JP2011228462A5 - - Google Patents
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Claims (5)
- 基板上に、下部電極、誘電体層及び上部電極が順次形成された薄膜キャパシタにおいて、前記下部電極及び前記上部電極のうち少なくとも前記上部電極が、Ｐｔを含まない窒化物の層と該層の上にあるＰｔを含まない金属の層とを含む積層電極である、ことを特徴とする薄膜キャパシタ。
- 前記窒化物が、高融点金属を含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜キャパシタ。
- 前記窒化物の層と積層する前記金属の層が、前記窒化物に含まれる高融点金属と同じ金属を含むことを特徴とする請求項２記載の薄膜キャパシタ。
- 前記高融点金属が、Ｔａ又はＴｉであることを特徴とする請求項２又は３記載の薄膜キャパシタ。
- 前記窒化物が、Ｓｉを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の薄膜キャパシタ。
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