である。
バリア層15は、チャネル層14上に設けられる。バリア層15は、AlXInYGa1−(X+Y)N(0≦X<1、0≦Y<1、0≦X+Y<1)から構成される。バリア層15は、チャネル層14のバンドギャップより大きい窒化物半導体から構成される。本実施形態では、バリア層15は、例えば、アンドープのAlGaNから構成される。バリア層15としてのAlGaN層におけるAlの組成比は、例えば0.2程度である。バリア層15の厚さは、例えば30nm程度である。
なお、半導体装置1を構成する複数の半導体層は、例えばMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法を用いたエピタキシャル成長により順次形成される。すなわち、半導体装置1を構成する複数の半導体層は、エピタキシャル層から構成される。
バリア層15上には、互いに離間してソース電極16及びドレイン電極17が設けられる。さらに、バリア層15上かつソース電極16及びドレイン電極17間には、ソース電極16及びドレイン電極17に離間してゲート電極18が設けられる。
ゲート電極18とバリア層15とは、ショットキー接合している。すなわち、ゲート電極18は、バリア層15とショットキー接合する材料を含むように構成される。図1に示した半導体装置1は、ショットキー障壁型HEMTである。ゲート電極18としては、例えば、Au/Niの積層構造が用いられる。“/”の左側が上層、右側が下層を表している。なお、半導体装置1は、ショットキー障壁型HEMTに限定されず、バリア層15とゲート電極18との間にゲート絶縁膜を介在させたMIS(Metal Insulator Semiconductor)型HEMTであっても良い。
ソース電極16とバリア層15とは、オーミック接触している。同様に、ドレイン電極17とバリア層15とは、オーミック接触している。すなわち、ソース電極16及びドレイン電極17の各々は、バリア層15とオーミック接触する材料を含むように構成される。ソース電極16及びドレイン電極17としては、例えば、Al/Tiの積層構造が用いられる。
チャネル層14とバリア層15とのヘテロ接合構造において、バリア層15の方がチャネル層14よりも格子定数が小さいことから、バリア層15に歪みが生じる。この歪みに起因するピエゾ効果によりバリア層15内にピエゾ分極が生じ、チャネル層14におけるバリア層15との界面付近に2次元電子ガス(2DEG:two-dimensional electron gas)が発生する。この2次元電子ガスが、ソース電極16及びドレイン電極17間のチャネルとなる。そして、ゲート電極18とバリア層15との接合によって生じるショットキー障壁により、ドレイン電流の制御が可能となる。
(動作)
次に、上記のように構成された半導体装置1の動作について説明する。図2は、半導体装置1の動作を説明する模式図である。
次に、上記のように構成された半導体装置1の動作について説明する。図2は、半導体装置1の動作を説明する模式図である。
半導体装置1は、例えばノーマリーオン型である。半導体装置1は、例えばスイッチング素子として使用され、ドレイン電極17に200V〜600V程度の高電圧が印加される場合がある。半導体装置1に印加される電圧が高くなるほど、半導体装置1に生じるリーク電流、すなわち、ドレイン電極17及び基板10間に流れるリーク電流、及びドレイン電極17及びソース電極16間に流れるリーク電流が大きくなる。
半導体装置1のオン時には、例えば、ゲート電圧Vg=0V、ソース電圧Vs=0V、ドレイン電圧Vd=200Vが印加される。この時、ドレイン電極17及びソース電極16間には、チャネル層14に形成されたチャネルを介してドレイン電流が流れる。
半導体装置1のオフ時には、例えば、ゲート電圧Vg=−15V、ソース電圧Vs=0V、ドレイン電圧Vd=200Vが印加される。この時、ドレイン電極17及びソース電極16間には、中間層12を介してリーク電流が流れる。
図2のリーク電流を示した破線は、リーク電流のパスを概念的に示しており、図2の通りにリーク電流が流れるとは限らない。ドレイン電極17に高電圧が印加されると、ドレイン電極17から基板10に向かって電界が発生するとともに、ドレイン電極17からソース電極16に向かって電界が発生する。そして、ドレイン電極17から広がる電界に応じてリーク電流が発生し、リーク電流のパスが中間層12に達した場合に、その位置から中間層12を介してソース電極16にリーク電流が流れる。
これにより、ドレイン電極17に印加された高電圧に起因して半導体装置1が絶縁破壊(breakdown)するのを抑制することができる。特に、高抵抗層13は抵抗が大きいため、高抵抗層13に高い電界が印加され、高抵抗層13が絶縁破壊されやすい。また、高抵抗層13にリーク電流が流れると、高抵抗層13内の結晶欠陥に起因して高抵抗層13が絶縁破壊されやすい。しかし、中間層12を介してリーク電流を流すことで、高抵抗層13が絶縁破壊するのを抑制できる。
なお、ドレイン電極17に高電圧が印加される場合、半導体装置1のオン時においても中間層12を介してドレイン電極17及びソース電極16間にリーク電流を流すことができる。よって、半導体装置1のオン時において、半導体装置1が絶縁破壊するのを抑制することができる。
(効果)
以上詳述したように本実施形態では、バッファ層11と高抵抗層13との間に、n型不純物がドープされたAlXInYGa1−(X+Y)N(0≦X<1、0≦Y<1、0≦X+Y<1)から構成される中間層12をさらに設ける。この中間層12は、ドレイン電極17に高電圧が印加された場合に、横方向の電流パスとして機能する。
以上詳述したように本実施形態では、バッファ層11と高抵抗層13との間に、n型不純物がドープされたAlXInYGa1−(X+Y)N(0≦X<1、0≦Y<1、0≦X+Y<1)から構成される中間層12をさらに設ける。この中間層12は、ドレイン電極17に高電圧が印加された場合に、横方向の電流パスとして機能する。
従って本実施形態によれば、ドレイン電極17に高電圧が印加された場合でも、半導体装置1が絶縁破壊するのを抑制することができる。すなわち、絶縁破壊に対する臨界電圧を大きくすることが可能な半導体装置1を実現できる。
本願明細書において、「積層」とは、互いに接して重ねられる場合の他に、間に他の層が挿入されて重ねられる場合も含む。また、「上に設けられる」とは、直接接して設けられる場合の他に、間に他の層が挿入されて設けられる場合も含む。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1…半導体装置、10…基板、11…バッファ層、12…中間層、13…高抵抗層、14…チャネル層、15…バリア層、16…ソース電極、17…ドレイン電極、18…ゲート電極
Claims (7)
- 基板上に設けられた第1半導体層と、
前記第1半導体層上に設けられ、n型不純物を含む第2半導体層と、
前記第2半導体層上に設けられ、前記第2半導体層より抵抗が大きい第3半導体層と、
前記第3半導体層上に設けられ、窒化物半導体を含む第4半導体層と、
前記第4半導体層上に設けられ、前記第4半導体層よりバンドギャップが大きい窒化物半導体を含む第5半導体層と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記第2半導体層のキャリア濃度は、1×1016cm−3以上かつ1×1019cm−3未満であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2半導体層は、AlXInYGa1−(X+Y)N(0≦X<1、0≦Y<1、0≦X+Y<1)からなる材料を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記第2半導体層は、前記第1半導体層と同じ半導体材料を含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第1半導体層は、AlXGa1−XN(0≦X≦1)からなる材料を含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第3半導体層は、炭素を含む窒化物半導体を含むことを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第2半導体層の厚さは、前記第3半導体層の厚さより小さいことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の半導体装置。
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