JP2011155078A - 樹脂封止型電子装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子回路を構成した基板10が、ヒートシンク20の上に搭載され、該ヒートシンク20に固定されたリードフレーム30と共にモールド樹脂40で樹脂封止されてなる樹脂封止型電子装置100であって、基板10上に、ポリイミド系樹脂またはポリアミドイミド系樹脂からなるコーティング層60aが形成されると共に、リードフレーム30の固定端子部30aが、コーティング層60aと同じポリイミド系樹脂またはポリアミドイミド系樹脂からなる接着層60bによって、ヒートシンク20に固定されてなる樹脂封止型電子装置100とする。
【選択図】図1
Description
10,14 基板
20〜22 ヒートシンク
30〜32 リードフレーム
30a,31a 固定端子部
40 モールド樹脂
60a コーティング層
60b 接着層
60c 接着層
Claims (14)
- 電子回路を構成した基板が、ヒートシンクの上に搭載され、該ヒートシンクに固定されたリードフレームと共にモールド樹脂で樹脂封止されてなる樹脂封止型電子装置であって、
前記基板の上に、ポリイミド系樹脂またはポリアミドイミド系樹脂からなるコーティング層が形成されると共に、
前記リードフレームの固定端子部が、前記コーティング層と同じポリイミド系樹脂またはポリアミドイミド系樹脂からなる接着層によって、前記ヒートシンクに固定されてなることを特徴とする樹脂封止型電子装置。 - 前記基板が、配線基板に電子部品を集積して搭載したハイブリッドIC基板であることを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型電子装置。
- 前記配線基板が、アルミナからなることを特徴とする請求項2に記載の樹脂封止型電子装置。
- 前記基板が、シリコン基板であることを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型電子装置。
- 前記接着層の厚さが、17μm以上、41μ以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の樹脂封止型電子装置。
- 前記接着層の厚さが、29μm以上、41μ以下であることを特徴とする請求項5に記載の樹脂封止型電子装置。
- 前記コーティング層が、前記基板の外周に形成されてなることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の樹脂封止型電子装置。
- 前記コーティング層が、前記基板の全面に形成されてなることを特徴とする請求項7に記載の樹脂封止型電子装置。
- 前記固定端子部に、貫通穴が形成され、
前記接着層が、前記貫通穴を通って該貫通穴の周りにおける前記ヒートシンクと反対側の前記固定端子部の上面を覆っていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の樹脂封止型電子装置。 - 前記リードフレームの入出力リード端子部が、前記コーティング層と同じポリイミド系樹脂またはポリアミドイミド系樹脂からなる接着層によって、前記ヒートシンクに固定されてなることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の樹脂封止型電子装置。
- 前記基板が、前記コーティング層と同じポリイミド系樹脂またはポリアミドイミド系樹脂からなる接着層によって、前記ヒートシンクの上に搭載されてなることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の樹脂封止型電子装置。
- 請求項1に記載の樹脂封止型電子装置の製造方法であって、
前記ヒートシンクの上に前記基板を搭載する基板搭載工程と、
前記基板搭載工程後において、前記ポリイミド系樹脂またはポリアミドイミド系樹脂の前駆体を、前記基板および前記ヒートシンクの所定位置にそれぞれ塗布する前駆体塗布工程と、
前記前駆体塗布工程後において、前記ヒートシンクに塗布された前記前駆体を加熱してイミド化させ、前記固定端子部を前記ヒートシンクに固定する前駆体加熱工程と、
前記ヒートシンクの上に搭載された前記基板を、該ヒートシンクに固定された前記リードフレームと共に、モールド樹脂で樹脂封止する樹脂モールド工程とを有してなることを特徴とする樹脂封止型電子装置の製造方法。 - 請求項8に記載の樹脂封止型電子装置の製造方法であって、
前記ヒートシンクの上に前記基板を搭載する基板搭載工程と、
前記基板搭載工程後において、前記ポリイミド系樹脂またはポリアミドイミド系樹脂の前駆体を、前記基板の外周および前記ヒートシンクにおける前記固定端子部の固定位置にそれぞれ塗布する第1前駆体塗布工程と、
前記第1前駆体塗布工程後において、前記ヒートシンクに塗布された前記前駆体を加熱してイミド化させ、前記固定端子部を前記ヒートシンクに固定する前駆体加熱工程と、
前記前駆体加熱工程後において、前記ポリイミド系樹脂またはポリアミドイミド系樹脂の前駆体を、前記基板の全面に塗布する第2前駆体塗布工程と、
前記ヒートシンクの上に搭載された前記基板を、該ヒートシンクに固定された前記リードフレームと共に、モールド樹脂で樹脂封止する樹脂モールド工程とを有してなることを特徴とする樹脂封止型電子装置の製造方法。 - 請求項11に記載の樹脂封止型電子装置の製造方法であって、
前記ポリイミド系樹脂またはポリアミドイミド系樹脂の前駆体を、前記ヒートシンクにおける前記基板の搭載位置と前記固定端子部の固定位置に塗布する第1前駆体塗布工程と、
前記ヒートシンクに塗布された前駆体の上に、前記基板と前記固定端子部をそれぞれ積層し、該前駆体を加熱してイミド化させ、前記ヒートシンクの上に前記基板を搭載すると共に前記固定端子部を前記ヒートシンクに固定する前駆体加熱工程と、
前記前駆体加熱工程後において、前記ポリイミド系樹脂またはポリアミドイミド系樹脂の前駆体を、前記基板の所定位置に塗布する第2前駆体塗布工程と、
前記ヒートシンクの上に搭載された前記基板を、該ヒートシンクに固定された前記リードフレームと共に、モールド樹脂で樹脂封止する樹脂モールド工程とを有してなることを特徴とする樹脂封止型電子装置の製造方法。
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