JP2013197496A5 - - Google Patents

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下部電極３の組成は、特に制限なく、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）、Ａｇ（銀）、Ｉｒ（イリジウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｒｕ（ルテニウム）、ＴｉＮ（窒化チタン）、ＩｒＯ２、ＲｕＯ２、ＬａＮｉＯ３、及びＳｒＲｕＯ３等の金属又は金属酸化物、及びこれらの組み合わせが挙げられる。特に、下部電極３は、白金族の金属を含む構成が好ましい。また、基板２との密着性を高めるために、密着層としてＴｉやＴｉＷなどを用いる構成が好ましく、この密着層の上に白金族の金属を積層して形成する態様がさらに好ましい。
この態様によれば、基板上に基板面に近い側から、下部電極、圧電体膜、酸化物電極層、第１の金属電極層、第２の金属電極層が順に積層して形成された積層構造体を有する。酸化物電極層、第１の金属電極層、第２の金属電極層の積層構造により上部電極が構成される。上部電極と下部電極との間に圧電体膜が介在する構造によって、圧電体膜の圧電効果及び逆圧電効果の少なくとも一方を利用して動作する圧電素子部が構成される。
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