JPH11186733A

JPH11186733A - 高周波複合回路ブロック

Info

Publication number: JPH11186733A
Application number: JP35693197A
Authority: JP
Inventors: Yuzuru Matsumoto; 譲松本; Akira Imoto; 晃井本
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1997-12-25
Filing date: 1997-12-25
Publication date: 1999-07-09

Abstract

(57)【要約】【課題】複数の回路機能間の干渉を防止できるととも
に、強度を向上できる高周波複合回路ブロックを提供す
る。【解決手段】絶縁層１０ａ〜１０ｈを複数積層してなる
絶縁基体１と、この絶縁基体１内に形成された複数の回
路機能Ｘ、Ｙとを具備してなる高周波複合回路ブロック
であって、回路機能Ｘ、Ｙ間の干渉を防止する為のシー
ルド壁１７を絶縁層１０ａ〜１０ｈの積層方向に形成
し、シールド壁１７により絶縁基体１を複数に区分する
とともに、シールド壁１７の絶縁基体１側面方向の先端
が絶縁基体１の側面よりも内部に形成されているもので
あり、シールド壁１７の絶縁基体１側面方向の先端と絶
縁基体１の側面との間隔ｄを０．１〜１．０ｍｍとした
ものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の回路機能を
有する高周波回路基板等に用いる高周波複合回路ブロッ
クに関わり、例えば、フィルタ、コンデンサ、コイル等
の回路機能が内部に複数形成された高周波複合回路ブロ
ックに関するものである。

【０００２】

【従来技術】近年、電子機器は小型軽量化、携帯化が進
んでおり、それに用いられる回路ブロックもその動向に
呼応する形で、小型軽量薄型化、表面実装化、複合化が
押し進められている。

【０００３】特に携帯通信等の高周波を利用した通信機
器においては、セラミックスの優れた誘電特性等と多層
化技術から回路ブロックが従来より多用されており、近
年では、回路ブロックを単一機能のものから複合化する
ことが求められてきている。例えば、電圧制御発振器
（ＶＣＯ）はセラミック基板内部にストリップラインを
設けて形成しているが、さらにセラミック基板の集積度
をあげる目的で、同一基板内にミキサ部を取り込んで１
ブロック化しようとする動向がある。

【０００４】即ち、高周波複合回路基板内に、電圧制御
発振器とミキサ部の２つの回路機能を形成しようとする
ものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしなから、電圧制
御発振器のような高周波領域において用いられる発信回
路は、他の回路機能であるミキサ部、あるいはその他の
ノイズの影響を受け易いという問題があった。即ち、電
圧制御発振器とミキサ部が同一基板内に形成される場合
には、電圧制御発振器がミキサ部の影響を受け、発振器
としての性能が劣化するという問題があった。

【０００６】このような問題を解決するために、電圧制
御発振器からミキサ部を離して形成することが考えられ
るが、この方法では、近年における小型化の要求に対し
て逆行するという問題があった。

【０００７】そこで、本出願人は、同一基板内に内蔵し
た電圧制御発振器とミキサ部との間に、シールド壁を基
板の厚み方向に形成した高周波複合回路ブロックについ
て出願した（特願平７−２８３８２９号）。

【０００８】この高周波複合回路ブロックでは、電圧制
御発振器とミキサ部との干渉を有効に防止することがで
きる。しかしながら、シールド壁を基板の厚み方向に形
成したため、そのシールド壁の存在によりシールド壁両
側のセラミック同士の接合力が弱くなり、高周波複合回
路ブロックの強度が低下するという問題があった。

【０００９】即ち、シールド壁の絶縁基板側面方向の先
端が基板の外表面に露出すると、そのシールド壁両側の
セラミック同士の密着性が悪化し、多数個取り基板の場
合は焼成後の基板分割時にシールド壁の露出部で密着不
良による基板割れや口開きのような現象が起こることが
あり、特にシールド効果をあげる為にシールド壁の厚み
を厚くしようとするとこの傾向が顕著に見られるという
問題があった。

【００１０】本発明は、複数の回路機能を１ブロック内
に内蔵するにあたって問題となる回路干渉を防止できる
とともに、強度を向上できる高周波複合回路ブロックを
提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の高周波複合回路
ブロックは、絶縁層を複数積層してなる絶縁基体と、こ
の絶縁基体内に形成された複数の回路機能とを具備して
なる高周波複合回路ブロックであって、前記回路機能間
の干渉を防止する為のシールド壁を前記絶縁層の積層方
向に形成し、該シールド壁により前記絶縁基体を複数に
区分するとともに、前記シールド壁の前記絶縁基体側面
方向の先端が前記絶縁基体の側面よりも内部に形成され
ているものである。ここで、シールド壁の絶縁基体側面
方向の先端と絶縁基体の側面との間隔ｄが０．１〜１．
０ｍｍであることが望ましい。

【００１２】

【作用】本発明によれば、複数の回路機能を同一基体内
に一体化形成するにあたって、回路機能間にシールド壁
を形成することにより、小型化を阻害せずに回路機能間
の干渉を防止することができる。また、シールド壁の形
成により外部からのノイズやブロック表面に搭載された
電子部品からのノイズも阻止することが可能になる。

【００１３】そして、本発明の高周波複合回路ブロック
では、シールド壁の絶縁基体側面方向の先端が絶縁基体
の側面よりも内部に形成されているので、シールド壁両
側のセラミック同士がシールド壁の先端と絶縁基体の側
面との間で接合されており、シールド壁両側のセラミッ
ク同士の接合力を向上して、密着性不良による基板割れ
や口開きを防止でき、強度を向上することができる。

【００１４】また、シールド壁の先端と絶縁基体の側面
との間隔ｄを０．１〜１．０ｍｍとすることにより、シ
ールド壁による十分なシールド効果を維持した状態で、
シールド壁両側のセラミック同士の接合強度を向上でき
る。

【００１５】従来のセラミック多層回路基板の製造方法
は、セラミックスやガラスセラミックスの粉末を含有す
るグリーンシートを作製し、次に、グリーンーシートに
ビアホール導体となる位置にＮＣパンチや金型などでビ
アホール用貫通孔を形成し、次に内部配線のパターン及
びビアホール導体に応じてグリーンシート上に導電性ペ
ーストを印刷・充填し、次に、これらのシートを複数積
層して、この積層体を一括同時焼成する、いわゆるグリ
ーンシート積層方式である。

【００１６】しかしながら、このグリーンシート積層方
式による製造方法にて積層方向にシールドを形成しよう
とすると、絶縁層となるグリーンシートを作製したのち
に、ＮＣパンチや金型などでシールド用貫通溝を形成し
なくてはならず、グリーンシートの取扱いが次工程以降
非常に困難であった。さらに、理想的にはシールドは面
方向に閉ループ状態にしたいが、それに対応するために
ＮＣパンチや金型などでシールド用貫通溝を形成するこ
とは不可能であった。

【００１７】そこで、本発明の高周波複合回路ブロック
は、光硬化可能なモノマーを含有するスリップ材で絶縁
層成形体を作製し、露光・現像処理を施す工程を繰り返
して作製した成形体を焼成することにより、シールド壁
を絶縁層の積層方向に容易に形成でき、しかもシールド
壁の先端と絶縁基体の側面との間に所定の間隔を容易に
形成することができ、回路機能間の干渉や外部からのノ
イズを遮断できるとともに、シールド壁両側のセラミッ
ク同士の接合が強化され、従来のようなセラミック同士
の密着不良による基板割れや口開きのような現象を防止
し、強度を向上できるのである。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明の高周波複合回路ブロック
を図面を用いて詳細に説明する。図１および図２は本発
明の高周波複合回路ブロックを示すもので、これらの図
では、回路機能である電圧制御発振器Ｘと回路機能であ
るミキサ部Ｙの２つの回路機能を有するブロックが複合
化されている。図において、符号１は絶縁基体を示して
いる。この絶縁基体１は誘電体としての機能を有するも
のである。

【００１９】この絶縁基体１には、入出力端子、電源端
子、グランド端子等の端面電極２が形成されている。こ
の端面電極２はリード端子として形成しても良い。この
絶縁基体１の表面には表面電極３が形成されており、こ
の表面電極３には厚膜抵抗体４、抵抗器、コンデンサ等
のチップ部品６が接続されている。さらに、絶縁基体１
にはキャビティ部が形成され、このキャビティ部には半
導体ベアチップ７が配置され、半導体ベアチップ７はワ
イヤを介して表面電極３に接続されている。

【００２０】絶縁基体１は、図２に示すように、絶縁層
１０ａ〜１０ｈを複数積層して構成され、また、内部配
線１１やビアホール導体１３、チップ部品６、半導体ベ
アチップ７等により２つの回路機能が形成されている。
本発明の複数の回路機能とは、一つの回路機能が他方の
回路機能に影響を及ぼす虞があるものであれば、どのよ
うなものであっても良く、回路機能としては、例えば、
フィルター素子、発振子、コイル、コンデンサ等それぞ
れが単独の場合もあるが、これらの複数の組み合わせか
らなる場合もある。図２においては、電圧制御発振器Ｘ
とミキサ部Ｙを図示した。

【００２１】絶縁層１０ａ〜１０ｈはガラスセラミック
スまたはセラミックスからなるものである。絶縁層１０
ａ〜１０ｈの厚みは４０〜１５０μｍとされている。こ
のような複数の絶縁層１０ａ〜１０ｈ間に形成されてい
る内部配線１１は、金系、銀系、銅系の金属材料からな
るものである。

【００２２】また、絶縁層１０ａ〜１０ｈ間の内部配線
１１は、絶縁層１０ａ〜１０ｈの厚み方向に形成された
ビアホール導体１３によって接続されているものもあれ
ば、容量結合等で分布定数的に接続されるものもある。
このビアホール導体１３も内部配線１１と同様に金系、
銀系、銅系の金属材料からなるものである。

【００２３】そして、絶縁基体１には、電圧制御発振器
Ｘとミキサ部Ｙの二つの回路機能の間に、回路機能間の
干渉を防止するシールド壁１７が絶縁層１０ａ〜１０ｈ
の積層方向に形成さ、絶縁基体１を複数に区分してい
る。このシールド壁１７は、ビアホール導体１３と同様
に金系、銀系、銅系の金属材料からなるものである。

【００２４】このシールド壁は１７は、図２に示すよう
に電圧制御発振器Ｘとミキサ部Ｙとの間を遮断するよう
に形成され、絶縁基体１を２つに区分している。電圧制
御発振器Ｘのシールドを、図３に示すように、シールド
壁１７と端面電極２ａにより行っている。即ち、シール
ド壁１７により電圧制御発振器Ｙとのシールドを、端面
電極２ａにより外部とのシールドを行っている。

【００２５】このシールド壁１７は長方形状とされ、図
４に示すように、その絶縁基体側面方向の先端は、絶縁
基体１の側面よりも内部に形成され、絶縁基体１の側面
には露出していない。つまり、シールド壁１７の先端
と、絶縁基体１の側面とが間隔ｄを置いて形成され、そ
の間隔ｄは０．１〜１ｍｍとされている。このように設
定したのは、間隔ｄが０．１ｍｍよりも小さいと十分な
接合強度が得られず、しかも製造上困難となり、１ｍｍ
よりも大きいと十分なシールド効果が得られないからで
ある。

【００２６】尚、図５〜７に示すように、絶縁層の積層
方向に形成されたシールド壁１８、絶縁層間に形成され
た内部導体１９により、絶縁基体１を上下左右に複数に
区分しても良い。この例では、シールド壁１８の絶縁基
体側面方向の先端と、絶縁基体１の側面との間に間隔ｄ
が形成されているため、シールド壁１８両側のセラミッ
ク同士の接合強度が向上する。

【００２７】そして、この例では、シールド壁１８の上
下端と、絶縁基体１の上下面との間にも間隔ｄが形成さ
れているため、さらにシールド壁１８両側のセラミック
同士の接合強度が向上する。さらに、絶縁層間に形成さ
れた内部導体１９の絶縁基体側面方向の先端と、絶縁基
体１の側面との間にも間隔ｄが形成されているため、さ
らに接合強度を向上できる。また間隔ｄを０．１〜１ｍ
ｍとすることにより、十分なシールド効果を維持した状
態で、接合強度を向上できる。尚、図５は本発明の高周
波複合回路ブロックの他の例を示すもので、シールド
壁、内部導体のみを記載した斜視図であり、図６は図５
の平面図、図７は図５の側面図である。

【００２８】次に、図２に示した本発明の高周波複合回
路ブロックの製造方法について説明する。先ず、絶縁層
１０ａ〜１０ｈとなるスリップ材を作成する。

【００２９】スリップ材は、例えば、セラミック原料粉
末と、光硬化可能なモノマー、例えばポリオキシエチル
化トリメチロールプロパントリアクリレートと、有機バ
インダ、例えばアルキルメタクリレートと、可塑剤と
を、有機溶剤、例えばエチルカルビトールアセテートに
混合し、ボールミルで混練して作製される。

【００３０】セラミック原料粉末としては、例えば、金
属元素として少なくともＭｇ、Ｔｉ、Ｃａを含有する複
合酸化物であって、その金属元素酸化物による組成式を
（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ₃−ｘＣａＴｉＯ₃（但し、式中
ｘは重量比を表し、０．０１≦ｘ≦０．１５）で表され
る主成分１００重量部に対して、硼素含有化合物をＢ₂
Ｏ₃換算で３〜３０重量部、アルカリ金属含有化合物を
アルカリ金属炭酸塩換算で１〜２５重量部添加含有して
なるものが用いられる。

【００３１】尚、上述の実施例では溶剤系スリップ材を
作製しているが、上述のように親水性の官能基を付加し
た光硬化可能なモノマー、例えば多官能基メタクリレー
トモノマー、有機バインダ、例えばカルボキシル変性ア
ルキルメタクリレートを用いて、イオン交換水で混練し
た水系スリップ材であっても良い。

【００３２】セラミック原料粉末としては、例えば、ガ
ラス材料であるＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｎＯ、Ｍｇ
Ｏ、Ｂ₂Ｏ₃を主成分とする結晶化ガラス粉末７０重量
％とセラミック材料であるアルミナ粉末３０重量％とか
らなるものも用いられる。セラミック原料粉末は、特に
限定されるものではない。

【００３３】また、ビアホール導体１３、内部配線１１
およびシールド壁１７となる導電性ペーストを作成す
る。導電性ペーストは、低融点で且つ低抵抗の金属材料
である例えば銀粉末と、硼珪酸系低融点ガラス、例えば
Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−ＢａＯガラス、ＣａＯ−Ｂ₂Ｏ₃
−ＳｉＯ₂ガラス、ＣａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−Ｂ₂Ｏ₃−Ｓ
ｉＯ₂ガラスと、有機バインダ、例えばエチルセルロー
スとを、有機溶剤、例えば２，２，４−トリメチル−
１，３−ペンタジオ−ルモノイソブチレ−トに混合し、
３本ローラーにより均質混練して作製される。

【００３４】次に、図８（ａ）に示すように、まず、絶
縁層用スリップ材を、支持基板３３上に、上述のスリッ
プをドクターブレード法によって塗布し、乾燥して、絶
縁層１０ｈとなる絶縁層成形体３５ｈを形成する。支持
基板３３としてマイラーフイルムを用い、この支持基板
３３は焼成工程前に取り外される。塗布後の乾燥条件は
６０〜８０℃で２０分乾燥であり、薄層化・乾燥された
絶縁層成形体３５ｈの厚みは、例えば４０μｍである。

【００３５】この絶縁層成形体３５ｈにはビアホール導
体が形成されないため、直ちに、図２中の内部配線１１
ａとなる内部配線パターンの印刷・乾燥を行う。具体的
には、図８（ｂ）に示すように上述の導電性ペーストを
所定配線パターンの形成可能なスクリーン（図示せず）
を介して、印刷・乾燥することにより、内部配線パター
ン３６ａが形成される。

【００３６】次に、下から２層目となる絶縁層１０ｇを
形成する。具体的には、図８（ｃ）に示すように、絶縁
層１０ｇとなる絶縁層成形体３５ｇを、絶縁層成形体３
５ｈ上の内部配線パターン３６ａを全て被覆するよう
に、絶縁層成形体３５ｈと同様に塗布・乾燥により形成
する。

【００３７】この後、絶縁層成形体３５ｇにシールド用
貫通溝及びビアホール用貫通孔の形成を行う。シールド
用貫通溝及びビアホール用貫通孔は、露光処理、現像処
理、洗浄・乾燥処理により形成される。尚、シールド壁
及びビアホール導体の形成の不要な絶縁層については、
この貫通溝、孔の形成、そして次に続く導電性ペースト
の充填工程は省略される。

【００３８】露光処理は、具体的には、図８（ｄ）に示
すように、絶縁層成形体３５ｇ上にシールド用貫通溝及
びビアホール用貫通孔が形成される領域が遮光されるよ
うなフォトターゲット３７を載置して、例えば、超高圧
水銀灯（１０ｍＷ／ｃｍ²）を光源として用いて露光を
行なう。

【００３９】露光処理は、例えば、フォトターゲット３
７を絶縁基板上に近接または載置して、貫通溝、孔以外
の領域に、低圧、高圧、超高圧の水銀灯系の露光光を照
射する。これにより、貫通溝、孔以外の領域では、光硬
化可能なモノマーが光重合反応を起こす。従って、貫通
溝、孔部分のみが現像処理によって除去可能な溶化部と
なる。フォトターゲット３７を絶縁層成形体に接触させ
るため露光精度が向上する。また、最適露光時間は絶縁
層成形体の厚み、シールド用貫通溝の幅、ビアホール用
貫通孔の直径などで決まる。露光装置は所謂写真製版技
術に用いられる一般的なものでよい。

【００４０】これにより、シールド用貫通溝及びビアホ
ール用貫通孔が形成される領域の絶縁層成形体３５ｇに
おいては、光硬化可能なモノマの光重合反応がおこら
ず、貫通溝、孔が形成される領域以外の絶縁層成形体３
５ｇにおいては、光重合反応が起こる。ここで光重合反
応が起こった部位を不溶化部といい、光重合反応が起こ
らない部位を溶化部という。尚、４０μｍ程度の絶縁層
成形体３５ｇは、超高圧水銀灯（１０ｍＷ／ｃｍ²）を
５〜１０秒程度照射すれば露光を行うことができる。

【００４１】現像処理は、フォトターゲット３７を除去
した後、絶縁層成形体３５ｇの溶化部をスプレー現像法
やパドル現像法によって、現像液で除去するもので、具
体的には１，１，１−トリクロロエタンを用いてスプレ
ー法で現像を行う。その後、必要に応じて洗浄及び乾燥
を行ない、図８（ｅ）に示すように、シールド用貫通溝
３８およびビアホール用貫通孔３９を形成する。この
際、シールド用貫通溝３８の先端が絶縁層成形体３５ｇ
の側面に露出しないように、つまり、シールド用貫通溝
３８の先端と絶縁層成形体３５ｇの側面との間に所定の
間隔を置くように形成する必要がある。

【００４２】次に、シールド壁及びビアホール導体とな
る導体部材を、絶縁層成形体に形成されたシールド用貫
通溝３８およびビアホール用貫通孔３９に導電性ペース
トを充填し、乾燥することにより形成する。充填方法
は、例えばスクリーン印刷方法で行なう。具体的には、
上述の工程で形成したシールド用貫通溝３８およびビア
ホール用貫通孔３９内に上述の導電性ペーストを充填
し、乾燥する。シールド用貫通溝３８およびビアホール
用貫通孔３９に相当する部位のみに印刷可能なスクリー
ンを用いて、印刷によってビアホール導体１３及びシー
ルド壁１７となる導体部材を形成し、その後、例えば５
０℃において１０分乾燥する。

【００４３】次に、絶縁層成形体３５ｇの表面に内部配
線１１となるパターンを導電性ペーストを用いて印刷・
乾燥して形成する。印刷方法は、例えばスクリーン印刷
方法で行なう。具体的には、図８（ｆ）に示すように、
絶縁層１０ｇと絶縁層１０ｆとの間に配置される内部配
線１１を、絶縁層成形体３５ｈ上に形成した内部配線パ
ターン３６ａと同様のスクリーン印刷法にて形成し、乾
燥し、内部配線パターン３６を形成する。

【００４４】そして、図９に示すように、絶縁層用スリ
ップ材の塗布・乾燥工程を繰り返し、下から３層目の絶
縁層成形体を形成する。即ち、絶縁層１０ｆとなる絶縁
層成形体３５ｆを塗布・印刷して形成し、さらに露光・
現像処理によりシールド用貫通溝３８を形成し、シール
ド壁１７となる導電性ペーストを印刷充填し、内部配線
１１となる内部配線パターン３６の形成を繰り返す。こ
のような工程を繰り返して最上層の絶縁層成形体３５ａ
を形成し、露光・現像処理により貫通溝、孔を形成し、
導電性ペーストを印刷充填して、図９に示すような８層
の絶縁層を有する積層成形体４１を形成する。尚、キャ
ビティ用の貫通孔には、樹脂ペーストが充填され、この
樹脂は脱バインダ工程で飛散し、キャビティが形成され
る。

【００４５】この後、表面電極３となる導体膜を最上層
の絶縁層成形体３５ａの表面に印刷・乾燥により形成す
る。これは、各絶縁層成形体３５ａ〜３５ｈ、内部配線
１１となる配線パターン３６、３６ａ、ビアホール導体
１３およびシールド壁１７となる導体部材の一括焼成時
に、表面電極３となる導体膜をも一括的に焼成しようと
するものである。

【００４６】次に、必要に応じて、積層成形体４１の形
状をプレスで整えたり、分割溝を形成したり、また、支
持基板３３を取り外す。

【００４７】次に、焼成を行う。焼成は、脱バインダー
工程と、本焼成工程からなる。脱バインダー工程は、概
ね６００℃以下の温度領域であり、絶縁層成形体３５ａ
〜３５ｈ及び内部配線パターン３６、３６ａ、導体部材
に含まれている有機バインダ、光硬化可能なモノマを消
失する過程であり、本焼成工程は、ピーク温度８５０〜
１０５０℃、例えば、ピーク温度９００℃で３０分焼成
する。

【００４８】これにより、図２に示したように、８層の
絶縁層１０ａ〜１０ｈからなる絶縁基体１内に、シール
ド壁１７、内部配線１１、１１ａ、ビアホール導体１３
が形成され、さらに表面電極３が形成された高周波複合
回路ブロックが得られる。

【００４９】その後、表面処理として、さらに、厚膜抵
抗体４や厚膜保護膜の印刷・焼きつけ、メッキ処理、さ
らに半導体ベアチップ７やチップ部品６の接合を行う。

【００５０】尚、図１においては、絶縁基体１の上面側
のみに表面電極３、厚膜抵抗体４、チップ部品６が形成
されているが、絶縁基体１の下面側にも形成してもよ
い。この時に、高周波複合回路ブロックの製造方法とし
ては、絶縁体成形体３５ｈを塗布・乾燥後、下面側に延
びるビアホール導体を形成するために、露光・現像処理
を行う必要がある。

【００５１】また、表面電極３は、絶縁層１０ａ〜１０
ｈの焼成された積層体の表面に、印刷・乾燥し、所定雰
囲気で焼きつけを行っても構わない。例えば、内部配線
１１、１１ａにＡｇ系導体を用い、表面電極３としてＣ
ｕ系導体を用いる場合、絶縁層成形体３５ａ〜３５ｈか
らなる積層成形体を、酸化性雰囲気又は中性雰囲気で焼
成し、焼成された積層体の表面に、Ｃｕ系導体の印刷・
乾燥を行い、中性雰囲気又は還元性雰囲気において７８
０℃（ＡｇとＣｕの共晶点）以下の温度で焼成する。

【００５２】また、支持基板３３としてセラミック基板
を用いた場合には、焼成前に取り外すことなく、多層セ
ラミック回路基板の下部層としてそのまま残存させても
構わない。この場合、支持基板３３であるセラミック基
板にビアホール導体や内部配線パターンを予め形成して
も良い。

【００５３】このような製造方法によれば、ビアホール
導体１３となる貫通孔が、フォトターゲット３７を用い
て、露光・現像処理によって作成されるために、フォト
ターゲット３７のパターンによっては、複数種類の径の
貫通穴を任意に形成することができる。これは、例え
ば、多層セラミック回路基板中にアース導体の内部配線
を用いる場合、導電率を考慮して、孔径を任意に設定で
きるため極めて有益である。

【００５４】また、従来の製造方法、即ち、金型やＮＣ
パンチの打ち抜きや、スリップ材の印刷パターンによる
接続では得ることができない径、例えば８０μｍで、さ
らに相対位置精度の高い貫通穴の形成が可能であるた
め、高密度の内部配線パターンを有する多層セラミック
回路基板を容易に製造できる。

【００５５】また、絶縁層となるスリップ材の塗布によ
り絶縁層成形体が形成されるため、絶縁層成形体の表面
が、内部配線の配線パターンの積層状態にかかわらず、
常に平面状態を維持でき、絶縁層成形体上に配線パター
ンを形成するにあたって、非常に精度が高くなる。

【００５６】上述の実施例では、内部配線１１として、
Ａｕ系、Ａｇ系、Ｃｕ系の低融点金属材料を用いた低温
焼成複合回路ブロックで説明したが、内部配線１１とし
て、タングステン、モリブデンなどの高融点金属材料を
用いた、１３００℃前後で焼成される複合回路ブロック
であっても構わない。この場合、スリップ材のガラス材
料の組成を所定成分とし、さらにセラミック材料との混
合比率を所定に設定する必要がある。

【００５７】

【実施例】本発明の高周波複合回路ブロックのシールド
効果を電磁場解析を用いて確認した。先ず、図１０に示
すように、厚み１ｍｍ縦１０ｍｍ横１０ｍｍの絶縁基体
１の上下面にグランド層５０を形成し、基体１内に幅ａ
が０．１ｍｍのストリップライン５１を２本設け、それ
らの間に厚みｂが０．２ｍｍのシールド壁５３を設け、
ストリップライン５１とシールド壁５３との間の距離ｃ
を０．２ｍｍに設定した。この基体１の比誘電率を１
９、Ｑｆを１６０００とした。

【００５８】そして、基体１側面とシールド壁の先端ま
での距離ｄを、０．１、０．５、１．０、２．０ｍｍに
設定した場合、及びシールド壁を形成しない場合におい
て、高周波信号の周波数が各々２ＧＨｚ及び３ＧＨｚの
時のストリップライン５１間のアイソレーションを求
め、表１に示した。

【００５９】

【表１】

【００６０】この表１より、距離ｄが０．１〜１．０ｍ
ｍの場合には、３ＧＨｚまでの周波数でシールド効果と
して充分である３０ｄＢ以上を示しており、距離ｄがこ
の範囲内では基板の層間密着性が充分保たれた状態で優
れたシールド効果を有することがわかる。

【００６１】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、シール
ド壁の絶縁基体側面方向の先端が絶縁基体の側面よりも
内部に形成されているので、複数の回路機能間の干渉を
防止できるとともに、シールド壁両側のセラミック同士
がシールド壁の先端と絶縁基体の側面との間で接合され
ており、シールド壁両側のセラミック同士の接合力を向
上して、密着性不良による基板割れや口開きを防止で
き、強度を向上することができる。特にブロックの平面
方向及び厚み方向に閉ループ状のシールドが形成できる
ことは、干渉回避に最適である。

【００６２】また、シールド壁の先端と絶縁基体の側面
との間隔ｄを０．１〜１．０ｍｍとすることにより、シ
ールド壁による十分なシールド効果を維持した状態で、
シールド壁両側のセラミック同士の接合強度を向上でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の高周波複合回路ブロックの斜視図であ
る。

【図２】図１のＡ−Ａ線における断面図である。

【図３】図２におけるシールド構造を示す説明図であ
る。

【図４】図２のシールド壁を説明するための平面図であ
る。

【図５】本発明の他の高周波複合回路ブロックのシール
ド壁および内部導体を示す斜視図である。

【図６】図５の平面図である。

【図７】図５の側面図である。

【図８】本発明の高周波複合回路ブロックの製造方法を
説明する工程図である。

【図９】本発明の高周波複合回路ブロックの積層成形体
を示す断面図である。

【図１０】解析のために用いた高周波複合回路ブロック
を示すもので、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面図であ
る。

【符号の説明】

１・・・絶縁基体２・・・端面電極３・・・表面電極４・・・厚膜抵抗体６・・・チップ部品７・・・半導体ベアチップ１０ａ〜１０ｈ・・・絶縁層１１、１１ａ・・・内部配線１３・・・ビアホール導体１７、１８、５３・・・シールド壁１９・・・内部導体３５ａ〜３５ｈ・・・絶縁層成形体３６、３６ａ・・・内部配線パターン３７・・・フォトターゲット４１・・・積層成形体Ｘ・・・電圧制御発振器Ｙ・・・ミキサ部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁層を複数積層してなる絶縁基体と、こ
の絶縁基体内に形成された複数の回路機能とを具備して
なる高周波複合回路ブロックであって、前記回路機能間
の干渉を防止するためのシールド壁を前記絶縁層の積層
方向に形成し、該シールド壁により前記絶縁基体を複数
に区分するとともに、前記シールド壁の前記絶縁基体側
面方向の先端が前記絶縁基体の側面よりも内部に形成さ
れていることを特徴とする高周波複合回路ブロック。
【請求項２】シールド壁の絶縁基体側面方向の先端と絶
縁基体の側面との間隔ｄが０．１〜１．０ｍｍであるこ
とを特徴とする請求項１記載の高周波複合回路ブロッ
ク。