JP2011198827A - 配線基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】配線基板1は、少なくとも1つの信号層10Sと、少なくとも1つのグランド層10Gと、少なくとも1つの電源層10Vと、半導体素子チップが実装される一方の基板面21上の配線31と他方の基板面22上の配線32と電源層10Vとを電気的に導通する少なくとも1つの電源ビア40Vと、複数の半導体素子チップ間の信号伝送がなされる信号配線とを備え、電源層10Vが信号配線より一方の基板面21側に設けられたものである。電源ビア40Vは、一方の基板面21から電源層10Vまで形成された相対的に孔径の大きい大孔径部41Vと、電源層10Vから他方の基板面22まで形成された相対的に孔径の小さい小孔径部42Vとからなる。
【選択図】図2
Description
図7に示す配線基板100内には、少なくとも1つの信号層(Signal)110Sと少なくとも1つのグランド層(GND)110Gと少なくとも1つの電源層(POWER PLANE)110Vとが、絶縁層(符号略)を介して積層形成されている。配線基板100の一方の基板面(図示上面)121には、LSI等の半導体素子チップが収容された複数の半導体パッケージ200が実装される。図示する例では、半導体パッケージ200はBGA(Ball grid array)パッケージである。
半導体パッケージ200が実装される一方の基板面121上の配線131と他方の基板面122上の配線132と信号層110Sとを電気的に導通する、内壁面が導電材で覆われた開孔部からなる少なくとも1つの信号ビア140Sと、
半導体パッケージ200が実装される一方の基板面121上の配線131と他方の基板面122上の配線132とグランド層110Gとを電気的に導通する、内壁面が導電材で覆われた開孔部からなる少なくとも1つのグランドビア140Gと、
半導体パッケージ200が実装される一方の基板面121上の配線131と他方の基板面122上の配線132と電源層110Vとを電気的に導通する、内壁面が導電材で覆われた開孔部からなる少なくとも1つの電源ビア140Vとが形成されている。
配線基板100の信号層110S内には、複数の半導体パッケージ200間の信号伝送がなされる信号配線111Sが形成されている。
本願発明の関連特許としては特許文献2〜5があるが、詳細については後記する。
具体的な数値を挙げると、2.5mm厚のプリント配線基板に1.0mmピッチのBGAパッケージを実装する場合、電源ビアの孔径は0.2〜0.3mm、他方の基板側に設けられるビアランドの径は0.4〜0.6mm程度、隣接するビアランドの間隙は0.4〜0.6mm程度である。この場合、隣接するビアランド間に2本の配線を通す場合、その線幅は最大でも100μm程度である。そのため、電源層の下方の信号層及び他方の基板面における配線のチャネル数や線幅に制限があり、インピーダンスのミスマッチが生じる恐れがある。
少なくとも1つの信号層と、
少なくとも1つのグランド層と、
少なくとも1つの電源層と、
少なくとも1つの半導体素子チップが実装される一方の基板面上の配線と他方の基板面上の配線と前記電源層とを電気的に導通する、内壁面が導電材で覆われた開孔部からなる少なくとも1つの電源ビアと、
複数の半導体素子チップ間の信号伝送がなされる信号配線とを備え、
前記電源層が前記信号配線より前記一方の基板面側に設けられた配線基板であって、
前記電源ビアは、前記一方の基板面から前記電源層まで形成された相対的に孔径の大きい大孔径部と、前記電源層から前記他方の基板面まで形成された相対的に孔径の小さい小孔径部とからなるものである。
図面を参照して、本発明に係る第1実施形態の多層プリント配線基板について説明する。図1は、本実施形態の配線基板の全体断面図、図2は部分拡大図、図3A〜図3Dは製造工程図である。視認しやすくするため、各構成要素の縮尺は実際のものとは適宜異ならせてある。
本実施形態において、半導体パッケージ2は、PGA(Pin Grid Array)パッケージ、LGA(Land Grid Array)パッケージ等でも構わない。
半導体パッケージ2が実装される一方の基板面21上の配線(この配線も信号層である。)31と他方の基板面22上の配線(この配線も信号層である。)32と信号層10Sとを電気的に導通する、内壁面が導電材Mで覆われた開孔部からなる少なくとも1つの信号ビア40Sと、
半導体パッケージ2が実装される一方の基板面21上の配線31と他方の基板面22上の配線32とグランド層10Gとを電気的に導通する、内壁面が導電材Mで覆われた開孔部からなる少なくとも1つのグランドビア(図示略)と、
半導体パッケージ2が実装される一方の基板面21上の配線31と他方の基板面22上の配線32と電源層10Vとを電気的に導通する、内壁面が導電材Mで覆われた開孔部からなる少なくとも1つの電源ビア40Vとが形成されている。
図3Aに示すように、内部に、少なくとも1つの信号層10Sと少なくとも1つのグランド層10Gと少なくとも1つの電源層10Vとが形成された配線基板1Aを用意する。配線基板1Aにはいずれのビアも形成されておらず、一方の基板面21にはパターニングされていない配線層31Xが形成され、他方の基板面22にはパターニングされていない配線層32Xが形成されている。
次に、図3A及び図3Bに示すように、配線基板1Aの電源ビア40Vの形成箇所に、一方の基板面21側から大孔径部41Vの内径と同じ外径のドリルD1を用いて一方の基板面21から電源層10Vまで到る大孔径部41Vを開孔する。
次に、図3A及び図3Bに示すように、配線基板1Aの電源ビア40Vの形成箇所に、他方の基板面22側から小孔径部42Vの内径と同じ外径のドリルD2を用いて小孔径部42Vを開孔する。
信号ビア40S用の孔部、グランドビア(図示せず)用の孔部、及び電源ビア40V用の孔部の開孔順序については、上記に限らず適宜変更できる。
最後に、図3Dに示すように、配線層31Xと導電材Mとの積層体、及び配線層32Xと導電材Mとの積層体を各々パターニングして、基板面21、22上に配線31、32を形成する。
以上のようにして、配線基板1が製造される。
一方、電源層10Vから下方(電源層10Vから他方の基板面22まで)は、電源ビア40Vの径が小さいため、隣接する電源ビア40Vの間隙を広く取ることができる。そのため、電源層10Vから下方の信号層10S及び他方の基板面22上の配線設計の自由度が高く、配線チャネル数の確保や、配線幅を太くすることによるインピーダンスマッチングが容易である。
大孔径部41Vの径xが大きくなる程、給電ラインの抵抗低減の効果はより大きくなる。小孔径部42Vの径yが小さくなる程、配線性の向上及びインピーダンスマッチング向上の効果はより大きくなる。
例えば、小孔径部42Vの径は従来のストレート孔部からなる電源ビアの径と同等又はそれ以下とし、大孔径部41Vの径を従来のストレート孔部からなる電源ビアの径より大きくする構成が好ましい。
例えば、1.0mmピッチデバイス、板厚2.5mmの場合、
大孔径部41Vの径:0.3〜0.4mmφ程度(0.5mmφ程度も場合によっては可)、
小孔径部42Vの径:0.1〜0.2mmφ程度に設計できる。
図面を参照して、本発明に係る第2実施形態の配線基板について説明する。図4は本実施形態の配線基板の部分拡大断面図、図5A〜図5Dは製造工程図、図6は部分拡大斜視図である。図4は第1実施形態の図2に対応した図である。視認しやすくするため、各構成要素の縮尺は実際のものとは適宜異ならせてある。第1実施形態と同じ構成要素については同じ参照符号を付して、説明は省略する。
第1実施形態の図1と同様、配線基板3の一方の基板面(図示上面)21には、LSI等の半導体素子チップが収容された少なくとも1つの半導体パッケージが実装される。
配線基板3内には、
半導体パッケージが実装される一方の基板面21上の配線31と他方の基板面22上の配線32と信号層10Sとを電気的に導通する、内壁面が導電材Mで覆われた開孔部からなる少なくとも1つの信号ビア(図示略、第1実施形態の図1の信号ビア40Sと同様)と、
半導体パッケージが実装される一方の基板面21上の配線31と他方の基板面22上の配線32と電源層10Vとを電気的に導通する、内壁面が導電材Mで覆われた開孔部からなる少なくとも1つの電源ビア40Vとが形成されている。
本実施形態では、配線基板3内に、電源層10Vと他方の基板22面との間に形成された複数のグランド層10Gを互いに電気的に導通する、内壁面が導電材Mで覆われた開孔部からなる複数のグランドビア40Gが形成されている。
第1実施形態と同様、配線基板3の信号層10S内に、複数の半導体パッケージ間の信号伝送がなされる信号配線(図示略、第1実施形態の図1の信号配線11Sと同様)が形成されている。
図5Aに示す配線基板3A〜3Dをシーケンシャル積層して、図5Bに示す配線基板3Eを得る。配線基板3Cには、シーケンシャル積層に先だってあらかじめグランドビア40Gが形成されている。
配線基板3Eの内部には、少なくとも1つの信号層10Sと複数のグランド層10Gと少なくとも1つの電源層10Vと少なくとも1つのグランドビア40Gとが形成されている。配線基板3Eには信号ビアと電源ビア40Vはまだ形成されておらず、一方の基板面21にはパターニングされていない配線層31Xが形成され、他方の基板面22にはパターニングされていない配線層32Xが形成されている。
次に、図5Cに示すように、配線基板3Eの電源ビア40Vの形成箇所に、一方の基板面21側から大孔径部41Vの内径と同じ外径のドリルD1を用いて一方の基板面21から電源層10Vまで到る大孔径部41Vを開孔する。
次に、図5Cに示すように、配線基板3Eの電源ビア40Vの形成箇所に、他方の基板面22側から小孔径部42Vの内径と同じ外径のドリルD2を用いて小孔径部42Vを開孔する。
信号ビア用の孔部及び電源ビア40V用の孔部の開孔順序については、上記に限らず適宜変更できる。
以上のようにして、配線基板3が製造される。
一方、電源層10Vから下方(電源層10Vから他方の基板面22まで)は、電源ビア40Vの径が小さいため、隣接する電源ビア40Vの間隙を広く取ることができる。そのため、電源層10Vから下方の信号層10S及び他方の基板面22上の配線設計の自由度が高く、配線チャネル数の確保や、配線幅を太くすることによるインピーダンスマッチングが容易である。
本実施形態においても、両方の基板面21、22から開孔を行うため、片側の基板面のみから開孔を行う場合に比較して、一回に開孔する部分のアスペクト比が小さくなるので、ドリルD2として従来よりも小径のドリルを用い、小孔径部42Vの径を従来のストレート孔部からなる電源ビアの径よりも小さくすることも可能である。
例えば、小孔径部42Vの径は従来のストレート孔部からなる電源ビアの径と同等又はそれ以下とし、大孔径部41Vの径を従来のストレート孔部からなる電源ビアの径より大きくする構成が好ましい。
本発明は上記態様に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において適宜設計変更が可能である。
2 半導体パッケージ
10S 信号層
10G グランド層
10V 電源層
11S 信号配線
21 一方の基板面
22 他方の基板面
31、32 配線
40S 信号ビア
40G グランドビア
40V 電源ビア
41V 電源ビアの大孔径部
42V 電源ビアの小孔径部
M 導電材
I 絶縁材
Claims (2)
- 少なくとも1つの信号層と、
少なくとも1つのグランド層と、
少なくとも1つの電源層と、
少なくとも1つの半導体素子チップが実装される一方の基板面上の配線と他方の基板面上の配線と前記電源層とを電気的に導通する、内壁面が導電材で覆われた開孔部からなる少なくとも1つの電源ビアと、
複数の半導体素子チップ間の信号伝送がなされる信号配線とを備え、
前記電源層が前記信号配線より前記一方の基板面側に設けられた配線基板であって、
前記電源ビアは、前記一方の基板面から前記電源層まで形成された相対的に孔径の大きい大孔径部と、前記電源層から前記他方の基板面まで形成された相対的に孔径の小さい小孔径部とからなる配線基板。 - 前記電源層と前記他方の基板面との間に複数の前記グランド層を備えると共に、当該複数のグランド層を互いに電気的に導通する、前記小孔径部よりも孔径が大きい、内壁面が導電材で覆われた開孔部からなる複数のグランドビアを備え、
前記電源ビアの前記小孔径部の少なくとも一部が、前記グランドビアの中に配置され、前記電源ビアの前記小孔径部内の前記導電材と前記グランドビア内の前記導電材とが絶縁材を介して対向配置されて容量が形成された請求項1に記載の配線基板。
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