JP2011174762A - 赤外線センサモジュール - Google Patents
赤外線センサモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011174762A JP2011174762A JP2010037811A JP2010037811A JP2011174762A JP 2011174762 A JP2011174762 A JP 2011174762A JP 2010037811 A JP2010037811 A JP 2010037811A JP 2010037811 A JP2010037811 A JP 2010037811A JP 2011174762 A JP2011174762 A JP 2011174762A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- infrared sensor
- package
- region
- package body
- sensor module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
- H01L2224/48229—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad protruding from the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】パッケージ3は、絶縁材料からなる基体40に配線パターン46が形成されてなり赤外線センサ1およびIC素子2が横並びで実装されるパッケージ本体4と、赤外線センサ1での検知対象の赤外線を透過する機能を有しパッケージ本体4との間に赤外線センサ1およびIC素子2を囲む形でパッケージ本体4に気密的に接合されるパッケージ蓋5とで構成されている。パッケージ本体4は、赤外線センサ1を実装する第1の領域41とIC素子2を実装する第2の領域42との間に、IC素子2から赤外線センサ1側へ放射される赤外線を遮蔽する壁部43が立設され、第2の領域42の厚みを第1の領域41の厚みよりも薄くしてある。
【選択図】図1
Description
以下、本実施形態の赤外線センサモジュールについて図1を参照しながら説明する。
本実施形態の赤外線センサモジュールの基本構成は実施形態1と略同じであり、図2に示すように、壁部43上に、赤外線センサ1とIC素子2との中継用の複数の電極48が形成されており、赤外線センサ1およびIC素子2それぞれのパッド(図示せず)と電極48とがボンディングワイヤ73a,73bを介して電気的に接続されている点が相違するだけである。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の赤外線センサモジュールの基本構成は実施形態2と略同じであり、図3に示すように、パッケージ本体4における第1の領域41と第2の領域42との間に各領域41,42よりも肉厚の薄い薄肉部40cが形成されている点が相違する。なお、実施形態2と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の赤外線センサモジュールの基本構成は実施形態3と略同じであり、図4に示すように、赤外線センサ1とパッケージ本体4との間に、赤外線センサ1とパッケージ本体4とを熱絶縁する断熱材16を設け、赤外線センサ1と第1の領域41との間に断熱材16と接合部15とが介在している点などが相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の赤外線センサモジュールの基本構成は実施形態4と略同じであり、図5に示すように、IC素子2が、当該IC素子2における第2の領域42側の裏面に平行な面内で互いに離間して配置された複数の接合部25を介して第2の領域42に実装されている点が相違する。なお、実施形態4と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の赤外線センサモジュールの基本構成は実施形態4と略同じであり、壁部43上にも金属パターン47を形成し、パッケージ蓋5のメタルキャップ52におけるパッケージ本体4との対向面から、金属パターン47に接合される仕切り壁52cを突設してある点などが相違する。なお、実施形態4と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の赤外線センサモジュールの基本構成は実施形態6と略同じであり、パッケージ蓋5を、赤外線センサ1とIC素子2とを各別に囲む2つの蓋部材521,522に分けてある点が相違する。なお、実施形態6と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の赤外線センサモジュールの基本構成は実施形態2と略同じであって、図8に示すように、パッケージ本体4およびパッケージ蓋5の形状が相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。また、図8では、図2の電磁シールド層44およびビア(サーマルビア)45の図示を省略してある。
本実施形態の赤外線センサモジュールの基本構成は実施形態8と略同じであって、図9に示すように、パッケージ本体4における第1の領域41と第2の領域42との間に各領域41,42よりも肉厚の薄い薄肉部40cが形成されている点が相違する。なお、実施形態2と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の赤外線センサモジュールの基本構成は実施形態8と略同じであって、図10に示すように、パッケージ本体4の第2の領域42に、IC素子2が実装され熱結合される金属部440を備え、金属部440が、第1の領域41を避けて形成されてパッケージ3の外側に一部が露出する放熱部450と熱結合されている点が相違する。また、金属部440は、実施形態1で説明した図1の電磁シールド層44とは別に設けてある。なお、実施形態8と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の赤外線センサモジュールの基本構成は実施形態8と略同じであって、図11に示すように、赤外線センサ1とパッケージ本体4の第1の領域41との間に、赤外線センサ1とパッケージ本体4とを熱絶縁する断熱材16を設け、赤外線センサ1と第1の領域41との間に断熱材16と接合部15とが介在している点が相違する。なお、実施形態8と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の赤外線センサモジュールの基本構成は実施形態10と略同じであり、図12に示すように、赤外線センサ1とパッケージ本体4の第1の領域41との間に、赤外線センサ1とパッケージ本体4とを熱絶縁する断熱材16を設け、赤外線センサ1と第1の領域41との間に断熱材16と接合部15とが介在している点が相違する。ここで、断熱材16については、実施形態11と同様の構成とすることができる。なお、実施形態10と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
2 IC素子
3 パッケージ
4 パッケージ本体
5 パッケージ蓋
15 接合部
16 断熱材
25 接合部
40c 薄肉部
41 第1の領域
42 第2の領域
43 壁部
44 電磁シールド層(金属部)
45 ビア(放熱部)
48 電極
52 メタルキャップ
53 レンズ
73a ボンディングワイヤ
73b ボンディングワイヤ
440 金属部
450 放熱部
521 蓋部材
522 蓋部材
Claims (10)
- 赤外線センサと、前記赤外線センサの出力信号を信号処理するIC素子と、前記赤外線センサおよび前記IC素子が収納されたパッケージとを備え、前記パッケージは、絶縁材料を用いて形成され前記赤外線センサおよび前記IC素子が横並びで実装されるパッケージ本体と、前記赤外線センサでの検知対象の赤外線を透過する機能を有し前記パッケージ本体との間に前記赤外線センサおよび前記IC素子を囲む形で前記パッケージ本体に気密的に接合されるパッケージ蓋とで構成され、前記パッケージ本体は、前記赤外線センサを実装する第1の領域と前記IC素子を実装する第2の領域との間に、前記IC素子から前記赤外線センサ側へ放射される赤外線を遮蔽する壁部が立設され、前記第2の領域の厚みを前記第1の領域の厚みよりも薄くしてあることを特徴とする赤外線センサモジュール。
- 前記パッケージ本体の前記絶縁材料はセラミックスであり、前記壁部は、前記パッケージ本体に一体成形されてなることを特徴とする請求項1記載の赤外線センサモジュール。
- 前記パッケージ本体は、前記壁部上に、前記赤外線センサと前記IC素子との中継用の複数の電極が形成されてなり、前記赤外線センサおよび前記IC素子それぞれのパッドと前記電極とがボンディングワイヤを介して電気的に接続されてなることを特徴とする請求項1または請求項2記載の赤外線センサモジュール。
- 前記パッケージ本体は、前記第1の領域と前記第2の領域との間に前記各領域よりも肉厚の薄い薄肉部が形成されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の赤外線センサモジュール。
- 前記パッケージ本体は、前記第2の領域に、前記IC素子が実装され熱結合される金属部を備え、前記金属部は、前記第1の領域を避けて形成されて前記パッケージの外側に一部が露出する放熱部と熱結合されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の赤外線センサモジュール。
- 前記赤外線センサは、前記赤外線センサにおける前記第1の領域側の裏面に平行な面内で互いに離間して配置された複数の接合部を介して前記第1の領域に実装されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の赤外線センサモジュール。
- 前記赤外線センサと前記パッケージ本体との間に、前記赤外線センサと前記パッケージ本体とを熱絶縁する断熱材を設けてなることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の赤外線センサモジュール。
- 前記IC素子は、前記IC素子における前記第2の領域側の裏面に平行な面内で互いに離間して配置された複数の接合部を介して前記第2の領域に実装されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の赤外線センサモジュール。
- 前記IC素子と前記パッケージ本体との間に、前記IC素子と前記パッケージ本体とを熱絶縁する断熱材を設けてなることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の赤外線センサモジュール。
- 前記パッケージ蓋は、前記赤外線センサと前記IC素子とを各別に囲む2つの蓋部材に分けてあることを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載の赤外線センサモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010037811A JP5645245B2 (ja) | 2010-02-23 | 2010-02-23 | 赤外線センサモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010037811A JP5645245B2 (ja) | 2010-02-23 | 2010-02-23 | 赤外線センサモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011174762A true JP2011174762A (ja) | 2011-09-08 |
JP5645245B2 JP5645245B2 (ja) | 2014-12-24 |
Family
ID=44687754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010037811A Expired - Fee Related JP5645245B2 (ja) | 2010-02-23 | 2010-02-23 | 赤外線センサモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5645245B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013084893A1 (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | センサユニット及び固体撮像装置 |
CN104776912A (zh) * | 2014-01-15 | 2015-07-15 | 欧姆龙株式会社 | 红外线检测器的盖及红外线检测器 |
JP2015192144A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | インテル・コーポレーション | フレキシブル基板上の電気回路 |
JP2015206595A (ja) * | 2014-04-17 | 2015-11-19 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 赤外線検出素子、及び赤外線検出装置 |
JP2018179628A (ja) * | 2017-04-07 | 2018-11-15 | セイコーNpc株式会社 | 赤外線センサ装置 |
US10288488B2 (en) | 2015-02-06 | 2019-05-14 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Infrared detecting device |
US10495518B2 (en) | 2016-06-23 | 2019-12-03 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Infrared detection apparatus |
JP6811891B1 (ja) * | 2019-08-08 | 2021-01-13 | 三菱電機株式会社 | 光センサモジュール |
US11204282B2 (en) | 2016-06-23 | 2021-12-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Infrared detection apparatus |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08195411A (ja) * | 1995-01-17 | 1996-07-30 | Toshiba Fa Syst Eng Kk | パワーモジュール素子 |
JPH11186733A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-09 | Kyocera Corp | 高周波複合回路ブロック |
JP2002232058A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Kyocera Corp | 光半導体素子収納用パッケージ |
JP2003152170A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-23 | Toshiba Corp | 赤外線センサ |
JP2004040027A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
JP2004140036A (ja) * | 2002-10-15 | 2004-05-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 電子回路モジュール |
JP2006005203A (ja) * | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
WO2006122529A2 (de) * | 2005-05-17 | 2006-11-23 | Heimann Sensor Gmbh | Thermopile infrarot sensorarray |
JP2007171058A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線検出器 |
-
2010
- 2010-02-23 JP JP2010037811A patent/JP5645245B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08195411A (ja) * | 1995-01-17 | 1996-07-30 | Toshiba Fa Syst Eng Kk | パワーモジュール素子 |
JPH11186733A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-09 | Kyocera Corp | 高周波複合回路ブロック |
JP2002232058A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Kyocera Corp | 光半導体素子収納用パッケージ |
JP2003152170A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-23 | Toshiba Corp | 赤外線センサ |
JP2004040027A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
JP2004140036A (ja) * | 2002-10-15 | 2004-05-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 電子回路モジュール |
JP2006005203A (ja) * | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
WO2006122529A2 (de) * | 2005-05-17 | 2006-11-23 | Heimann Sensor Gmbh | Thermopile infrarot sensorarray |
JP2007171058A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線検出器 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9478683B2 (en) | 2011-12-07 | 2016-10-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Sensor unit and solid-state imaging device |
JP2013120851A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Hamamatsu Photonics Kk | センサユニット及び固体撮像装置 |
CN103999220A (zh) * | 2011-12-07 | 2014-08-20 | 浜松光子学株式会社 | 传感器单元以及固体摄像装置 |
KR20140107175A (ko) * | 2011-12-07 | 2014-09-04 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 센서 유니트 및 고체 촬상 장치 |
WO2013084893A1 (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | センサユニット及び固体撮像装置 |
EP2790219A4 (en) * | 2011-12-07 | 2015-10-28 | Hamamatsu Photonics Kk | SENSOR UNIT AND FIXED BODY IMAGING DEVICE |
KR102105723B1 (ko) * | 2011-12-07 | 2020-04-28 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 센서 유니트 및 고체 촬상 장치 |
CN104776912A (zh) * | 2014-01-15 | 2015-07-15 | 欧姆龙株式会社 | 红外线检测器的盖及红外线检测器 |
US9930793B2 (en) | 2014-03-27 | 2018-03-27 | Intel Corporation | Electric circuit on flexible substrate |
JP2015192144A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | インテル・コーポレーション | フレキシブル基板上の電気回路 |
JP2015206595A (ja) * | 2014-04-17 | 2015-11-19 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 赤外線検出素子、及び赤外線検出装置 |
US10288488B2 (en) | 2015-02-06 | 2019-05-14 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Infrared detecting device |
US10378960B2 (en) | 2015-02-06 | 2019-08-13 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Infrared detecting device |
US10495518B2 (en) | 2016-06-23 | 2019-12-03 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Infrared detection apparatus |
US11204282B2 (en) | 2016-06-23 | 2021-12-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Infrared detection apparatus |
JP2018179628A (ja) * | 2017-04-07 | 2018-11-15 | セイコーNpc株式会社 | 赤外線センサ装置 |
JP6811891B1 (ja) * | 2019-08-08 | 2021-01-13 | 三菱電機株式会社 | 光センサモジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5645245B2 (ja) | 2014-12-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5645245B2 (ja) | 赤外線センサモジュール | |
JP5492213B2 (ja) | 赤外線センサ | |
JP6083573B2 (ja) | 赤外線センサ | |
JP7045430B2 (ja) | ウェハレベルパッケージ内の熱赤外線センサアレイ | |
WO2011129307A1 (ja) | 赤外線センサの製造方法 | |
JP2011220938A (ja) | 赤外線センサの製造方法 | |
US10078007B2 (en) | Infrared sensor | |
JP2011174763A (ja) | 赤外線検出器 | |
JP2010528301A (ja) | サンドイッチ構造体を有する熱放射検出用デバイス、このデバイスの製造方法および使用方法 | |
JP2013186038A (ja) | 赤外線検出装置 | |
JP2013190243A (ja) | センサ装置 | |
JP2003270047A (ja) | 赤外線センサ | |
US8575550B2 (en) | Apparatus having a screened structure for detecting thermal radiation | |
JP2013137259A (ja) | 赤外線検出器 | |
JP2012230010A (ja) | 赤外線センサ | |
JP2012173156A (ja) | 赤外線センサモジュール | |
WO2022038828A1 (ja) | 赤外線センサ | |
JP2013195371A (ja) | センサ装置 | |
JP2003254821A (ja) | 赤外線センサ | |
JP2012037394A (ja) | 赤外線センサの製造方法 | |
WO2017125973A1 (ja) | 赤外線センサ | |
JP2000292253A (ja) | 熱型赤外線検知器 | |
JP2011252724A (ja) | 赤外線センサおよびその製造方法 | |
JP2010177295A (ja) | 半導体装置 | |
JP2010177298A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120118 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121206 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140603 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140728 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141007 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20141007 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141030 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5645245 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |