JP2011165717A5 - - Google Patents

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WO2013030885A1 (ja) * 2011-08-30 2013-03-07 パナソニック株式会社 薄膜形成基板の製造方法及び薄膜基板
US9218968B2 (en) 2011-11-29 2015-12-22 Joled Inc Method for forming crystalline thin-film and method for manufacturing thin film transistor
JP6941473B2 (ja) * 2017-04-26 2021-09-29 株式会社日本製鋼所 ディスプレイの製造方法、ディスプレイ及び液晶テレビ
WO2021039310A1 (ja) * 2019-08-29 2021-03-04 株式会社ブイ・テクノロジー レーザアニール装置およびレーザアニール方法
JP2021034693A (ja) * 2019-08-29 2021-03-01 株式会社ブイ・テクノロジー レーザアニール装置および結晶化膜の形成方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4116465B2 (ja) * 2003-02-20 2008-07-09 株式会社日立製作所 パネル型表示装置とその製造方法および製造装置
JP4413569B2 (ja) * 2003-09-25 2010-02-10 株式会社 日立ディスプレイズ 表示パネルの製造方法及び表示パネル
JP2008053528A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Hitachi Displays Ltd 表示装置の製造方法
JP2009081383A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Hitachi Displays Ltd 薄膜半導体素子を備えた表示装置及び薄膜半導体素子の製造方法
JP2009218524A (ja) * 2008-03-13 2009-09-24 Hitachi Displays Ltd 平面表示装置の製造方法および平面表示装置

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